JPS61131427A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS61131427A JPS61131427A JP25345484A JP25345484A JPS61131427A JP S61131427 A JPS61131427 A JP S61131427A JP 25345484 A JP25345484 A JP 25345484A JP 25345484 A JP25345484 A JP 25345484A JP S61131427 A JPS61131427 A JP S61131427A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light source
- substrate
- light
- reaction chamber
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光化学的に反応ガスを分解して薄膜を基板
上に形成させる方法（ｐｈｏｔｏ ｃｈｅｍｉｃａｌｖ
ａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ：以下光励起ＣＶ
Ｄ法と称す）を用いて薄膜を形成する半導体製造装置に
関するものである。
上に形成させる方法（ｐｈｏｔｏ ｃｈｅｍｉｃａｌｖ
ａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ：以下光励起ＣＶ
Ｄ法と称す）を用いて薄膜を形成する半導体製造装置に
関するものである。
ＣＶＤ法は集積回路装置におけるｓｍ形成等において重
要な技術であるが、従来のＣＶＤ法は、主として反応ガ
スを加熱して化学反応を起こさせるようにしており、こ
のため反応温度が高温トナリ、これにより形成される薄
膜はダメージを受は易いものである。
要な技術であるが、従来のＣＶＤ法は、主として反応ガ
スを加熱して化学反応を起こさせるようにしており、こ
のため反応温度が高温トナリ、これにより形成される薄
膜はダメージを受は易いものである。
そこで最近、低温ＣＶＤ技術として光励起ＣＶＤ法が注
目されている。この光励起ＣＶＤ法は、ＣＶＤのエネル
ギー源として光を用いるものであり、これによれば、従
来の熱励起ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等に比較して反
応温度を低温にでき、＊ｍへのダメージも少なくするこ
とができる。
目されている。この光励起ＣＶＤ法は、ＣＶＤのエネル
ギー源として光を用いるものであり、これによれば、従
来の熱励起ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等に比較して反
応温度を低温にでき、＊ｍへのダメージも少なくするこ
とができる。
また、一般的に光励起ＣＶＤ法では、光の強度 。
が薄膜の形成速度に大きな影響を与えることが知られて
おり、基板温度９反応ガスの組成比、圧力を一定に保つ
た条件下では、ｓｉ＊の形成速度は光の照射強度に比例
して速くなることが知られている。
おり、基板温度９反応ガスの組成比、圧力を一定に保つ
た条件下では、ｓｉ＊の形成速度は光の照射強度に比例
して速くなることが知られている。
第３図はこのような光励起ＣＶＤ法による従来の薄膜形
成装置の基本的な構成を示し、図において、１は膜形成
時にその中が高真空状態に減圧される反応室、２は線状
ランプからなる光源、３は基板加熱用ヒータ、４はシラ
ン等の反応ガス、５は薄膜が形成される基板、６は光透
過材からなる光入射窓、７は反応ガス供給口、８は反応
後のガス４ａを排出するためのガス排出口、９は基板５
を載せる固定台である。
成装置の基本的な構成を示し、図において、１は膜形成
時にその中が高真空状態に減圧される反応室、２は線状
ランプからなる光源、３は基板加熱用ヒータ、４はシラ
ン等の反応ガス、５は薄膜が形成される基板、６は光透
過材からなる光入射窓、７は反応ガス供給口、８は反応
後のガス４ａを排出するためのガス排出口、９は基板５
を載せる固定台である。
なお、反応室１内は一般的に高真空状態に減圧され、反
応室１の壁、光透過材からなる光入射窓６も当然この圧
力に耐えうる構造、板厚により構成されている。
応室１の壁、光透過材からなる光入射窓６も当然この圧
力に耐えうる構造、板厚により構成されている。
この装置では、反応ガス４が供給ロアから反応室１に導
入されると、該反応ガス４は入射窓６から投射された光
線により励起分解される。そしてこれにより生じた反応
生成物がヒータ３によって低温加熱された基板５上に堆
積し、該基板５上に薄膜が形成される０反応後のガス４
ａは排出口８から排出される。
入されると、該反応ガス４は入射窓６から投射された光
線により励起分解される。そしてこれにより生じた反応
生成物がヒータ３によって低温加熱された基板５上に堆
積し、該基板５上に薄膜が形成される０反応後のガス４
ａは排出口８から排出される。
この従来の半導体製造装置では以上のように反応室１に
光の入射窓６を設け、反応室１外に設けられた光源２か
ら光を投射しているが、基板５上へのＷｙ！の形成速度
を速めるた−めには基板５上の光の照度を強（する必要
があり、このためにはより出力の大きな光源を用いるか
、基板５と光源２の距離を縮め、基板５上の照度を強く
する必要がある。ところが、長寿命で出力の大きい実用
的な光源を求めることは現在では困難であり、また従来
の構造のまま基板５と光源２の間の距離を縮めることも
これらの間に光透過材からなる光入射窓６を、高真空の
圧力に耐えられる構造で反応室１に取り付けねばならな
いことからはなはだ困難であった。
光の入射窓６を設け、反応室１外に設けられた光源２か
ら光を投射しているが、基板５上へのＷｙ！の形成速度
を速めるた−めには基板５上の光の照度を強（する必要
があり、このためにはより出力の大きな光源を用いるか
、基板５と光源２の距離を縮め、基板５上の照度を強く
する必要がある。ところが、長寿命で出力の大きい実用
的な光源を求めることは現在では困難であり、また従来
の構造のまま基板５と光源２の間の距離を縮めることも
これらの間に光透過材からなる光入射窓６を、高真空の
圧力に耐えられる構造で反応室１に取り付けねばならな
いことからはなはだ困難であった。
この発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、基板上の光の照度を高めることの゛できる半
導体製造装置を得ることを目的とするものである。
たもので、基板上の光の照度を高めることの゛できる半
導体製造装置を得ることを目的とするものである。
この発明に係る半導体製造装置は、反応室内の石英ガラ
ス管内にコイル状の線状ランプを該石英ガラス管と同軸
に配設してなるものを光源として用いたものである。
ス管内にコイル状の線状ランプを該石英ガラス管と同軸
に配設してなるものを光源として用いたものである。
この発明においては、光源を反応室内に設けたから、該
光源が基板に近づくことで該基板上の光の照度が高まり
、薄膜が速く形成される。
光源が基板に近づくことで該基板上の光の照度が高まり
、薄膜が速く形成される。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体製造装置の断面
図、第２図は第１図のｎ−ｎ線断面図である。両図にお
いて、１は反応室、１３は該反応室１内に設けられた円
筒形石英ガラス管、２２は該石英ガラス管１３内にこれ
と同軸に配設されたコイル状の線状ランプであり、その
中央ほどピッチが大きくなっている。１２は上記石英ガ
ラス管１３と線状ランプ２２からなる光源、１１は上記
石英ガラス管１３を覆う集光反射板、３は基板加熱用ヒ
ータ、４は反応ガス、５は基板、７は反応ガス供給口、
８は反応後のガス４ａを排出ためのガス排出口、９は基
板５を載置する台である。
図、第２図は第１図のｎ−ｎ線断面図である。両図にお
いて、１は反応室、１３は該反応室１内に設けられた円
筒形石英ガラス管、２２は該石英ガラス管１３内にこれ
と同軸に配設されたコイル状の線状ランプであり、その
中央ほどピッチが大きくなっている。１２は上記石英ガ
ラス管１３と線状ランプ２２からなる光源、１１は上記
石英ガラス管１３を覆う集光反射板、３は基板加熱用ヒ
ータ、４は反応ガス、５は基板、７は反応ガス供給口、
８は反応後のガス４ａを排出ためのガス排出口、９は基
板５を載置する台である。
本装置においては、反応ガス４は供給ロアから反応室１
内に供給され、一方光源１２である円筒形石英ガラス管
１３から光が投射されて該反応ガス４が光化学反応を生
じ、ヒータ３によって加熱されている基板５上に薄膜が
形成される。
内に供給され、一方光源１２である円筒形石英ガラス管
１３から光が投射されて該反応ガス４が光化学反応を生
じ、ヒータ３によって加熱されている基板５上に薄膜が
形成される。
そして本装置では、円筒形石英ガラス管１３内にこれと
同軸にコイル状の線状ランプ２２を配設したものを光源
１２として用い、この発光長の長い該光源１２を反応室
１内に設けたので、該光源１２を任意の距離まで基板５
に近づけることができ、該基板５上の光の照度を高める
ことができる。
同軸にコイル状の線状ランプ２２を配設したものを光源
１２として用い、この発光長の長い該光源１２を反応室
１内に設けたので、該光源１２を任意の距離まで基板５
に近づけることができ、該基板５上の光の照度を高める
ことができる。
このため光源１２の出力を必要以上に高めることなく基
板５上への薄膜の形成速度を速めることができる。また
、本実施例では光源１２上方に集光反射板１１を設けて
いるので、さらに照度を向上できる。
板５上への薄膜の形成速度を速めることができる。また
、本実施例では光源１２上方に集光反射板１１を設けて
いるので、さらに照度を向上できる。
また、この場合線状ランプ２２にコイル状で中央ほどピ
ッチの大きいものを用いたので、基板５上での上記石英
ガラス管１３の軸方向の光の照度分布を十分均一にでき
る。
ッチの大きいものを用いたので、基板５上での上記石英
ガラス管１３の軸方向の光の照度分布を十分均一にでき
る。
また、線状ランプ２２をコイル状に形成したので、これ
は上記石英ガラス管１２に容易に納めることができる。
は上記石英ガラス管１２に容易に納めることができる。
また、本光源にはランプ端子を上記石英ガラス管１３の
両端から取り出しやすく、さらに占めるスペースが小さ
く、かつランプ発光長も長いものである。
両端から取り出しやすく、さらに占めるスペースが小さ
く、かつランプ発光長も長いものである。
以上のように、この発明に係る半導体製造装置によれば
、石英ガラス管内にこれと同軸にコイル状の線状ランプ
を組み込んだものを光源として用い、該光源を反応室内
に設けたので、該光源が基板に近づき、該基板上の光の
照度を高めて薄蹟の形成速度を速めることができ、装置
の性能を向上できる効果がある。
、石英ガラス管内にこれと同軸にコイル状の線状ランプ
を組み込んだものを光源として用い、該光源を反応室内
に設けたので、該光源が基板に近づき、該基板上の光の
照度を高めて薄蹟の形成速度を速めることができ、装置
の性能を向上できる効果がある。
、 第１図は本発明の一実施例による半導体
製速値で 置の断面側面図、第２図は第１図の
ｎ−ｎ線断面図、第３図は従来の半導体製造装置の断面
側面図である。 １・・・反応室、１２−・・光源、４・・・反応ガス、
５・・・基板、１３・・・石英ガラス管、２２・・・コ
イル状の線状ランプ。 なお図中、同一符号は同−又−は相当部分を示す。
製速値で 置の断面側面図、第２図は第１図の
ｎ−ｎ線断面図、第３図は従来の半導体製造装置の断面
側面図である。 １・・・反応室、１２−・・光源、４・・・反応ガス、
５・・・基板、１３・・・石英ガラス管、２２・・・コ
イル状の線状ランプ。 なお図中、同一符号は同−又−は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）反応室内の反応ガスに光源からの光を投射して光
化学反応を生じさせ該反応ガス中に置かれた基板上に薄
膜を形成させる半導体製造装置において、上記光源が反
応室に設けられた石英ガラス管内にコイル状の線状ラン
プが該石英ガラス管と同軸に配設されてなるものである
ことを特徴とする半導体製造装置。 - （２）上記コイル状の線状ランプは、中央ほどピッチが
大きくなっていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25345484A JPS61131427A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25345484A JPS61131427A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131427A true JPS61131427A (ja) | 1986-06-19 |
Family
ID=17251617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25345484A Pending JPS61131427A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61131427A (ja) |
-
1984
- 1984-11-29 JP JP25345484A patent/JPS61131427A/ja active Pending
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