JPS611069A - 発光ダイオ−ド装置 - Google Patents
発光ダイオ−ド装置Info
- Publication number
- JPS611069A JPS611069A JP59124081A JP12408184A JPS611069A JP S611069 A JPS611069 A JP S611069A JP 59124081 A JP59124081 A JP 59124081A JP 12408184 A JP12408184 A JP 12408184A JP S611069 A JPS611069 A JP S611069A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- active layer
- emitting diode
- diode device
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
- H10H20/821—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates of the light-emitting regions, e.g. non-planar junctions
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は発光ダイオード装置に関し、特に宛先々量を
増加させるようにした発光ダイオード装置の改良に係る
ものである。
増加させるようにした発光ダイオード装置の改良に係る
ものである。
従来例によるこの種の一般的な発光ダイオード装置の［
要構成断面を第２図に示しである。すなわち、この第２
図において、発光ダイオードは第１導電形の半導体基板
ｌを有しており、この基板１上には、第１導電形の下部
クラッド層２．活性層３、第２導電形の上部クラッド層
４および第２導電形の電極コンタクト層５をそれぞれ順
次に成長さ□せて半導体接合による発光領域を形成させ
ると共に、前記電極コンタクト層５と基板ｌとに、」二
部および下部の各電極６，７をそれぞれに設け、かつ電
極コンタクト層５に窓開口８を形成させたものである。
要構成断面を第２図に示しである。すなわち、この第２
図において、発光ダイオードは第１導電形の半導体基板
ｌを有しており、この基板１上には、第１導電形の下部
クラッド層２．活性層３、第２導電形の上部クラッド層
４および第２導電形の電極コンタクト層５をそれぞれ順
次に成長さ□せて半導体接合による発光領域を形成させ
ると共に、前記電極コンタクト層５と基板ｌとに、」二
部および下部の各電極６，７をそれぞれに設け、かつ電
極コンタクト層５に窓開口８を形成させたものである。
こ覧でこの従来構成にあって、下部クラッド層２および
上部クラフト層４は、活性層３よりも大きなバンドギャ
ップを有し、いわゆる、タプルヘテロ型構造の半導体接
合による発光領域が形成されており、活性層３に順方向
バイアスを印加させることにより、この発光領域で電子
拳ホール再結合を行なわせて発光させ、発生した光を電
極コンタクト層５の窓開口８から外部へ出射させるよう
にしている。
上部クラフト層４は、活性層３よりも大きなバンドギャ
ップを有し、いわゆる、タプルヘテロ型構造の半導体接
合による発光領域が形成されており、活性層３に順方向
バイアスを印加させることにより、この発光領域で電子
拳ホール再結合を行なわせて発光させ、発生した光を電
極コンタクト層５の窓開口８から外部へ出射させるよう
にしている。
しかして前記装置構成の場合、その光出力の効率を向上
させるためには、通常、活性層３の厚さを充分に厚くし
て発光領域を拡げるなどの手段を講するようにしている
のであるが、一方では活性層３の厚さの増加に伴ない、
この部分での電子・ホール対の閉じ込めが悪くなって、
活性層３内での効率が低下してしまうなどの欠点を生ず
るものであった。
させるためには、通常、活性層３の厚さを充分に厚くし
て発光領域を拡げるなどの手段を講するようにしている
のであるが、一方では活性層３の厚さの増加に伴ない、
この部分での電子・ホール対の閉じ込めが悪くなって、
活性層３内での効率が低下してしまうなどの欠点を生ず
るものであった。
この発明は従来のこのような欠点に鑑み、発光領域を形
成している従来構造での平坦な半導体接合、殊に平坦な
活性層について、これを窓開口部分で光出射方向に彎曲
させることにより、同部分での電子・ホール対の閉じ込
めを改善させ、併せて活性層部分での発光領域の拡大を
図って光出力効率を向上させるようにしたものである。
成している従来構造での平坦な半導体接合、殊に平坦な
活性層について、これを窓開口部分で光出射方向に彎曲
させることにより、同部分での電子・ホール対の閉じ込
めを改善させ、併せて活性層部分での発光領域の拡大を
図って光出力効率を向上させるようにしたものである。
以下この発明に係る発光ダイオード装置の一実施例につ
き、前記第２図に対応して示した第１図を参照して詳細
に説明する。
き、前記第２図に対応して示した第１図を参照して詳細
に説明する。
この第１図実施例装置において前記第２図従来例装置と
同一符号は同一または相当部分を表わしており、この実
施例装置では、前記従来例構成に対応する第１導電形の
下部クラッド層１２．活性層１３、第２導電形の上部ク
ラッド層重４での半導体接合による発光領域にあって、
活性層１３を窓開口８の相当部分で光出射方向に凹状に
彎曲させたものである。
同一符号は同一または相当部分を表わしており、この実
施例装置では、前記従来例構成に対応する第１導電形の
下部クラッド層１２．活性層１３、第２導電形の上部ク
ラッド層重４での半導体接合による発光領域にあって、
活性層１３を窓開口８の相当部分で光出射方向に凹状に
彎曲させたものである。
従ってこのように発光領域を形成している活性層１３を
、窓開口８に対応する部分で光出射方向に凹状に彎曲形
成させたから、同部分での゛電子・ホール対の閉じ込め
が改善されると共に、活性層１３を拡大できるのであり
、しかもこの活性層１３の彎曲形成は、従来から行なわ
れている例えば液相成長方法により極めて容易に達成可
能である。
、窓開口８に対応する部分で光出射方向に凹状に彎曲形
成させたから、同部分での゛電子・ホール対の閉じ込め
が改善されると共に、活性層１３を拡大できるのであり
、しかもこの活性層１３の彎曲形成は、従来から行なわ
れている例えば液相成長方法により極めて容易に達成可
能である。
なお、前記実施例においては、活性層を凹状に彎曲形成
させるようにしているが、これを凸状に彎曲形成させて
も同様の作用効果を得られるものである。
させるようにしているが、これを凸状に彎曲形成させて
も同様の作用効果を得られるものである。
以上詳述したようにこの発明によれば、半導体接合によ
り構成される発光領域を、光出射のための窓開口に対応
する部分で、その光出射方向に彎曲形成させから、発光
領域部分での電子・ホール対の閉じ込めを改善し得ると
共に、同部分の活性層を充分に拡大できて、窓開口部か
らの発光々量の増加を図ることができ、しかも装置構成
も比較的簡単で容易に実施し得るなどの特長を有するも
のである。
り構成される発光領域を、光出射のための窓開口に対応
する部分で、その光出射方向に彎曲形成させから、発光
領域部分での電子・ホール対の閉じ込めを改善し得ると
共に、同部分の活性層を充分に拡大できて、窓開口部か
らの発光々量の増加を図ることができ、しかも装置構成
も比較的簡単で容易に実施し得るなどの特長を有するも
のである。
第１図はこの発明に係る発光ダイオード装置の一実施例
を示す概要構成断面図、第２図は同上従来例による発光
ダイオード装置の概要構成断面図である。 １．１１・・・・半導体基板、２．１２・・・・下部ク
ラッド層３．１３・・・・活性層、４．Ｉ４・・・・上
部クラッド層、５・・・・電極コンタクト層、６，７・
・・・上部、下部電極、８・・・・窓開口。
を示す概要構成断面図、第２図は同上従来例による発光
ダイオード装置の概要構成断面図である。 １．１１・・・・半導体基板、２．１２・・・・下部ク
ラッド層３．１３・・・・活性層、４．Ｉ４・・・・上
部クラッド層、５・・・・電極コンタクト層、６，７・
・・・上部、下部電極、８・・・・窓開口。
Claims (1)
- 半導体接合により構成される発光領域で発光させた光を
、窓開口から出射させるようにした発光ダイオードにお
いて、前記窓開口部分に対応する発光領域を、光出射方
向に彎曲形成させたことを特徴とする発光ダイオード装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124081A JPS611069A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 発光ダイオ−ド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124081A JPS611069A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 発光ダイオ−ド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS611069A true JPS611069A (ja) | 1986-01-07 |
Family
ID=14876453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59124081A Pending JPS611069A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 発光ダイオ−ド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS611069A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005064475A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-03-10 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| EP1551064A3 (en) * | 2003-12-31 | 2007-07-25 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device and manufacturing method thereof. |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57133686A (en) * | 1981-02-12 | 1982-08-18 | Sharp Corp | Semiconductor light emitting element and manufacture thereof |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP59124081A patent/JPS611069A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57133686A (en) * | 1981-02-12 | 1982-08-18 | Sharp Corp | Semiconductor light emitting element and manufacture thereof |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005064475A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-03-10 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| EP1551064A3 (en) * | 2003-12-31 | 2007-07-25 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device and manufacturing method thereof. |
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