JPS61106775A - 無電解銅めつき液 - Google Patents
無電解銅めつき液Info
- Publication number
- JPS61106775A JPS61106775A JP22848984A JP22848984A JPS61106775A JP S61106775 A JPS61106775 A JP S61106775A JP 22848984 A JP22848984 A JP 22848984A JP 22848984 A JP22848984 A JP 22848984A JP S61106775 A JPS61106775 A JP S61106775A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- copper
- electroless copper
- plating solution
- copper plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発ＥＪＡは、無電解銅めっき液に関する。
（従来の技術）
無電解銅めっきの利用にはプラスチックめっきのための
下地めっき、プラスチックやセラミックスなど絶縁体表
面に電気めっきをおこなうための下地めっきおよび無電
解銅めっきだけでプリント配線板の導体を形成する厚付
は用めっきなどがるる。
下地めっき、プラスチックやセラミックスなど絶縁体表
面に電気めっきをおこなうための下地めっきおよび無電
解銅めっきだけでプリント配線板の導体を形成する厚付
は用めっきなどがるる。
こｎらの無電解銅めっき液は電気めっきと較べて析出速
度が低（・。通常、プリント配線板製造分野で使用され
る無電解銅めっきの場合は同じくプリント配線板製造分
野で使用さｎている電気銅めっ・きに比べてめっき析出
速度が１／４゜〜１／１ｏである。その冷めに、製造時
間の短縮や製造設備ラインの自動化が困難でらる。
度が低（・。通常、プリント配線板製造分野で使用され
る無電解銅めっきの場合は同じくプリント配線板製造分
野で使用さｎている電気銅めっ・きに比べてめっき析出
速度が１／４゜〜１／１ｏである。その冷めに、製造時
間の短縮や製造設備ラインの自動化が困難でらる。
（発明の目的）
本発明の目的は、めっき析出速度の高い無電解銅めっき
液を提供するものである。
液を提供するものである。
（発明の構成）
本発明は銅イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤、田調整
剤および水を含む無電解銅めっき液に環状フェノールを
添加した無電解銅めっき液である。本発明において、銅
イオンの銅イオン源として、硫酸鋼、硝酸鋼、塩化第２
銅など通常の銅塩が用いらｎる。錯化剤としては、上記
の銅イオンと錯体を形成してアルカリ水溶液に可溶とす
るもので、エチレンジアミン四酢酸、クアドロール（ア
デカ製、商品名）、酒石酸などが用いらｎる。還元剤と
しては、ホルマリン、次亜リン酸塩など使用さｎる。田
調整剤は水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどが使用
できる。水としてはイオン交換水が望ましい。
剤および水を含む無電解銅めっき液に環状フェノールを
添加した無電解銅めっき液である。本発明において、銅
イオンの銅イオン源として、硫酸鋼、硝酸鋼、塩化第２
銅など通常の銅塩が用いらｎる。錯化剤としては、上記
の銅イオンと錯体を形成してアルカリ水溶液に可溶とす
るもので、エチレンジアミン四酢酸、クアドロール（ア
デカ製、商品名）、酒石酸などが用いらｎる。還元剤と
しては、ホルマリン、次亜リン酸塩など使用さｎる。田
調整剤は水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどが使用
できる。水としてはイオン交換水が望ましい。
本発明で用いる環状フェノールはｐ−アルキルフェノー
ル類とホルムアルデヒドの反応により合成さｎ一般式 （式中Ｘはメチレン基−ＣＨｌ−６るいはジメチレンエ
ーテル基−Ｃ８２０ＣＨｇ−であり、Ｒは水素原子又は
炭素数１〜２０のアルキル基である。またｍは３〜８の
整数値である。）で示される環状ポリマーである。
ル類とホルムアルデヒドの反応により合成さｎ一般式 （式中Ｘはメチレン基−ＣＨｌ−６るいはジメチレンエ
ーテル基−Ｃ８２０ＣＨｇ−であり、Ｒは水素原子又は
炭素数１〜２０のアルキル基である。またｍは３〜８の
整数値である。）で示される環状ポリマーである。
さらに具体的に述べると、環状フェノールの合成に使わ
ｒＬるｐアルキルフェノール類としてｆｄｐ−クレゾー
ル、ｐ−７’ロピルフエノール、ｉ＋’ｊ（“−′°７
″′”／ −ｋ゛−ｐ −＃ ／ ｆｌ’ ７“ノール
、ｐ−ノニルフェノール、・・・・・・ｐ−ステアリル
フェノール等がある。またｍ数としては３、４．５．６
．７．８等が一般的であり、Ｘとしては全てメチレン基
のものが一般的であるがジメチレンエーテル基が環状体
１分子中に数個式ったものも存在する。
ｒＬるｐアルキルフェノール類としてｆｄｐ−クレゾー
ル、ｐ−７’ロピルフエノール、ｉ＋’ｊ（“−′°７
″′”／ −ｋ゛−ｐ −＃ ／ ｆｌ’ ７“ノール
、ｐ−ノニルフェノール、・・・・・・ｐ−ステアリル
フェノール等がある。またｍ数としては３、４．５．６
．７．８等が一般的であり、Ｘとしては全てメチレン基
のものが一般的であるがジメチレンエーテル基が環状体
１分子中に数個式ったものも存在する。
一般式中Ｒが水素原子の環状フェノールはｐ−アルキル
フェノール類とホルムアルデヒドとの反応後、フェノー
ル環のアルキル基を水素原子と置換することにより得ら
ｎる。
フェノール類とホルムアルデヒドとの反応後、フェノー
ル環のアルキル基を水素原子と置換することにより得ら
ｎる。
一般に環状フェノールのめりき液入の溶解度は極めて小
さい。添加量は５０１１１ｇ／ｍｌでも充分である。過
剰に添加してもめっき析出速度を下げることはない。過
剰に添加した場合は、めっき液に溶解していない環状フ
ェノールはめりき液中に懸濁するかもしくは浮遊する。
さい。添加量は５０１１１ｇ／ｍｌでも充分である。過
剰に添加してもめっき析出速度を下げることはない。過
剰に添加した場合は、めっき液に溶解していない環状フ
ェノールはめりき液中に懸濁するかもしくは浮遊する。
添加は２種類以上混ぜて使用しても構わない。
めっき液温度は下地用無電解銅めっきとして用いる場合
は一般に室温から６０℃程度である。
は一般に室温から６０℃程度である。
厚付は用として用いる場合は６０℃以上が望ま
）しい。
）しい。
銅イオンは（１００４〜ａ２モル／ｌ、銅イオンの錯化
剤は、０．００４〜１モル／！、還元剤は１ｌｌＬ０１
〜０．２５モル／Ｉ、…調整剤は…を１１．０〜１五５
にする必要な葉月いらｎる。
剤は、０．００４〜１モル／！、還元剤は１ｌｌＬ０１
〜０．２５モル／Ｉ、…調整剤は…を１１．０〜１五５
にする必要な葉月いらｎる。
実施例
実施ｖ」１゜
めっき浴として、硫酸銅α０４モル／ｌ、ＥＤＴＡＱ、
０６モル／１１ホルムアルデヒドｃＬ０３モル／ｌおよ
び…１２．５からなる組成で浴温を７０℃とした。こｎ
ｊｆｃ％ ｐ−ターシャリープチルカリックス（４）ア
レン、ｐ−ターシャリープチルカリックス〔８〕アレン
およびｐ−ターシャリープチルビスホモオフサ〔４〕ア
レンを別々に用意しためっき浴ｖｃ添加した。添加量は
１１００ｒｎ／ｌでめる。こｒしらのめっぎ敵に、硫酸
洗浄し７’（銅箔を６０分間＆漬し又めっきなおこない
、めっきによる１欝増加量から析出速度を求めた。
０６モル／１１ホルムアルデヒドｃＬ０３モル／ｌおよ
び…１２．５からなる組成で浴温を７０℃とした。こｎ
ｊｆｃ％ ｐ−ターシャリープチルカリックス（４）ア
レン、ｐ−ターシャリープチルカリックス〔８〕アレン
およびｐ−ターシャリープチルビスホモオフサ〔４〕ア
レンを別々に用意しためっき浴ｖｃ添加した。添加量は
１１００ｒｎ／ｌでめる。こｒしらのめっぎ敵に、硫酸
洗浄し７’（銅箔を６０分間＆漬し又めっきなおこない
、めっきによる１欝増加量から析出速度を求めた。
実施例２゜
めっき浴として、硫酸調印０４モル／ｌ、 ＥＤＴＡｏ
、０６モル／ｊ、ホルムアルデヒド０．０３モル／ｌ、
αｄ−ジピリジル３ （） ｎ１ｇ／ ｌおよびＦｌ１
１２．５からなる組成で浴温な７０℃とし比。
、０６モル／ｊ、ホルムアルデヒド０．０３モル／ｌ、
αｄ−ジピリジル３ （） ｎ１ｇ／ ｌおよびＦｌ１
１２．５からなる組成で浴温な７０℃とし比。
こｆｉ［ｐ−ターシャリープチルビスホモオフサ〔４〕
アレンおよびｐ−ターシャリープチルカリックス〔８〕
アレンな別々に用意しためつき浴に添加し比。実施例１
と同様にして析出速度を求めた。
アレンおよびｐ−ターシャリープチルカリックス〔８〕
アレンな別々に用意しためつき浴に添加し比。実施例１
と同様にして析出速度を求めた。
比較例１゜
実施例１と同じめっき液組成と浴条件で、環状フェノー
ルのみ無添加でめりきをおこなった。
ルのみ無添加でめりきをおこなった。
比較例２゜
実施例２と同じめりき液組成と浴条件で、環状フェノー
ルのみ無添加でめっきをおこなった。
ルのみ無添加でめっきをおこなった。
（発明の効果）
銅イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤、田調整剤および
水を含む無電解銅めっき液に環状フェノールを添加する
ことによって、めっき析出速度を高めることができる。
水を含む無電解銅めっき液に環状フェノールを添加する
ことによって、めっき析出速度を高めることができる。
Claims (1)
- １、銅イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤
および水を含む無電解銅めっき液に、環状フェノールを
添加した無電解銅めっき液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22848984A JPS61106775A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 無電解銅めつき液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22848984A JPS61106775A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 無電解銅めつき液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61106775A true JPS61106775A (ja) | 1986-05-24 |
Family
ID=16877260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22848984A Pending JPS61106775A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 無電解銅めつき液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61106775A (ja) |
-
1984
- 1984-10-30 JP JP22848984A patent/JPS61106775A/ja active Pending
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