JPS61106770A - 気相コ−テイング装置 - Google Patents

気相コ−テイング装置

Info

Publication number
JPS61106770A
JPS61106770A JP22877384A JP22877384A JPS61106770A JP S61106770 A JPS61106770 A JP S61106770A JP 22877384 A JP22877384 A JP 22877384A JP 22877384 A JP22877384 A JP 22877384A JP S61106770 A JPS61106770 A JP S61106770A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
window glass
chamber
evaporation source
glass
phase coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22877384A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirohiko Ihara
井原 寛彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP22877384A priority Critical patent/JPS61106770A/ja
Publication of JPS61106770A publication Critical patent/JPS61106770A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/52Means for observation of the coating process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は気相コーティング装置の改良に関するもので
ある。
〈従来の技術〉 従来のバッチ式気相コーティング装置においては、装置
内での状況を観察できるようにするために、該装置の壁
面にモニター用の窓ガラスを取付けている。
これを図面で説明すると、第2図の気相コーティング装
置は、チャンバー1内に被覆用基板2、蒸発源を入れる
ルツボ3が配置され、ざらにチャンバー1の側壁面には
該装置の内部における状態をTA察するためのモニター
用の窓ガラス4が一部に嵌めこまれている。そしてこの
窓ガラスの内側近くにシャッター5が取付けられていて
、コーティング時にモニター用窓ガラスに付着する蒸着
物の吊を少なく抑えて1回または数回のコーティングの
間中、窓ガラスを通してのモニターを可能としていた。
なお第2図中6はOリング、7はモニター窓から観察す
る目を示し、9は高周波コイルである。
〈発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら、このようにモニター用窓ガラスの内側近
くにシャッターを取付けただけでは量産用の半連続また
は連続式のコーティング装置では窓ガラスへの付着物が
蓄積して透過度が低下するため長時間連続してモニター
することは不可能であった。
また窓ガラスについた蒸着物を取除くことが困難であり
、従って窓用の板ガラスを多量に必要とするなどの問題
点を有していた。
く問題点を解決するための手段〉 この発明は上記のような気相コーティング装置における
モニター用窓ガラスに対する蒸着物付着の問題を解決す
るべく検討の結果、得られたものであって、気相コーテ
ィング装置の側壁の一部に嵌めこまれているモニター用
窓ガラスの内側に透過性セラミックよりなる防着用窓板
を取付けた気相コーティング装置を提供するものである
く作  用〉 以下、この発明の装置をその一実施例を示す第1図に基
づいて説明する。
l゛5      第1図1おいて11のチャンバー内
には上部に被覆用基板12が、その下部には蒸発源を入
れるルツボ13が位置している。そしてこのチャンバー
11の側壁の一面側のみ突出させてその壁面にモニター
用の窓ガラス14が嵌めこまれ、目15によってチャン
バー11内の様子が監視できるようになっている。
なお16はOリングである。
このような気相コーティング装置において、この発明は
前記したモニター用窓ガラス14の内側近くに透過性セ
ラミックよりなる防着用窓板17を取f=lけたことが
特徴である。
即ち、この透過性セラミックよりなる防着用窓板17に
ヒータ18を取付け、この防着用窓板17をヒータ18
にてコーテイング膜どなる蒸発源の融点の1〜1.5倍
の温度まで加熱し、コーティング速度よりも防着用窓板
よりの蒸発速度を大きくして防着用窓板にコーテイング
膜が成長しないようにするものである。
また上記の防着用窓板11の内側に従来使用されている
シャッター19を図のように取付けるならば、防着用窓
板の寿命をさらに長くすることができ、完全にコーテイ
ング膜をなくすることもできる。
即ち、この発明は防着用窓板17とコーテイング膜の反
応による劣化だけが寿命を決定づける要因となることか
ら、この窓板17の材質の組合せを適当に選ぶことによ
りモニター用窓ガラスの寿命を他の設備上のメンテナン
スよりも長寿命とすることができるのである。
なお、この発明において防着用窓板を形成する透過性セ
ラミックとしては、焼結体、多結晶体、単結晶体、非晶
質体がよく、例えば石英ガラス、ナファイアなどが用い
られる。図において、21は高周波コイルである。
く実 施 例〉 実際に〃蒸着装置に防着用窓板としてサファイアを用い
て、加熱温度を100〜1200℃にすると、N付着に
よりモニター用窓ガラスが使用不可能になるまで100
時間も使用することができた。
〈効  果〉 以上のように気相コーティング装置において、モニター
用窓ガラスの内側に透過性セラミックよりなる防着用窓
板を取付けたことによってモニター用窓ガラスへの蒸着
物の付着を極力防止しうろことが認められた。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係る気相コーティング装置の模式図
、第2図は従来の同装置を示す模式図である。 11・・・チャンバー  12・・・被覆用基板13・
・・ルツボ  14・・・モニター用窓ガラス17・・
・防着用窓板  18・・・ヒータ19・・・シャッタ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)側壁の一部にモニター用窓ガラスを有している気
    相コーティング装置において、該装置の前記モニター用
    窓ガラスの内壁近くに透過性セラミックよりなる防着用
    窓板を取付けてなる気相コーティング装置。
  2. (2)透過性セラミックが石英ガラスである特許請求の
    範囲第1項記載の気相コーティング装置。
  3. (3)透過性セラミックがサファイアである特許請求の
    範囲第1項記載の気相コーティング装置。
JP22877384A 1984-10-30 1984-10-30 気相コ−テイング装置 Pending JPS61106770A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22877384A JPS61106770A (ja) 1984-10-30 1984-10-30 気相コ−テイング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22877384A JPS61106770A (ja) 1984-10-30 1984-10-30 気相コ−テイング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61106770A true JPS61106770A (ja) 1986-05-24

Family

ID=16881614

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22877384A Pending JPS61106770A (ja) 1984-10-30 1984-10-30 気相コ−テイング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61106770A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS647956U (ja) * 1987-07-06 1989-01-17
JPH0367057U (ja) * 1989-10-31 1991-06-28
EP1037506A2 (en) * 1999-03-05 2000-09-20 Board Of Regents, The University Of Texas Heater for high vacuum optical view port

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS647956U (ja) * 1987-07-06 1989-01-17
JPH0367057U (ja) * 1989-10-31 1991-06-28
EP1037506A2 (en) * 1999-03-05 2000-09-20 Board Of Regents, The University Of Texas Heater for high vacuum optical view port
EP1037506A3 (en) * 1999-03-05 2001-10-24 Board Of Regents, The University Of Texas Heater for high vacuum optical view port

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07172998A (ja) 炭化ケイ素単結晶の製造方法
JP2002097098A (ja) シリコン単結晶の製造方法及び半導体単結晶の製造装置
US2813811A (en) High strength crystals
JPS61106770A (ja) 気相コ−テイング装置
US3261671A (en) Device for treating semi-conductor materials by melting
JPS59213697A (ja) 単結晶半導体引上装置
JP6675065B2 (ja) タンタル酸リチウム単結晶の育成装置及び育成方法
Kaiser et al. Influence of the amorphous state on the structure of crystalline antimony films
Llewellyn et al. Apparatus for the deposition of low frequency cadmium sulphide transducers
JP2709272B2 (ja) 昇華法における結晶化速度の測定方法
JP2002274995A (ja) 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法
JPH04198086A (ja) 単結晶成長方法
JPS5836997A (ja) 単結晶製造装置
JPS5562893A (en) Single crystal growth observing device
JP3728929B2 (ja) 結晶育成装置
JPH01172297A (ja) 有機単結晶の製造法
JPH0544020A (ja) 分子線セル
UA122196C2 (uk) Спосіб вирощування монокристалів халькогенідів металів за методом бриджмена
Rudolph What do we want with fiber crystals? An introductory overview
JP2726887B2 (ja) 化合物半導体単結晶の製造方法
JPS55104998A (en) Production of silicon carbide crystal layer
Wood et al. A Zone Refiner for Crystal Growth
JPS62246895A (ja) 結晶作製用るつぼ
JP2000344600A (ja) Ii−vi族化合物半導体結晶の成長方法及びその装置
JPS63310790A (ja) 化合物半導体結晶の製造方法