JPS61105835A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS61105835A JPS61105835A JP22669184A JP22669184A JPS61105835A JP S61105835 A JPS61105835 A JP S61105835A JP 22669184 A JP22669184 A JP 22669184A JP 22669184 A JP22669184 A JP 22669184A JP S61105835 A JPS61105835 A JP S61105835A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 41
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 description 1
- 241000283690 Bos taurus Species 0.000 description 1
- 241000238558 Eucarida Species 0.000 description 1
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 1
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010902 straw Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にシリコ
ンウ■゛ノアへの拡散方法の改良に関（るものである。
ンウ■゛ノアへの拡散方法の改良に関（るものである。
１１Ｘ、東の技術１
人容Ｉｉ（８酎ロー等のりイリスタ等の？１′導体′４
Ａ詔を製作ＪるＧ、Ｚ ｌよ特性面及び作業面からガリ
ウム（Ｇａ）の１１ム敗が一般的である。、従来、最１
）＝一般的なＱａ拡散の方法は、第３図に示Ｉ Ｊ：う
に石英アンプル（１，）中にシリ］ンウ」゛ノア（２）
と金属Ｑａ（３）を入れアルゴン（Δ１゛）等の不活１
１［ガスと」ξに１Ｊ人し加熱源（４）に、ｊ、り約１
１００〜１２５０°Ｃ０ＢＡ度で約１０時間へ・数−Ｉ
１１．）間加熱し、熱拡散Ｊる一ｂのである、。
Ａ詔を製作ＪるＧ、Ｚ ｌよ特性面及び作業面からガリ
ウム（Ｇａ）の１１ム敗が一般的である。、従来、最１
）＝一般的なＱａ拡散の方法は、第３図に示Ｉ Ｊ：う
に石英アンプル（１，）中にシリ］ンウ」゛ノア（２）
と金属Ｑａ（３）を入れアルゴン（Δ１゛）等の不活１
１［ガスと」ξに１Ｊ人し加熱源（４）に、ｊ、り約１
１００〜１２５０°Ｃ０ＢＡ度で約１０時間へ・数−Ｉ
１１．）間加熱し、熱拡散Ｊる一ｂのである、。
ところで、近年、１Ｊ−イリスタ等の半導体装置は増々
高耐バ化が進んできたために製作工程で使用するシリ−
）ンウＴフ？の比抵抗す数百０−、ｃｍのものを使用ｌ
！ざるを得なくなってさた。
高耐バ化が進んできたために製作工程で使用するシリ−
）ンウＴフ？の比抵抗す数百０−、ｃｍのものを使用ｌ
！ざるを得なくなってさた。
「発明が解決しようとする問題魚Ｉ
−１記のＪ、うイ「従来の拡散方法で、はＧａ拡散後に
シリ］ンｆｉ］祠の比抵抗が大幅に低下し高１１１圧の
半１７ （＋装＋Ｐ／が（ｒＩにくいという間、照点が
あった。
シリ］ンｆｉ］祠の比抵抗が大幅に低下し高１１１圧の
半１７ （＋装＋Ｐ／が（ｒＩにくいという間、照点が
あった。
（二の発明はに記のＪ、うな問題点をＩＩるためになさ
ね／；−’ｂので、曲中、＜Ｅ方法−ｃ ｔ＋耐ロバ−
半弘体装置が得られる半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的どする。
ね／；−’ｂので、曲中、＜Ｅ方法−ｃ ｔ＋耐ロバ−
半弘体装置が得られる半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的どする。
［問題点を解決覆るだめの手段］
上記の従来の技術では、拡散時に使用されているアンプ
ルの材料である石英中のＭ索が遊離しシリコンウェファ
中に拡散されるためにシリ−１ンウ■フアの比抵抗を低
下さＵると考察されるので、シリコンウェーノアを収容
Ｊる容器をグラノン・イ１−等の拡散処理中に酸素の遊
離・発！しシないｌ１で形成した容器を用いることを特
徴とツノでいる。
ルの材料である石英中のＭ索が遊離しシリコンウェファ
中に拡散されるためにシリ−１ンウ■フアの比抵抗を低
下さＵると考察されるので、シリコンウェーノアを収容
Ｊる容器をグラノン・イ１−等の拡散処理中に酸素の遊
離・発！しシないｌ１で形成した容器を用いることを特
徴とツノでいる。
［作 用コ
上記グラファイト等の拡散処理中に酸素の遊離・発生が
生じない材ｒ１で形成した材料の容器を使用することに
より、シリコンウェファ中にＩＩ Ｎ、の拡散が防げ、
高耐圧の半導体装置を得ることができる。
生じない材ｒ１で形成した材料の容器を使用することに
より、シリコンウェファ中にＩＩ Ｎ、の拡散が防げ、
高耐圧の半導体装置を得ることができる。
［実施例］
第１図は、この発明の一実施例を示１１２明図（゛ある
。
。
なお、第１図とｌｒ′ｉ＋−又番ま相当部分には同−符
シコがイ；ｌ ｌ、−（ある。
シコがイ；ｌ ｌ、−（ある。
同図におい−Ｃ（！１）４；Ｉ拡散処理中に酸素の遊離
・介１１を防ぐためにゲラフッ・イト等の月利で形成１
ノた容器である。
・介１１を防ぐためにゲラフッ・イト等の月利で形成１
ノた容器である。
そこＣ１この容器（５）に、例えば比抵抗２００Ω−Ｃ
ｍ １７） Ｎ型シリ」ンウＬノア（２）を所定の薬品
処理をし、十分表面を清浄化した後に立設するＪ、うに
入れ、金属Ｑａ（３）をシリ］ンウー１ノア（２）の表
面に塗イ［ＩシＩＣものをイの両端にＭｄＪる。。
ｍ １７） Ｎ型シリ」ンウＬノア（２）を所定の薬品
処理をし、十分表面を清浄化した後に立設するＪ、うに
入れ、金属Ｑａ（３）をシリ］ンウー１ノア（２）の表
面に塗イ［ＩシＩＣものをイの両端にＭｄＪる。。
（６）は拡散用ブ１−ブであり、この拡散用ブーｔ −
−，１（６） ’ｂ １＋７； ｔｉ’、（’１１ 即
中ｆ７） ｆｉ 索（７） Ｍｔ’ｔ １ｔｌｌｌ ・
Ｒ牛ヲ防ぐｌＪめにグラノアイＩ−苦の１４ Ｆ＋で形
成する。
−，１（６） ’ｂ １＋７； ｔｉ’、（’１１ 即
中ｆ７） ｆｉ 索（７） Ｍｔ’ｔ １ｔｌｌｌ ・
Ｒ牛ヲ防ぐｌＪめにグラノアイＩ−苦の１４ Ｆ＋で形
成する。
１記の容器（５）及び拡散用チー１−ブ（６）内を１分
へｒガス等の不活ｆｌガスにＪ、って置換する。
へｒガス等の不活ｆｌガスにＪ、って置換する。
この峙、容器（り）及び拡散用“ｙコープ（６）内は図
示しない直空ボンＪ等に」、り直空にした後、Ａ ｒガ
ス等の不活性ガスを流入さ１！、次い（゛容器に））を
Ｍ（Ｆｉａ）で密閉し、さらに前ム１：の不活（１１ガ
スは、約’Ｉ ００〜２００ ｃｃ／ｍｉｎ （Ｄ割合
イＦ流し続【〕る。Ｊｊた、拡散チコーブ（６）内への
空気の流入を防ぐために拡散チコーブ（６）の−・端に
液体槽（７）を接続しバブリングざロー］醒く。
示しない直空ボンＪ等に」、り直空にした後、Ａ ｒガ
ス等の不活性ガスを流入さ１！、次い（゛容器に））を
Ｍ（Ｆｉａ）で密閉し、さらに前ム１：の不活（１１ガ
スは、約’Ｉ ００〜２００ ｃｃ／ｍｉｎ （Ｄ割合
イＦ流し続【〕る。Ｊｊた、拡散チコーブ（６）内への
空気の流入を防ぐために拡散チコーブ（６）の−・端に
液体槽（７）を接続しバブリングざロー］醒く。
この間、”ｌ”、ｒわら容器（５）及び拡散ブー１−ブ
（６）の内部が完全に不活＋１ガスで置換される間は加
熱源（４）にＪ：る加熱渇；ａ１ま２００・〜４００℃
にとどめ、イの間に内部の水分を完全ｔ・二除人１する
。
（６）の内部が完全に不活＋１ガスで置換される間は加
熱源（４）にＪ：る加熱渇；ａ１ま２００・〜４００℃
にとどめ、イの間に内部の水分を完全ｔ・二除人１する
。
しかる後、加熱８Ｇ！ （／Ｉ ）の渇１σを所定の拡
散渇庶、例えば１２５０°Ｃに１−げ、！数時間保ＪＳ
ｔｌノ拡散を終了Ｊ−る。
散渇庶、例えば１２５０°Ｃに１−げ、！数時間保ＪＳ
ｔｌノ拡散を終了Ｊ−る。
−１−記のＴ稈を粁τ１１１られたシリＸ１ンウＩ−ノ
ア１は、拡散中にシリコンウェファ内への酸素の拡散が
防止されるので、比抵抗の低下を抑制した拡散処理済つ
■ノアを得ることができる。
ア１は、拡散中にシリコンウェファ内への酸素の拡散が
防止されるので、比抵抗の低下を抑制した拡散処理済つ
■ノアを得ることができる。
第１図の実施例では拡散ブ：Ｉ−ブ（６）０グラフフイ
１〜製どしたが、容器（５）をゲラフン１イト製にした
ので、拡散ブコーブ（６）は従来どおり石英製でもよい
。この場合石英のチューブから酸素が放出されても不１
ｌＩｉ竹ガスと一緒に外部へ導出され、グラノアイトの
容器（５）内には入らない。
１〜製どしたが、容器（５）をゲラフン１イト製にした
ので、拡散ブコーブ（６）は従来どおり石英製でもよい
。この場合石英のチューブから酸素が放出されても不１
ｌＩｉ竹ガスと一緒に外部へ導出され、グラノアイトの
容器（５）内には入らない。
第２図は、この発明の他の実施例を示Ｊもので、先の実
ｌ糸例（″はΔトガス等の不活１１１ガスを拡散用不Ｈ
’＋ ｌ’ｌガスの置換効率をより向上させることがで
きる１゜ イ１お、−１も１１の実施例では、容器又は拡散用ヂｔ
−−ｆをグラツノ・イ１〜で形成り゛る例について説明
【）だが、拡散ブ１−１がグラフアイ１〜であれば容器
（！−ｉ）はゲラフン１イト製のボートでムよい５．イ
の他拡散中に酸素の遊−（・発（１−を防げる月利であ
れば良い、。
ｌ糸例（″はΔトガス等の不活１１１ガスを拡散用不Ｈ
’＋ ｌ’ｌガスの置換効率をより向上させることがで
きる１゜ イ１お、−１も１１の実施例では、容器又は拡散用ヂｔ
−−ｆをグラツノ・イ１〜で形成り゛る例について説明
【）だが、拡散ブ１−１がグラフアイ１〜であれば容器
（！−ｉ）はゲラフン１イト製のボートでムよい５．イ
の他拡散中に酸素の遊−（・発（１−を防げる月利であ
れば良い、。
よＩこ、−１記の実施例では、拡散源どして金属Ｏａを
使用した例についで説明したが、これについてｌ）へｐ
等イの仙の不純物を使用して拡散覆る場合にも適用でき
る。。
使用した例についで説明したが、これについてｌ）へｐ
等イの仙の不純物を使用して拡散覆る場合にも適用でき
る。。
［発明の効果］
この発明は、トモ１１のようにシリ−１ンウ■フアを収
容り−る容器又は拡散処理するための拡散チューブをグ
ラフ）Ｊイ１へ等で形成したので、拡散処理中にシリ］
ンウ■ファ内へのＭ素の拡散が防１１されしたがってシ
リコノウ１フ７７の比抵抗の低下を抑制し所期の高耐圧
の半導体装置を１ｑることが可能どイ【る。
容り−る容器又は拡散処理するための拡散チューブをグ
ラフ）Ｊイ１へ等で形成したので、拡散処理中にシリ］
ンウ■ファ内へのＭ素の拡散が防１１されしたがってシ
リコノウ１フ７７の比抵抗の低下を抑制し所期の高耐圧
の半導体装置を１ｑることが可能どイ【る。
また、グラフアイ１〜等で形成しｌこ容器及び１１ｉ’
、敗ブコーブは、石英アンプルにＪ：る閉管法拡１１（
どｙ４なり、繰り返し何度も使用可能″ｃある！こめ、
拡ＩＷ丁程の原価を低減することができる。
、敗ブコーブは、石英アンプルにＪ：る閉管法拡１１（
どｙ４なり、繰り返し何度も使用可能″ｃある！こめ、
拡ＩＷ丁程の原価を低減することができる。
４、図面の曲中イ丁ム；）明
第１図は、この発明の一実施例を承り説明図、第２図は
、この発明の他の実施例を示リム）１明図、第３図は、
符来の゛Ｉ′導イホ装置ｒＩの製造１１法を小ζ１説明
図である。
、この発明の他の実施例を示リム）１明図、第３図は、
符来の゛Ｉ′導イホ装置ｒＩの製造１１法を小ζ１説明
図である。
図におい−（、（２）はシリ」ノウ１ノノノ、（Ｊ３）
は金属ガリウム、（４）は加熱源、（り） １１容器、
（６）は拡散ヂ］−ブである。
は金属ガリウム、（４）は加熱源、（り） １１容器、
（６）は拡散ヂ］−ブである。
出 願 人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、シリコンウエフア中に酸素の拡散を防止するために
シリコンウエフアを収容する容器として酸素の遊離・発
生を防ぐような材質にて形成した拡散用チューブ若しく
は拡散用容器を使用し、熱処理を行うことを特徴とする
半導体装置の製造方法。 ２、前記拡散用チューブ若しくは拡散用容器の材質がグ
ラファイトであることを特徴とする特許請求の範囲１項
記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22669184A JPS61105835A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22669184A JPS61105835A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61105835A true JPS61105835A (ja) | 1986-05-23 |
Family
ID=16849141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22669184A Pending JPS61105835A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61105835A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008151601A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Netsushin:Kk | 素子と絶縁樹脂の同径型白金測温抵抗体及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-10-30 JP JP22669184A patent/JPS61105835A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008151601A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Netsushin:Kk | 素子と絶縁樹脂の同径型白金測温抵抗体及びその製造方法 |
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