JPS61102520A - 磁気センサ−装置 - Google Patents
磁気センサ−装置Info
- Publication number
- JPS61102520A JPS61102520A JP59224837A JP22483784A JPS61102520A JP S61102520 A JPS61102520 A JP S61102520A JP 59224837 A JP59224837 A JP 59224837A JP 22483784 A JP22483784 A JP 22483784A JP S61102520 A JPS61102520 A JP S61102520A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias
- magnetic field
- magnetic
- signal
- sensor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
- H03M1/12—Analogue/digital converters
- H03M1/22—Analogue/digital converters pattern-reading type
- H03M1/24—Analogue/digital converters pattern-reading type using relatively movable reader and disc or strip
- H03M1/28—Analogue/digital converters pattern-reading type using relatively movable reader and disc or strip with non-weighted coding
- H03M1/285—Analogue/digital converters pattern-reading type using relatively movable reader and disc or strip with non-weighted coding of the unit Hamming distance type, e.g. Gray code
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気抵抗効果型素子を用いた磁気センサー装置
、特に、マルチトラックに記録された位置コード等の信
号を再生するための磁気センサー装置に関するものであ
る。
、特に、マルチトラックに記録された位置コード等の信
号を再生するための磁気センサー装置に関するものであ
る。
磁気抵抗効果を有する素子（以下磁気抵抗効果型素子と
称する）を複数個、基板上に配置し、磁気記録媒体上に
記録された位置信号等のコード信号の読取り用に用いら
れる磁気センサー装置は位置検出装置等で知られており
、コード信号を磁気抵抗効果型素子の抵抗変化により電
気的な読取りにより、磁気記録媒体を担持する物体の絶
対位丙を検出するだめの各種磁気センサー装置が知られ
ている。第１図に例示される磁気センサー装置は従来知
られているものを例示するものにして、同図に於いて１
は磁気センサー装置（以下単に磁気ヘッドと略称する）
、２は磁気記録媒体、３は記録媒体上に多チャンネルに
辺ってグレーフード形式で記録されたコード信号にして
４ａは下位ビットコード信号、４ｂは上位ビットコード
信号を大々示している。
称する）を複数個、基板上に配置し、磁気記録媒体上に
記録された位置信号等のコード信号の読取り用に用いら
れる磁気センサー装置は位置検出装置等で知られており
、コード信号を磁気抵抗効果型素子の抵抗変化により電
気的な読取りにより、磁気記録媒体を担持する物体の絶
対位丙を検出するだめの各種磁気センサー装置が知られ
ている。第１図に例示される磁気センサー装置は従来知
られているものを例示するものにして、同図に於いて１
は磁気センサー装置（以下単に磁気ヘッドと略称する）
、２は磁気記録媒体、３は記録媒体上に多チャンネルに
辺ってグレーフード形式で記録されたコード信号にして
４ａは下位ビットコード信号、４ｂは上位ビットコード
信号を大々示している。
ｌ Ａ −Ｉ Ｄは基板１０の下端部に埋設された磁気
抵抗効果型素子にして各素子は多チャンネルの各チャン
ネルに対向して配置され各素子両側の線は出力線を夫々
示している。５は基板１０に付設され、各素子部ＩＡ〜
ＩＢに均一なバイアス磁界を付与するためのバイアスラ
インを示している。斯かる構造のへラドｌ出力は第２図
（Ａ）に示されている。即ちバイアスライン５による磁
界により基準レベルを零付近に設定される様、バイアス
磁界が印加されると、コード信号による記録信号部分と
無信号部分の差は６で示す様に、各磁気抵抗素子ＩＡ−
ＩＢによりその特性曲線に基づいて信号７に変換される
。なおバイアス磁界が印加されない場合にはコード信号
変化８は出力信号９に示す様な信号となる。
抵抗効果型素子にして各素子は多チャンネルの各チャン
ネルに対向して配置され各素子両側の線は出力線を夫々
示している。５は基板１０に付設され、各素子部ＩＡ〜
ＩＢに均一なバイアス磁界を付与するためのバイアスラ
インを示している。斯かる構造のへラドｌ出力は第２図
（Ａ）に示されている。即ちバイアスライン５による磁
界により基準レベルを零付近に設定される様、バイアス
磁界が印加されると、コード信号による記録信号部分と
無信号部分の差は６で示す様に、各磁気抵抗素子ＩＡ−
ＩＢによりその特性曲線に基づいて信号７に変換される
。なおバイアス磁界が印加されない場合にはコード信号
変化８は出力信号９に示す様な信号となる。
然し乍ら第１図示コード値号３パターンに示される様に
、記録信号の大きさく長さ）が磁気記録媒体上で相違し
ているため、下位ピッ）４ａに最適なバイアス磁界は上
位ピッ）４ｂに対しては適当なバイアス量とはならず、
その出力波形は第２図ＣＢ）に示される様に下位ビット
信号４ａに対しては忠実な再生出力が得られるのに対し
て、上位ビットイに号４ｂに対１．では、第２図（Ｃ）
に示すように好ましい出力波形が得られない。
、記録信号の大きさく長さ）が磁気記録媒体上で相違し
ているため、下位ピッ）４ａに最適なバイアス磁界は上
位ピッ）４ｂに対しては適当なバイアス量とはならず、
その出力波形は第２図ＣＢ）に示される様に下位ビット
信号４ａに対しては忠実な再生出力が得られるのに対し
て、上位ビットイに号４ｂに対１．では、第２図（Ｃ）
に示すように好ましい出力波形が得られない。
本発明の目的とする処は上述述べた従来の問題点を除去
し、その記録コード信号に対して常に忠実な再生出力を
得る磁気センサー装置を提供せんとするものである。
し、その記録コード信号に対して常に忠実な再生出力を
得る磁気センサー装置を提供せんとするものである。
本発明は磁気抵抗効果型素子へのバイアス磁界を磁気記
録信号に相応して変化させることにより、常に忠実な再
生出力を得る様に構成した点にその特徴がある。
録信号に相応して変化させることにより、常に忠実な再
生出力を得る様に構成した点にその特徴がある。
第３図に本発明に係る磁気ヘッドの一実施例斜視図を示
す。同図において各番号は第１図示磁気ヘッドの参照番
号と対応して付されており、説明の便宜上重複番号の説
明は省略する。バイアスライン５情素子ＩＡの列に対し
斜めに形成されているため、記録媒体に磁気記録された
グレイコードの下位ピッ）４ａに対向する素子ＩＡとバ
イアスラインの距ｆＪ ａと上位ピッ）４ｂに対向する
素子１０とバイアスラインの距ｍｂの関係は各ビット４
ａ、４ｂの大きさく長さ）に応じてａ＞ｂに設定されて
いる。下位ピッ）４ａに対向する素子ＩＡに加わるバイ
アス磁界は上位ピッ）４ｂに対向する素子ＩＤに加わる
バイアス磁界に比べて小さいものとなる。その結果感知
磁界変化に対して各々適切なバイアス磁界即ち、第２図
の各磁気抵抗素子の特性曲線上、各ビット信号に応じて
バイアス磁界が変化され、各ビット信号の再生出力が忠
実に再現されるバイアス点がバイアスライン５により形
成され、各素子へ印加されるバイアス磁界により決定さ
れることになり下位ビット、上位ビットとも良好な出力
が得られ、コード信号４ａ、４ｂ（並びに４ｃ、４ｄ）
の再生出力から絶対位置検知を精度よく検出することが
できることとなる。なおコード信号４ｃ 、４ｄについ
ても同様に、最適バイアス磁界がバイアスライン５によ
り与えられるが、その説明は省略する。
す。同図において各番号は第１図示磁気ヘッドの参照番
号と対応して付されており、説明の便宜上重複番号の説
明は省略する。バイアスライン５情素子ＩＡの列に対し
斜めに形成されているため、記録媒体に磁気記録された
グレイコードの下位ピッ）４ａに対向する素子ＩＡとバ
イアスラインの距ｆＪ ａと上位ピッ）４ｂに対向する
素子１０とバイアスラインの距ｍｂの関係は各ビット４
ａ、４ｂの大きさく長さ）に応じてａ＞ｂに設定されて
いる。下位ピッ）４ａに対向する素子ＩＡに加わるバイ
アス磁界は上位ピッ）４ｂに対向する素子ＩＤに加わる
バイアス磁界に比べて小さいものとなる。その結果感知
磁界変化に対して各々適切なバイアス磁界即ち、第２図
の各磁気抵抗素子の特性曲線上、各ビット信号に応じて
バイアス磁界が変化され、各ビット信号の再生出力が忠
実に再現されるバイアス点がバイアスライン５により形
成され、各素子へ印加されるバイアス磁界により決定さ
れることになり下位ビット、上位ビットとも良好な出力
が得られ、コード信号４ａ、４ｂ（並びに４ｃ、４ｄ）
の再生出力から絶対位置検知を精度よく検出することが
できることとなる。なおコード信号４ｃ 、４ｄについ
ても同様に、最適バイアス磁界がバイアスライン５によ
り与えられるが、その説明は省略する。
第４図は他の実施例磁気ヘッドを示すもので。
バイアスライン５０を素子ＩＡ〜ＩＤ列に対し階段状に
形成することにより素子ＩＡ〜ＩＤへのバイアス磁界を
段階的に変化させ、前記同様の効果が得られる様に構成
したもので各ビット毎のより適切なバイアス磁界を加え
ることができるものである。
形成することにより素子ＩＡ〜ＩＤへのバイアス磁界を
段階的に変化させ、前記同様の効果が得られる様に構成
したもので各ビット毎のより適切なバイアス磁界を加え
ることができるものである。
なお上記階段状にバイアスラインを形成するときに、第
５図のように、素子ＩＡ〜ＩＤのいくつか（第５図では
ＩＡ、ＩＢのグループ、ＩＣ１ＩＤのグループの２つづ
つ）を１グループとし、そのグループごとにバイアスラ
イン５００との距離を変化させることで多少の再生忠実
度は無視しより製作を容易にする事も可能である。
５図のように、素子ＩＡ〜ＩＤのいくつか（第５図では
ＩＡ、ＩＢのグループ、ＩＣ１ＩＤのグループの２つづ
つ）を１グループとし、そのグループごとにバイアスラ
イン５００との距離を変化させることで多少の再生忠実
度は無視しより製作を容易にする事も可能である。
又素子Ｉ Ａ −Ｉ Ｄを保護し、かつ基板１０が磁性
体で形成し非磁性部１０Ｂにより閉磁路を形成して再生
出力を良好にする第６図に示す構造の磁気ヘッド１に本
発明を適用してもよく、素子ＩＡ〜ｌＤの媒体２対向面
側と媒体と反対面に磁性体１２．１３を備え、各者子に
加わるバイアス磁界の大きさを変化させるために、バイ
アスラインの形状を変化させずに、第７図に示すように
バイアスライン５側の磁性体１３の長さや巾を変化させ
てもよい。
体で形成し非磁性部１０Ｂにより閉磁路を形成して再生
出力を良好にする第６図に示す構造の磁気ヘッド１に本
発明を適用してもよく、素子ＩＡ〜ｌＤの媒体２対向面
側と媒体と反対面に磁性体１２．１３を備え、各者子に
加わるバイアス磁界の大きさを変化させるために、バイ
アスラインの形状を変化させずに、第７図に示すように
バイアスライン５側の磁性体１３の長さや巾を変化させ
てもよい。
以上の様に本発明に於いては磁気ヘッド内の複数の素子
に対しバイアス磁界を素子毎又は素子グループ毎に変化
させることで磁気記録信号のパターンに相応して、常に
忠実な再生出力を良好に得ることができるものであり、
その出力により高精度の信号検出、信号処理が可能とな
り、位置検出用、制御用、信号読取り用磁気ヘッドとし
てその効果は極めて大きいものである。
に対しバイアス磁界を素子毎又は素子グループ毎に変化
させることで磁気記録信号のパターンに相応して、常に
忠実な再生出力を良好に得ることができるものであり、
その出力により高精度の信号検出、信号処理が可能とな
り、位置検出用、制御用、信号読取り用磁気ヘッドとし
てその効果は極めて大きいものである。
第１図は従来の絶対位置検知型磁気センサー装置の斜視
図、第２図（Ａ）は磁気抵抗効果と／ヘイアス磁界説明
図、第２図（Ｂ）、第２図（Ｃ）は夫々第１図示°装置
の出力信号波形図、第３図は本発明に係る磁気センサー
装置斜視図、第４図、第５図は他の変形例構成図にして
、第６図は磁気センサー装置、の断面図、第７図は第６
図示装置の斜視図を夫々示している。 １−−−−一磁気ヘッド ＩＡ〜Ｉ Ｄ−−−−一磁気抵抗効果型素子２−−−−
−磁気奴体 ３−−−一 各トラック ４ａ、４ｂ−−−一下位、上位ビットのトラ・ンク５
（５０，５００）−−−−−バイアスライン１２．１３
．１４−−−−一磁性体 特許出願人 キャノン株式会社 ζ古今 ・１正・イ１ χ３１．ｔ σ （／、！ １．１） １．ｆ ２
θ奮値χ肩屑 塙４図 手続補正書（０鋤 昭和６０年 ３月２２日 特許庁長官 志 賀 学 殿 昭和５９年 特 許ｗＲ第 ２２４８３７ 号２゜発
明の名称 磁気センサー装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区下丸子３−３０−２名称 （１００
）キャノン株式会社 代表者 賀 来 龍 三 部 ４、代理人 居所 〒１４１３東京都大田区下丸子３−３０−２キャ
ノン株式会社内（電話７５８−２１１１）５、補正の対
象 明 細 書 ６、補正の内容 （１）明細書３頁１３行〜１４行目中「・・・印加され
ない場合には争・・」を「・・・大きすぎると・・・」
に補正する。 （２）明細ロ３真下６行目「様な信号となる。ｊを「様
な小さな信号とな之、更にバイアス磁界が小さくなり第
２図（Ａ）に於いて基準レベルが磁界Ｈの負領域に設定
される場合には、出力信号が変形された小さな値となる
。」に補正する。 （３）明細書３真下３行目中ｒφ・φ相違しているため
、下位ビー＞）４ａ・・・」を「・・・相違しているた
め、磁界の大きさが上位ビットと下位ビットとで異なり
、下位ビット４ａ・・・」に補正する。 （４）明細書３真下１行目中「・・・バイアス量とはな
らず、その出力・φ・」をｒ−・・バイアス量とはなら
ない。上位ビット出力は適正なバイアスを加えると、そ
の出力・・Φ」に補正する。 （５）明細書４頁１行目中「下位ビ・ソト信号４ａＪを
ｒ上位ビット信号４ｂｊに補正する。 （６）明細書４頁２行〜３行目中「上位ビシト信号４ｂ
に対しては、第２図（Ｃ）に１を「下位ビット信号４ａ
に対しては適正な出力が得られるようにバイアス磁界を
加えると上位ビット４ｂの出力は、第２図（Ｃ）にＪに
補正する。 （７）明細書５頁ｌＯ行目中「第２図の」を「第２図（
Ａ）の」に補正する。 手続補正書（０鋤 昭和６０年１０月１６日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第２２４８３７号 ２、発明の名称 磁気センサー装だ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区下丸子３−３０−２名称 （＋００
）キャノン株式会社 代表者 賀 来 龍 三 部 ４、代理人 居所 〒１４６東京都大田区下丸子３−３０−２キャノ
ン株式会社内（電話７５８−２１１１）５、補正の対象 明細書及び図面 ６−補正の内容 明細書及び図面を別紙のとおり補正する。 訂 正 明 細 書 １、発明の名称 磁気センサー装置 ２、特許請求の範囲 （１）複数個の磁気抵抗効果型素子を、読取チャンネル
毎に並置すると共に、各素子を夫々異なるバイアス磁界
中に配置した事を特徴とする磁気センサー装置。 （２）前記磁気抵抗効果型素子を複数グループに区分し
、各グループ毎に異なる磁界中に配置した事を特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載の磁気センサー装置。 （３）前記磁気抵抗素子にバイアス磁界発生用導電線を
、各素子又は素子グループ毎に両者の間隔を変える様併
設した事を特徴とする特許請求の範囲第（１）項又は第
（２）項記載の磁気センサー装置。 ３、発明の詳細な説明 ゛ 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気抵抗効果型素子を用いた磁気センサー装置
、特に読取チャンネルコードが複数の所謂マルチトラッ
クに記録された位置コード等の信号を再生するための磁
気センサー装置に関するものである。 〔従来の技術〕 磁気抵抗効果を有する素子（以下磁気抵抗効果型素子と
称する）を複数個、基板上に配置し、磁気記録媒体上に
記録された位置信号等のコード信号の読取り用に用いら
れる磁気センサー装置は位置検出装置等で知られており
、コード信号を磁気抵抗効果型素子の抵抗変化により電
気的な読取りにより、磁気記録媒体を担持する物体の絶
対位置を検出するための各種磁気センサー装置が知られ
ている。第１図に例示される磁気センサー装置は従来知
られているものを例示するものにして、同図において１
は磁気センサー装置（以下単に磁気ヘッドと略称する）
、２は磁気記録媒体、３は記録媒体上に多チャンネルに
辺ってグレーコード形式で記録されたコード信号にして
４ａは下位ピットコ−１信号、４ｂは上位ビットコード
信号を夫々示している。 ＩＡ〜ＩＤは基板１０の下端部に埋設された磁気抵抗効
果型素子にして各素子は多チャンネルの各チャンネルに
対向して配置され各素子両側の線は出力線を夫々示して
いる。５は基板１．０に付設され、各素子部ＩＡ−ＩＢ
に均一なバイアス磁界を付与するためのバイアスライン
を示している。 （従来技術の問題点） 第１図Ａの従来装置は磁気記録媒体２上のコード信号４
ａ −−−−４ｂの磁気着磁方向が第１図Ｂに示すよ
うに厚さ方向にＮ−３極が着磁されている場合に記録素
子の近傍ＰｌはＳ極に磁化されていると考えられる。 第１図Ｂの磁気記録素子４ａ上をＭＲ素子ＩＡが移動す
る場合の各位置をＰ１〜Ｐ＆にて示す。 ＰＬは素子４ａ１と４ａ２の中間地点、Ｐ２は記録素子
４ａの端部の地点、Ｐ３は記録素子４ａの端部より１／
４進んだ地点、Ｐ４はＭＲ素子が記録素子４ａにｉける
中心地点、Ｐ５はＭＲ素子が記録素子４ａ上を３／４進
んだ地点、Ｐ６はＭＲ素子が記録素子４ａの端に来た地
点とする。 上記ＭＲ素子ＩＡの各位＠Ｐ ｌ〜Ｐ６における電圧出
力すＨをプロットし、出力値をつなげて作図すると第２
図Ａのようになる。磁気センサー装置の出力の信号処理
として第２図Ａの出力を反転処理すると、第２図Ｂのよ
うになる。 ここで、第２図Ｂの波形をＭＲ素子ＩＡがスキャンする
磁気記録素子とを位置関係の対応は、第２図Ｂと第２図
Ｃの関係になる。第２図Ｂの波形のｙの出力部分は磁気
記録素子４＆の存在しない地点の出力信号であり、いわ
ば不要な信号である。 このｙの信号は実際上、ＭＲ素子の出力信号として出て
来ると、ＭＲ素子の位置検出の精度に影響を及ぼすこと
になる。 この不要信号ｙを消去する方法として、ＭＲ素子にバイ
アス磁界をかける。 第１図Ａに示すように、磁気記録素子上をスキャンする
ＭＲ素子にバイアス磁界を与える手段５を備えると、第
３図に示すように、記録素子４ａ・４ａ−−−一の中間
地点は前述したようにＳ極と成っている。それ故ＭＲ素
子にＳ極のバイアス磁界をかけると、記録媒体２上の記
録素子４ａ・４ａ間のＳ極は消磁され、ＭＲ素子の出力
とには検出されなくなる。 以北の理由により磁気センサー装置に第１図Ａに示すよ
うに、バイアス磁界を発生させる手段を備えるのである
が、読取るべき信号が複数のマルチトラックタイプの場
合に、バイアス磁界を均一の強さにすると、第１図Ａの
下位ビット信号４ａに対しては適正バイアスとなり、記
録素子間の信号消去は可能となる。（第４図Ａ） しかしながら、下位ビット信号４ａに適正なバイアス磁
界は、上位ビット信号４ｂに対しては適正なバイアス磁
界とはならない。上位ビット信号４ｂは磁気記録素子の
面積が大きく、ＭＲ素子に作用する磁界は下位ビット信
号４ａに比して大きくなり、上位ビット信号４ｂφ４ｂ
−−−一間のＳ極の磁界も同様に大きい。そのため下位
ビット信号４ａに適したバイアス磁界の大きさでは中間
地点のＳ極の磁界を完全に消磁することは出来ず、第４
図Ｂに示すように上位ビット信号４ｂ・４ｂ−−−一の
出力には記録素子間の信号ｙが発生してしまうことにな
る。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、磁気抵抗効果型素子を用いて読取記録
信号が複数チャンネルの場合に各チャンネルの信号読取
精度の向上を図った磁気センサー装置を提供する。 〔実施例の説明〕 第５図に本発明に係る磁気ヘッドの一実施例斜視図を示
す。同図において各番号は第１図示磁気ヘッドの参照番
号と対応して付されており、説明の便宜上重複番号の説
明は省略する。バイアスライン５は素子ＩＡの列に対し
斜めに形成されているため、記録媒体に磁気記録された
グレイコードの下位ピッ）４ａに対向する素子ＩＡとバ
イアスラインの距離ａと上位ビット４ｂに対向する素子
ＩＤとバイアスラインの距＃ｂの関係は各ビット４ａ、
４ｂの大きさく長さ）に応じてａ＞ｂに設定されている
。下位ピッ）４ａに対向する素子ＩＡに加わるバイアス
磁界は上位ピッ）４ｂに対向する素子ＩＤに加わるバイ
アス磁界に比べて小さいものとなる。その結果感知磁界
変化に対して各々適切なバイアス磁界即ち、各磁気抵抗
素子の特性曲線上、各ビット信号に応じてバイアス磁界
が変化され、各ビット信号の回生出力が忠実に再現され
るバイアス点がバイアスライン５により形成され、各素
子へ印加されるバイアス磁界により決定されることにな
り下位ビット、上位ビットとも良好な出力が得られ、コ
ード信号４ａ、４ｂ（並びに４ｃ、４ｄ）の再生出力か
ら絶対位置検知を精度よく検出することができることと
なる。 なおコード信号４ｃ 、４ｄについても同様に、最適バ
イアス磁界がバイアスライン５により与えられるが、そ
の説明は省略する。 第６図は他の実施例磁気ヘッドを示すもので、バイアス
ライン５０を素子ＩＡ〜ＩＤ列に対し階段状に形成する
ことにより素子Ｉ Ａ −Ｌ Ｄへのバイアス磁界を段
階的に変化させ、前記同様の効果が得られる様に構成し
たもので、各ビット毎のより適切なバイアス磁界を加え
ることができるものである。。 なお上記階段状にバイアスラインを形成するときに、第
７図のように、素子ＩＡ〜ＩＤのいくつか（第５図では
ＩＡ、ＩＢのグループ、Ｉｃ、ＩＤのグループの２つず
つ）を１グループとし、そのグループごとにバイアスラ
イン５００との距離を変化させることで多少の再生忠実
度は無視しより製作を容易にする事も可能である。 又゛素子ＩＡ〜ＩＤを保護し、かつ基板１０が磁性体で
形成し非磁性部１０Ｂにより閉磁路を形成して再生出力
を良好にする第８図に示す構造の磁気ヘッド１に本発明
を適用してもよく、素子ＩＡ〜ｌＤの媒体２対向面側と
媒体と反対面に磁性体１２．１３を備え、各素子に加わ
るバイアス磁界の大きさを変化させるために、バイアス
ラインの形状を変化させずに、第９図に示すようにバイ
アスライン５側の磁性体１３の長さや巾を変化させても
よい。 〔効 果〕 以上の様に本発明においては磁気ヘッド内の複数の素子
に対しバイアス磁界を素子毎又は素子グループ毎に変化
させることで磁気記録信号のパターンに相応して、常に
忠実な再生出力を良好に得ることができるものであり、
その出力により高精度の信号検出、信号処理が可能とな
り、位置検出用、制御用、信号読取用磁気ヘッドとして
その効果は極めて大きいものである。 ４、図面の簡単な説明 第１図Ａは従来の磁気センサー装置の構成を示す斜視図
。 第１図ＢはＭＲセンサーと磁気記録素子の位置関係を示
す図。 第２図Ａ＠Ｂ−Ｃは第１図Ｂにおける各点Ｐｌ〜Ｐ６の
プロットをつなげた出力波形を示す図。 第３図は不要信号を消去するためのバイアス磁界の説明
図。 第４図Ａは不要信号を消去した後の下位ビット信号のＭ
Ｒ素子の出力波形図。 第４図Ｂは上位ビット信号の出力波形図。 第５図は本発明の第１の実施例を示す図。 第６図は本発明の第２の実施例を示す図。 第７図は本発明の第３の実施例を示す図。 第８図は磁気センサー装置の断面図。 第９図は第８図示の装置の斜視図。 へＦＶ４島ＰｚＰ１ 第２図△
図、第２図（Ａ）は磁気抵抗効果と／ヘイアス磁界説明
図、第２図（Ｂ）、第２図（Ｃ）は夫々第１図示°装置
の出力信号波形図、第３図は本発明に係る磁気センサー
装置斜視図、第４図、第５図は他の変形例構成図にして
、第６図は磁気センサー装置、の断面図、第７図は第６
図示装置の斜視図を夫々示している。 １−−−−一磁気ヘッド ＩＡ〜Ｉ Ｄ−−−−一磁気抵抗効果型素子２−−−−
−磁気奴体 ３−−−一 各トラック ４ａ、４ｂ−−−一下位、上位ビットのトラ・ンク５
（５０，５００）−−−−−バイアスライン１２．１３
．１４−−−−一磁性体 特許出願人 キャノン株式会社 ζ古今 ・１正・イ１ χ３１．ｔ σ （／、！ １．１） １．ｆ ２
θ奮値χ肩屑 塙４図 手続補正書（０鋤 昭和６０年 ３月２２日 特許庁長官 志 賀 学 殿 昭和５９年 特 許ｗＲ第 ２２４８３７ 号２゜発
明の名称 磁気センサー装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区下丸子３−３０−２名称 （１００
）キャノン株式会社 代表者 賀 来 龍 三 部 ４、代理人 居所 〒１４１３東京都大田区下丸子３−３０−２キャ
ノン株式会社内（電話７５８−２１１１）５、補正の対
象 明 細 書 ６、補正の内容 （１）明細書３頁１３行〜１４行目中「・・・印加され
ない場合には争・・」を「・・・大きすぎると・・・」
に補正する。 （２）明細ロ３真下６行目「様な信号となる。ｊを「様
な小さな信号とな之、更にバイアス磁界が小さくなり第
２図（Ａ）に於いて基準レベルが磁界Ｈの負領域に設定
される場合には、出力信号が変形された小さな値となる
。」に補正する。 （３）明細書３真下３行目中ｒφ・φ相違しているため
、下位ビー＞）４ａ・・・」を「・・・相違しているた
め、磁界の大きさが上位ビットと下位ビットとで異なり
、下位ビット４ａ・・・」に補正する。 （４）明細書３真下１行目中「・・・バイアス量とはな
らず、その出力・φ・」をｒ−・・バイアス量とはなら
ない。上位ビット出力は適正なバイアスを加えると、そ
の出力・・Φ」に補正する。 （５）明細書４頁１行目中「下位ビ・ソト信号４ａＪを
ｒ上位ビット信号４ｂｊに補正する。 （６）明細書４頁２行〜３行目中「上位ビシト信号４ｂ
に対しては、第２図（Ｃ）に１を「下位ビット信号４ａ
に対しては適正な出力が得られるようにバイアス磁界を
加えると上位ビット４ｂの出力は、第２図（Ｃ）にＪに
補正する。 （７）明細書５頁ｌＯ行目中「第２図の」を「第２図（
Ａ）の」に補正する。 手続補正書（０鋤 昭和６０年１０月１６日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第２２４８３７号 ２、発明の名称 磁気センサー装だ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区下丸子３−３０−２名称 （＋００
）キャノン株式会社 代表者 賀 来 龍 三 部 ４、代理人 居所 〒１４６東京都大田区下丸子３−３０−２キャノ
ン株式会社内（電話７５８−２１１１）５、補正の対象 明細書及び図面 ６−補正の内容 明細書及び図面を別紙のとおり補正する。 訂 正 明 細 書 １、発明の名称 磁気センサー装置 ２、特許請求の範囲 （１）複数個の磁気抵抗効果型素子を、読取チャンネル
毎に並置すると共に、各素子を夫々異なるバイアス磁界
中に配置した事を特徴とする磁気センサー装置。 （２）前記磁気抵抗効果型素子を複数グループに区分し
、各グループ毎に異なる磁界中に配置した事を特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載の磁気センサー装置。 （３）前記磁気抵抗素子にバイアス磁界発生用導電線を
、各素子又は素子グループ毎に両者の間隔を変える様併
設した事を特徴とする特許請求の範囲第（１）項又は第
（２）項記載の磁気センサー装置。 ３、発明の詳細な説明 ゛ 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気抵抗効果型素子を用いた磁気センサー装置
、特に読取チャンネルコードが複数の所謂マルチトラッ
クに記録された位置コード等の信号を再生するための磁
気センサー装置に関するものである。 〔従来の技術〕 磁気抵抗効果を有する素子（以下磁気抵抗効果型素子と
称する）を複数個、基板上に配置し、磁気記録媒体上に
記録された位置信号等のコード信号の読取り用に用いら
れる磁気センサー装置は位置検出装置等で知られており
、コード信号を磁気抵抗効果型素子の抵抗変化により電
気的な読取りにより、磁気記録媒体を担持する物体の絶
対位置を検出するための各種磁気センサー装置が知られ
ている。第１図に例示される磁気センサー装置は従来知
られているものを例示するものにして、同図において１
は磁気センサー装置（以下単に磁気ヘッドと略称する）
、２は磁気記録媒体、３は記録媒体上に多チャンネルに
辺ってグレーコード形式で記録されたコード信号にして
４ａは下位ピットコ−１信号、４ｂは上位ビットコード
信号を夫々示している。 ＩＡ〜ＩＤは基板１０の下端部に埋設された磁気抵抗効
果型素子にして各素子は多チャンネルの各チャンネルに
対向して配置され各素子両側の線は出力線を夫々示して
いる。５は基板１．０に付設され、各素子部ＩＡ−ＩＢ
に均一なバイアス磁界を付与するためのバイアスライン
を示している。 （従来技術の問題点） 第１図Ａの従来装置は磁気記録媒体２上のコード信号４
ａ −−−−４ｂの磁気着磁方向が第１図Ｂに示すよ
うに厚さ方向にＮ−３極が着磁されている場合に記録素
子の近傍ＰｌはＳ極に磁化されていると考えられる。 第１図Ｂの磁気記録素子４ａ上をＭＲ素子ＩＡが移動す
る場合の各位置をＰ１〜Ｐ＆にて示す。 ＰＬは素子４ａ１と４ａ２の中間地点、Ｐ２は記録素子
４ａの端部の地点、Ｐ３は記録素子４ａの端部より１／
４進んだ地点、Ｐ４はＭＲ素子が記録素子４ａにｉける
中心地点、Ｐ５はＭＲ素子が記録素子４ａ上を３／４進
んだ地点、Ｐ６はＭＲ素子が記録素子４ａの端に来た地
点とする。 上記ＭＲ素子ＩＡの各位＠Ｐ ｌ〜Ｐ６における電圧出
力すＨをプロットし、出力値をつなげて作図すると第２
図Ａのようになる。磁気センサー装置の出力の信号処理
として第２図Ａの出力を反転処理すると、第２図Ｂのよ
うになる。 ここで、第２図Ｂの波形をＭＲ素子ＩＡがスキャンする
磁気記録素子とを位置関係の対応は、第２図Ｂと第２図
Ｃの関係になる。第２図Ｂの波形のｙの出力部分は磁気
記録素子４＆の存在しない地点の出力信号であり、いわ
ば不要な信号である。 このｙの信号は実際上、ＭＲ素子の出力信号として出て
来ると、ＭＲ素子の位置検出の精度に影響を及ぼすこと
になる。 この不要信号ｙを消去する方法として、ＭＲ素子にバイ
アス磁界をかける。 第１図Ａに示すように、磁気記録素子上をスキャンする
ＭＲ素子にバイアス磁界を与える手段５を備えると、第
３図に示すように、記録素子４ａ・４ａ−−−一の中間
地点は前述したようにＳ極と成っている。それ故ＭＲ素
子にＳ極のバイアス磁界をかけると、記録媒体２上の記
録素子４ａ・４ａ間のＳ極は消磁され、ＭＲ素子の出力
とには検出されなくなる。 以北の理由により磁気センサー装置に第１図Ａに示すよ
うに、バイアス磁界を発生させる手段を備えるのである
が、読取るべき信号が複数のマルチトラックタイプの場
合に、バイアス磁界を均一の強さにすると、第１図Ａの
下位ビット信号４ａに対しては適正バイアスとなり、記
録素子間の信号消去は可能となる。（第４図Ａ） しかしながら、下位ビット信号４ａに適正なバイアス磁
界は、上位ビット信号４ｂに対しては適正なバイアス磁
界とはならない。上位ビット信号４ｂは磁気記録素子の
面積が大きく、ＭＲ素子に作用する磁界は下位ビット信
号４ａに比して大きくなり、上位ビット信号４ｂφ４ｂ
−−−一間のＳ極の磁界も同様に大きい。そのため下位
ビット信号４ａに適したバイアス磁界の大きさでは中間
地点のＳ極の磁界を完全に消磁することは出来ず、第４
図Ｂに示すように上位ビット信号４ｂ・４ｂ−−−一の
出力には記録素子間の信号ｙが発生してしまうことにな
る。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、磁気抵抗効果型素子を用いて読取記録
信号が複数チャンネルの場合に各チャンネルの信号読取
精度の向上を図った磁気センサー装置を提供する。 〔実施例の説明〕 第５図に本発明に係る磁気ヘッドの一実施例斜視図を示
す。同図において各番号は第１図示磁気ヘッドの参照番
号と対応して付されており、説明の便宜上重複番号の説
明は省略する。バイアスライン５は素子ＩＡの列に対し
斜めに形成されているため、記録媒体に磁気記録された
グレイコードの下位ピッ）４ａに対向する素子ＩＡとバ
イアスラインの距離ａと上位ビット４ｂに対向する素子
ＩＤとバイアスラインの距＃ｂの関係は各ビット４ａ、
４ｂの大きさく長さ）に応じてａ＞ｂに設定されている
。下位ピッ）４ａに対向する素子ＩＡに加わるバイアス
磁界は上位ピッ）４ｂに対向する素子ＩＤに加わるバイ
アス磁界に比べて小さいものとなる。その結果感知磁界
変化に対して各々適切なバイアス磁界即ち、各磁気抵抗
素子の特性曲線上、各ビット信号に応じてバイアス磁界
が変化され、各ビット信号の回生出力が忠実に再現され
るバイアス点がバイアスライン５により形成され、各素
子へ印加されるバイアス磁界により決定されることにな
り下位ビット、上位ビットとも良好な出力が得られ、コ
ード信号４ａ、４ｂ（並びに４ｃ、４ｄ）の再生出力か
ら絶対位置検知を精度よく検出することができることと
なる。 なおコード信号４ｃ 、４ｄについても同様に、最適バ
イアス磁界がバイアスライン５により与えられるが、そ
の説明は省略する。 第６図は他の実施例磁気ヘッドを示すもので、バイアス
ライン５０を素子ＩＡ〜ＩＤ列に対し階段状に形成する
ことにより素子Ｉ Ａ −Ｌ Ｄへのバイアス磁界を段
階的に変化させ、前記同様の効果が得られる様に構成し
たもので、各ビット毎のより適切なバイアス磁界を加え
ることができるものである。。 なお上記階段状にバイアスラインを形成するときに、第
７図のように、素子ＩＡ〜ＩＤのいくつか（第５図では
ＩＡ、ＩＢのグループ、Ｉｃ、ＩＤのグループの２つず
つ）を１グループとし、そのグループごとにバイアスラ
イン５００との距離を変化させることで多少の再生忠実
度は無視しより製作を容易にする事も可能である。 又゛素子ＩＡ〜ＩＤを保護し、かつ基板１０が磁性体で
形成し非磁性部１０Ｂにより閉磁路を形成して再生出力
を良好にする第８図に示す構造の磁気ヘッド１に本発明
を適用してもよく、素子ＩＡ〜ｌＤの媒体２対向面側と
媒体と反対面に磁性体１２．１３を備え、各素子に加わ
るバイアス磁界の大きさを変化させるために、バイアス
ラインの形状を変化させずに、第９図に示すようにバイ
アスライン５側の磁性体１３の長さや巾を変化させても
よい。 〔効 果〕 以上の様に本発明においては磁気ヘッド内の複数の素子
に対しバイアス磁界を素子毎又は素子グループ毎に変化
させることで磁気記録信号のパターンに相応して、常に
忠実な再生出力を良好に得ることができるものであり、
その出力により高精度の信号検出、信号処理が可能とな
り、位置検出用、制御用、信号読取用磁気ヘッドとして
その効果は極めて大きいものである。 ４、図面の簡単な説明 第１図Ａは従来の磁気センサー装置の構成を示す斜視図
。 第１図ＢはＭＲセンサーと磁気記録素子の位置関係を示
す図。 第２図Ａ＠Ｂ−Ｃは第１図Ｂにおける各点Ｐｌ〜Ｐ６の
プロットをつなげた出力波形を示す図。 第３図は不要信号を消去するためのバイアス磁界の説明
図。 第４図Ａは不要信号を消去した後の下位ビット信号のＭ
Ｒ素子の出力波形図。 第４図Ｂは上位ビット信号の出力波形図。 第５図は本発明の第１の実施例を示す図。 第６図は本発明の第２の実施例を示す図。 第７図は本発明の第３の実施例を示す図。 第８図は磁気センサー装置の断面図。 第９図は第８図示の装置の斜視図。 へＦＶ４島ＰｚＰ１ 第２図△
Claims (3)
- （１）複数個の磁気抵抗効果型素子を、読取チャンネル
毎に並置すると共に、各素子を夫々異なるバイアス磁界
中に配置した事を特徴とする磁気センサー装置。 - （２）前記磁気抵抗効果型素子を複数グループに区分し
、各グループ毎に異なる磁界中に配置した事を特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載の磁気センサー装置。 - （３）前記磁気抵抗素子にバイアス磁界発生用導電線を
、各素子又は素子グループ毎に両者の間隔を変える様併
設した事を特徴とする特許請求の範囲第（１）項又は第
（２）項記載の磁気センサー装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59224837A JPS61102520A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 磁気センサ−装置 |
| US06/790,042 US4717979A (en) | 1984-10-24 | 1985-10-22 | Magnetic sensor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59224837A JPS61102520A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 磁気センサ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102520A true JPS61102520A (ja) | 1986-05-21 |
Family
ID=16819951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59224837A Pending JPS61102520A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 磁気センサ−装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4717979A (ja) |
| JP (1) | JPS61102520A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990012290A1 (en) * | 1989-04-13 | 1990-10-18 | Hitachi Metals, Ltd. | Magnetic encoder |
| JP2007331198A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Taiyo Kogyo Co Ltd | 遮水シートの接合方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0226107U (ja) * | 1988-07-30 | 1990-02-21 | ||
| JPH0298806A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-11 | Canon Inc | マルチトラック薄膜磁気ヘッド |
| US4943877A (en) * | 1988-12-06 | 1990-07-24 | Colorado Memory Systems, Inc. | Fine head positioning system for a tape backup device |
| US4858047A (en) * | 1988-12-06 | 1989-08-15 | Colorado Memory Systems, Inc. | Fine head positioning system for a tape backup drive |
| US5218333A (en) * | 1989-10-02 | 1993-06-08 | Sumitomo Special Metal Co., Ltd. | Magnetic field generating device for use with ESR device |
| FR2656454B1 (fr) * | 1989-12-22 | 1995-07-21 | Thomson Csf | Tete de lecture multipiste. |
| US5390054A (en) * | 1993-03-12 | 1995-02-14 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method and system for minimizing the error rate of a digital recording system by predicting the optimal bias current |
| US5502380A (en) * | 1994-04-28 | 1996-03-26 | Rosemount Inc. | Analog weighted binary absolute position encoder including an array of sense resistors each having material responsive to FWX and nonresponsive to flux |
| JP2001312804A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Mitsumi Electric Co Ltd | マルチチャンネル磁気抵抗効果型ヘッド装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4523243A (en) * | 1982-05-24 | 1985-06-11 | Storage Technology Corporation | Magnetoresistive transducer using an independent recessed electromagnetic bias |
| CA1209260A (en) * | 1982-10-29 | 1986-08-05 | Tetsuo Sekiya | Magnetic transducer head using magnetroresistance effect |
-
1984
- 1984-10-24 JP JP59224837A patent/JPS61102520A/ja active Pending
-
1985
- 1985-10-22 US US06/790,042 patent/US4717979A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990012290A1 (en) * | 1989-04-13 | 1990-10-18 | Hitachi Metals, Ltd. | Magnetic encoder |
| JP2007331198A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Taiyo Kogyo Co Ltd | 遮水シートの接合方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4717979A (en) | 1988-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4040113A (en) | Magnetoresistive magnetic head | |
| US3881190A (en) | Shielded magnetoresistive magnetic transducer and method of manufacture thereof | |
| US20040184189A1 (en) | Magnetic head for perpendicular recording and magnetic disk storage apparatus mounting the head | |
| JPS61102520A (ja) | 磁気センサ−装置 | |
| CA1196093A (en) | Integrated magnetostrictive-piezoresistive magnetic recording playback head | |
| US4679107A (en) | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect | |
| US4589041A (en) | Differential magnetoresistive sensor for vertical recording | |
| US4141051A (en) | Variable dynamic range magneto-resistive head | |
| US4065797A (en) | Multi-element magnetic head | |
| US5663644A (en) | Magnetoresistive sensor having a bias field applied at approximately 56° | |
| US4821012A (en) | Magnetoresistive element | |
| JPS58100217A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| EP0613120A2 (en) | Magnetoresistance thin film magnetic head and bias characteristics measuring method | |
| US6154350A (en) | Soft adjacent layer-biased magnetoresistive head and method | |
| US6208490B1 (en) | Magneto-resistive head utilizing plural plates arranged with their easy axis parallel to recorded magnetic flux | |
| US6211669B1 (en) | Magnetic detector with improved noise resistance characteristics | |
| JPH061201B2 (ja) | 位置検出センサ | |
| JPS5853722B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| EP0917134A2 (en) | Magnetic recording apparatus | |
| JPS6288122A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツドにおけるバイアス磁界印加方法 | |
| JPH08203032A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘッド | |
| JPS58108026A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPS61237218A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツドにおけるバイアス付与方法 | |
| GB2143071A (en) | Magnetoresistive transducers | |
| JPH0721530A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド |