JPS61101457A - セラミツク絶縁基板材料 - Google Patents
セラミツク絶縁基板材料Info
- Publication number
- JPS61101457A JPS61101457A JP59222110A JP22211084A JPS61101457A JP S61101457 A JPS61101457 A JP S61101457A JP 59222110 A JP59222110 A JP 59222110A JP 22211084 A JP22211084 A JP 22211084A JP S61101457 A JPS61101457 A JP S61101457A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mullite
- insulating substrate
- ceramic insulating
- mgo
- added
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、セラきンク絶縁基板に係り、特に電気信号の
入出力のためのビンを取シ付けたシ半導体部品を塔載し
て機能モジュールを構成するのに好適な、セラミック基
板材料に関する。
入出力のためのビンを取シ付けたシ半導体部品を塔載し
て機能モジュールを構成するのに好適な、セラミック基
板材料に関する。
近年、ＬＳＩ等の集積回路は、高速化、高密度化に伴っ
て、放熱や素子の高速化を計るため釦回路基板上に直接
チップを実装する方式が用いられるようになってきてい
る。従来よシ一般に回路基板としては、アルミナが使用
されているが、アルミナを主成分とする焼結体を絶縁体
に使った基板の最大の欠点は、伝号伝播速度が遅いとい
うことであり、その原因としては、アルミナの比誘電率
が約１０ （ＩＭＨｚ）と大きいためである。
て、放熱や素子の高速化を計るため釦回路基板上に直接
チップを実装する方式が用いられるようになってきてい
る。従来よシ一般に回路基板としては、アルミナが使用
されているが、アルミナを主成分とする焼結体を絶縁体
に使った基板の最大の欠点は、伝号伝播速度が遅いとい
うことであり、その原因としては、アルミナの比誘電率
が約１０ （ＩＭＨｚ）と大きいためである。
従って、この信号伝播連間が遅いという欠点を取り除く
ためには、比誘電率の小さい絶縁体を使った基板が研究
開発されている。さらにＬＳＩ材料であるＳｉチップは
、セラミック多層回路板にＣＣＢＣノボィング等の技術
を用いて直接はんだで接続されているが、信頼性という
点からセラミック多層回路板材料の熱膨張係数は、ＬＳ
Ｉ材料であるＳｉのａｏｘｔｏ−’／ｌｌ室温〜５００
Ｃ）に近いものが望まれる。その−例が特開昭５７−１
１５８９５号「ムライト焼結体及びその製造方法」であ
る。これによれば、ムライトを主成分とする焼結体を絶
縁体に使えば比誘電率が５．４〜５．９の基板が得られ
ることがわかる。しかしこのような利点があるにもかか
わらず、ムライトが多層配線基板の分野で適用されにく
い理由は、アルミナ基板はど熱的、砲械的性質が式：＜
基板への入出力用ビン等のろう付は工程で、熱応力で発
生するクラック及び表面メタライズのはがれ等が発生し
、高信頼性でかつ高品質の多層配線基板材料が歩留りよ
く得られない難点があった。さらにこのムライト焼結体
は、焼結時における焼成収縮率が、アルミナに比べて大
きい。回路板の導体の配線精度は、一般にセラミックス
の焼結時における焼成収縮率が小さいほど精度良く配線
できる。この点からムライト系回路板の導体の配線精度
はアルミナに比べて劣るという難点があった。
ためには、比誘電率の小さい絶縁体を使った基板が研究
開発されている。さらにＬＳＩ材料であるＳｉチップは
、セラミック多層回路板にＣＣＢＣノボィング等の技術
を用いて直接はんだで接続されているが、信頼性という
点からセラミック多層回路板材料の熱膨張係数は、ＬＳ
Ｉ材料であるＳｉのａｏｘｔｏ−’／ｌｌ室温〜５００
Ｃ）に近いものが望まれる。その−例が特開昭５７−１
１５８９５号「ムライト焼結体及びその製造方法」であ
る。これによれば、ムライトを主成分とする焼結体を絶
縁体に使えば比誘電率が５．４〜５．９の基板が得られ
ることがわかる。しかしこのような利点があるにもかか
わらず、ムライトが多層配線基板の分野で適用されにく
い理由は、アルミナ基板はど熱的、砲械的性質が式：＜
基板への入出力用ビン等のろう付は工程で、熱応力で発
生するクラック及び表面メタライズのはがれ等が発生し
、高信頼性でかつ高品質の多層配線基板材料が歩留りよ
く得られない難点があった。さらにこのムライト焼結体
は、焼結時における焼成収縮率が、アルミナに比べて大
きい。回路板の導体の配線精度は、一般にセラミックス
の焼結時における焼成収縮率が小さいほど精度良く配線
できる。この点からムライト系回路板の導体の配線精度
はアルミナに比べて劣るという難点があった。
本発明の目的は、低比誘電率でかつ高強度で、信頼性の
高いムライト系セラミック絶縁基板材料を提供すること
にある。
高いムライト系セラミック絶縁基板材料を提供すること
にある。
本発明の要旨とするところは、セラミック絶縁基板材料
としてムライトを主成分とし、焼結助剤としてＡ１＊Ｏ
ｓ″または５ｉｎｓとアルカリ金属またはアルカリ土類
金属を含む複合酸化物を含有することを特徴とすること
にある。
としてムライトを主成分とし、焼結助剤としてＡ１＊Ｏ
ｓ″または５ｉｎｓとアルカリ金属またはアルカリ土類
金属を含む複合酸化物を含有することを特徴とすること
にある。
一般にムライト系セラミックスは、焼結助剤として例え
ばコージェライトが添加されている。この際コージェラ
イトは、コージェライトガラスとして添加しても、コー
ジェライト組成である８ｉ０＊ 、Ａｈ Ｏｓ及びＭｇ
Ｏを単体で添加して焼成時にコージェライトにする場合
でもムライトは焼結できる。コージェライトガラスは安
定であるが、コージェライト組成であるＳ ｉｏ雪、
Ａｌｔｏｓ。
ばコージェライトが添加されている。この際コージェラ
イトは、コージェライトガラスとして添加しても、コー
ジェライト組成である８ｉ０＊ 、Ａｈ Ｏｓ及びＭｇ
Ｏを単体で添加して焼成時にコージェライトにする場合
でもムライトは焼結できる。コージェライトガラスは安
定であるが、コージェライト組成であるＳ ｉｏ雪、
Ａｌｔｏｓ。
Ｍ ｇ Ｏを単体で添加する場合には原料混合時にＭｇ
Ｏが非常に不安定な原料であるという開−がある。それ
は、ＭｇＯ粉末は吸水性が有り水分を吸収してＭｇ（Ｏ
Ｈ）ｒとなりやすい。このことは。
Ｏが非常に不安定な原料であるという開−がある。それ
は、ＭｇＯ粉末は吸水性が有り水分を吸収してＭｇ（Ｏ
Ｈ）ｒとなりやすい。このことは。
生産する立場においては、粉末の管理方法や焼結助剤に
おけるＭｇＯの組成比を目的にすることにおいて問題に
なる。
おけるＭｇＯの組成比を目的にすることにおいて問題に
なる。
また、ＭｇＯの添加Ｋ Ｍ ｇ ＣＯｓというような炭
酸化物で添加することも考えられるが、ＭｇＣＯ５は、
高温でＭｇＯとＣＯ宜ガスに分解して、発生した００ｗ
ガスによりセラミックス内部にボイドを発生したり、Ｍ
ｇＣＯ５の分解によってＣＯ意ガスが抜は出てしまうた
めに焼成収縮率を大きくし、てしまう。焼成収縮率が大
きいということは１寸法安定性の点から考えて好ましく
ない。現在開発が進んでいる大型コンピューターの高密
度に配線された多層回路基板においては、均一な焼成収
縮つまり寸法安定性が重要になってくる。寸法安定性は
焼成収縮率が小さい方が一般によくなる。
酸化物で添加することも考えられるが、ＭｇＣＯ５は、
高温でＭｇＯとＣＯ宜ガスに分解して、発生した００ｗ
ガスによりセラミックス内部にボイドを発生したり、Ｍ
ｇＣＯ５の分解によってＣＯ意ガスが抜は出てしまうた
めに焼成収縮率を大きくし、てしまう。焼成収縮率が大
きいということは１寸法安定性の点から考えて好ましく
ない。現在開発が進んでいる大型コンピューターの高密
度に配線された多層回路基板においては、均一な焼成収
縮つまり寸法安定性が重要になってくる。寸法安定性は
焼成収縮率が小さい方が一般によくなる。
信頼性のあるムライト系セラミック絶縁基板を作るには
、以上のような問題点を解決するものでなければならな
い。以上のような問題点を解決するためには、焼結助剤
の成分を添加する方法においてＭｇＯのように不安定な
１″１１で添加するのではなく、室温では比較的安定な
化合物の形で添加すればよいのではないかと考えた。例
えば、焼結助剤の成分にＭｇＯとＡＩｔｏｓを含む場合
、ＭｇＯとＡｈＯｓの化合物としてスピネル（ＭｇＡｌ
ｍＯｎ）がある。スピネルは、室温においては比較的安
定であり、高温においてはＭｇＯとＡＩ！０１に分解す
る。このような化合物を原料に用いることにより、ムラ
イト系セラミック絶縁基板材料の成分組成変動を少なく
することができる。しかし化合物としてＭｇＣＯ５のよ
うに炭酸化物で添加した場合は、高温で分解して炭酸ガ
スを発生し、セラミックス内部にボイドを発生したり、
焼成収縮率が大きくなってしまって好ましくない。
、以上のような問題点を解決するものでなければならな
い。以上のような問題点を解決するためには、焼結助剤
の成分を添加する方法においてＭｇＯのように不安定な
１″１１で添加するのではなく、室温では比較的安定な
化合物の形で添加すればよいのではないかと考えた。例
えば、焼結助剤の成分にＭｇＯとＡＩｔｏｓを含む場合
、ＭｇＯとＡｈＯｓの化合物としてスピネル（ＭｇＡｌ
ｍＯｎ）がある。スピネルは、室温においては比較的安
定であり、高温においてはＭｇＯとＡＩ！０１に分解す
る。このような化合物を原料に用いることにより、ムラ
イト系セラミック絶縁基板材料の成分組成変動を少なく
することができる。しかし化合物としてＭｇＣＯ５のよ
うに炭酸化物で添加した場合は、高温で分解して炭酸ガ
スを発生し、セラミックス内部にボイドを発生したり、
焼成収縮率が大きくなってしまって好ましくない。
また、化合物を添加することによって得られたムライト
系セラミックスの熱膨張係数や比誘電率は、従来のもの
とほとんど変わらずムライトそのものの特徴を備えてい
る。
系セラミックスの熱膨張係数や比誘電率は、従来のもの
とほとんど変わらずムライトそのものの特徴を備えてい
る。
本発明においてムライト系セラミックスに含まれるムラ
イト量が、７０〜９０！ｔ％としであるのは、ムライト
量が７０％より少ないとガラス成分の古める割合が多く
なるために材料の抗折強度が２０ｋｇｆ／ｍｍ’以下と
なってしまいビン付工程などで発生する熱応力に耐えら
れなくなってしまって好ましくない。またムライト量を
９０％以上にすると焼結温度が、高くなってしまって実
際に量産する上においては好ましくない。
イト量が、７０〜９０！ｔ％としであるのは、ムライト
量が７０％より少ないとガラス成分の古める割合が多く
なるために材料の抗折強度が２０ｋｇｆ／ｍｍ’以下と
なってしまいビン付工程などで発生する熱応力に耐えら
れなくなってしまって好ましくない。またムライト量を
９０％以上にすると焼結温度が、高くなってしまって実
際に量産する上においては好ましくない。
５ｉｎｓとアルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む
複合酸化物の重量比を０．２〜５としであるのけ、Ｓ、
縦比が０．２以下であると抗折強度が２０ｋ ｇ ｆ／
ｍｍ”以下となってしまって好ましくない。
複合酸化物の重量比を０．２〜５としであるのけ、Ｓ、
縦比が０．２以下であると抗折強度が２０ｋ ｇ ｆ／
ｍｍ”以下となってしまって好ましくない。
また重量比が５以上であると焼結温度が高くなってしま
って実際に量産する上においては好ましくない。Ａｌ＊
０＊とアルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む複合
酸化物の重量比を０．２〜０．５としであるのは、重量
比が０．２以下であるとセラミックスの耐水性や耐薬品
性が悪くなってしまって好ましくない。重量比が０．５
以上であるとセラミックスの焼結温度が上がってしまう
ために量産する上において好ましくない。
って実際に量産する上においては好ましくない。Ａｌ＊
０＊とアルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む複合
酸化物の重量比を０．２〜０．５としであるのは、重量
比が０．２以下であるとセラミックスの耐水性や耐薬品
性が悪くなってしまって好ましくない。重量比が０．５
以上であるとセラミックスの焼結温度が上がってしまう
ために量産する上において好ましくない。
ムライト系セラミックス絶縁基板の製造方法には、まず
グリーンボディ、（生の成形体）を製造する必要がある
。それにはグリーンシート法、スリップキャスティング
法、プレスによる金型成形法。
グリーンボディ、（生の成形体）を製造する必要がある
。それにはグリーンシート法、スリップキャスティング
法、プレスによる金型成形法。
インジェクションモールド法等がある。
グリーンシート法は、原料粉に溶剤及び熱可塑性等の樹
脂を添加し、かくはんしたスラリーを脱気したのち、グ
リーンシート作製機によりグリーンシートを作製する方
法である。
脂を添加し、かくはんしたスラリーを脱気したのち、グ
リーンシート作製機によりグリーンシートを作製する方
法である。
スリップキャスティング法は、原料粉に水１分散剤及び
熱可塑性等の樹脂を添加しかくはんしたスラリーを、例
えば石こう型内へ流し込んで製造する方法である。
熱可塑性等の樹脂を添加しかくはんしたスラリーを、例
えば石こう型内へ流し込んで製造する方法である。
プレスによる金型成形法は、原料粉に溶剤及び熱可塑性
等の樹脂を添加し、らいかい機等で混合。
等の樹脂を添加し、らいかい機等で混合。
かくはんした原料粉をふるい等で造粒したのち、金型内
に入れて荷重を加えて製造する方法である。
に入れて荷重を加えて製造する方法である。
インジェクションモールド法は、原料粉に熱可塑性等の
樹脂及びワックス等を添加し、温度を加えて原料粉に樹
脂等を付着させた原料粉をインジェクションマシンのホ
ッパ部等に入れ、原料粉の回りに付着している樹脂を溶
融させながら、スクリューにより射出ノズル部まで押出
し、圧力を与えて、金型内に打込む方法である。
樹脂及びワックス等を添加し、温度を加えて原料粉に樹
脂等を付着させた原料粉をインジェクションマシンのホ
ッパ部等に入れ、原料粉の回りに付着している樹脂を溶
融させながら、スクリューにより射出ノズル部まで押出
し、圧力を与えて、金型内に打込む方法である。
以上の製造方法等により製造されたグリーンボディを積
層あるいは、脱脂工程をしたのち、焼成してムライト系
セラミック絶縁基板を製造する。
層あるいは、脱脂工程をしたのち、焼成してムライト系
セラミック絶縁基板を製造する。
実施例１゜
以下、本発明の実施例について説明する。なお文中に部
とあるのは重量部を、俤とあるのは重量％を示す。
とあるのは重量部を、俤とあるのは重量％を示す。
セラミック絶縁基板の製造方法は、まずムライト粉平均
粒径２μｍを７０チ、シリカ平均粒径１ｐｍを１４．６
％、スピネル（ＭｇＡ Ｉｓ Ｏａ）平均粒径０．３μ
ｍを１５．４％添加した混合粉に重合度１０００のポリ
ビニルブチラール５．９部、トリクロルエチレｙ１２４
ｆＲＳ、テトラクロルエチレン３２部、ｎ−ブチルアル
コール４４部を加え、ボールミルで２０時時間式混合し
、スラリーを作る。
粒径２μｍを７０チ、シリカ平均粒径１ｐｍを１４．６
％、スピネル（ＭｇＡ Ｉｓ Ｏａ）平均粒径０．３μ
ｍを１５．４％添加した混合粉に重合度１０００のポリ
ビニルブチラール５．９部、トリクロルエチレｙ１２４
ｆＲＳ、テトラクロルエチレン３２部、ｎ−ブチルアル
コール４４部を加え、ボールミルで２０時時間式混合し
、スラリーを作る。
次に真空脱気処理により、適当な粘度に調節する。
次にスラリーをドクターブレードを用いて、シリコンコ
ートしたポリエステルフィルム支持体上に０．２ｍｍ厚
さに塗布し、その後炉を通して乾燥し、ムライト系セラ
ミック多層配線基板材料のグリーンシートを作製する。
ートしたポリエステルフィルム支持体上に０．２ｍｍ厚
さに塗布し、その後炉を通して乾燥し、ムライト系セラ
ミック多層配線基板材料のグリーンシートを作製する。
次に、そのグリーンシートを５０ｍｒｒ３角に切断し、
３０層積層したのち、熱間プレスにより圧着した。圧着
条件は、温度１２０Ｃ１圧力は４０ｋｇ／ ｃ ｍ”で
ある。圧着後、樹脂抜きのため１００Ｃ／ｈ以下の昇温
速度で昇温し１２００ＣＸ１ｈの脱脂を行った後、２０
０ Ｃ／ｈの昇温速度で昇温し１６００ｔＺ’Ｘ１ｈで
焼結を行った。雰囲気は大気中である。次にその焼結さ
れた基板材料を比誘電率及び曲げ強さ測定試験片用に切
断【７たのち、ダイヤモンドラップ板を用いて粗研磨及
び仕上げ研磨を行った。
３０層積層したのち、熱間プレスにより圧着した。圧着
条件は、温度１２０Ｃ１圧力は４０ｋｇ／ ｃ ｍ”で
ある。圧着後、樹脂抜きのため１００Ｃ／ｈ以下の昇温
速度で昇温し１２００ＣＸ１ｈの脱脂を行った後、２０
０ Ｃ／ｈの昇温速度で昇温し１６００ｔＺ’Ｘ１ｈで
焼結を行った。雰囲気は大気中である。次にその焼結さ
れた基板材料を比誘電率及び曲げ強さ測定試験片用に切
断【７たのち、ダイヤモンドラップ板を用いて粗研磨及
び仕上げ研磨を行った。
現在セラミック絶線基板材料の主流であるアルミナは、
比誘電率約９．５（ＩＭＨｚ）であるが、ムライト７５
％に、２５チコージエライトが含有されているムライト
系では、比誘電率約６．０（ＩＭＨｚ）となり、アルミ
ナに比べてムライトの方が信号伝播速度を速くすること
が可能となる。
比誘電率約９．５（ＩＭＨｚ）であるが、ムライト７５
％に、２５チコージエライトが含有されているムライト
系では、比誘電率約６．０（ＩＭＨｚ）となり、アルミ
ナに比べてムライトの方が信号伝播速度を速くすること
が可能となる。
第１図は、ムライトを主成分として焼結助剤の５ｉ（ｈ
とＡｌ＊Ｏ＋ＭｇＯの成分比（重量比）に対する焼成収
縮率の関係を示したものである。ここで従来法は、焼結
助剤をそれぞれ単体で添加しているが、本発明法では、
スピネル（ＭｇＡＬＯ４）のような複合酸化物の形で添
加している。ここで従来と焼成収縮率に差が出ているの
は、従来は、ＭｇＯのように不安定な形で添加している
ために、ボールミル湿式混合の場合などにＭ ｇ Ｏが
Ｍｇ（ＯＨｈとなる。さらにＭ ｇ （ＯＨｂが焼成時
において分解してＭｇＯとＨｌｏにな、！１）ＨｔＯが
蒸気となって抜は出るために焼成収縮率が大きくなる。
とＡｌ＊Ｏ＋ＭｇＯの成分比（重量比）に対する焼成収
縮率の関係を示したものである。ここで従来法は、焼結
助剤をそれぞれ単体で添加しているが、本発明法では、
スピネル（ＭｇＡＬＯ４）のような複合酸化物の形で添
加している。ここで従来と焼成収縮率に差が出ているの
は、従来は、ＭｇＯのように不安定な形で添加している
ために、ボールミル湿式混合の場合などにＭ ｇ Ｏが
Ｍｇ（ＯＨｈとなる。さらにＭ ｇ （ＯＨｂが焼成時
において分解してＭｇＯとＨｌｏにな、！１）ＨｔＯが
蒸気となって抜は出るために焼成収縮率が大きくなる。
化合物の場合はこのようなことがないために従来に比べ
焼成′収縮率は小さい。なお焼成収縮率は、５０ｍｍ角
のシートを３０層に重ねて圧着したものの縦と横の平均
の焼成収縮率とした。
焼成′収縮率は小さい。なお焼成収縮率は、５０ｍｍ角
のシートを３０層に重ねて圧着したものの縦と横の平均
の焼成収縮率とした。
第２図は、ムライトを主成分として焼結助剤の８ｉ０＊
とＡｌｔＯｓ＋ＭｇＯの成分比（重量比）に対するボイ
ド率と抗折強度の関係を示している。
とＡｌｔＯｓ＋ＭｇＯの成分比（重量比）に対するボイ
ド率と抗折強度の関係を示している。
ここでは化合物としてスピネルを添加しているが、スピ
ネルは、ムライトの粒成長を抑制するために従来法に比
べ抗折強度が向上している。また粒成長が抑制されたこ
とによりボイド率も減少している。ここでいう従来法と
は、焼結助剤の成分をそれぞれ単体で添加しているもの
のことである。
ネルは、ムライトの粒成長を抑制するために従来法に比
べ抗折強度が向上している。また粒成長が抑制されたこ
とによりボイド率も減少している。ここでいう従来法と
は、焼結助剤の成分をそれぞれ単体で添加しているもの
のことである。
作製されたムライト系セラミック絶縁基板は、比誘電率
６．３ （ＩＭＨｚ）、熱膨張係数３５〜４５Ｘ １０
−’ ／Ｃ１抗折強度は、組成範囲内では２０ｋｇｆ／
ｍｍ！以上となり、良好なムライト系セラミックス基板
が得られる。
６．３ （ＩＭＨｚ）、熱膨張係数３５〜４５Ｘ １０
−’ ／Ｃ１抗折強度は、組成範囲内では２０ｋｇｆ／
ｍｍ！以上となり、良好なムライト系セラミックス基板
が得られる。
実施例２
表にムライト量８０重量％に複合酸化物とＳｉｎ！また
はＡＩｔｏｓを添加して焼結させたセラはツクについて
の特性を示す。
はＡＩｔｏｓを添加して焼結させたセラはツクについて
の特性を示す。
焼成温度は、１６００ＣＸ１ｈである。
表かられかるように、表に示した複合酸化物を焼結助剤
として添加した場合、熱膨張係数は。
として添加した場合、熱膨張係数は。
３５Ｘ１０−” 〜４５Ｘ１０−’／Ｃ１抗折強度２２
ｋｇｆ／ｍｒｎ”、比誘電率６．１〜６．３である。
ｋｇｆ／ｍｒｎ”、比誘電率６．１〜６．３である。
本発明によれば、ムライトを主成分とし、焼結助剤とし
て、ＡＩｔｏｓまたは５ｉｆｔとアルカリ金属またはア
ルカリ土類金属を含む複合酸化物を添加することＫより
、比誘電率的６．５以下（ＩＭＨｚ）で熱膨張係数が８
ｉに近く、高強度で、焼成収縮率が小さく組成変動が少
ない信頼性の高いムライト系絶縁材料が得られる。
て、ＡＩｔｏｓまたは５ｉｆｔとアルカリ金属またはア
ルカリ土類金属を含む複合酸化物を添加することＫより
、比誘電率的６．５以下（ＩＭＨｚ）で熱膨張係数が８
ｉに近く、高強度で、焼成収縮率が小さく組成変動が少
ない信頼性の高いムライト系絶縁材料が得られる。
第１図は本発明の一実施例における焼、詰助剤の成分比
（重量比）と焼成収縮率の関係線図、第２桔１閃 従来汰
（重量比）と焼成収縮率の関係線図、第２桔１閃 従来汰
Claims (1)
- １、ムライトを主成分とするセラミック絶縁基板におい
て、ムライトに焼結助剤としてＡｌ＿２Ｏ＿３またはＳ
ｉＯ＿２とアルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む
複合酸化物を含有することを特徴とするセラミック絶縁
基板材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59222110A JPS61101457A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | セラミツク絶縁基板材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59222110A JPS61101457A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | セラミツク絶縁基板材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61101457A true JPS61101457A (ja) | 1986-05-20 |
Family
ID=16777298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59222110A Pending JPS61101457A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | セラミツク絶縁基板材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61101457A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5861691A (en) * | 1996-04-12 | 1999-01-19 | Denso Corporation | Starter with thermal insulation cover |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115895A (en) * | 1981-01-12 | 1982-07-19 | Hitachi Ltd | Mullite sintered material and method of producing same |
-
1984
- 1984-10-24 JP JP59222110A patent/JPS61101457A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115895A (en) * | 1981-01-12 | 1982-07-19 | Hitachi Ltd | Mullite sintered material and method of producing same |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5861691A (en) * | 1996-04-12 | 1999-01-19 | Denso Corporation | Starter with thermal insulation cover |
| US6066907A (en) * | 1996-04-12 | 2000-05-23 | Denso Corporation | Brush holding device |
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