JPS609662B2 - 半導体ウエハの打抜き方法 - Google Patents

半導体ウエハの打抜き方法

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JPS609662B2
JPS609662B2 JP54101989A JP10198979A JPS609662B2 JP S609662 B2 JPS609662 B2 JP S609662B2 JP 54101989 A JP54101989 A JP 54101989A JP 10198979 A JP10198979 A JP 10198979A JP S609662 B2 JPS609662 B2 JP S609662B2
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JP
Japan
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punching
wafer
semiconductor
semiconductor wafer
sheets
Prior art date
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Application number
JP54101989A
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English (en)
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JPS5624945A (en
Inventor
慶助 日高
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS5624945A publication Critical patent/JPS5624945A/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体ウェハの打抜き方法に関するものである
従来、半導体ゥェハを打抜く場合には第1図に示す打抜
き治臭が用いられている。
同図において、1はプレス上型、2はプレス上型1に固
定ボルト3によって取り付けられた打抜きガイド、4は
ウェハの位置決めを行なうウェハガィド板、5は圧縮バ
ネ6を介してウェハガィド板4をプレス下型8に固定す
る固定ボルト、7はウェハガィド板4の案内する押え棒
である。次にその動作を説明する。
まず第2図に示す半導体ウェハ9に例えばモリブデン板
10をロー材11でろう付けしたものをモリブデン板1
0を下にしてウェハガィド板板4にはめ込む。次にプレ
ス上型1を下降させると打抜きガイド2が下降し、半導
体ゥェハ9の表面を押しその裏面のモリブデン板10を
押え綾7に押え付け、モリブデン板10以外のウェハガ
ィド板4に押え付ける。これが打抜き寸前の状態で第3
図に示す。さらに下降させるとウヱハガイド板4が圧縮
バネ6に介して下降し半導体ゥェハ9が打抜きガイド2
の穴とモリブデン板10‘こよって打抜かれる。これを
第4図に示す。打抜き完了後、プレス上型1を上昇させ
ると逆の動作を行ない第1図に示す状態にもどる。なお
、第4図において、12は打抜かれた半導体ゥェハ、1
3は半導体チップである。しかしながら、このような打
抜き拾具を用いた従釆の打抜き方法においては、打抜き
後に第5図に示すように打抜かれた半導体ウェハ12と
半導体チップ13を1回打抜くごとに1つ1つ取り出し
たり、ゥェハ打抜き治具に付着した半導体の小さなクズ
を定期的に掃除しなければならないため、その作業時間
がかかるとともに、半導体ゥェハ表面をキズつけるなど
の欠点があった。本発明は、上記のような従来のものの
欠点を除去するためになされたもので、展延性で可操性
の良い材料よりなるシートに半導体ウェハを挟んで打抜
くことにより、作業時間を短縮し、かつゥェハ治具に半
導体のクズが付着するのを防止して半導体ウェハ表面を
キズつけないようにした半導体ウェハの打抜き方法を提
供することを目的としている。
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。第6図
は本発明による打抜き方法の−実施例を説明するための
もので、ウェハ打抜き治具に装着する前の態様を示す。
この実施例では、展延性でかつ可榛性の良い材料よりる
シートとして半導体ウェハは被覆可能な大きさのェンビ
シート(又は塩化ビニルシートとも称す)14a,14
bを用い、このェンビシート14a,14bにより第6
図に示すように半導体ウェハ9を挟むことにより、これ
らを第1図に示すゥェハ打抜き治具に装着して打抜くよ
うにしたものである。次に、上記実施例の動作について
説明する。
ここで打抜き動作は従来のものと同様であるので、ェン
ピシート14a,14bの作用について説明する。ェン
ビシート14a,14bに挟まれた半導体ゥェハ9のモ
リブデン板10を下にして第7図に示すようにウェハガ
ィド板4の穴にはめ込んだ状態でモリブデン板10を押
し込むと、各ェンビシート14a,14bは第8図に示
すように伸びる。第8図は第4図に示す打抜き時のェン
ビシート14a,14bの態様を示すもので、この打抜
きによって半導体ウェハ9は打抜きガイド2の穴とモリ
ブデン板1川こより上記と同様にして打抜かれるが、各
ェンビシート14a,14bはその伸縮性により打抜か
れない。これは、ェンビシート14a,14bの伸び、
打抜きガイド2の穴とモリブデン板10の隙間や打抜き
ストロークを考慮して設定すればよい。このように、半
導体ゥェハ9をェンビシート14a,14bを挟んで打
抜くことによって前記各ェンビシートは打抜かれず、半
導体ウェハ9のみを打抜くことができるので、打抜かれ
た半導体ウェハ12、半導体チップ13及び半導体の4
・さなクズを前記各ェンビシート間にとどめ、打抜き後
にェンビシート14a,14bごとに一度に取り出すこ
とができる。なお、上記実施例ではェンビシート14a
,14bで半導体ウェハ9をはさんで打抜く方法につい
て示したが、伸びがよくかつせん断力の強い物質のシー
トを挟んで打抜いてもよい。また、上記実施例では半導
体ウェハの打抜きについて示したが、紙、金属などの打
抜きにも同様にして適用することもできる。以上のよう
に、本発明によれば、半導体ウェハを展延性でかつ可榛
性の良い材料よりなるシートで挟んで打抜くため、打抜
かれた半導体ウェハ、そのクズ及び半導体チップを打抜
き後に1つ1つ取り出すこともなく、前記シートにはさ
んだままの状態で一度に取り出すことができ、これによ
って、作業時間を短縮することができるとともに、半導
体ウェハ表面をキズから保護することができる。
また、ウェハ打抜き治具に半導体のクズが付着すること
なく、しかも半導体ウェハ表面にキズやつきにくくなる
ので、常に同一条件の打抜きができるとともに、保守が
容易になるなどの効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は半導体ゥェハを打抜く場合に用いられるウェハ
打抜き拾貝の一例を示す概略図、第2図はモリブデン板
をろう付けした半導体ウェハを示す図、第3図乃至第5
図は第1図に示す治具を用いた従来の打抜き方法を説明
するための図、第6図は本発明による打抜き方法の一実
施例を説明するための図、第7図乃び第8図はその動作
説明図である。 1・・・・・・プレス上型、2・・・・・・打抜きガイ
ド、3……固定ボルト、4・・・・・・ウェハガィド板
、5・・・・・・固定ボルト、6・・・・・・圧縮バネ
、7・・・・・・押え棒、8・・・・・・プレス下型、
9・・・・・・半導体ウェハ、10・・・・・・モリブ
デン板、11・・・・・・ロー材、12・・・・・・打
抜かれた半導体ウェハ、13…・・・半導体チップ、1
4a,14b……工ンビシート。 外1はl 第2図 舞る図 汁3図 オ4図 才5図 外7図 汁8図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 半導体ウエハを打抜く際に、この半導体ウエハを展
    延性でかつ可撓性の良い材料よりなるシートにより挾ん
    だ状態で前記半導体ウエハを打抜くことを特徴とする半
    導体ウエハの打抜き方法。 2 半導体ウエハはその主面にモリブデンあるいは銅な
    どの金属体がろう付けされているを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載の半導体ウエハの打抜き方法。
JP54101989A 1979-08-08 1979-08-08 半導体ウエハの打抜き方法 Expired JPS609662B2 (ja)

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JP54101989A JPS609662B2 (ja) 1979-08-08 1979-08-08 半導体ウエハの打抜き方法

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JPS5624945A JPS5624945A (en) 1981-03-10
JPS609662B2 true JPS609662B2 (ja) 1985-03-12

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EP3006529B1 (en) * 2013-06-07 2021-09-01 Nissan Chemical Corporation Ion complex material having function of inhibiting adhesion of biological matter and production method for same

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JPS5624945A (en) 1981-03-10

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