JPS609641B2 - チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 - Google Patents
チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法Info
- Publication number
- JPS609641B2 JPS609641B2 JP54054996A JP5499679A JPS609641B2 JP S609641 B2 JPS609641 B2 JP S609641B2 JP 54054996 A JP54054996 A JP 54054996A JP 5499679 A JP5499679 A JP 5499679A JP S609641 B2 JPS609641 B2 JP S609641B2
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- Japan
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- semiconductor porcelain
- barium titanate
- semiconductor
- molded bodies
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、正の抵抗温度特性を有するチタン酸バリウム
系半導体磁器の製造方法に関する。
系半導体磁器の製造方法に関する。
本発明の目的は、不純物の付着がなく、且つ均質で比抵
抗のバラッキの小さい安定した特性を有するチタン酸バ
リウム系半導体磁器の製造方法を提供するものである。
さらには、焼成後のチタン酸バリウム系半導体磁器の処
理が容易である製造方法を提供するものである。従来、
チタン酸バリウムの基本組成物にＬａ、Ｃｅ、Ｙ等の稀
士類元素、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｎｂ等のうち１種以上を添加す
る事により、正の抵抗温度簿控を有するチタン酸バリウ
ム系半導体磁器が得られる事は知られている。
抗のバラッキの小さい安定した特性を有するチタン酸バ
リウム系半導体磁器の製造方法を提供するものである。
さらには、焼成後のチタン酸バリウム系半導体磁器の処
理が容易である製造方法を提供するものである。従来、
チタン酸バリウムの基本組成物にＬａ、Ｃｅ、Ｙ等の稀
士類元素、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｎｂ等のうち１種以上を添加す
る事により、正の抵抗温度簿控を有するチタン酸バリウ
ム系半導体磁器が得られる事は知られている。
またこの半導体磁器組成物の滋の一部をＳｒであるいは
Ｔｉの一部をＳｎで置換する事により、キュリー点（１
２０００）を低温側に移動させたり、Ｂａの一部をＰｂ
で置換する事によりキュリー点（１２０ｑｏ）を高温側
に移動させる事ができ、高範囲の温度で使用できる事は
周知の如くである。このチタン酸／ゞＩＪウム系半導体
磁器は、通常半導体磁器を構成する原料粉末を湿式混合
し、乾燥して仮嘘を行った後、仮焼物を湿式粉砕し乾燥
した粉末に有機バインダーを適量加えて造粒したものを
加圧成形し、得られた成形体を互いの主面同志が相重な
るように複数枚積み重さねたものを、１２５０〜１４０
０℃で０．現時間〜３時間焼成する事によって得られる
。
Ｔｉの一部をＳｎで置換する事により、キュリー点（１
２０００）を低温側に移動させたり、Ｂａの一部をＰｂ
で置換する事によりキュリー点（１２０ｑｏ）を高温側
に移動させる事ができ、高範囲の温度で使用できる事は
周知の如くである。このチタン酸／ゞＩＪウム系半導体
磁器は、通常半導体磁器を構成する原料粉末を湿式混合
し、乾燥して仮嘘を行った後、仮焼物を湿式粉砕し乾燥
した粉末に有機バインダーを適量加えて造粒したものを
加圧成形し、得られた成形体を互いの主面同志が相重な
るように複数枚積み重さねたものを、１２５０〜１４０
０℃で０．現時間〜３時間焼成する事によって得られる
。
従釆、この製造方法において上記成形体を複数枚積み重
ねる際に、焼成後の半導体磁器の各々を剥離し易くする
ために、積み重ねられる成形体の主面上にＺの２粒子等
を剥離し易い程度に蒔いて焼成していた。
ねる際に、焼成後の半導体磁器の各々を剥離し易くする
ために、積み重ねられる成形体の主面上にＺの２粒子等
を剥離し易い程度に蒔いて焼成していた。
しかしながら、このような方法で０は焼成後の半導体磁
器の各々を容易に剥離できるものの次のような欠点が生
じていた。‘１’ １２５０ｑｏ〜１４００ｏｏの高温
焼成によりＺの２粒子の一部が半導体磁器組成物と反応
したりあるいは半導体磁器主面にくし、込むように付着
し、し、夕 わゆる不純物として介在する状態となって
半導体磁器特性に悪影響を及ぼす。
器の各々を容易に剥離できるものの次のような欠点が生
じていた。‘１’ １２５０ｑｏ〜１４００ｏｏの高温
焼成によりＺの２粒子の一部が半導体磁器組成物と反応
したりあるいは半導体磁器主面にくし、込むように付着
し、し、夕 わゆる不純物として介在する状態となって
半導体磁器特性に悪影響を及ぼす。
■ 焼成後の半導体磁器主面に散在するＺｒ０２粒子を
除去する必要があり、またこの際の作業性が悪いｏ｛３
’ 積み重ねられた成形体において、各々の成形体間の
空間が微々たるものであるため、焼成時における成形体
の側面と主面に対する熱の伝導が不均一であり、その結
果不均質な半導体磁器が得られ、室温での比抵抗のバラ
ッキに結びつき安定した特性が得られない。
除去する必要があり、またこの際の作業性が悪いｏ｛３
’ 積み重ねられた成形体において、各々の成形体間の
空間が微々たるものであるため、焼成時における成形体
の側面と主面に対する熱の伝導が不均一であり、その結
果不均質な半導体磁器が得られ、室温での比抵抗のバラ
ッキに結びつき安定した特性が得られない。
本発明の製造方法はかかる欠点を解消するもので「チタ
ン酸バリウム系半導体磁器原料を緑式混合し、乾燥して
仮競を行った後ｔ粉砕、加圧成形して作製される成形体
を該成形体の主面同志が相重なるように複数牧積み重ね
て焼成する製造方法において、該成形体主面間‘こ波型
嬢結体を介して該成形体と該波型焼結体とが交互に配置
するように積み重ねた後、焼成する事を特徴とするもの
である。
ン酸バリウム系半導体磁器原料を緑式混合し、乾燥して
仮競を行った後ｔ粉砕、加圧成形して作製される成形体
を該成形体の主面同志が相重なるように複数牧積み重ね
て焼成する製造方法において、該成形体主面間‘こ波型
嬢結体を介して該成形体と該波型焼結体とが交互に配置
するように積み重ねた後、焼成する事を特徴とするもの
である。
本発明の製造方法によれば「従来のような不純物の半導
体磁器への付着問題を一切考慮する必要がなく、且つ積
み重ねられる各々の成形体間に波型暁結体が設けられて
いるので均一に焼成させるに十分な空間ができト焼成時
にその空間を通しても熱が伝わるために得られる半導体
磁器は均質なものであり、また比抵抗のバラッキも極小
となる。
体磁器への付着問題を一切考慮する必要がなく、且つ積
み重ねられる各々の成形体間に波型暁結体が設けられて
いるので均一に焼成させるに十分な空間ができト焼成時
にその空間を通しても熱が伝わるために得られる半導体
磁器は均質なものであり、また比抵抗のバラッキも極小
となる。
さらには焼成後の半導体磁器と波型競結体との接触面積
が十分に小さいので、半導体磁器を波型競給体から剥離
する場合でも容易にでき、従来の如き余分な作業もなく
なり、効率的である。以下、本発明につき実施例をあげ
説明する。実施例 １市販の工業用原料ＢａＣ０３、Ｔ
ｉ０２、Ｓｉ０２、ＮＱ０５、Ｍｎ０２を出発原料とし
て母Ｃ０３１モル、Ｔｉ。
が十分に小さいので、半導体磁器を波型競給体から剥離
する場合でも容易にでき、従来の如き余分な作業もなく
なり、効率的である。以下、本発明につき実施例をあげ
説明する。実施例 １市販の工業用原料ＢａＣ０３、Ｔ
ｉ０２、Ｓｉ０２、ＮＱ０５、Ｍｎ０２を出発原料とし
て母Ｃ０３１モル、Ｔｉ。
２１モル、Ｓｉ。
２２．４モル％、ＮＱ０５０．１１モル％、Ｍｍ０２０
．０７モル％の組成に配合したものをボールミルで２岬
時間湿式混合した後乾燥し、１１００００で２時間仮擁
する。
．０７モル％の組成に配合したものをボールミルで２岬
時間湿式混合した後乾燥し、１１００００で２時間仮擁
する。
仮嬢した原料をさらにボールミルで湿式粉砕して乾燥さ
せる。その後適量の有機バインダーを加え造粒し、１０
００ｋ９′鮒の圧力で直径１７側、肉厚３．５肋の円板
に成形する。このようにして得られた成形体の複数枚を
ジルコニァ板の上に成形体の主面同志が相重なるように
して積み重ねる。この時積み重ねられる各々の成形体の
主面間にこの成形体を構成する組成と同組成から作製さ
れた波型凝結体を設ける。図はこの時の成形体と波型焼
給体の配置状態を示すものである。図において、１は成
形体、２は波型焼結体であり、互いは交互に積み重ねら
れている。３はジルコニア板である。
せる。その後適量の有機バインダーを加え造粒し、１０
００ｋ９′鮒の圧力で直径１７側、肉厚３．５肋の円板
に成形する。このようにして得られた成形体の複数枚を
ジルコニァ板の上に成形体の主面同志が相重なるように
して積み重ねる。この時積み重ねられる各々の成形体の
主面間にこの成形体を構成する組成と同組成から作製さ
れた波型凝結体を設ける。図はこの時の成形体と波型焼
給体の配置状態を示すものである。図において、１は成
形体、２は波型焼結体であり、互いは交互に積み重ねら
れている。３はジルコニア板である。
このような配置方法で成形体１の女を積み重ねた後、１
３５０ｑｏ、１時間バッチ式焼成炉にて焼成して半導体
磁器を作製した。得られた半導体磁器はカミソリ等を使
用して容易に波型競結体から剥離する事ができ、また剥
離された半導体磁器の主面には何の異常も認められなか
った。このようにして得られた半導体磁器の両面に金属
溶射法により山電極を付与し、２５ｑ０における比抵抗
を測定した。その結果比抵抗は１０７０‘伽（ｎ＝１０
の平均値）であり、ｎ比抵抗のバラッキの目安として平
方和をＳ＝ ．Ｚ （Ｘｉ−×）２（但しｎ＝１＝１
−−１
０）式で求めた結果、１４５であった。ここで、Ｘはｎ
こ１０の比抵抗の平均値「Ｘｉは各々の比抵抗である。
比較例 １ 上記実施例１のうち成形体を積み重ねる際に互いに接触
する主面の一方に粒蚤１５０仏のＺｒ０２粒子を蒔き、
全体として成形体主面間にＺｒ０２粒子が介在するよう
に成形体を１の女積み重ねる。
３５０ｑｏ、１時間バッチ式焼成炉にて焼成して半導体
磁器を作製した。得られた半導体磁器はカミソリ等を使
用して容易に波型競結体から剥離する事ができ、また剥
離された半導体磁器の主面には何の異常も認められなか
った。このようにして得られた半導体磁器の両面に金属
溶射法により山電極を付与し、２５ｑ０における比抵抗
を測定した。その結果比抵抗は１０７０‘伽（ｎ＝１０
の平均値）であり、ｎ比抵抗のバラッキの目安として平
方和をＳ＝ ．Ｚ （Ｘｉ−×）２（但しｎ＝１＝１
−−１
０）式で求めた結果、１４５であった。ここで、Ｘはｎ
こ１０の比抵抗の平均値「Ｘｉは各々の比抵抗である。
比較例 １ 上記実施例１のうち成形体を積み重ねる際に互いに接触
する主面の一方に粒蚤１５０仏のＺｒ０２粒子を蒔き、
全体として成形体主面間にＺｒ０２粒子が介在するよう
に成形体を１の女積み重ねる。
他はすべて実施例１と同機にして半導体磁器を作製した
。得られた半導体磁器の両王面にはＺの２粒子の一部が
〈し、込むように付着し、いわゆる不純物として存在し
ていた。また、これらの半導体磁器の比抵抗は実施例１
と同方法で測定された。その結果、比抵抗は１０５０・
弧（ｎ＝１０の平均値）であり、この時の平方和は７４
６であった。実施例 ２ 出発原料として鱗ＣＱ、ＳｒＣ０３、Ｔｉ０２、Ｓｉ０
２、Ｎｂ２Ｑ、Ｍｎ０２を用い、母Ｃ０３、０．８モル
、ＳｒＣ。
。得られた半導体磁器の両王面にはＺの２粒子の一部が
〈し、込むように付着し、いわゆる不純物として存在し
ていた。また、これらの半導体磁器の比抵抗は実施例１
と同方法で測定された。その結果、比抵抗は１０５０・
弧（ｎ＝１０の平均値）であり、この時の平方和は７４
６であった。実施例 ２ 出発原料として鱗ＣＱ、ＳｒＣ０３、Ｔｉ０２、Ｓｉ０
２、Ｎｂ２Ｑ、Ｍｎ０２を用い、母Ｃ０３、０．８モル
、ＳｒＣ。
３０．２モル、Ｔｉ０２１モル、Ｓｉ。
２２．４モル％、ＮＱ０５０．１１モル％、Ｍｎ０２０
．０７モル％の組成で配分し、他は実施例１と同方法で
半導体磁器を作製した。
．０７モル％の組成で配分し、他は実施例１と同方法で
半導体磁器を作製した。
得られた半導体磁器は容易に波型競結体から剥離され、
処理が簡単で且つ半導体磁器主面にも異常は認められな
かった。これらの半導体磁器の比抵抗は実施例１と同方
法で測定された。その結果、比抵抗は９６０・伽（ｎ＝
１０の平均値）であり、この時の平方和は１０３であっ
た。比較例 ２ 実施例２のうち成形体を積み重ねる際に互いに接触する
主面の一方に粒径１５０仏のＺの２粒子を蒔き、全体と
して成形体主面間にＺｒ０２粒子が介在するように成形
体をｌｑ父積み重ねる。
処理が簡単で且つ半導体磁器主面にも異常は認められな
かった。これらの半導体磁器の比抵抗は実施例１と同方
法で測定された。その結果、比抵抗は９６０・伽（ｎ＝
１０の平均値）であり、この時の平方和は１０３であっ
た。比較例 ２ 実施例２のうち成形体を積み重ねる際に互いに接触する
主面の一方に粒径１５０仏のＺの２粒子を蒔き、全体と
して成形体主面間にＺｒ０２粒子が介在するように成形
体をｌｑ父積み重ねる。
他はすべて実施例２と同方法で半導体磁器を作製した。
得られた半導体磁器の両主面にはやはりＺｒＱ粒子の一
部がくし、込むように付着し、均質性に欠けていた。こ
れらの半導体磁器の比抵抗は実施例１と同方法で測定さ
れた。その結果、比抵抗は９１０・弧（ｎ＝１０の平均
値）であり、この時の平方和は５６２であった。実施例
３ 出発原料としてＢａＣ０３、Ｐｂ○、Ｔｉ０２、Ｓｉ０
２、ＮＱ０５、Ｍｎ０２を用い、ＢａＣ０３０．８モル
、Ｐｂ００．２モル、Ｔｉ０２１モル、Ｓｉ。
得られた半導体磁器の両主面にはやはりＺｒＱ粒子の一
部がくし、込むように付着し、均質性に欠けていた。こ
れらの半導体磁器の比抵抗は実施例１と同方法で測定さ
れた。その結果、比抵抗は９１０・弧（ｎ＝１０の平均
値）であり、この時の平方和は５６２であった。実施例
３ 出発原料としてＢａＣ０３、Ｐｂ○、Ｔｉ０２、Ｓｉ０
２、ＮＱ０５、Ｍｎ０２を用い、ＢａＣ０３０．８モル
、Ｐｂ００．２モル、Ｔｉ０２１モル、Ｓｉ。
２２．４モル％、Ｎｂ２０５０．１５モル％、Ｍｎ０２
０．０７モル％の組成で配合し、実施例１と同方法で作
製し配燈した成形体群を１２７０ｏｏ、１時間で焼成し
て半導体磁器を作製した。
０．０７モル％の組成で配合し、実施例１と同方法で作
製し配燈した成形体群を１２７０ｏｏ、１時間で焼成し
て半導体磁器を作製した。
得られた半導体磁機ｉ和；は実施例１及び２の場合と同
様に何の娘′ｆｉｒも認められず、均質であった。また
、波側畑紬体からも簡単に剥離でき、作業性が良かつ′
で これらの半導体磁器の比抵抗は実施例１と同ハ法で
測定された。その結果比抵抗は２７１０・伽（ｎ＝１０
の平均値）であり、平方和は３０４であった。比較例
３ 実施例３のうち成形体を積み重ねる際に互いに接触する
主面の一方に粒径１５０仏のＺの２粒子を蒔き、全体と
して成形体主面間にＺｒ０２粒子が介在するように成形
体１の女を積み重ねる。
様に何の娘′ｆｉｒも認められず、均質であった。また
、波側畑紬体からも簡単に剥離でき、作業性が良かつ′
で これらの半導体磁器の比抵抗は実施例１と同ハ法で
測定された。その結果比抵抗は２７１０・伽（ｎ＝１０
の平均値）であり、平方和は３０４であった。比較例
３ 実施例３のうち成形体を積み重ねる際に互いに接触する
主面の一方に粒径１５０仏のＺの２粒子を蒔き、全体と
して成形体主面間にＺｒ０２粒子が介在するように成形
体１の女を積み重ねる。
他はすべて実施例３と同様にして半導体磁器を作製した
。得られた半導体磁器主面の状態は比較例１及び２と同
様であった。これらの半導体磁器の比抵抗は実施例１と
同方法で測定された。その結果、比抵抗は２６３０・肌
（ｎ＝１０の平均値）であり、平方和は１５２０であっ
た。以上記述した事から明らかなように、比較例１、２
及び３で示したような従来の方法の場合、得られる各々
の半導体磁器の主面に散在したＺｒＱ粒子を除去する必
要があり、またこの場合の作業性も悪い。
。得られた半導体磁器主面の状態は比較例１及び２と同
様であった。これらの半導体磁器の比抵抗は実施例１と
同方法で測定された。その結果、比抵抗は２６３０・肌
（ｎ＝１０の平均値）であり、平方和は１５２０であっ
た。以上記述した事から明らかなように、比較例１、２
及び３で示したような従来の方法の場合、得られる各々
の半導体磁器の主面に散在したＺｒＱ粒子を除去する必
要があり、またこの場合の作業性も悪い。
その上Ｚｒ０２粒子の一部は除去できずに半導体磁器に
〈し、込むように付着しており、いわゆる均質な半導体
磁器は得られない。さらには２５ｏ０での比抵抗のバラ
ツキが大きく、安定した抵抗値を有する半導体磁器が得
られない。これに対し、実施例１、２及び３で示した本
発明の製造方法で得られた半導体磁器はいずれも波型焼
結体から容易に剥離でき作業効率が良く、また成形体と
波型凝結体とは同組成のものから作製されるので半導体
磁器も均質なものである。さらに２５℃での比抵抗のバ
ラッキが４・さく、歩留りを向上させる率ができる。こ
のほか本発明の製造方法において使用した波型焼結体は
多数回の焼成に利用できるという利点を有する。以上の
ように本発明は均質で且つ焼成後の処理が容易であり、
さらには室温での比抵抗のバラッキが小さく、安定した
特性を有するチタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法
を提供するものである。
〈し、込むように付着しており、いわゆる均質な半導体
磁器は得られない。さらには２５ｏ０での比抵抗のバラ
ツキが大きく、安定した抵抗値を有する半導体磁器が得
られない。これに対し、実施例１、２及び３で示した本
発明の製造方法で得られた半導体磁器はいずれも波型焼
結体から容易に剥離でき作業効率が良く、また成形体と
波型凝結体とは同組成のものから作製されるので半導体
磁器も均質なものである。さらに２５℃での比抵抗のバ
ラッキが４・さく、歩留りを向上させる率ができる。こ
のほか本発明の製造方法において使用した波型焼結体は
多数回の焼成に利用できるという利点を有する。以上の
ように本発明は均質で且つ焼成後の処理が容易であり、
さらには室温での比抵抗のバラッキが小さく、安定した
特性を有するチタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法
を提供するものである。
図は本発明の製造方法において成形体と波型暁結体との
配置状態を示す説明図である。 １・・・・・・成形体、２・・・・・・波型焼縞体。
配置状態を示す説明図である。 １・・・・・・成形体、２・・・・・・波型焼縞体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ チタン酸バリウム系半導体磁器原料を湿式混合し、
乾燥して仮焼を行った後、粉砕、加圧成形して作製され
る成形体を該成形体の主面同志が相重なるように複数枚
積み重ねて焼成する製造方法において、該成形体主面間
に波型焼結体を介して該成形体と該波型焼結体とが交互
に配置するように積み重ねた後、焼成する事を特徴とす
るチタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法。 ２ 成形体と波型焼結体とは、同組成のチタン酸バリウ
ム系半導体磁器原料から作製される事を特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のチタン酸バリウム系半導体磁器
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54054996A JPS609641B2 (ja) | 1979-05-04 | 1979-05-04 | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54054996A JPS609641B2 (ja) | 1979-05-04 | 1979-05-04 | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55146905A JPS55146905A (en) | 1980-11-15 |
| JPS609641B2 true JPS609641B2 (ja) | 1985-03-12 |
Family
ID=12986259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54054996A Expired JPS609641B2 (ja) | 1979-05-04 | 1979-05-04 | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609641B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008036835A1 (de) | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Epcos Ag | Heizungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Heizungsvorrichtung |
| DE102008036836A1 (de) | 2008-08-07 | 2010-02-11 | Epcos Ag | Formkörper, Heizungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Formkörpers |
-
1979
- 1979-05-04 JP JP54054996A patent/JPS609641B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55146905A (en) | 1980-11-15 |
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