JPS6094984A - セフエム誘導体 - Google Patents
セフエム誘導体Info
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- JPS6094984A JPS6094984A JP20211483A JP20211483A JPS6094984A JP S6094984 A JPS6094984 A JP S6094984A JP 20211483 A JP20211483 A JP 20211483A JP 20211483 A JP20211483 A JP 20211483A JP S6094984 A JPS6094984 A JP S6094984A
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- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Cephalosporin Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般式
〔式中Ｉ Ｒ’は低級アルキル基を、Ｒ″はアルキリデ
ン基又はアルキレン基を、Ｙはシアノ基。
ン基又はアルキレン基を、Ｙはシアノ基。
はそれぞれ水素又は低級アルキル基を意味するか、もし
くは互いに結合して隣接する窒素原子と共に５〜６員の
環状アミノ基を形成する。該環状アミノ基は環構成原子
として更にヘテロ原子を含んでもよく、低級アルキル基
で置換されることもある。）を意味する。〕で表わされ
る化合物及びその塩に関する。
くは互いに結合して隣接する窒素原子と共に５〜６員の
環状アミノ基を形成する。該環状アミノ基は環構成原子
として更にヘテロ原子を含んでもよく、低級アルキル基
で置換されることもある。）を意味する。〕で表わされ
る化合物及びその塩に関する。
低級アルキル基としてはメチル、エチル、路−プルピル
、イソプロピル、葛−ブチル、第二級ブチル及び第三級
ブチル等があげられる。
、イソプロピル、葛−ブチル、第二級ブチル及び第三級
ブチル等があげられる。
アルキリデンとは飽和炭化水素の同一炭素原子に結合し
ている２個の水素原子を除いて生ずる２価の置換基であ
り、その具体例としては。
ている２個の水素原子を除いて生ずる２価の置換基であ
り、その具体例としては。
メチレン、エチリデン、プロピリデン、イソプロピリデ
ン、ブチリデン及び２−ブチリデン等があげられる。
ン、ブチリデン及び２−ブチリデン等があげられる。
本発明においてアルキレンとは脂肪族飽和炭化水素中の
異なる２個の炭素原子に結合する２個の水素原子を除い
て生ずる２価の置換基を意味し、その具体例としてはエ
チレン及びプロピレン、１．２−ブチレン、１．８−ブ
チレン及び２．８−ブチレン等が並びにトリメチレン及
びテ（ラメチレン等のポリメチレンが含まれる。
異なる２個の炭素原子に結合する２個の水素原子を除い
て生ずる２価の置換基を意味し、その具体例としてはエ
チレン及びプロピレン、１．２−ブチレン、１．８−ブ
チレン及び２．８−ブチレン等が並びにトリメチレン及
びテ（ラメチレン等のポリメチレンが含まれる。
イル、Ｎ−エチルカルバモイル、 Ｎ、Ｎ−ジメチルカ
ルバモイル、１−ピロリジニルカルボニル。
ルバモイル、１−ピロリジニルカルボニル。
ピペリジノカルボニル、１−ピペラジニルカルボニル、
（４−メチ寅ペラジニル）カルボニル、モルホリノカル
ボニル等があげられる。
（４−メチ寅ペラジニル）カルボニル、モルホリノカル
ボニル等があげられる。
塩としては、塩酸及び硫酸の如き無機−もしくはメタン
スルホン酸の如き有機酸との塩、あるいはカルボン酸の
ナトリウム塩及びカリウム塩の如きアルカリ金属塩もし
くはカルシウム塩及びマグネシウム塩の如きアルカリ土
類金属塩があげられる。
スルホン酸の如き有機酸との塩、あるいはカルボン酸の
ナトリウム塩及びカリウム塩の如きアルカリ金属塩もし
くはカルシウム塩及びマグネシウム塩の如きアルカリ土
類金属塩があげられる。
本発明化合物は新規化合物であり１次に示す製造法ａ又
は製造法すによって製造することができる。
は製造法すによって製造することができる。
箱
（式中、Ｒ”、Ｒ″及びＹは虫記に同じであり、Ｒ１は
アシル基を意味する。） 化合物値）における８位アシルオキシル基の置換ピリジ
ニオ基への変換は、化合物値）を沃化ナトリウム又はチ
オシアン化カリウム等の塩の存在下に、置換ピリジン（
至）と、可及的少量の水もしくは水及びアセトニトリル
の混液中で加熱することによって行ない、目的化合物（
Ｉ）を製造することができる。反応温度は２０℃ないし
１００℃、好ましくは６０℃ないし８０℃が良好な結果
を与える。
アシル基を意味する。） 化合物値）における８位アシルオキシル基の置換ピリジ
ニオ基への変換は、化合物値）を沃化ナトリウム又はチ
オシアン化カリウム等の塩の存在下に、置換ピリジン（
至）と、可及的少量の水もしくは水及びアセトニトリル
の混液中で加熱することによって行ない、目的化合物（
Ｉ）を製造することができる。反応温度は２０℃ないし
１００℃、好ましくは６０℃ないし８０℃が良好な結果
を与える。
製造法ｂ
（ＶＩＩ）
〔式中、Ｒ’、Ｒ″及びＹは前記に同じであり。
２１はアミ７基の保護基を ２１はカルボキシル基の保
護基を、Ｘはハロゲン原子をｌ Ｙ’はシ（Ｑ’及びＱ
ｌは前記に同じ）を意味する。〕アミノ基の保護基の具
体例としてはホルミル。
護基を、Ｘはハロゲン原子をｌ Ｙ’はシ（Ｑ’及びＱ
ｌは前記に同じ）を意味する。〕アミノ基の保護基の具
体例としてはホルミル。
トリチル、第三−ブトキシカルボニル及びパラメトキシ
ベンジルオキシカルボニル等が、またカルボキシル基の
保護基の具体例としてはバラニトロベンジル及び第三級
ブチル基等があげらペラジ品ルカルボニル、及びｌ−イ
ミダゾリジニルカルボニルのように環構成原子として更
に窒素原子を有し該窒素゛原子が低級アルキル基で置換
されていない環状アミ７カルボエルの場合には、該窒素
原子を保護して反応を行う必要がある。
ベンジルオキシカルボニル等が、またカルボキシル基の
保護基の具体例としてはバラニトロベンジル及び第三級
ブチル基等があげらペラジ品ルカルボニル、及びｌ−イ
ミダゾリジニルカルボニルのように環構成原子として更
に窒素原子を有し該窒素゛原子が低級アルキル基で置換
されていない環状アミ７カルボエルの場合には、該窒素
原子を保護して反応を行う必要がある。
化合物（ト）と含硫黄置換ピリジン■との反応はアセト
ン、メチルエチルケトン又はジクｐルメタン等の反応に
関与しない溶媒中、０℃ないし５０℃、好ましくは１０
℃ないし８０℃で行ない、８−置換ビリジニオメチル−
８−セフェム−１−オキシド誘導体側）を製造すること
ができる。化合物（６）における１位の脱オキシ反応は
。
ン、メチルエチルケトン又はジクｐルメタン等の反応に
関与しない溶媒中、０℃ないし５０℃、好ましくは１０
℃ないし８０℃で行ない、８−置換ビリジニオメチル−
８−セフェム−１−オキシド誘導体側）を製造すること
ができる。化合物（６）における１位の脱オキシ反応は
。
ホルムアミド、ジメチルアセトアミド
等の反応に関与しない溶媒中、三基化燐あるいは三臭化
燐を作用させることによって行なわれる。反応温度は一
７０ｔｌないし０℃、好ましくは一４０℃ないし一２０
℃が最適である。
燐を作用させることによって行なわれる。反応温度は一
７０ｔｌないし０℃、好ましくは一４０℃ないし一２０
℃が最適である。
このようにして製造された化合物（ロ）におけるアミノ
基あるいはカルボキシル基の保護基（ｚｌ。
基あるいはカルボキシル基の保護基（ｚｌ。
２１３の脱離反応は、塩酸の如き無機酸、ギ酸及びトリ
フルオル酢酸の如き有機酸あるいはこれらの混合液中で
行ない、目的とする化合物（υを製造することができる
。反応温度は０℃ないし５０℃、好ましくは１５℃ない
し８０℃である。
フルオル酢酸の如き有機酸あるいはこれらの混合液中で
行ない、目的とする化合物（υを製造することができる
。反応温度は０℃ないし５０℃、好ましくは１５℃ない
し８０℃である。
本発明の目的化合物（１）及びその中間原料は構造式中
に部分構造としてオキシイミノ基を有し。
に部分構造としてオキシイミノ基を有し。
次式のようなシン異性体、アンチ異性体あるいはそれら
の混合物で得られる。一般にシン異性体が高活性である
。
の混合物で得られる。一般にシン異性体が高活性である
。
シン異性体 アンチ異性体
〔式中、Ｒ：は前記に同じであり、Ｒ４は水素又はアミ
ノ基の保護基を意味する。〕 また、目的化合物（υおよび、その中間原料である式（
…）、 Ｑｌｌ）、（ロ）および（至）の化合物は互変
異性体を包含する。すなわち、２−アミノチアゾール部
分においては平衡関係にあり１次のような平衡式で示す
ことができる。
ノ基の保護基を意味する。〕 また、目的化合物（υおよび、その中間原料である式（
…）、 Ｑｌｌ）、（ロ）および（至）の化合物は互変
異性体を包含する。すなわち、２−アミノチアゾール部
分においては平衡関係にあり１次のような平衡式で示す
ことができる。
（式中、几４は前記に同じである。）
従って両者は実質的に同一化合物として考えることがで
きる。
きる。
本発明の化合物は広域抗菌スペクトルを示し。
緑膿菌を含むグラム陰性菌、およびダラム陽性菌に対し
て強い抗菌活性を示す。それらの結果を、セフォタキシ
ムを対照薬として、ＭＩＯ値で示す。
て強い抗菌活性を示す。それらの結果を、セフォタキシ
ムを対照薬として、ＭＩＯ値で示す。
最小発育阻止濃度（ＭＩＯ，ｐ９／−１＞（接種菌量：
Ｉ Ｑ’／−、培養条件＝８７℃、１８時間）化合物
Ａ： ７β−（ｇ−（ｇ−アミノチアゾール−４−イル
）−２−メトキシイミノアセトアミド）−８−（４−シ
アノメチルチオ−１−ピリジニオ）メチル−８−セフェ
ム−４−カルボキシレート（シンｇ性体）化合物Ｂ＝
７β−（２−（２−アミノチアゾ−＃−４−イル）−２
−メトキシイミノアセトアミド）−８−（４−（１−ピ
ペラジニルカルボニルメチル）チオ−１−ピリジニオコ
メチル−８−セフェム−４−カルボキシレート（シン異
性体） 実施例Ｉ Ｒ’ニーｃ＋３ −Ｓ−酷Ｙ：ダーＳ−（ト）λＣＮ１
） ？β−（１１−（２−）リチルアミノチアゾ−ルー
４−イル）−２−メジキシイミノアセトアミド〕−３−
ブロモメチル−８−七フエムー鳴−カルポン酸第三級ブ
チルエステル−１−オキシド８００１＠９をアセトン１
５−に溶解し、この溶液に、４−シアノメチルチオピリ
ジン２ｇを加えて室温で１８時間攪拌する。
Ｉ Ｑ’／−、培養条件＝８７℃、１８時間）化合物
Ａ： ７β−（ｇ−（ｇ−アミノチアゾール−４−イル
）−２−メトキシイミノアセトアミド）−８−（４−シ
アノメチルチオ−１−ピリジニオ）メチル−８−セフェ
ム−４−カルボキシレート（シンｇ性体）化合物Ｂ＝
７β−（２−（２−アミノチアゾ−＃−４−イル）−２
−メトキシイミノアセトアミド）−８−（４−（１−ピ
ペラジニルカルボニルメチル）チオ−１−ピリジニオコ
メチル−８−セフェム−４−カルボキシレート（シン異
性体） 実施例Ｉ Ｒ’ニーｃ＋３ −Ｓ−酷Ｙ：ダーＳ−（ト）λＣＮ１
） ？β−（１１−（２−）リチルアミノチアゾ−ルー
４−イル）−２−メジキシイミノアセトアミド〕−３−
ブロモメチル−８−七フエムー鳴−カルポン酸第三級ブ
チルエステル−１−オキシド８００１＠９をアセトン１
５−に溶解し、この溶液に、４−シアノメチルチオピリ
ジン２ｇを加えて室温で１８時間攪拌する。
溶媒を留去し、残渣をエーテルで処理して不溶物を濾取
すると７β−（２−（２−）リチルアミ／チアゾールー
４−イル）−２−メトキシイミノアセトアミド）−８−
（４−シアノメチルチオ−１−ピリジニオ）メチル−８
−セフェム−４−カルボン酸第三級ブチルエステル−１
−オキシド・プ四ミド（シン異性体）９００■を得る。
すると７β−（２−（２−）リチルアミ／チアゾールー
４−イル）−２−メトキシイミノアセトアミド）−８−
（４−シアノメチルチオ−１−ピリジニオ）メチル−８
−セフェム−４−カルボン酸第三級ブチルエステル−１
−オキシド・プ四ミド（シン異性体）９００■を得る。
Ｎ Ｍ ｎ ａ ＯＤＯ’ｌ 。
−。
１．５０ （９Ｈ，１ｍ、第８級ブチル基）４．１０
（８Ｈ，ｓ、メトキシ基） ６．８０ （ＩＨ，ａ、チアゾール環６位Ｈ）７．８０
（１５Ｈ，ｓ、）リチル基） ８．０５，９Ｊ５（各ｍＨ，ｄ、ピリジン環Ｈ） １） 上記化合物９００”９をジメチルホルムアミド１
０−に溶解し、−８０℃に冷却して三基化燐０．１５−
を加え、−８０℃〜−４０℃で３時間攪拌する。反応液
にクロロホルムを加えで、水洗シ、乾燥したのち、溶媒
を留去する。残渣にアニソール１．４−および） ＩＩ
フルオロ酢＠Ｉｏ−を加えて室温で８０分間攪拌する
。溶媒を留去し、残渣にギ酸ｚＯ−を加えて、室温で３
０分間攪拌する。溶媒を留去し、残渣を逆相高速液体ク
ロマトグラフィーに付し、水−アセシニ）リル（９：１
）で展開すると目的とする表題化合物を得る。
（８Ｈ，ｓ、メトキシ基） ６．８０ （ＩＨ，ａ、チアゾール環６位Ｈ）７．８０
（１５Ｈ，ｓ、）リチル基） ８．０５，９Ｊ５（各ｍＨ，ｄ、ピリジン環Ｈ） １） 上記化合物９００”９をジメチルホルムアミド１
０−に溶解し、−８０℃に冷却して三基化燐０．１５−
を加え、−８０℃〜−４０℃で３時間攪拌する。反応液
にクロロホルムを加えで、水洗シ、乾燥したのち、溶媒
を留去する。残渣にアニソール１．４−および） ＩＩ
フルオロ酢＠Ｉｏ−を加えて室温で８０分間攪拌する
。溶媒を留去し、残渣にギ酸ｚＯ−を加えて、室温で３
０分間攪拌する。溶媒を留去し、残渣を逆相高速液体ク
ロマトグラフィーに付し、水−アセシニ）リル（９：１
）で展開すると目的とする表題化合物を得る。
融点１４Ｑ’Ｏ〜１６５℃（分解）
ＮＭｎａ””
８．２４，８．７９（各ＩＨ，ｄ、セフェム環２位Ｈ）
８．９８ （８Ｈ，１，メトキシ基）
４．４０ （ＳＲ，ｌｅシアノメチル基）６Ｊ６，５．
４８（各１１１． ｄ、 −１！７．Ａ環８位メチレン
基） ５．８８ （ＩＨ，ｄ、セフェム環６位Ｈ）５．９０
（Ｉｎ、 ｄ、セフェム環７位Ｈ）７．０２ （ＩＨ，
ｓ、チアゾール１ｌｌＳ位Ｈ）ｙ、ｏａ、ａ、ｙｙ（各
２Ｈ，ｄ、ピリジン環Ｈ］ Ｉ Ｒ（ＫＢｒ）ＣＩｌｌ−’ ： １７６０（ラクタムＯ−０） 。
４８（各１１１． ｄ、 −１！７．Ａ環８位メチレン
基） ５．８８ （ＩＨ，ｄ、セフェム環６位Ｈ）５．９０
（Ｉｎ、 ｄ、セフェム環７位Ｈ）７．０２ （ＩＨ，
ｓ、チアゾール１ｌｌＳ位Ｈ）ｙ、ｏａ、ａ、ｙｙ（各
２Ｈ，ｄ、ピリジン環Ｈ］ Ｉ Ｒ（ＫＢｒ）ＣＩｌｌ−’ ： １７６０（ラクタムＯ−０） 。
ｇｇ８ｏ（ＯＮ）
実施例２
７β−（ｇ−（ｇ−アミノチアゾール−４−イル）−２
−メトキシイミノア雪ドアミド〕−８−アセトキシメチ
ル−８−セフェム−４−カルボン酸９．１９をアセトニ
トリル１８−と水６−の混液に溶解し：これに沃化ナト
リウム８０ｇと番−シアノメチルチオピリジン１．２ｇ
を加えて７０℃で２時間攪拌する。反応液をアセトン６
００−に加えて生成する析出物を濾取する。
−メトキシイミノア雪ドアミド〕−８−アセトキシメチ
ル−８−セフェム−４−カルボン酸９．１９をアセトニ
トリル１８−と水６−の混液に溶解し：これに沃化ナト
リウム８０ｇと番−シアノメチルチオピリジン１．２ｇ
を加えて７０℃で２時間攪拌する。反応液をアセトン６
００−に加えて生成する析出物を濾取する。
アセトンおよびエーテルで洗浄した粗品８．５９をダイ
ヤイオンＨＰ−１０（４００ｍ）のカラムク四マドグラ
フィー、に付し、水−テトラヒトシフラン（９，ｔ ｌ
）の・混液で展開すると粗品４．０ｇを得る。、これ
、を更に逆相高速液体りｐマドグラフィーに付し、水−
アセトニトリル（９：１）の混液で展開すると、目的と
する標題化合物を得る。これは実施例１で得た化合物と
一致した。
ヤイオンＨＰ−１０（４００ｍ）のカラムク四マドグラ
フィー、に付し、水−テトラヒトシフラン（９，ｔ ｌ
）の・混液で展開すると粗品４．０ｇを得る。、これ
、を更に逆相高速液体りｐマドグラフィーに付し、水−
アセトニトリル（９：１）の混液で展開すると、目的と
する標題化合物を得る。これは実施例１で得た化合物と
一致した。
実施例８
Ｒ： −ＣＨ３＝Ｓ−Ｒ’Ｙ：ダー５−ｃ）（ｚｃｏＱ
Ｈｌ）７β−（２−（２−）ジチルアミノチアゾール−
４−イル】−２−メトキシイミノアセトアミド〕−８−
ブロモメチル−８−セフェム−４−カルボン酸第三級ブ
チルエステル−１−オキシド１．２ｇを、アセトン２０
−に溶解し、この溶液に４−（４−（４−メトキシベン
ジルオキシカルボエル）−１−ピペラジニルカルボニル
メチルコチオピリジン２ｇを加えて室温で５時間攪拌す
る。溶媒を留去し。
Ｈｌ）７β−（２−（２−）ジチルアミノチアゾール−
４−イル】−２−メトキシイミノアセトアミド〕−８−
ブロモメチル−８−セフェム−４−カルボン酸第三級ブ
チルエステル−１−オキシド１．２ｇを、アセトン２０
−に溶解し、この溶液に４−（４−（４−メトキシベン
ジルオキシカルボエル）−１−ピペラジニルカルボニル
メチルコチオピリジン２ｇを加えて室温で５時間攪拌す
る。溶媒を留去し。
残渣をエーテルで処理して不溶物を濾取すると７β−（
２−（ｇ−トリチルアミノチアゾール−４−イル）−２
−メトキシイミノアセトアミド）−８−（４−（４−メ
トキシベンジルオキシカルボニル）−１−ピペラジニル
カルボニルメチルコチオ−１−ピリジニオコメチル−８
−セフェム−４−カルボン酸第三級ブチルエステル−１
−オキシド・プロミド（シン異性体１．（ｌを得る。
２−（ｇ−トリチルアミノチアゾール−４−イル）−２
−メトキシイミノアセトアミド）−８−（４−（４−メ
トキシベンジルオキシカルボニル）−１−ピペラジニル
カルボニルメチルコチオ−１−ピリジニオコメチル−８
−セフェム−４−カルボン酸第三級ブチルエステル−１
−オキシド・プロミド（シン異性体１．（ｌを得る。
ＮＭＲＪ０ＤＯ１＊ 。
−。
１．５０ （９Ｈ，ｓ、第三級ブチル基）８．５７ （
８Ｈ，ｂｓ、ピペラジン環Ｈ）８−８５ （８Ｈ，Ｓ、
メトキシ基） ４．０５ （８Ｈ，ｌｅメトキキシ） ５．０５ （２Ｈ，ｓ、メチレン基） ６．９０ （ＩＨ，８，チアゾール環５位Ｈ）？−８０
（１５Ｈ、ｓ ＊ ）リチル基）Ｉｔ） 上記化合物２
．０９をジメチルホルムアミド１５−に溶解し、−５０
℃に冷却して三基比隣０．５−を加え、同温度で１時間
攪拌する。
８Ｈ，ｂｓ、ピペラジン環Ｈ）８−８５ （８Ｈ，Ｓ、
メトキシ基） ４．０５ （８Ｈ，ｌｅメトキキシ） ５．０５ （２Ｈ，ｓ、メチレン基） ６．９０ （ＩＨ，８，チアゾール環５位Ｈ）？−８０
（１５Ｈ、ｓ ＊ ）リチル基）Ｉｔ） 上記化合物２
．０９をジメチルホルムアミド１５−に溶解し、−５０
℃に冷却して三基比隣０．５−を加え、同温度で１時間
攪拌する。
反応液にクロロホルムを加えて水洗し、乾燥したのち、
溶媒を留去する。残渣にアニソール２−およびトリフル
オロ酢ｍ２０−を加えて室温でＬ５時間攪拌する。溶媒
を留去し。
溶媒を留去する。残渣にアニソール２−およびトリフル
オロ酢ｍ２０−を加えて室温でＬ５時間攪拌する。溶媒
を留去し。
残液をダイヤイオンＨＰ−１０（１００ｇｔ）のカラム
・りｐマドグラフィーに付し、水−テトラヒドロフラン
（９：１）の混液で展開する。得られた粗品を、更に逆
相高速液体りａマドグラフィーに付し、水−アセトニト
リル（９＝１）の混液で展開すると目的とする表題化合
物を得る。融点１７８℃〜１９０℃（分解） ＮＭＲＪ”０： 卿 ８．２Ｂ、８．６５Ｃ各ＩＨ，ｄ、セフェム環２位Ｈ） Ｌ９ Ｂ （８Ｈ，ｓ、メトキシ基） ８．８０〜８．５０ 、８．８６〜４．０５（各４ＨＩ
ＩＫ、ピペラジンＩＩＩＨ）４．５０ （２ｎ、 ｔ
ｈ、メチレン基）Ｌｉ２，５．４０（各ＩＨ，ｄ、セフ
ェム環８位メチレン基） ６．２１０ （ＩＨ，ｄ、セフェム環６位Ｈ）５−８７
（ＩＨ，ｄ、セフ、ム環７位■）７．０８ （ＩＨ，
ｓ、チアゾール環５位Ｈ）？、８８，８．６２１（各２
Ｈ，ｄ、ピリジン環Ｈ） 実施例４ １） ７β−Ｃ２−（ｓ−トリチルアミノチアゾール−
４−イル）−２−メトキシイミノアセトアミド〕−８−
ブロモメチル−８−セフェム−４−カルボン酸第三級ブ
チルエステル−１−オキシド９００ｇ９をアセトン２ｏ
−に溶解し、この溶液に４−（２−第三級ブトキシカル
ボニル−２−プロピル）チオピリジン２９を加えて室温
で２時間攪拌する。溶媒を留去し、残液をシリカゲルク
四マドグラフィーに付し、クロロホルム−メタノール（
９：１）の混液で溶出する両分より、７β−〔２−（２
−）す５チルアミノチアゾール−会−イル）−２−メト
キシイミノア七ドアミド〕−８−（４−（２−第三級ブ
トキシ力ルボニル−２−プロピル）チオ−１−ピリジニ
オコメチル−８−セフェム−４−カルボン酸第三級ブチ
ルエステル−１−オキシド・プロミド（シン異性体）
９００ｍ９を得る。
・りｐマドグラフィーに付し、水−テトラヒドロフラン
（９：１）の混液で展開する。得られた粗品を、更に逆
相高速液体りａマドグラフィーに付し、水−アセトニト
リル（９＝１）の混液で展開すると目的とする表題化合
物を得る。融点１７８℃〜１９０℃（分解） ＮＭＲＪ”０： 卿 ８．２Ｂ、８．６５Ｃ各ＩＨ，ｄ、セフェム環２位Ｈ） Ｌ９ Ｂ （８Ｈ，ｓ、メトキシ基） ８．８０〜８．５０ 、８．８６〜４．０５（各４ＨＩ
ＩＫ、ピペラジンＩＩＩＨ）４．５０ （２ｎ、 ｔ
ｈ、メチレン基）Ｌｉ２，５．４０（各ＩＨ，ｄ、セフ
ェム環８位メチレン基） ６．２１０ （ＩＨ，ｄ、セフェム環６位Ｈ）５−８７
（ＩＨ，ｄ、セフ、ム環７位■）７．０８ （ＩＨ，
ｓ、チアゾール環５位Ｈ）？、８８，８．６２１（各２
Ｈ，ｄ、ピリジン環Ｈ） 実施例４ １） ７β−Ｃ２−（ｓ−トリチルアミノチアゾール−
４−イル）−２−メトキシイミノアセトアミド〕−８−
ブロモメチル−８−セフェム−４−カルボン酸第三級ブ
チルエステル−１−オキシド９００ｇ９をアセトン２ｏ
−に溶解し、この溶液に４−（２−第三級ブトキシカル
ボニル−２−プロピル）チオピリジン２９を加えて室温
で２時間攪拌する。溶媒を留去し、残液をシリカゲルク
四マドグラフィーに付し、クロロホルム−メタノール（
９：１）の混液で溶出する両分より、７β−〔２−（２
−）す５チルアミノチアゾール−会−イル）−２−メト
キシイミノア七ドアミド〕−８−（４−（２−第三級ブ
トキシ力ルボニル−２−プロピル）チオ−１−ピリジニ
オコメチル−８−セフェム−４−カルボン酸第三級ブチ
ルエステル−１−オキシド・プロミド（シン異性体）
９００ｍ９を得る。
ＮＭＲａＣＤＣ′・８
１．４８，１．５８（各９ＨＩ Ｉｌｌ第三級ブチル基
） １．７０ （６Ｈ，ｓ、メチル基） ４−００ （８Ｈ９ｓ ＋メトキシ基）６．６６ （Ｉ
Ｈ，ａ、チアゾール環５位Ｈ）？、２５ （１５Ｈ，ａ
、）リチル基）？、６０，９．０７（各２Ｈ，ｄ、ピリ
ジン環Ｈ） Ｉ）上記化合物９００１ｍ９をジメチルホルムアミド１
０−に溶解し、−４０ｔ＋に冷却して二環比隣０．２５
−を加え、−２０℃〜−４０℃で１００分間攪拌する。
） １．７０ （６Ｈ，ｓ、メチル基） ４−００ （８Ｈ９ｓ ＋メトキシ基）６．６６ （Ｉ
Ｈ，ａ、チアゾール環５位Ｈ）？、２５ （１５Ｈ，ａ
、）リチル基）？、６０，９．０７（各２Ｈ，ｄ、ピリ
ジン環Ｈ） Ｉ）上記化合物９００１ｍ９をジメチルホルムアミド１
０−に溶解し、−４０ｔ＋に冷却して二環比隣０．２５
−を加え、−２０℃〜−４０℃で１００分間攪拌する。
反応液に酢酸エチルを加えて、水洗し、乾燥したのち溶
媒を留去する。残渣にギ酸２０−および濃塩酸１−を加
えて室温で１時間攪拌する。溶媒を留去し。
媒を留去する。残渣にギ酸２０−および濃塩酸１−を加
えて室温で１時間攪拌する。溶媒を留去し。
残渣にア七トンおよびエーテルを加えて固化させ、粗品
を濾取する。これを等モルの炭酸水素ナトリウム水溶液
に溶解し、ダイヤイオンＵＰ−２０のカラムクロマトグ
ラフィーに付し、水−テトラヒドロフラン（９：１）の
混液で展開する。得られた粗品を、更に逆相高速液体ク
ロマトグラフィーに付し、水−アセトニトリル（１９：
１）の混液で展開すると目的とする表題化合物を得る。
を濾取する。これを等モルの炭酸水素ナトリウム水溶液
に溶解し、ダイヤイオンＵＰ−２０のカラムクロマトグ
ラフィーに付し、水−テトラヒドロフラン（９：１）の
混液で展開する。得られた粗品を、更に逆相高速液体ク
ロマトグラフィーに付し、水−アセトニトリル（１９：
１）の混液で展開すると目的とする表題化合物を得る。
融点１９０℃より徐々に分解。
Ｎ Ｍ ｎ ａ ＤｔＯ。
再■
１．６６ （６Ｈ，ＩＩ、メチル基）
８．２０，８．６８（各ＩＨ，ｄ、セフェム環２位Ｈ）
４．００ （８Ｈ，！Ｉ、メトキシ基）５．１０，５．
４０（各ＩＨ，ｄ、セフェムｆ！４８位メチレン基） ５．２５ （ＩＨ，ｄ、セフェム環６位Ｈ）５．８５
（１１（、ｄ、セフェム環７位■）フ−００（ＩＨ，Ｉ
Ｉ、チアゾール環５位Ｈ）７．７０，８．５０（各ｇＨ
ｔ ｄ、ピリジン環Ｈ）
４０（各ＩＨ，ｄ、セフェムｆ！４８位メチレン基） ５．２５ （ＩＨ，ｄ、セフェム環６位Ｈ）５．８５
（１１（、ｄ、セフェム環７位■）フ−００（ＩＨ，Ｉ
Ｉ、チアゾール環５位Ｈ）７．７０，８．５０（各ｇＨ
ｔ ｄ、ピリジン環Ｈ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 〔式中、ＩＬｌは低級アルキル基を、Ｒ″はアルキＱ′
はそれぞれ水素又は低級アルキル基を意味するか、もし
くは互いに結合して隣接する窒素原子と共に５〜６員の
環状アミノ基を形成する。 該環状アミノ基は環構成原子として更にヘテロ原子を含
んでもよく、低級アルキレ基で置換されることもある。 ）を意味する。。〕で表わされる化合物及びその塩。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20211483A JPS6094984A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | セフエム誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20211483A JPS6094984A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | セフエム誘導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6094984A true JPS6094984A (ja) | 1985-05-28 |
Family
ID=16452188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20211483A Pending JPS6094984A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | セフエム誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6094984A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57192394A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-26 | Hoechst Ag | Cephalosporin derivatives and manufacture |
| JPS58162592A (ja) * | 1982-03-04 | 1983-09-27 | ヘキスト アクチェンゲゼルシャフト | セフアロスポリン誘導体およびその製造方法 |
-
1983
- 1983-10-28 JP JP20211483A patent/JPS6094984A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57192394A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-26 | Hoechst Ag | Cephalosporin derivatives and manufacture |
| JPS58162592A (ja) * | 1982-03-04 | 1983-09-27 | ヘキスト アクチェンゲゼルシャフト | セフアロスポリン誘導体およびその製造方法 |
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