JPS609330B2 - 磁気バルブ用ガーネツト膜 - Google Patents
磁気バルブ用ガーネツト膜Info
- Publication number
- JPS609330B2 JPS609330B2 JP50126921A JP12692175A JPS609330B2 JP S609330 B2 JPS609330 B2 JP S609330B2 JP 50126921 A JP50126921 A JP 50126921A JP 12692175 A JP12692175 A JP 12692175A JP S609330 B2 JPS609330 B2 JP S609330B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- bubble
- magnetic
- substrate
- garnet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｇ０３０ａ５０．２（以下Ｑ℃と呼ぶ）基板
上に作製される磁性ガーネット薄膜において、バブルが
安定に転送するために必要な異方性エネルギーを得るた
めにＳｍを混合し、同時に膜と基板の格子定数のマッチ
ングをよくするために、Ｓｍの混合量に応じてＬｕを添
加することを特徴とした磁気バブル用ガーネットに関す
るものである。
上に作製される磁性ガーネット薄膜において、バブルが
安定に転送するために必要な異方性エネルギーを得るた
めにＳｍを混合し、同時に膜と基板の格子定数のマッチ
ングをよくするために、Ｓｍの混合量に応じてＬｕを添
加することを特徴とした磁気バブル用ガーネットに関す
るものである。
磁性ガーネット薄膜は液相ェピタキシャル成長法によっ
て作製される。従来、Ｆｅの一部をＧ４十′ｅなどの四
価イオンで置換し、Ｃ２・′ａなどの二価イオンで電荷
補償するタイプの磁気バブル用ガーネット膜例えば（Ｙ
，Ｓｍ，Ｇａ）３（Ｆｅ，蛇）５０，２においては、Ｓ
３十／ｍなどの希±額イオンを添加することにより、膜
面に垂直な異万性エネルギーを発生させる方法を用いて
Ｑ℃基版（格子定数１２．３８３Ａ）上に作製されてい
た。
て作製される。従来、Ｆｅの一部をＧ４十′ｅなどの四
価イオンで置換し、Ｃ２・′ａなどの二価イオンで電荷
補償するタイプの磁気バブル用ガーネット膜例えば（Ｙ
，Ｓｍ，Ｇａ）３（Ｆｅ，蛇）５０，２においては、Ｓ
３十／ｍなどの希±額イオンを添加することにより、膜
面に垂直な異万性エネルギーを発生させる方法を用いて
Ｑ℃基版（格子定数１２．３８３Ａ）上に作製されてい
た。
しかしＳｍイオンを混合すると、混合量に比例して膜の
格子定数が増加し基板とのマッチングが悪くなるため混
合量には限度があった。例えばｐ＝０．８５，ｚ＝０の
場合、基板と膜の格子定数が一致するためのＳｍの単位
格子中の原子数は０．１５（すなわちｙ〜０．０７）で
ある。この膜の場合、異方性エネルギーＫｕは、２０こ
０において６０００ｅｒｇ／ｃｃ，８０℃において２７
０氏ｒｇ／ｃｃ程度である。一般にバブルの安定性を示
す尺度として異方性エネルギーＫｕと静磁エネルギー２
ｍＭｓ２（Ｍｓは膜の磁化）との比を用い、これをｑ
（ｑ肌ｌｉｔｙねｃｔｏｒ）と呼ぶ。ｑ毒三帯Ｆ（…４
岩島Ｓ：ＨＫは異万性磁界）バブル磁区が発生するため
には磁化が膜面に垂直な方向を向いていること、すなわ
ちｑ＞１であることが必要である。
格子定数が増加し基板とのマッチングが悪くなるため混
合量には限度があった。例えばｐ＝０．８５，ｚ＝０の
場合、基板と膜の格子定数が一致するためのＳｍの単位
格子中の原子数は０．１５（すなわちｙ〜０．０７）で
ある。この膜の場合、異方性エネルギーＫｕは、２０こ
０において６０００ｅｒｇ／ｃｃ，８０℃において２７
０氏ｒｇ／ｃｃ程度である。一般にバブルの安定性を示
す尺度として異方性エネルギーＫｕと静磁エネルギー２
ｍＭｓ２（Ｍｓは膜の磁化）との比を用い、これをｑ
（ｑ肌ｌｉｔｙねｃｔｏｒ）と呼ぶ。ｑ毒三帯Ｆ（…４
岩島Ｓ：ＨＫは異万性磁界）バブル磁区が発生するため
には磁化が膜面に垂直な方向を向いていること、すなわ
ちｑ＞１であることが必要である。
しかし、バブルを安定に転送するためにはさらにｑ≧４
程度であることが望ましいとされている。上記試料にお
いて、例えば２０午０で４汀ＭＳご２００（Ｃａｕｓｓ
），８０００において４竹Ｍｓ）１６０（Ｇａ聡ｓ）と
するとｑの値はそれぞれ３．８，２．６となる。したが
って特に温度の上昇に伴なつてバブルが安定に転送いこ
く〈なるという問題があった。ｑを大きくするためには
、Ｍｓを減少するかまたはＫｕを増加すればよい。しか
し、バブル径およびその温度変化率を所望の値にするた
めには一般に４竹Ｎｂの値を任意に小さくすることはで
きない。そこでＳｍの混合量を増加し、Ｋｕを大きくす
ることによって所望のｑの値にすることが必要である。
したがって本発明の目的は、高温においてもバブルが安
定に動作する（特に０℃〜８０午０の広範囲にバブルが
安定に動作する。
程度であることが望ましいとされている。上記試料にお
いて、例えば２０午０で４汀ＭＳご２００（Ｃａｕｓｓ
），８０００において４竹Ｍｓ）１６０（Ｇａ聡ｓ）と
するとｑの値はそれぞれ３．８，２．６となる。したが
って特に温度の上昇に伴なつてバブルが安定に転送いこ
く〈なるという問題があった。ｑを大きくするためには
、Ｍｓを減少するかまたはＫｕを増加すればよい。しか
し、バブル径およびその温度変化率を所望の値にするた
めには一般に４竹Ｎｂの値を任意に小さくすることはで
きない。そこでＳｍの混合量を増加し、Ｋｕを大きくす
ることによって所望のｑの値にすることが必要である。
したがって本発明の目的は、高温においてもバブルが安
定に動作する（特に０℃〜８０午０の広範囲にバブルが
安定に動作する。
）ために必要なだけのＳｍを混合し、さらにイオン半径
のづ・さなＬｕをあわせて添加することにより基板と膜
の格子定数を一致させ、良質ガーネット膜を作製するこ
とにある。ここでイオン半径の小さなＴｍ，Ｙｂ，Ｌｕ
，などの希士類のうち特にＬｕを用いた理由は、Ｌｕが
軌道角運動量をもたないため、ＴｍやＹｂよりも磁気的
損失が少なく、バブルの転送速度を著しく小さくするこ
とがないためである。一方、Ｓｍ量が多くなるとバブル
移動度仏ｏが減少するため、所望の転送周波数に対して
Ｓｍ量の上限がさまる。例えば１００ＫＨｚで転送する
場合、ｒｏＺ３００ｃｍ／ｓｅｃ・ｏｅ、単位格子あた
りのＳｍ原子数は０．４Ｘ下であることが必要である。
ＳｍおよびＬｕを所定量添加した磁性ガーネット膜はＳ
ｍの代りにＥｕを置換して用いたものに比して、異方性
ェネルギＫｕを大きく取ることが出来、従って磁気バブ
ルを極めて安定に且高速動作を可能とする。
のづ・さなＬｕをあわせて添加することにより基板と膜
の格子定数を一致させ、良質ガーネット膜を作製するこ
とにある。ここでイオン半径の小さなＴｍ，Ｙｂ，Ｌｕ
，などの希士類のうち特にＬｕを用いた理由は、Ｌｕが
軌道角運動量をもたないため、ＴｍやＹｂよりも磁気的
損失が少なく、バブルの転送速度を著しく小さくするこ
とがないためである。一方、Ｓｍ量が多くなるとバブル
移動度仏ｏが減少するため、所望の転送周波数に対して
Ｓｍ量の上限がさまる。例えば１００ＫＨｚで転送する
場合、ｒｏＺ３００ｃｍ／ｓｅｃ・ｏｅ、単位格子あた
りのＳｍ原子数は０．４Ｘ下であることが必要である。
ＳｍおよびＬｕを所定量添加した磁性ガーネット膜はＳ
ｍの代りにＥｕを置換して用いたものに比して、異方性
ェネルギＫｕを大きく取ることが出来、従って磁気バブ
ルを極めて安定に且高速動作を可能とする。
第２図は、ＳｍおよびＥｕを用いた磁性ガーネット膜の
ＫｕのＳｍ量もしくはＥｕ量、依存性を示したものであ
る。Ｓｍが極めて優れていることが理解される。又、Ｓ
ｍに代えてＰｒやＴｂを用いた場合、保持力が必要以上
に大となり、磁気バブル用材料として使用出来ない。直
径１仏〜８一のバブルに対して上記の目的を達成するた
めには、一般式が｛Ｙｘ（３−Ｐ）Ｓｍｙ（３−Ｐ）Ｌ
ｕＺ（３−Ｐ）Ｃａｐ｝｛Ｆｅ５−Ｐ蛇ｐ｝０，２で表
わされるガーネットにおいてｐは０．５〜１．５であり
、ｘ，ｙ，ｚは第１図の斜線部で示した部分の値をとる
ことが必要である。
ＫｕのＳｍ量もしくはＥｕ量、依存性を示したものであ
る。Ｓｍが極めて優れていることが理解される。又、Ｓ
ｍに代えてＰｒやＴｂを用いた場合、保持力が必要以上
に大となり、磁気バブル用材料として使用出来ない。直
径１仏〜８一のバブルに対して上記の目的を達成するた
めには、一般式が｛Ｙｘ（３−Ｐ）Ｓｍｙ（３−Ｐ）Ｌ
ｕＺ（３−Ｐ）Ｃａｐ｝｛Ｆｅ５−Ｐ蛇ｐ｝０，２で表
わされるガーネットにおいてｐは０．５〜１．５であり
、ｘ，ｙ，ｚは第１図の斜線部で示した部分の値をとる
ことが必要である。
なお、ｘ，ｙ，ｚはそれぞれＹ，Ｓｍ，Ｌｕの組成比を
示し、Ａはｘ，ｙ，ｚに対し（０．９３，０．０５，０
．０２），Ｂは（０‐８５，０．１３，０‐０２），Ｃ
は（０‐４，０‐２２，０・３８），Ｄは（０．４８，
０．１４，０．３８）である。ただしｘ十ｙ十ｚ＝１で
ある。第１図の辺ＡＤ上の点はＰ：０．５において膜と
基板の格子定数の差△ａが０．００１△以内となるため
のｘ，ｙ，ｚの値を示す。この辺ＡＤの左側の格子のミ
スマッチによってクラックが発生し、磁気バブル素子に
致命的欠陥となり、動作せしめるに値する素子そのもの
が出来上らない。同様に辺ＢＣ上の点はＰ＝１．５の場
合のｘ，ｙ，ｚの値を示す。Ｐ＝１．５以上ではキュリ
ー温度が６０００以下となり、これはバブル素子が高温
（６０〜１００ｑｏ）で動作不可能となることを示して
いる。また、辺ＡＢ上の点は０．５２ｐ２１．５の各値
に対して、８０ｏｏにおいてもｑ２４となるためのｘ，
ｙ，ｚの値である。ｑ（ｑ雌ｌｉｔｙｆａｃ■ｒ）が４
未満の場合、バブルの不安定さに基づき、特に磁気バブ
ル発生器で不必要なバブルが多数発生しメモリ動作上重
大なエラーを生ずる。第３図はバイアス磁界のマージン
とｑの関係を示したものである。磁気バブルは図中の両
曲線の間（即ち斜線部）で安定に存在し得ることを示し
ている。ｑが４以下で急激にバイアス・マージンが低下
してしまうことが理解される。さらに辺ＣＤ上の点は、
バブル移動度が３００地／ｓｅｃ・戊以以上を維持する
ためのｘ，ｙ，ｚの値を示したものである。第４図はＨ
Ｒ＝５比史 １００ＫＨｚの回転磁界で動作させた場合
のバブル移動度とバイアス磁界の関係を示したものであ
る。第３図と同様斜線部でバブルが安定に存在し得るも
のである。バブル移動度が３００伽／ｓｅｃ・蛇を下ま
わると、標準的な回転磁界５Ｋ史、周波数１００ＫＨｚ
の場合、バブルは回転磁界に造ずし、できなくなり、シ
リアルメモリとして誤動作（順序配列の誤り）を生ずる
。これもメモリ素子として致命的欠陥となる。なお、以
上の素子はパーマロィ転送パターンを有する回転磁界駆
動型バブルメモリ素子を用いた。この型の素子に関して
詳しくは、小林寛「磁気バブルドメィン技術」（工業調
査会、１９７３）等に明らかである。以下本発明を実施
例により詳しく説明する。実施例 １ 溶融塩組成は、ガーネット成分として Ｙ２０３１．３１１夕，Ｓｍ２０３０．２６６夕．Ｌｕ
２０３０．４２６夕，Ｃａ〇１．３７２夕，Ｆｅ２○３
１９．１６３夕，Ｃｅ○２５．９０６夕、フラックス成
分としてＰｂ０２５０夕，Ｂ２Ｑ８．３６夕を混合した
ものである。
示し、Ａはｘ，ｙ，ｚに対し（０．９３，０．０５，０
．０２），Ｂは（０‐８５，０．１３，０‐０２），Ｃ
は（０‐４，０‐２２，０・３８），Ｄは（０．４８，
０．１４，０．３８）である。ただしｘ十ｙ十ｚ＝１で
ある。第１図の辺ＡＤ上の点はＰ：０．５において膜と
基板の格子定数の差△ａが０．００１△以内となるため
のｘ，ｙ，ｚの値を示す。この辺ＡＤの左側の格子のミ
スマッチによってクラックが発生し、磁気バブル素子に
致命的欠陥となり、動作せしめるに値する素子そのもの
が出来上らない。同様に辺ＢＣ上の点はＰ＝１．５の場
合のｘ，ｙ，ｚの値を示す。Ｐ＝１．５以上ではキュリ
ー温度が６０００以下となり、これはバブル素子が高温
（６０〜１００ｑｏ）で動作不可能となることを示して
いる。また、辺ＡＢ上の点は０．５２ｐ２１．５の各値
に対して、８０ｏｏにおいてもｑ２４となるためのｘ，
ｙ，ｚの値である。ｑ（ｑ雌ｌｉｔｙｆａｃ■ｒ）が４
未満の場合、バブルの不安定さに基づき、特に磁気バブ
ル発生器で不必要なバブルが多数発生しメモリ動作上重
大なエラーを生ずる。第３図はバイアス磁界のマージン
とｑの関係を示したものである。磁気バブルは図中の両
曲線の間（即ち斜線部）で安定に存在し得ることを示し
ている。ｑが４以下で急激にバイアス・マージンが低下
してしまうことが理解される。さらに辺ＣＤ上の点は、
バブル移動度が３００地／ｓｅｃ・戊以以上を維持する
ためのｘ，ｙ，ｚの値を示したものである。第４図はＨ
Ｒ＝５比史 １００ＫＨｚの回転磁界で動作させた場合
のバブル移動度とバイアス磁界の関係を示したものであ
る。第３図と同様斜線部でバブルが安定に存在し得るも
のである。バブル移動度が３００伽／ｓｅｃ・蛇を下ま
わると、標準的な回転磁界５Ｋ史、周波数１００ＫＨｚ
の場合、バブルは回転磁界に造ずし、できなくなり、シ
リアルメモリとして誤動作（順序配列の誤り）を生ずる
。これもメモリ素子として致命的欠陥となる。なお、以
上の素子はパーマロィ転送パターンを有する回転磁界駆
動型バブルメモリ素子を用いた。この型の素子に関して
詳しくは、小林寛「磁気バブルドメィン技術」（工業調
査会、１９７３）等に明らかである。以下本発明を実施
例により詳しく説明する。実施例 １ 溶融塩組成は、ガーネット成分として Ｙ２０３１．３１１夕，Ｓｍ２０３０．２６６夕．Ｌｕ
２０３０．４２６夕，Ｃａ〇１．３７２夕，Ｆｅ２○３
１９．１６３夕，Ｃｅ○２５．９０６夕、フラックス成
分としてＰｂ０２５０夕，Ｂ２Ｑ８．３６夕を混合した
ものである。
上記溶融塩を１２００午Ｃ×１仇で均質化したのち、溶
融塩温度を９１０℃に保ち、Ｑ℃基板をメルト下１伽に
浸潰し、１０仇．ｐ．ｍ．で基板を回転しつつ１０間保
って膜の育成を行なった。その結果、厚さ５．物の鏡面
膜が得られた。Ｘ線回折により格子定数の測定を行なっ
た結果、膜と基板のミスマッチは０．００１Ａ以下であ
った。この例においてはｐ＝０．８４，ｘ＝０．７６，
ｙ＝０．１０，ｚ＝０．１４である。また２０午０にお
いてＫｕ＝１５０００（ｅｒｇ／ｃｃ）であり、４ 汀
ＭＳ）２００（Ｇａ船ｓ）の試料ではｑご９．４，８０
ｑｏにおいてはＫｕこ７２００（ｅｒｇ／ｃｃ），４竹
Ｍｓ工１６０（Ｇａ雌ｓ）ｑご７．０であった。すなわ
ち、高温においても、バブルが安定に転送しうる膜が得
られた。実施例 ２ 溶融塩組成は、ガーネット成分として、 Ｙ２０３１．４９０夕，Ｓｍ２０３０．３４５夕，Ｌｕ
２０３０．２６２夕，Ｃａ０１．５５９夕，Ｆｅ２０３
２１．７７５夕，Ｃｅ０２１１．６６９夕、フラックス
成分としてＰｂ０３００夕，Ｂ２０３１０．００夕を混
合したものである。
融塩温度を９１０℃に保ち、Ｑ℃基板をメルト下１伽に
浸潰し、１０仇．ｐ．ｍ．で基板を回転しつつ１０間保
って膜の育成を行なった。その結果、厚さ５．物の鏡面
膜が得られた。Ｘ線回折により格子定数の測定を行なっ
た結果、膜と基板のミスマッチは０．００１Ａ以下であ
った。この例においてはｐ＝０．８４，ｘ＝０．７６，
ｙ＝０．１０，ｚ＝０．１４である。また２０午０にお
いてＫｕ＝１５０００（ｅｒｇ／ｃｃ）であり、４ 汀
ＭＳ）２００（Ｇａ船ｓ）の試料ではｑご９．４，８０
ｑｏにおいてはＫｕこ７２００（ｅｒｇ／ｃｃ），４竹
Ｍｓ工１６０（Ｇａ雌ｓ）ｑご７．０であった。すなわ
ち、高温においても、バブルが安定に転送しうる膜が得
られた。実施例 ２ 溶融塩組成は、ガーネット成分として、 Ｙ２０３１．４９０夕，Ｓｍ２０３０．３４５夕，Ｌｕ
２０３０．２６２夕，Ｃａ０１．５５９夕，Ｆｅ２０３
２１．７７５夕，Ｃｅ０２１１．６６９夕、フラックス
成分としてＰｂ０３００夕，Ｂ２０３１０．００夕を混
合したものである。
上記溶融塩を１２５０午０×ｌｈ均質化したのち、溶融
塩温度を８９３．ｙｏに保ち、基板を１０仇ｐｍで回転
しつつ４分間溶融塩中に浸潰して膜を作製した。その結
果、厚さ５．１仏の鏡面膜が得られた。この例において
はｐ＝１．１５’×＝０．８０，ｙ＝０．１２，ｚ＝０
．０８である。また膜と基板の格子定数の差は０．００
１Ａ以下であった。さらに、ｑの値は２０ｏｏにおいて
５．５，８０ｑ０において４．５であり、この試料にお
いてもバブルが広い温度領域で安定に転送できることが
わかった。実施例 ３ 溶融塩組成は、ガーネット成分として Ｙ２０３１．４３１夕，Ｓｍ２０３０．２３０夕，Ｃａ
０１．３７２夕，蛇０２１０．２６９夕．Ｆｅ２０３１
９．１６３夕、フラックス成分として２２８夕，Ｂ２０
３７．５９夕を混合したもので、Ｌｕ２０３を含まない
。
塩温度を８９３．ｙｏに保ち、基板を１０仇ｐｍで回転
しつつ４分間溶融塩中に浸潰して膜を作製した。その結
果、厚さ５．１仏の鏡面膜が得られた。この例において
はｐ＝１．１５’×＝０．８０，ｙ＝０．１２，ｚ＝０
．０８である。また膜と基板の格子定数の差は０．００
１Ａ以下であった。さらに、ｑの値は２０ｏｏにおいて
５．５，８０ｑ０において４．５であり、この試料にお
いてもバブルが広い温度領域で安定に転送できることが
わかった。実施例 ３ 溶融塩組成は、ガーネット成分として Ｙ２０３１．４３１夕，Ｓｍ２０３０．２３０夕，Ｃａ
０１．３７２夕，蛇０２１０．２６９夕．Ｆｅ２０３１
９．１６３夕、フラックス成分として２２８夕，Ｂ２０
３７．５９夕を混合したもので、Ｌｕ２０３を含まない
。
１２００℃×１軌の均質化ののち、溶融塩温度を９３１
．チ０に保ち、基板を１０仇ｐｍで回転しつつ５分間メ
ルトに浸潰して膜の育成を行なった。
．チ０に保ち、基板を１０仇ｐｍで回転しつつ５分間メ
ルトに浸潰して膜の育成を行なった。
その結果、厚さ６．軌の鏡面膜が得られた。膜と基板の
格子定数の差は０．００１△以内であり、これ以上Ｓｍ
を混合することはできないことがわかった。この例にお
いてはｐ＝１．１０，×＝０．９１，ｙ＝０．０９，ｚ
＝０であった。また２０ｑ０においては、Ｋｕ＝５００
０（ｅｒｇ／ｃｃ）４ｍＭｓ＝１９６（Ｃａ瓜ｓ）ｑ＝
３．３、８０ｏ０においてはＫｕ＝１８００（ｅｒｇ／
ｃｃ），４ｍＭｓ＝１４４（Ｇａｕｓｓ），ｑ＝２．２
であり、バブルが安定に転送するにはｑの値が不十分で
あることがわかった。
格子定数の差は０．００１△以内であり、これ以上Ｓｍ
を混合することはできないことがわかった。この例にお
いてはｐ＝１．１０，×＝０．９１，ｙ＝０．０９，ｚ
＝０であった。また２０ｑ０においては、Ｋｕ＝５００
０（ｅｒｇ／ｃｃ）４ｍＭｓ＝１９６（Ｃａ瓜ｓ）ｑ＝
３．３、８０ｏ０においてはＫｕ＝１８００（ｅｒｇ／
ｃｃ），４ｍＭｓ＝１４４（Ｇａｕｓｓ），ｑ＝２．２
であり、バブルが安定に転送するにはｑの値が不十分で
あることがわかった。
第１図は、液相ェピタキシャル膜（Ｙ，Ｓｍ，Ｌｕ，Ｃ
ａ）３（Ｆｅ，蛇）５０，２とＧＯＯ基板の格子定数が
マッチングするＹおよびＳｍ，Ｌｕの組成領域図である
。 第２図は磁性ガーネット膜の異方性エネルギーＫｕの組
成依存性を示す図、第３図はｑとバイアス磁界の関係、
第４図はバブル移動度の関係を示す図である。努′図 第２図 第３図 ※４図
ａ）３（Ｆｅ，蛇）５０，２とＧＯＯ基板の格子定数が
マッチングするＹおよびＳｍ，Ｌｕの組成領域図である
。 第２図は磁性ガーネット膜の異方性エネルギーＫｕの組
成依存性を示す図、第３図はｑとバイアス磁界の関係、
第４図はバブル移動度の関係を示す図である。努′図 第２図 第３図 ※４図
Claims (1)
- １ Ｇｄ＿３Ｇａ＿５Ｏ＿１＿２単結晶基板上に作製さ
れ、一般式｛Ｙｘ＿（＿３＿−＿ｐ＿）Ｓｍｙ＿（＿３
＿−＿ｐ＿）Ｌｕ＿２＿（＿３＿−＿ｐ＿）Ｃａｐ｝｛
Ｆｅ＿５＿−＿ｐＧｅｐ｝Ｏ＿１＿２で示され、ｐが０
．５≦ｐ≦１．５の範囲、かつＹ，Ｓｍ，Ｌｕの組成比
をそれぞれｘ，ｙ，ｚの値で示した時、Ｙ，Ｓｍ，Ｌｕ
を３つの頂点とした組成範囲を示す正三角形において、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１かつＡ（０．９３，０．０５，０．０２
），Ｂ（０．８５，０．１３，０．０２），Ｃ（０．４
，０．２２，０．３８），Ｄ（０．４８，０．１４，０
．３８）で囲まれる範囲の値を持つことを特徴とする磁
気バブル用ガーネツト膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50126921A JPS609330B2 (ja) | 1975-10-23 | 1975-10-23 | 磁気バルブ用ガーネツト膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50126921A JPS609330B2 (ja) | 1975-10-23 | 1975-10-23 | 磁気バルブ用ガーネツト膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5251600A JPS5251600A (en) | 1977-04-25 |
| JPS609330B2 true JPS609330B2 (ja) | 1985-03-09 |
Family
ID=14947189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50126921A Expired JPS609330B2 (ja) | 1975-10-23 | 1975-10-23 | 磁気バルブ用ガーネツト膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609330B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5281594A (en) * | 1975-12-27 | 1977-07-08 | Fujitsu Ltd | Garnet magnetic thin film for babble domain |
| JPS5512790A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-29 | Nec Corp | Producing method of cylindrical magnetic domain element |
| JPS6242503A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-24 | Fujitsu Ltd | 磁気バブル素子用磁性膜 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5170496A (ja) * | 1974-12-16 | 1976-06-18 | Nippon Electric Co | Entojikuzairyo |
-
1975
- 1975-10-23 JP JP50126921A patent/JPS609330B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5170496A (ja) * | 1974-12-16 | 1976-06-18 | Nippon Electric Co | Entojikuzairyo |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5251600A (en) | 1977-04-25 |
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