JPS6092011A - 超極細線導体の製造方法 - Google Patents
超極細線導体の製造方法Info
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- JPS6092011A JPS6092011A JP58198049A JP19804983A JPS6092011A JP S6092011 A JPS6092011 A JP S6092011A JP 58198049 A JP58198049 A JP 58198049A JP 19804983 A JP19804983 A JP 19804983A JP S6092011 A JPS6092011 A JP S6092011A
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- crystal
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- wire conductor
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
- H01B1/026—Alloys based on copper
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21C—MANUFACTURE OF METAL SHEETS, WIRE, RODS, TUBES OR PROFILES, OTHERWISE THAN BY ROLLING; AUXILIARY OPERATIONS USED IN CONNECTION WITH METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL
- B21C37/00—Manufacture of metal sheets, bars, wire, tubes or like semi-manufactured products, not otherwise provided for; Manufacture of tubes of special shape
- B21C37/04—Manufacture of metal sheets, bars, wire, tubes or like semi-manufactured products, not otherwise provided for; Manufacture of tubes of special shape of bars or wire
- B21C37/047—Manufacture of metal sheets, bars, wire, tubes or like semi-manufactured products, not otherwise provided for; Manufacture of tubes of special shape of bars or wire of fine wires
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/52—Alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
この発明は、たとえば電子時計用マグネットに使用され
る巻線や集積回路の配線に使用されるボンディングワイ
ヤ等の超極細線導体Ｇ、：ｒＩＲする。
る巻線や集積回路の配線に使用されるボンディングワイ
ヤ等の超極細線導体Ｇ、：ｒＩＲする。
先行技術の説明
近年、電子材料や電子機器等の発達に伴い、電子時計用
マグネットに使用れる巻線や集積回路の配線に使用され
るボンディングワイヤ等の導体はますます細線化が要求
されてきた。これらの細線化は、電子機器の小型化や密
な配線を可能にするための重要な鍵の１つである。
マグネットに使用れる巻線や集積回路の配線に使用され
るボンディングワイヤ等の導体はますます細線化が要求
されてきた。これらの細線化は、電子機器の小型化や密
な配線を可能にするための重要な鍵の１つである。
しかしながら、従来、鋳塊を順次加工してゆきたとえば
直？！５０μｍ以下の超極細線を得ようとすると、種々
の問題点が生じていた。すなわち、素材となるべき鋳塊
が半連続式鋳造法や連続式鋳造法等の通常の鋳造法で作
られているものならば、伸線加工性が優れず、加工途中
において断線し所望の製品を得ることが困難であったり
した。また、伸縮加工時における断線頻度数が多く（言
い換えれば、断線俵新たに伸線加工された線材が次に断
線するまでの重量が、小さい）、そのため生産効率の悪
化、歩省りの低下、製品のコストアップなどを来たして
いた。
直？！５０μｍ以下の超極細線を得ようとすると、種々
の問題点が生じていた。すなわち、素材となるべき鋳塊
が半連続式鋳造法や連続式鋳造法等の通常の鋳造法で作
られているものならば、伸線加工性が優れず、加工途中
において断線し所望の製品を得ることが困難であったり
した。また、伸縮加工時における断線頻度数が多く（言
い換えれば、断線俵新たに伸線加工された線材が次に断
線するまでの重量が、小さい）、そのため生産効率の悪
化、歩省りの低下、製品のコストアップなどを来たして
いた。
上述の問題点は、主に超極＠糠の素材となるべき鋳塊に
起因する。なぜなら、通常の鋳造法によって製造された
鋳塊には、■溶解・鋳造工程で異物が混入する、■凝固
時に引は巣が生ずる、■鋳塊中にガスが残存する、■含
有合金成分の偏析が生ずる、■結晶学的方位がその後の
加工にとって必ずしも好ましいものではない、等の欠点
が存在しており、これらが原因となって鋳塊の伸線加工
性を悪くしているからである。
起因する。なぜなら、通常の鋳造法によって製造された
鋳塊には、■溶解・鋳造工程で異物が混入する、■凝固
時に引は巣が生ずる、■鋳塊中にガスが残存する、■含
有合金成分の偏析が生ずる、■結晶学的方位がその後の
加工にとって必ずしも好ましいものではない、等の欠点
が存在しており、これらが原因となって鋳塊の伸線加工
性を悪くしているからである。
発明の目的
それゆえに、この発明の主たる目的は、素材となるべき
鋳塊が上述の欠点を有しないよう（し、そしてこの鋳−
を順次加工していくことによって１１１１１１Ｉ輪導体
を得ようとする、超極輯輪導体の製造方法を提供するこ
とである。
鋳塊が上述の欠点を有しないよう（し、そしてこの鋳−
を順次加工していくことによって１１１１１１Ｉ輪導体
を得ようとする、超極輯輪導体の製造方法を提供するこ
とである。
発明の構成
この発明は、面心立方格子型結晶構造となるべき組成の
合金を、単結晶となるように処理し、その後、この合金
に冷−加工または温間加工を施すことによプて超極ｌｌ
ｌ１ａ導体を得ることを特徴とする超極＠線導体の製造
方法である。
合金を、単結晶となるように処理し、その後、この合金
に冷−加工または温間加工を施すことによプて超極ｌｌ
ｌ１ａ導体を得ることを特徴とする超極＠線導体の製造
方法である。
ｒｌｉ心立方格子型結晶構造となるべき組成の台金」と
したのは、この結晶構造ならばすべり聞が多く、結晶学
的に塑性加工しゃすく超極１１１１１Ｇ−まで加工する
のに適しているからである。
したのは、この結晶構造ならばすべり聞が多く、結晶学
的に塑性加工しゃすく超極１１１１１Ｇ−まで加工する
のに適しているからである。
「申枯晶となるように処理する」としたのけ、このよう
にすれば従来よく見られていた鋳造欠陥が生じにくいか
らである。すなわち、まず第１に、単結晶であるので、
従来よく見られていた結晶粒界（おける偏析をなくすこ
とができるからである。
にすれば従来よく見られていた鋳造欠陥が生じにくいか
らである。すなわち、まず第１に、単結晶であるので、
従来よく見られていた結晶粒界（おける偏析をなくすこ
とができるからである。
さらに、単結晶は、一般的に、８！痘勾配を持たせて一
方向的に凝固させて作られるものであるので、鋳塊中に
異物が混入または残存するのを防止できること、脱ガス
を完全に行なうことができること、引１プ乗を生じさせ
ないこと、等の利点が得られるからである。
方向的に凝固させて作られるものであるので、鋳塊中に
異物が混入または残存するのを防止できること、脱ガス
を完全に行なうことができること、引１プ乗を生じさせ
ないこと、等の利点が得られるからである。
なお、上述した単結晶の長手方向の方位は、結晶の＜１
１１＞方向または（１１２＞方向であるのが望ましい、
なぜなら、この結晶方位であるならば、良好な伸線加工
性が得られるからである。
１１＞方向または（１１２＞方向であるのが望ましい、
なぜなら、この結晶方位であるならば、良好な伸線加工
性が得られるからである。
上述のように、素材となるべき鋳塊が伸線加工性に優れ
たものであるので、冷間加工における減面率を９９％以
上にすることも可能となる。また、鋳造欠陥を有せずか
つ伸線加工性に優れた素材に冷ｆＩｌ加工またはｓｍ加
工を施すことによって得られた超極＠線導体は、たとえ
ば電子機器のマグネットワイヤ用巻線として使用される
。この場合、使用される材料はＣｕ、またはＣｕ合金等
であり、好ましくは、導体上に、エナメルが被覆されさ
らに焼付処理されている。
たものであるので、冷間加工における減面率を９９％以
上にすることも可能となる。また、鋳造欠陥を有せずか
つ伸線加工性に優れた素材に冷ｆＩｌ加工またはｓｍ加
工を施すことによって得られた超極＠線導体は、たとえ
ば電子機器のマグネットワイヤ用巻線として使用される
。この場合、使用される材料はＣｕ、またはＣｕ合金等
であり、好ましくは、導体上に、エナメルが被覆されさ
らに焼付処理されている。
なお、合金の単結晶処理は、ブリッジマン法や浮遊帯溜
Ｓ法等の公知の単結晶作成方法によって行なわれる。
Ｓ法等の公知の単結晶作成方法によって行なわれる。
実施例
１１図に模式的に示すブリッジマン法単結晶作成装置に
よって、珂電解銅（純度９９．９９７％）からなる直１
！２０１■の単結晶インゴットを得た。
よって、珂電解銅（純度９９．９９７％）からなる直１
！２０１■の単結晶インゴットを得た。
より詳しく説明する１図において、鉛直に吊り下げられ
た上下に長いるっぽ１内（は、溶融状態の＃１２が入っ
ている。そして、るっぽ１の移動ｌ！路を囲むように、
管状の加熱炉３が配置される。加熱炉３内は、Ａ「ガス
雰囲気下に−かれ、その長手方向の温度勾配は３℃／−
騰であった。なお、るつぼ１の先端部には毛細管４が設
けられており、そこに種子結晶５を挿入して結晶の成長
方位を＜１１２＞となるようにした、そして、るっぽ１
をＱｍｍ／ｈｒの速度で下方に移動させていくと、綱２
はるつぼ１の底から上方に徐々に凝固してゆき、単結晶
のインゴットが得られた。
た上下に長いるっぽ１内（は、溶融状態の＃１２が入っ
ている。そして、るっぽ１の移動ｌ！路を囲むように、
管状の加熱炉３が配置される。加熱炉３内は、Ａ「ガス
雰囲気下に−かれ、その長手方向の温度勾配は３℃／−
騰であった。なお、るつぼ１の先端部には毛細管４が設
けられており、そこに種子結晶５を挿入して結晶の成長
方位を＜１１２＞となるようにした、そして、るっぽ１
をＱｍｍ／ｈｒの速度で下方に移動させていくと、綱２
はるつぼ１の底から上方に徐々に凝固してゆき、単結晶
のインゴットが得られた。
このインゴットに、冷開圧延、冷閣伸翰および中一段階
での焼鈍の各処理を１目実施して、直径０．０３ｍ−の
超極幅線に加工した。このとき、中ｍ焼鈍後の冷開加工
度は、減面率９９．２％で寅施した。
での焼鈍の各処理を１目実施して、直径０．０３ｍ−の
超極幅線に加工した。このとき、中ｍ焼鈍後の冷開加工
度は、減面率９９．２％で寅施した。
この場合において、最終伸線加工時の１断線あたりの平
均伸縮加工重量は、約２５ｋａであった。
均伸縮加工重量は、約２５ｋａであった。
一方、同一原材料を用いて従来の半連続鋳造、熱間圧延
、および冷間伸線（最終冷開加工度は９９゜２％）を行
なって超極細線を製造した場合、その加工重量は約２ｋ
Ｏである。したがって、この発明に従って製造された超
極ｌｌ１４１！導体は、従来のものに比べて、極めて伸
線加工性に優れていることが判明した。
、および冷間伸線（最終冷開加工度は９９゜２％）を行
なって超極細線を製造した場合、その加工重量は約２ｋ
Ｏである。したがって、この発明に従って製造された超
極ｌｌ１４１！導体は、従来のものに比べて、極めて伸
線加工性に優れていることが判明した。
：１ｉＪｉＪＬＬ
実施例１に示された製造方＠（この発明の一実施例）に
よって作成された銅導体上に、エナメルを被覆・焼付け
してマグネットワイヤ用巻線を製造した。同様に、従来
の方法によって作成された銅導体上に、エナメルを被覆
・焼付けしてマグネットワイヤ用巻線を製造した。この
両巻線の破断荷重とそのときの伸びとを比較調査したと
ころ、以下の結果が得られた。
よって作成された銅導体上に、エナメルを被覆・焼付け
してマグネットワイヤ用巻線を製造した。同様に、従来
の方法によって作成された銅導体上に、エナメルを被覆
・焼付けしてマグネットワイヤ用巻線を製造した。この
両巻線の破断荷重とそのときの伸びとを比較調査したと
ころ、以下の結果が得られた。
すなわち、この発明に従って製造された銅導体では、破
断荷重が２０ｇ、伸びが２８％であったのに対し、従来
の製造法によって得られた銅導体では、破断荷重が１８
０１伸びが２２％であった。
断荷重が２０ｇ、伸びが２８％であったのに対し、従来
の製造法によって得られた銅導体では、破断荷重が１８
０１伸びが２２％であった。
つまり、破断荷重および伸びの両者において、この発明
に従って製造された銅導体の方が優れていることが判明
した。
に従って製造された銅導体の方が優れていることが判明
した。
去ＪＪＩ
第１図に示される装置を使用して、ｃｕ ５％３ｎ合金
からなる直径１０１ｍの単結晶インゴットをＩＪ造した
。なお、長手方向の結晶方位は〈１１１〉方向となるよ
うにされた。このインゴットを、直径１１ＩＩｌにて中
間焼鈍した後、冷間伸線によって直径０．０４ｍｍにま
で伸線加工した（冷間加工度は約９９．８％）。
からなる直径１０１ｍの単結晶インゴットをＩＪ造した
。なお、長手方向の結晶方位は〈１１１〉方向となるよ
うにされた。このインゴットを、直径１１ＩＩｌにて中
間焼鈍した後、冷間伸線によって直径０．０４ｍｍにま
で伸線加工した（冷間加工度は約９９．８％）。
このときの１断線あたりの平均伸ｗＡｆｉＩＩは、約２
７ｋａであった。一方、従来の水平連続鋳造法によって
得られた直径１０−のインゴットを同様の加工・熱処理
工程を経て伸縮加工した場合、１断線あたりの平均伸線
重量は、約４ｋｏである。したがって、この発明に従っ
て超極細線を製造すれば、優れた伸線加工性が得られる
ことが判明した。
７ｋａであった。一方、従来の水平連続鋳造法によって
得られた直径１０−のインゴットを同様の加工・熱処理
工程を経て伸縮加工した場合、１断線あたりの平均伸線
重量は、約４ｋｏである。したがって、この発明に従っ
て超極細線を製造すれば、優れた伸線加工性が得られる
ことが判明した。
友ｍ
第２図は、公知の浮遊帯溶融法による単結晶作成装置を
示す図である。図において、１１は多結晶試料棒であり
、この実施例ではＡｌ１−１％８１多結晶梓が使用され
た。１２は溶融帯、１３は種子結晶、１４は高周波コイ
ルを示す。この装置は、よく知られているように、多結
晶試料棒１１を両端で鉛直に保持し、その一部を高周波
コイル１４によって加熱溶融して溶融帯１２を作り、こ
の溶融帯１２を試料棒の一端から他端にまで移動させる
ことにより、単結晶化するものである。
示す図である。図において、１１は多結晶試料棒であり
、この実施例ではＡｌ１−１％８１多結晶梓が使用され
た。１２は溶融帯、１３は種子結晶、１４は高周波コイ
ルを示す。この装置は、よく知られているように、多結
晶試料棒１１を両端で鉛直に保持し、その一部を高周波
コイル１４によって加熱溶融して溶融帯１２を作り、こ
の溶融帯１２を試料棒の一端から他端にまで移動させる
ことにより、単結晶化するものである。
この装置によって、真空下でへ見−１％Ｓｔからなる直
径１０腸−の単結晶インゴットを作成した。
径１０腸−の単結晶インゴットを作成した。
なお、このとき、種子結晶１３を用いて、結晶の成長方
位が＜１１１＞方向となるようにした。このインゴット
を直径１−にて中間軟化した後、直径０．０３１１１に
まで冷間にて伸縮加工した。
位が＜１１１＞方向となるようにした。このインゴット
を直径１−にて中間軟化した後、直径０．０３１１１に
まで冷間にて伸縮加工した。
比較のため、従来の半連続式鋳造と熱間押出し法によっ
て得られた同一組成の合金からなる直径１Ｑｉｉの荒引
線を、それ以後同一工程で冷間伸線と中間軟化の各処理
を施すことによって直径０゜０３鵬望にまで加工した。
て得られた同一組成の合金からなる直径１Ｑｉｉの荒引
線を、それ以後同一工程で冷間伸線と中間軟化の各処理
を施すことによって直径０゜０３鵬望にまで加工した。
１断線あたりの平均伸輸更量は、前者（この発明に従っ
て製造された超極細線）の場合９５０ｇであり、後者（
従来のｔＪ造法によって製造された超極細線）の場合１
２０ｇであった。
て製造された超極細線）の場合９５０ｇであり、後者（
従来のｔＪ造法によって製造された超極細線）の場合１
２０ｇであった。
また、上述のようにして得られた超極細線をＩＣのボン
ディングワイヤとして使用したところ、この発明の製造
法に従って製造されたＡＡ−１％８１合金は、高強度で
信頼性が高いものであった。
ディングワイヤとして使用したところ、この発明の製造
法に従って製造されたＡＡ−１％８１合金は、高強度で
信頼性が高いものであった。
効果
以上のように、この発明によれば、面心立方格子型結晶
構造となるべき組成の合金を、単結晶となるように処理
し、その後、この合金に冷間加工または温間加工を施す
ことによって超極細線導体を得ようとするものであるの
で、素材となるべき鋳塊の伸線加工性を大幅に向上させ
ることができ、伸線加工工程での断線を少なくすること
ができる。
構造となるべき組成の合金を、単結晶となるように処理
し、その後、この合金に冷間加工または温間加工を施す
ことによって超極細線導体を得ようとするものであるの
で、素材となるべき鋳塊の伸線加工性を大幅に向上させ
ることができ、伸線加工工程での断線を少なくすること
ができる。
その結果、歩留りの向上や生産性の向上を図ることがで
き、ひいては超極ＩＩＩ導体の製造コスト、鯛品コスト
を低減することができる。さらに、結晶の成長方位を訓
Ｗすることが可能であるので、超極ｍ線の機械的特性を
良好にすることができる。
き、ひいては超極ＩＩＩ導体の製造コスト、鯛品コスト
を低減することができる。さらに、結晶の成長方位を訓
Ｗすることが可能であるので、超極ｍ線の機械的特性を
良好にすることができる。
そのような良好な超極ｉｍｔよ、たとえば、電子機器の
マグネット用超極ＶＡＦｉ１巻Ｉｍ導体（この場合、た
とえばＱｕ、Ｃｕ合金が用いられる）として、または、
束積回路の配線用ボンディングワイヤ（この場合にはた
とえば、Ａｌｌ、７６１１１合金、ＡｆＬ。
マグネット用超極ＶＡＦｉ１巻Ｉｍ導体（この場合、た
とえばＱｕ、Ｃｕ合金が用いられる）として、または、
束積回路の配線用ボンディングワイヤ（この場合にはた
とえば、Ａｌｌ、７６１１１合金、ＡｆＬ。
ＡＱ、合金、Ａｎ 、Ａｎ合金が用いられる）として、
または電子ｍ器の配線用導体（この場合にはたとえば、
ＣＩＩ、ＣＬ１合金等が用いられる）と１ノで、有効に
利用されるであろう。
または電子ｍ器の配線用導体（この場合にはたとえば、
ＣＩＩ、ＣＬ１合金等が用いられる）と１ノで、有効に
利用されるであろう。
第１図は、ブリッジマン法単結晶作成装置を模式的に示
ず図である。第２図は、浮遊帯溶ｉａ法による単桔品作
成装置を模式的に示す図である。 図において、１はるつぼ、２は銅、３は管状加熱炉、４
は毛＠管、５は種子結晶、１１は多結晶高周波コイルを
示す。
ず図である。第２図は、浮遊帯溶ｉａ法による単桔品作
成装置を模式的に示す図である。 図において、１はるつぼ、２は銅、３は管状加熱炉、４
は毛＠管、５は種子結晶、１１は多結晶高周波コイルを
示す。
Claims (4)
- （１） 面心立方格子型結晶構造となるべき組成の合金
を、単結晶となるように処理し、その後、該合金に冷間
加工または温間加工を施すことによって超極ａｍ導体を
得ることを特徴とする、超極細ｍｌ導体の製造方法。 - （２） 前記単結晶の長手方向の方位は、結晶の＜１１
１＞方向または＜１１２＞方向であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の超極細線導体の製造方法。 - （３） 前記冷間加工における減面率は、９９％１ス上
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
２項記載の超極細線導体の製造方法。 - （４） 前記冷間加工または温間加工を施すことによっ
て得られた超極細線導体上に、エナメルを＊ｉし、かつ
、焼付けることを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
し第３項のいずれかに記載の超極細線導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58198049A JPS6092011A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 超極細線導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58198049A JPS6092011A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 超極細線導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6092011A true JPS6092011A (ja) | 1985-05-23 |
| JPH0249169B2 JPH0249169B2 (ja) | 1990-10-29 |
Family
ID=16384678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58198049A Granted JPS6092011A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 超極細線導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6092011A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63211507A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-09-02 | 住友電気工業株式会社 | 音響・画像機器用導体 |
| WO2006033534A1 (en) * | 2004-09-21 | 2006-03-30 | Pusan National University Industry-University Cooperation Foundation | Single crystal wire and manufacturing method of the same |
| JP2007503314A (ja) * | 2003-08-25 | 2007-02-22 | ライプニッツ−インスティトゥート フュア フェストケルパー− ウント ヴェルクシュトフフォルシュング ドレスデン エー ファオ | 立方集合組織を有する金属製のフラットワイヤ又はストリップの製造法 |
| KR100825836B1 (ko) | 2007-01-02 | 2008-04-28 | 부산대학교 산학협력단 | 단결정 케이블 제조방법 및 그 단결정 케이블 |
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| EP3718678A1 (de) * | 2019-04-03 | 2020-10-07 | Felder GmbH Löttechnik | Verfahren zur herstellung eines snbi-lötdrahtes, lötdraht und vorrichtung |
-
1983
- 1983-10-21 JP JP58198049A patent/JPS6092011A/ja active Granted
Cited By (11)
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| EP3718678A1 (de) * | 2019-04-03 | 2020-10-07 | Felder GmbH Löttechnik | Verfahren zur herstellung eines snbi-lötdrahtes, lötdraht und vorrichtung |
| WO2020201399A1 (de) * | 2019-04-03 | 2020-10-08 | Felder Gmbh | Verfahren zur herstellung eines snbi-lötdrahtes, lötdraht und vorrichtung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0249169B2 (ja) | 1990-10-29 |
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