JPS6091704A - 信号遮断回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、音声信号等を遮断または歪なく通過させる信
号遮断回路に関するものである。

〔発明の背景〕

従来の信号遮断回路（以下ミュート回路という）を第１
図に示す。１は入力信号源、２は信号出力端子、６はミ
ュート制御信号入力端子、４はＰＮＰ　トランジスタ、
５はＮＰＮ　）ランジスタスイッチ、６は直流定電圧源
、７は抵抗である。

この回路のミュート動作は以下のように行われる。制御
端子６に供給される制御信号にょシトランジスタ４を導
通させ、電流をトランジスタ５０ベースに供給する。こ
れにょシトランジスタ５のコレクターエミッタ間インピ
ーダンスはほぼゼロとな多端子２は接地され、信号源１
からの信号は出力されない。信号をミュートしない場合
、トランジスタスイッチ５へ、ペース電流を供給しない
ように、端子乙に供給される制御信号でトランジスタ４
のコレクタｔ　流をゼ日にして、トランジスタ５のコレ
クターエミッタ間インピーダンスを無限大にして信号を
、出力端子２に出力させる、 この回路をＩＣ内蔵する場合トランジスタ５は。

信号の減衰量を大きくするためにトランジスタ５のエミ
ッターコレクタ間インピーダンスを小さくする必要があ
る。これを実現するには、■ｃ上でトランジスタ５が非
常に大きな面積を必要としＩＣ内蔵困難となるため、Ｉ
Ｃ外付は素子としなければならない。

ｌ・ランジスタ４は、大きな面積７ｃ必要としないため
、ＩＣ内蔵は容易であるが、内蔵した場合エミッタ・コ
レクタ間のリーク電流が生じる。

このリーク電流が、トランジスタ５により、電流増幅さ
れ、抵抗７に流れ、電圧降下が生じる。

この電圧降下の信号に対する影響を第２図を用いて説明
する。第２図において８は入力信号波形、９は出力端子
２における出力信号波形、１０は、クロスオーバ歪、１
１はアース電位を示す。

人カイ３号が、アースより低い場合、ｌ−ランジスタ５
は、コレクタ・エミッタが、それぞれエミ２ツメＺ・コ
レクタ電流を−する逆方向動作となり、電流増幅率が落
ちる。このためコレクタ電流が少なくなり、抵抗７の電
圧降下が、小さくなシ、信号に対する影響が無視でき入
力信号と出力イパ弓は同じになる。入力信号が、アース
より高い電位の場合、トランジスタ５ば、順方向動作で
ＴＩＬ流増幅率が、大きくなる。このため、抵抗７の電
圧降下は、信号に対して無視できなくなり、第２図の入
力信号８が、出力信号９となる。ここで符号１０に示す
ように、アース電位で、出力信号のクロスオーバ歪が発
生する。

通常、ＰＮＰ　ｌ−ランジスタのリーク電流は１　ｌｌ
Ａであり、この時の信号レベル−歪率特性は第６図の特
性１２に示すように、基準信号レベルＯｄＢｍで５％と
非常に悪い。

以上のように、従来のミュート回路は、ミュートシない
場合、リーク電流によりひじょうに大きな歪が発生する
問題点があった。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくシ、歪
の小さい信号遮断回路を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明は、上記目的を達成するために、へＰＮトランジ
スタのベース・エミッタ間にＩＣ内蔵のダイオードと抵
抗を接続してリーク電流のような微小電流の電流増幅率
を下げ、コレクタ電流を減らして歪を小さくするもので
ある。

（発明の実施例Ｊ 以下、本発明を第４図の動作説明図と第５図の実施例を
用いて説明する。第４図において、１４は抵抗、１５は
ＰＮ接合夕゛イオードである。ミュート動作時ＰＮ接合
のダイオード１５やトランジスタ５のベース・エミッタ
間インピーダンス、即ち電流に比例して変化する動抵抗
が、抵抗１４より十分小をくなるような電流をトランジ
スタ４よりトランジスタ５及びダイオード１４に供給す
る。この電流のほとんどは、インピーダンスの小さいｌ
・ランジスク５に流れ込み、等何重に、抵抗１４とタイ
オード１５がないのと同じであシ、第１図と同じ回路と
なる。ミュートオフ時、トランジスタ４から流れ出るリ
ーク電流は、微小であるため、ダイオード１５の動抵抗
は、抵抗１４より大きくなり、抵抗１４は無視できる。

ここで信号諒１の１，１号電圧がアースより高い電位の
場ａ１　トランジスタ５は順方向動作となり、ダイ：ｔ
−ト”　１５に流シしる電流とトランジスタ５に流れる
コレクタ電流が、はぼ同じとなるカレントミラー動作と
なる。トランジスタ５のコレクタ電流は、リーク電流と
同じ程度に小さく、抵抗７の電圧降下も小さくなｐ１歪
が小さくなる。

第４図に示す回路をＩＣ内蔵に適した回路にしたのが第
５図の本発明の実施例であり、第６図はＩＣの縦構造で
ある。第５図において、１６はＮＰＮ　）ランジスタの
ベースとエミッタを接続しベース・コレクタ間ＰＮ接合
ダイオードでダイオードを作っておシ、これは第４図の
ダイオード１５に相当する。１７・１８・１９はＩＣの
寄生素子である。寸た第６図において、４はラテラルＰ
ＮＰ）ランジスタ、９はＰ型半導体による抵抗でＮ型半
導体２０を電源電位にすることにより周囲と絶ｆ’ｔｔ
、ており、１６はＮＰＮ）ランジスタ、２１はこれらト
ランジスタ４、抵抗９、ダイオード１６の素子を絶縁す
るために用いるアース電位のＰ型半導体基板である。こ
れらの素子には、ＰＮ接合によるトランジスタ１７−や
ダイオード１８　、１９の寄生素子が存在している。第
５図回路において、トランジスタ１７のエミッタ・ベー
ス間とダイオード１８は、逆方向に電圧が、印加され、
ダイオード１９は、アース間でショートされておシ、こ
れら寄生素子を通ってトランジスタ５のベースへ電流が
流れ込まない構成となっている。またタイオード１５は
、トランジスタ１６０ベース・エミッタ間接合より濃度
差が小づいベース・コレクタ間接合を利用しているため
、リーク電流によって立つ順方向電圧は低くなシ、トラ
ンジスタ５０ベースの電位を下げ、コレクク電流をさら
に小さくでき、歪を小さくできる。リーク電流が、１μ
八時の第５図回路のおける信号レベル・歪率特性を第６
図１３に示す。このように歪率ヲｉｕｏ分の１に改善す
ることができる。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明によれば、ミュート不動作時の信
号の歪が小さいミュート回路を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来のミュート回路の回路図、第２図は、ミ
ュート不動作時の信号波形図、第５凶はミュートオフ時
の１ｄ号振幅対歪率特性図、第４図は、本発明の善目笹
説＋Ｈ券、信号遮断回路の回路図、第５図は本発明の具
体的な実施例を示す回路図、第６図はＩｃの縦構造図で
ある。 １　人力信号源、　２・・・信号出力端子、６・・制御
端子、　４　・ＰＮＰ　）ランジスタ、５・・ＮＰＮト
ジンジスタ、　６　直流定電圧源、７・・抵抗、 代理人弁理士　高　橋　明　夫 ＠　ｌ　図 第　２図 ％　３　図 仏号振憎　〔ｄＢ／７７〕

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 第１の抵抗の一方の端子に信号を供給し、前記抵抗の他
   方の端子を出力端子とし、エミッタ接地型トランジスタ
   のコレクタを前記抵抗の他方の端子に接続し、前記トラ
   ンジスタのエミッタコレクタ間インピーダンスを制御し
   て信号を遮断及び通過させる回路において、前記トラン
   ジスタのベースエミッタ間に第２の抵抗とダイオードの
   直列口′路を接続することを特徴とする信号遮断回路。