JPS6088459A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6088459A JPS6088459A JP58196197A JP19619783A JPS6088459A JP S6088459 A JPS6088459 A JP S6088459A JP 58196197 A JP58196197 A JP 58196197A JP 19619783 A JP19619783 A JP 19619783A JP S6088459 A JPS6088459 A JP S6088459A
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- JP
- Japan
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- charges
- gates
- ccd
- drain
- transferred
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000008447 perception Effects 0.000 abstract 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14825—Linear CCD imagers
Landscapes
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- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電荷の転送機能を有する半導体装置に関する
ものである。
ものである。
（従来例の構成とその問題点）
昨今、電荷転送機能を有するＣＣＤ （電荷結合素子）
の開発が進み、その応用としてＣＯＤイメージセンサの
開発が活発に進められている。
の開発が進み、その応用としてＣＯＤイメージセンサの
開発が活発に進められている。
第１図は、従来の一次元ＣＣＤ固体撮像装置の構成の概
略を示したものである。入射した光は光電変換部１で光
の強弱に応じた電荷に変換され、ある一定の期間蓄積さ
れた後、光電変換部１内の奇数番目の画素に蓄積された
電荷は、シフ）ｒ−１２ａを通じて奇数側のＣＯＤシフ
トレジスタ３ａに転送され、偶数番目の画素に蓄積され
た電荷は、シフトゲート２ｂを通じて偶数側のＣＯＤシ
フトレジスタ３ｂに転送され、偶奇各々のシフトレジス
タ内の電荷はＣＯＤ転送によシ、出力ゲート４を通じて
出力部５に転送される。以上のような従来の゛構成では
、ＣＣＤレジスタ内で常に全画素の電荷を転送しなけれ
ばならず、１ラインの走査時間は１段当りの転送時間に
画素数を乗じたものとなシ、上記のようなＣＯＤシフト
レジスタを奇数と偶数に分けた構成のものでも上記走査
時間の半分にしかならない。昨今情報の一部を高速に認
識したいという要望が高まっておシ、上記従来例の装置
では、その要望を満たすことができなかった。
略を示したものである。入射した光は光電変換部１で光
の強弱に応じた電荷に変換され、ある一定の期間蓄積さ
れた後、光電変換部１内の奇数番目の画素に蓄積された
電荷は、シフ）ｒ−１２ａを通じて奇数側のＣＯＤシフ
トレジスタ３ａに転送され、偶数番目の画素に蓄積され
た電荷は、シフトゲート２ｂを通じて偶数側のＣＯＤシ
フトレジスタ３ｂに転送され、偶奇各々のシフトレジス
タ内の電荷はＣＯＤ転送によシ、出力ゲート４を通じて
出力部５に転送される。以上のような従来の゛構成では
、ＣＣＤレジスタ内で常に全画素の電荷を転送しなけれ
ばならず、１ラインの走査時間は１段当りの転送時間に
画素数を乗じたものとなシ、上記のようなＣＯＤシフト
レジスタを奇数と偶数に分けた構成のものでも上記走査
時間の半分にしかならない。昨今情報の一部を高速に認
識したいという要望が高まっておシ、上記従来例の装置
では、その要望を満たすことができなかった。
（発明の目的）
本発明は、上記従来の問題点を解消するもので、電荷も
しくは画像情報の一部を捨て去シ、所望の情報の信号を
高速で認識することのできる半導体装置を提供するもの
である。
しくは画像情報の一部を捨て去シ、所望の情報の信号を
高速で認識することのできる半導体装置を提供するもの
である。
（発明の構成）
本発明は、１個、あるいは複数個のケ゛−トを介して、
相隣シ合う電荷転送装置を備えた半導体装置であシ、一
つの電荷転送装置内の信号を隣接するダートに制御信号
を加えることにより、他方の電荷転送装置へ転送するこ
とができる。
相隣シ合う電荷転送装置を備えた半導体装置であシ、一
つの電荷転送装置内の信号を隣接するダートに制御信号
を加えることにより、他方の電荷転送装置へ転送するこ
とができる。
（実施例の説明）
第２図は、本発明の一実施例における一次元ＣＣＤ固体
撮像装置の構成の概略を示したものである。第２図にお
いて入射した光は、光電変換部１で光の強弱に応じた電
荷に変換され、ある一定の期間蓄積された後、光電変換
部１内の奇数番目の画素に蓄積された電荷は、シフトグ
”−）２ａを通じて奇数側のＣＯＤシフトレジスタ３ａ
に転送され、偶数番目の画素に蓄積された電荷は、シフ
トグー）２ｂｅ通じて偶数側のＣＣＤシフトレジスタ３
ｂに転送され、偶奇釜々のシフトレジスタ内の電荷はＣ
ＣＤ転送により、出力ダート４を通じて出力部５に転送
される。出力部に転送されてくる電荷は時系列に出てく
るが、ある一定時間出力させ、所望の情報の信号を出力
させた後、まだ出力部５に転送されてきていない不必要
な電荷についてはドレインゲート６ａ及び６ｂを開くこ
とによシ偶奇のドレインＣＣＤシフトレジスタ７ａ及び
７ｂに移送され、ＣＣＤ転送によシミ荷配出部８ａ及び
８ｂに配出される。
撮像装置の構成の概略を示したものである。第２図にお
いて入射した光は、光電変換部１で光の強弱に応じた電
荷に変換され、ある一定の期間蓄積された後、光電変換
部１内の奇数番目の画素に蓄積された電荷は、シフトグ
”−）２ａを通じて奇数側のＣＯＤシフトレジスタ３ａ
に転送され、偶数番目の画素に蓄積された電荷は、シフ
トグー）２ｂｅ通じて偶数側のＣＣＤシフトレジスタ３
ｂに転送され、偶奇釜々のシフトレジスタ内の電荷はＣ
ＣＤ転送により、出力ダート４を通じて出力部５に転送
される。出力部に転送されてくる電荷は時系列に出てく
るが、ある一定時間出力させ、所望の情報の信号を出力
させた後、まだ出力部５に転送されてきていない不必要
な電荷についてはドレインゲート６ａ及び６ｂを開くこ
とによシ偶奇のドレインＣＣＤシフトレジスタ７ａ及び
７ｂに移送され、ＣＣＤ転送によシミ荷配出部８ａ及び
８ｂに配出される。
以上のように本発明の実施例によれば、ドレイングー）
６ａ及び６ｂに加えるパルスのタイミングを適当に選ぶ
ことによシ、固体撮像装置の１画素から全画素まで任意
の画素数を選択することができ、それに従って１ライン
の走査時間即ち蓄積時間を大幅に縮小することができる
。例んば４０９６画素を持つ一次元ＣＣＤ固体撮像装置
について述べると、本発明の装置を用いた場合以下のよ
うになる０ １段当シの周波数は同じで、画素数が４０９６必要な期
間と、画素数は５１２程度で良いが１ラインの走査時間
をできるだけ速くしたい場合の期間の両方の期間を含む
ような使用法に、本発明の装置は最適である。即ち１段
当ジの周波数が１触とすると、４０９６画素の信号を全
て使用するには、１ラインの走査時間は １μ５Ｘ（−４０９６＋α）に：４．１ｍＳここでαは
遊びの転送段数である。これが５１２画素だけで良いと
なると、１ラインの走査時間は、１μＳ Ｘ （５１２
＋α）中０．５ｍＳで、画素数に応じた１ラインの走査
時間が得られる。以上のように本実施例によれば、ある
情報の一部を捨て去ることにより所望の情報を高速で読
み取ることができる。なお、実施例では一次元ＣＣＤ固
体撮像装置について述べたが、二次元の転送型固体撮像
装置あるいは半導体遅延装置についても同じ効果がある
ことは言うまでもない。
６ａ及び６ｂに加えるパルスのタイミングを適当に選ぶ
ことによシ、固体撮像装置の１画素から全画素まで任意
の画素数を選択することができ、それに従って１ライン
の走査時間即ち蓄積時間を大幅に縮小することができる
。例んば４０９６画素を持つ一次元ＣＣＤ固体撮像装置
について述べると、本発明の装置を用いた場合以下のよ
うになる０ １段当シの周波数は同じで、画素数が４０９６必要な期
間と、画素数は５１２程度で良いが１ラインの走査時間
をできるだけ速くしたい場合の期間の両方の期間を含む
ような使用法に、本発明の装置は最適である。即ち１段
当ジの周波数が１触とすると、４０９６画素の信号を全
て使用するには、１ラインの走査時間は １μ５Ｘ（−４０９６＋α）に：４．１ｍＳここでαは
遊びの転送段数である。これが５１２画素だけで良いと
なると、１ラインの走査時間は、１μＳ Ｘ （５１２
＋α）中０．５ｍＳで、画素数に応じた１ラインの走査
時間が得られる。以上のように本実施例によれば、ある
情報の一部を捨て去ることにより所望の情報を高速で読
み取ることができる。なお、実施例では一次元ＣＣＤ固
体撮像装置について述べたが、二次元の転送型固体撮像
装置あるいは半導体遅延装置についても同じ効果がある
ことは言うまでもない。
（発明の効果）
本発明の半導体装置は、１個あるいは複数個のダートを
介して、一つの電荷転送装置の電荷を他の電荷転送装置
へと転送することができ、その実用的効果は大きい。
介して、一つの電荷転送装置の電荷を他の電荷転送装置
へと転送することができ、その実用的効果は大きい。
第１図は、従来例の構成図、第２図は、本発明の一実施
例の構成図である。 ｌ・・・光電変換部、２ａ・２ｂ・・・シフトゲート、
３ａ・３ｂ・・・ＣＣＤシフトレジスタ、４・・・出力
ダート、５・・・出力部、６ａ・６ｂ・・・ドレインダ
ート、７ａ・７ｂ・・・ドレインＣＣＤシフトレジスタ
、８ａ・８ｂ・・・電荷配出部。 特許出願人松下電子工業株式会社 代理人星 野 恒 司 □□□□□□□ 第１図 第２図 ０
例の構成図である。 ｌ・・・光電変換部、２ａ・２ｂ・・・シフトゲート、
３ａ・３ｂ・・・ＣＣＤシフトレジスタ、４・・・出力
ダート、５・・・出力部、６ａ・６ｂ・・・ドレインダ
ート、７ａ・７ｂ・・・ドレインＣＣＤシフトレジスタ
、８ａ・８ｂ・・・電荷配出部。 特許出願人松下電子工業株式会社 代理人星 野 恒 司 □□□□□□□ 第１図 第２図 ０
Claims (1)
- １個又は複数個のダートを介して、相隣シ合う電荷転送
装置を備えたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58196197A JPS6088459A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58196197A JPS6088459A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6088459A true JPS6088459A (ja) | 1985-05-18 |
Family
ID=16353803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58196197A Pending JPS6088459A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6088459A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0574612A2 (en) * | 1992-06-18 | 1993-12-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Linear image sensor |
-
1983
- 1983-10-21 JP JP58196197A patent/JPS6088459A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0574612A2 (en) * | 1992-06-18 | 1993-12-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Linear image sensor |
| EP0574612A3 (en) * | 1992-06-18 | 1994-05-11 | Mitsubishi Electric Corp | Linear image sensor |
| US5483282A (en) * | 1992-06-18 | 1996-01-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for driving a linear image sensor |
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