JPS6083326A - 投影式アライメント方法及びその装置 - Google Patents
投影式アライメント方法及びその装置Info
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- JPS6083326A JPS6083326A JP58190757A JP19075783A JPS6083326A JP S6083326 A JPS6083326 A JP S6083326A JP 58190757 A JP58190757 A JP 58190757A JP 19075783 A JP19075783 A JP 19075783A JP S6083326 A JPS6083326 A JP S6083326A
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- beams
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔、発明の利用分野〕
本発明は、投影レンズ式の半導体露光用アライメント装
置に係り、特に露光波長と異なる波長のアライメント用
照明光を用いる場合に好適なアライメント装置に関する
ものである。
置に係り、特に露光波長と異なる波長のアライメント用
照明光を用いる場合に好適なアライメント装置に関する
ものである。
第１図は、投影式の半導体露光装置の中で最も良く用い
られる縮小レンズを用いた縮小投影露光装置のアライメ
ント装置の従来例を示したものである。縮小投影露光装
置ではレチクル１のパターンは、投影レンズ２′ｔ″介
し、ウェハ３上に１ないし数チップずつ露光され、ウェ
ハステージ４をステップアンドリピート駆動することに
より、ウェハ全面の露光を完了するものであ・るが、レ
チクルのパターンとウェハのパターンをアライメントす
る必要がある。この例ではレチクル・アライメント光学
系５により、レテクＡ／’ｌ初期位置にセットしたあと
、ウェハ・アライメント検出光学系により、レチクルの
バタ−ンとウェハのパターンを縮小レンズ２を介してア
ライメントする。ウェハアライメント検出光学系は、ミ
ラー６とリレー・レンズ７、拡大レンズ８．可動スリッ
ト９．光電子増倍管１０゜及びアライメント用照明光を
発する光ファイバ１１より成る。レチクル上には、第２
図のように窓パターン１２が、ウェハ上には第３図のよ
うなターゲットマーク１３が作られており、これらに露
光光と同じ波長のアライメント用照明光を照射すると、
可動スリット９の位置に第４図の工うなウェハパターン
拡大像が結像する。１４は窓バンーンの像、１５はター
ゲットマークの像である。この像を可動スリッ゛ト９を
走査しながら、光電子増倍管１０で検出すると１６のよ
うな波形が得られ、これから、窓パターンの中心１７と
、ターゲットマークの中心１８ヲ求め、そのズレ量Δを
にチクル又はウェハの微動装置にフィードバックしてア
ライメントを行っていた。
られる縮小レンズを用いた縮小投影露光装置のアライメ
ント装置の従来例を示したものである。縮小投影露光装
置ではレチクル１のパターンは、投影レンズ２′ｔ″介
し、ウェハ３上に１ないし数チップずつ露光され、ウェ
ハステージ４をステップアンドリピート駆動することに
より、ウェハ全面の露光を完了するものであ・るが、レ
チクルのパターンとウェハのパターンをアライメントす
る必要がある。この例ではレチクル・アライメント光学
系５により、レテクＡ／’ｌ初期位置にセットしたあと
、ウェハ・アライメント検出光学系により、レチクルの
バタ−ンとウェハのパターンを縮小レンズ２を介してア
ライメントする。ウェハアライメント検出光学系は、ミ
ラー６とリレー・レンズ７、拡大レンズ８．可動スリッ
ト９．光電子増倍管１０゜及びアライメント用照明光を
発する光ファイバ１１より成る。レチクル上には、第２
図のように窓パターン１２が、ウェハ上には第３図のよ
うなターゲットマーク１３が作られており、これらに露
光光と同じ波長のアライメント用照明光を照射すると、
可動スリット９の位置に第４図の工うなウェハパターン
拡大像が結像する。１４は窓バンーンの像、１５はター
ゲットマークの像である。この像を可動スリッ゛ト９を
走査しながら、光電子増倍管１０で検出すると１６のよ
うな波形が得られ、これから、窓パターンの中心１７と
、ターゲットマークの中心１８ヲ求め、そのズレ量Δを
にチクル又はウェハの微動装置にフィードバックしてア
ライメントを行っていた。
ところが、半導体パターンが微細するに伴ない、下地層
での反射光による線幅の変化や、下 ′地膜差による解
像限界が問題となり、多層レジストや吸光剤入りレジス
トが使用されるようになった。これらのレジストは、露
光波長の光（例えばｉ線、ｈ線、！１線）が下地まで到
達しないため、前記したアライメント方式では、ターゲ
ットマークの検出が不可能となり、アライメント照明光
の波長を変える（例えばｇｉｎ７／ｇ −Ｒｅ線）こと
が必要となりた。
での反射光による線幅の変化や、下 ′地膜差による解
像限界が問題となり、多層レジストや吸光剤入りレジス
トが使用されるようになった。これらのレジストは、露
光波長の光（例えばｉ線、ｈ線、！１線）が下地まで到
達しないため、前記したアライメント方式では、ターゲ
ットマークの検出が不可能となり、アライメント照明光
の波長を変える（例えばｇｉｎ７／ｇ −Ｒｅ線）こと
が必要となりた。
第６図は、ウェハ側を固定した時に、ウェハパターン拡
大像の結像位置が色収差により、どう変化するかを示し
たものである。１９は露光波長での結像位置、２０は露
光波長と異なる波長をもつアライメント用照明光での結
像位置である。
大像の結像位置が色収差により、どう変化するかを示し
たものである。１９は露光波長での結像位置、２０は露
光波長と異なる波長をもつアライメント用照明光での結
像位置である。
通常、この結像位置の差が数〜数十ミリあり、従来のア
ライメント検出光学系でアライメントを行うためには、
第７図に示すように、ウェハ側を２１″の位置に下げて
、ウェハとレチクルのアライメントを行い、再びウェハ
な２２の位置に戻して露光を行う必１があり、アライメ
ント速度や精度の上で問題があった。
ライメント検出光学系でアライメントを行うためには、
第７図に示すように、ウェハ側を２１″の位置に下げて
、ウェハとレチクルのアライメントを行い、再びウェハ
な２２の位置に戻して露光を行う必１があり、アライメ
ント速度や精度の上で問題があった。
この他、色収差の影響を減らすため、第８図に示すよう
に、ミラー２５．２４を入れ、光路長を補正する例があ
るが、ミラーの取付精度がアライメント精度に直接影響
するという欠点があった。
に、ミラー２５．２４を入れ、光路長を補正する例があ
るが、ミラーの取付精度がアライメント精度に直接影響
するという欠点があった。
本発明の目的は、アライメント速度や精度を悪化させる
ことなく、露光光とアライメント用照明光の波長の差に
よる色収差の影響を補正できる高性能の半導・体露光用
アライメント装置を提供することにある。
ことなく、露光光とアライメント用照明光の波長の差に
よる色収差の影響を補正できる高性能の半導・体露光用
アライメント装置を提供することにある。
本発明は、アライメント装置に、露光光と同じ波長のア
ライメント用照明光を用いた検出光学系と、これと異・
なる波長のアライメント用照明光を用いた検出光学系の
二つを持ち、両者の相対関係を調べる。ことにより、前
者でレチクルのアライメントを、、後者でウェハのアラ
イメントを行い、高速高精度のアライメントができるよ
うにしたことを特徴とするものである。
ライメント用照明光を用いた検出光学系と、これと異・
なる波長のアライメント用照明光を用いた検出光学系の
二つを持ち、両者の相対関係を調べる。ことにより、前
者でレチクルのアライメントを、、後者でウェハのアラ
イメントを行い、高速高精度のアライメントができるよ
うにしたことを特徴とするものである。
以下、本発明の実施例を図面にもとづいて具体的に説明
する。第９図は、本発明の基本構成を示す実施例である
。検出系の途中にアライメント用照明光の波長の光（例
えば、ｇ ｌｌｌＭｇ Ｎ ｅ線）のみ反射する波長選
択ミラー２６が設けられファイバー１１から露光光と同
じ波長（例えば、１線、 ｈ Ｉｗ、 ｉ線）で光を照
射すると、レチクル１のパターンとウェハステージ４上
の基準プレート２５のパターンは、ミラー６、リレーレ
ンズ７、拡大レンズ８．矢印のように往復走査される可
動スリン）９．［電子増倍管１ｏがら成る検出光学系に
より、第５図に示すような検出波形を得る。この状態で
レチクル１を搭載したレチクル・ステージ（図示せず）
又はウェハステージ４を微動し、レチクル上の窓パター
ン１２の像の中心と基準プレート２５上のターゲットマ
ーク６７の像の中心を合わせる。ここで、照明光を本来
のアライメント用照明光（例えば、ｔｋｍ＃ｇ −Ｒｅ
線）に切替え、ファイバー３１より照射する。波長選択
ミラー２６を介し、リレーレンズ２７．拡大レンズ２８
．可動スリット２９．光電子増倍管３０の検出系は、露
光波長（例えば、１線り線、を線）と異なる本来のアラ
イメント用照明光での光路長にあわせてあり、ターゲッ
トマークの像が可動スリット２９上に結像するため、光
電子増倍管３０の検出波形は、レチクルの窓パターンが
、色収差によるデフォーカスにより検出されず、ターゲ
ットマークのみが検出され、第１０図のようになる。３
２は、検出波形、３３は、第５図の検出波形１６を重ね
合わせたもの、３４はターゲットマークの中心である。
する。第９図は、本発明の基本構成を示す実施例である
。検出系の途中にアライメント用照明光の波長の光（例
えば、ｇ ｌｌｌＭｇ Ｎ ｅ線）のみ反射する波長選
択ミラー２６が設けられファイバー１１から露光光と同
じ波長（例えば、１線、 ｈ Ｉｗ、 ｉ線）で光を照
射すると、レチクル１のパターンとウェハステージ４上
の基準プレート２５のパターンは、ミラー６、リレーレ
ンズ７、拡大レンズ８．矢印のように往復走査される可
動スリン）９．［電子増倍管１ｏがら成る検出光学系に
より、第５図に示すような検出波形を得る。この状態で
レチクル１を搭載したレチクル・ステージ（図示せず）
又はウェハステージ４を微動し、レチクル上の窓パター
ン１２の像の中心と基準プレート２５上のターゲットマ
ーク６７の像の中心を合わせる。ここで、照明光を本来
のアライメント用照明光（例えば、ｔｋｍ＃ｇ −Ｒｅ
線）に切替え、ファイバー３１より照射する。波長選択
ミラー２６を介し、リレーレンズ２７．拡大レンズ２８
．可動スリット２９．光電子増倍管３０の検出系は、露
光波長（例えば、１線り線、を線）と異なる本来のアラ
イメント用照明光での光路長にあわせてあり、ターゲッ
トマークの像が可動スリット２９上に結像するため、光
電子増倍管３０の検出波形は、レチクルの窓パターンが
、色収差によるデフォーカスにより検出されず、ターゲ
ットマークのみが検出され、第１０図のようになる。３
２は、検出波形、３３は、第５図の検出波形１６を重ね
合わせたもの、３４はターゲットマークの中心である。
このターゲットマークの中心３４を、仮想原点とし、以
降のウニへのアライメントは、検出波形の中心を、この
仮想原点にあわせることにより行う。第１１図。
降のウニへのアライメントは、検出波形の中心を、この
仮想原点にあわせることにより行う。第１１図。
は、ウェハステージ上に設けられた基準プレートの一実
施例である。黒色の吸光板３５の上にクロム又はアルミ
をエツチングして作るターゲットマ□−り３７を持つ透
明ガラス３６を置いたものであるが、ターゲットマーク
でのみ光が反射し、他の部分では光が吸収されるように
なっている。
施例である。黒色の吸光板３５の上にクロム又はアルミ
をエツチングして作るターゲットマ□−り３７を持つ透
明ガラス３６を置いたものであるが、ターゲットマーク
でのみ光が反射し、他の部分では光が吸収されるように
なっている。
なお、検出波形の中心は、対称性パターンマツチング法
（特開昭５３−６９０６５ ）や、ピーク検出法、二値
化中心法などによりめられる。
（特開昭５３−６９０６５ ）や、ピーク検出法、二値
化中心法などによりめられる。
さて、第９図の実施例は、装置が非常に大きくなってし
まうため、二つの検出光学系を一体化する必要がある。
まうため、二つの検出光学系を一体化する必要がある。
第１２図から第１４図は、検出光学光路途中に波長別の
光路長差補正機能を有する手段を設けた実施例を示した
ものである。
光路長差補正機能を有する手段を設けた実施例を示した
ものである。
第１２図において、ファイバー１１によりノ１−７ミラ
ー６９を介して照射された露光光と同一波長の照明光で
、ウェハステージ上の基準プレートのターゲットマーク
はレチクル１上の窓パターンと同じ４０の位置に結像す
る。この窓パターンとターゲットマークの像をミラー６
、リレーレンズ７を介した後、波長選択ミラー４４．ミ
ラー４５、波長選択ミラー４６から成る露光波長用の光
路４７を通し、４２の点に再び結像させ、さらに拡大レ
ンズ８．ミラー３８．を介し、可動スリット９の４３の
点に結像し、光電子増倍管で検出すれば、第５図の波長
が得られる。なお、波長選択ミラー４４は本来のアライ
メント用透明光の波長のみ全反射させるものであり、一
方波長選択ミラー４６は、露光光の波長のみ全反射させ
るものでおる。
ー６９を介して照射された露光光と同一波長の照明光で
、ウェハステージ上の基準プレートのターゲットマーク
はレチクル１上の窓パターンと同じ４０の位置に結像す
る。この窓パターンとターゲットマークの像をミラー６
、リレーレンズ７を介した後、波長選択ミラー４４．ミ
ラー４５、波長選択ミラー４６から成る露光波長用の光
路４７を通し、４２の点に再び結像させ、さらに拡大レ
ンズ８．ミラー３８．を介し、可動スリット９の４３の
点に結像し、光電子増倍管で検出すれば、第５図の波長
が得られる。なお、波長選択ミラー４４は本来のアライ
メント用透明光の波長のみ全反射させるものであり、一
方波長選択ミラー４６は、露光光の波長のみ全反射させ
るものでおる。
さて、こうしてレチクルの窓パターンと基準プレート上
のターゲットマークがアライメントされると、次にファ
イバー１１より、本来のアライメント用照明光を照射す
る。投影レンズ（縮小投影レンズ）の色収差により、タ
ーゲットマークの結像位置は点４０から点４１に移動す
る。
のターゲットマークがアライメントされると、次にファ
イバー１１より、本来のアライメント用照明光を照射す
る。投影レンズ（縮小投影レンズ）の色収差により、タ
ーゲットマークの結像位置は点４０から点４１に移動す
る。
従ってリレーレンズ７による結像位置もずれてしまうた
め、波長選択ミラー４４で分岐し、ミラー４８と、露光
波長の光を吸収するフィルター４９を介した光路５０で
光路長差を補正した後、波長選択ミラー４６で、もとに
戻すと、点４２に結像し同一の検出光学系で検出できる
ようになる。
め、波長選択ミラー４４で分岐し、ミラー４８と、露光
波長の光を吸収するフィルター４９を介した光路５０で
光路長差を補正した後、波長選択ミラー４６で、もとに
戻すと、点４２に結像し同一の検出光学系で検出できる
ようになる。
第１３図も、第１２図とほぼ同様で波長選択ミラーのか
わりに、プリズム５１．５２を用いたものである。第１
２図、第１３図共、リレーレンズ７の後で光路長の補正
をしているため、検出光学系の倍率が波長によって異な
るが、アライメントを仮想原点にあわせるまで行なうと
いうゼロメソッドによる閉ループ制御で行なえば支障は
ない。
わりに、プリズム５１．５２を用いたものである。第１
２図、第１３図共、リレーレンズ７の後で光路長の補正
をしているため、検出光学系の倍率が波長によって異な
るが、アライメントを仮想原点にあわせるまで行なうと
いうゼロメソッドによる閉ループ制御で行なえば支障は
ない。
第１４図は、光路長差の補正をり７−レンズ７の前で行
うもので、楓収差が大きい場合に最も適している。
うもので、楓収差が大きい場合に最も適している。
さて、第９図から第１４図の実施例では１本来のアライ
メント用照明もレチクル−から行ったが、レチクル照明
の必要がないため、第１５図のような斜方照明方式によ
ってもよい。５３はファイバー、５４は集光レンズであ
る。この場合、パターンのエツジからの散乱光が検出さ
れるため検出波形は第１６図の５５のようになる。３３
は、第５図の検出波形を重ね合わせたものである。
メント用照明もレチクル−から行ったが、レチクル照明
の必要がないため、第１５図のような斜方照明方式によ
ってもよい。５３はファイバー、５４は集光レンズであ
る。この場合、パターンのエツジからの散乱光が検出さ
れるため検出波形は第１６図の５５のようになる。３３
は、第５図の検出波形を重ね合わせたものである。
アライメント方式としては、アライメント装置をレチク
ルの下に入れる方式も考えられる。
ルの下に入れる方式も考えられる。
第１７図は、この方式による実施例の一つである。レチ
クル上には第１８図の５９に示すように、窓パターンと
は反対の遮光パターンを設ける。
クル上には第１８図の５９に示すように、窓パターンと
は反対の遮光パターンを設ける。
この遮光パターンにより、ウェハあるいはウェハステー
ジ４上の基準プレートからの光が反射される。ウェハス
テージ４上の基準パターン５８の構造を第１９図に示す
。基準プレートは透明ガラス３６とクロム又はアルミを
エツチングして作るターゲットマーク３７からなる。露
光波長での仮想原点の決定では、レチクルの遮光パター
ン５９０反射率が低いため、光量を十分にとるため第１
９図に示すように、ファイバー５６とレンズ５７により
、基準プレートの下から透過照明を行なう。検出光学系
には、遮光パターン５９にあたった光だけが反射して入
るため、その検出波形は第２０図６１のようになる。な
お、第１７図において、６はミラー、７はリレーレンズ
、８は拡大レンズ、６０は、可動スリットと光電子増倍
管の代りに設けたりニアセンサである。５１と５２は光
路長差補正用のプリズムである。こうして仮想原点をめ
た後、ファイバー５５と集光レンズ５４により、本来の
アライメント用照明を行うわ〔発明の効果〕 以上、説明したように、本発明によれば、半導体パター
ンの微細化により用いられるようになった多層レジスト
や吸光剤入りレジストに対応できる、露光波長（例えば
、！ｆｆ１Ａ、ｈ線、１線）と異なる波長のアライメン
ト用照明光（例えば、ｅ線、 Ｅｇ −１ｈ線）を用い
たアライメントのアライメント速度や精度を低下させな
いため、特に縮小投影露光装置のアライメント装置にお
いて生産性、性能の点で効果がある。
ジ４上の基準プレートからの光が反射される。ウェハス
テージ４上の基準パターン５８の構造を第１９図に示す
。基準プレートは透明ガラス３６とクロム又はアルミを
エツチングして作るターゲットマーク３７からなる。露
光波長での仮想原点の決定では、レチクルの遮光パター
ン５９０反射率が低いため、光量を十分にとるため第１
９図に示すように、ファイバー５６とレンズ５７により
、基準プレートの下から透過照明を行なう。検出光学系
には、遮光パターン５９にあたった光だけが反射して入
るため、その検出波形は第２０図６１のようになる。な
お、第１７図において、６はミラー、７はリレーレンズ
、８は拡大レンズ、６０は、可動スリットと光電子増倍
管の代りに設けたりニアセンサである。５１と５２は光
路長差補正用のプリズムである。こうして仮想原点をめ
た後、ファイバー５５と集光レンズ５４により、本来の
アライメント用照明を行うわ〔発明の効果〕 以上、説明したように、本発明によれば、半導体パター
ンの微細化により用いられるようになった多層レジスト
や吸光剤入りレジストに対応できる、露光波長（例えば
、！ｆｆ１Ａ、ｈ線、１線）と異なる波長のアライメン
ト用照明光（例えば、ｅ線、 Ｅｇ −１ｈ線）を用い
たアライメントのアライメント速度や精度を低下させな
いため、特に縮小投影露光装置のアライメント装置にお
いて生産性、性能の点で効果がある。
第１図は従来のアライメント系を示した斜視図、第２図
はレチクルのアライメントパターンを示した図、第３図
はウェハ上のターゲットマークな示した図、第４図は可
動スリット位置での結像パターンを示した図、第５図は
第４図に示すパターンから検出される検出信号を示した
図、第６図、第７図、第８図は各々アライメント系を含
む光学系を示した側面図、第９図は本発明に係るアライ
メント系を示した斜視図、第１０図は本発明に係る検出
信号波形図、第１１図は基準プレートを示す斜視図、第
１２図乃至第１５図は本発明に係るアライメント系を含
む光学系を示した側面図、第１６図は第１５図に示す方
式で照明した場合の検出信号波形を示した図、第１７図
は本発明に係る別のアライメント系を含む光学系を示し
た側面図、第１８図は本発明に係るレチクル上のアライ
メントパターンを示した図、第１９図は基準プレートと
その光学系を示した図。 第２０図は第１９因に委す如く照明した場合の検出信号
波形を示−た図である。 １・・・・・・・・・・・・・−・・・・レチクル２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・投影レンズ３・・
・・・・・・・・・・・・・・・・ウェハ４・・・・・
・・・・・・・・曲・ウェハステージ６・・・・・・・
・・・・・・・・・・・ミラー７・・・・・・・・・・
・・・・・・・・リレーレンズ８・・・・・・・・・・
・・・・−・・拡大レンズ９．２９・・・・・・・・・
可動スリット１０．３０・・・・・・・・・光電子増倍
管１１、！１１・・・・・・・・・照明用ファイノ（３
６・・・・・・・・・・・・・・・ガラス基板３７・・
・・・・・・・・・・・・・ターゲットマーク３ｚ［ｉ
ｉｌ 箋４日 １２′ ■ １３図 篇ｇ曹１ １１０図 ３１ 第１２０ 昂 １３図 里 ！４ 圓 ４９ 〜Ｇ １ 胤１４１ ３ １７ 図 らＯ １１２図 ！Ｉ９′ 菖 １’ｌ １５ も ２０図 手続補正書（自発） 発明の名称 半導体ｊ１元用アライメント装置 補正をする者 ｌｆ（’■との聞イ 特許出願人 ？１ 称 （５１０１１’ｌ 式会１１ 日 立 製
作 所代 理 人 補正の内容 １、 明細書第１貞第５行目乃至第２１行目喘許珀求の
範囲の欄を別紙のとおり補正する。 ２、 明細書＃Ｐ、６頁第１４行目「１６のような」を
「第５図の１６のような」と訂正する。 五 ８Ａ細］ｉＩＦ第４頁第１７行目「２１′」を「２
１」と訂正する。 ４、 明＃ｉＩＩ簀第６負第５行目「ｅ 紛ＨｅＮｅ
Ｊ ＠ ［ｅ紛、Ｈｅ−Ｎｅｊ と訂正する。 ５８．：明細＊第６頁第１７行目「中心と基準」を「中
心と第１１図に、その実施例を示すような基準」と訂正
する。 ＆ 明細書第８頁第８行目「元学元路途中に」を「元学
糸の光路途中に」と訂正する。 Ｚ 明ｍ、ｉｉ第９員第２行目「透明光」をＩｌｌに明
光」と訂正する。 ８、 明細書第１０負第１１行目「レチクル照明」を「
アライメント用層明光の波長とｊ４元波長が真なる場合
、レチクル照明」と訂正する。 ９ 図面中、第１１図を別紙のとおり訂正する。 竹許請求の範囲 １ 複数の異なる元の波長に対して、異なる位置に、投
影レンズによシ結像したウェハパターン拡大像の各々に
焦点を有する複数個のアライメント検出光学系を設けた
ことを待畝とする半専体露元用°Ｉライメント装置。 ２、 前記検出光学系の光路中に、異なる成長に対する
元路長差袖正機能を有する手段を設けることによシ、１
つの検出光学系で複数の焦点位置を有することをｔｊ！
ｆｉとする脣許請求の範囲第１項記載の牛纒体露元用ア
ライメント装置。 ３ 前記、複数個の検出光学系の内の一つを、露光光の
波長に対するウェハパターン拡大像の結揮位随に焦点を
有するものとすることを特徴とする請求 アライメント装置。 第 ｌｌ 万 ７
はレチクルのアライメントパターンを示した図、第３図
はウェハ上のターゲットマークな示した図、第４図は可
動スリット位置での結像パターンを示した図、第５図は
第４図に示すパターンから検出される検出信号を示した
図、第６図、第７図、第８図は各々アライメント系を含
む光学系を示した側面図、第９図は本発明に係るアライ
メント系を示した斜視図、第１０図は本発明に係る検出
信号波形図、第１１図は基準プレートを示す斜視図、第
１２図乃至第１５図は本発明に係るアライメント系を含
む光学系を示した側面図、第１６図は第１５図に示す方
式で照明した場合の検出信号波形を示した図、第１７図
は本発明に係る別のアライメント系を含む光学系を示し
た側面図、第１８図は本発明に係るレチクル上のアライ
メントパターンを示した図、第１９図は基準プレートと
その光学系を示した図。 第２０図は第１９因に委す如く照明した場合の検出信号
波形を示−た図である。 １・・・・・・・・・・・・・−・・・・レチクル２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・投影レンズ３・・
・・・・・・・・・・・・・・・・ウェハ４・・・・・
・・・・・・・・曲・ウェハステージ６・・・・・・・
・・・・・・・・・・・ミラー７・・・・・・・・・・
・・・・・・・・リレーレンズ８・・・・・・・・・・
・・・・−・・拡大レンズ９．２９・・・・・・・・・
可動スリット１０．３０・・・・・・・・・光電子増倍
管１１、！１１・・・・・・・・・照明用ファイノ（３
６・・・・・・・・・・・・・・・ガラス基板３７・・
・・・・・・・・・・・・・ターゲットマーク３ｚ［ｉ
ｉｌ 箋４日 １２′ ■ １３図 篇ｇ曹１ １１０図 ３１ 第１２０ 昂 １３図 里 ！４ 圓 ４９ 〜Ｇ １ 胤１４１ ３ １７ 図 らＯ １１２図 ！Ｉ９′ 菖 １’ｌ １５ も ２０図 手続補正書（自発） 発明の名称 半導体ｊ１元用アライメント装置 補正をする者 ｌｆ（’■との聞イ 特許出願人 ？１ 称 （５１０１１’ｌ 式会１１ 日 立 製
作 所代 理 人 補正の内容 １、 明細書第１貞第５行目乃至第２１行目喘許珀求の
範囲の欄を別紙のとおり補正する。 ２、 明細書＃Ｐ、６頁第１４行目「１６のような」を
「第５図の１６のような」と訂正する。 五 ８Ａ細］ｉＩＦ第４頁第１７行目「２１′」を「２
１」と訂正する。 ４、 明＃ｉＩＩ簀第６負第５行目「ｅ 紛ＨｅＮｅ
Ｊ ＠ ［ｅ紛、Ｈｅ−Ｎｅｊ と訂正する。 ５８．：明細＊第６頁第１７行目「中心と基準」を「中
心と第１１図に、その実施例を示すような基準」と訂正
する。 ＆ 明細書第８頁第８行目「元学元路途中に」を「元学
糸の光路途中に」と訂正する。 Ｚ 明ｍ、ｉｉ第９員第２行目「透明光」をＩｌｌに明
光」と訂正する。 ８、 明細書第１０負第１１行目「レチクル照明」を「
アライメント用層明光の波長とｊ４元波長が真なる場合
、レチクル照明」と訂正する。 ９ 図面中、第１１図を別紙のとおり訂正する。 竹許請求の範囲 １ 複数の異なる元の波長に対して、異なる位置に、投
影レンズによシ結像したウェハパターン拡大像の各々に
焦点を有する複数個のアライメント検出光学系を設けた
ことを待畝とする半専体露元用°Ｉライメント装置。 ２、 前記検出光学系の光路中に、異なる成長に対する
元路長差袖正機能を有する手段を設けることによシ、１
つの検出光学系で複数の焦点位置を有することをｔｊ！
ｆｉとする脣許請求の範囲第１項記載の牛纒体露元用ア
ライメント装置。 ３ 前記、複数個の検出光学系の内の一つを、露光光の
波長に対するウェハパターン拡大像の結揮位随に焦点を
有するものとすることを特徴とする請求 アライメント装置。 第 ｌｌ 万 ７
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 複数の異なる光の波長に対して、単なる位置に、
投影レンズにより結像したウェハパターン拡大像の各々
に焦Ａｔ−有する複数個のアライメント検出光学系を設
けたことを特徴とする半導体露光用アライメント装置。 ２、 前記検出光学系の党勢中に、異なる波長に対する
光路長差補正機Ｉ！＠を有する手段を設けることにエリ
、１つの検出光学系で複数の焦点位ｔを有することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体露光用アラ
イメント装置０ ３、 前記、複数個の検出光学系の内の一つを、露光光
の波長に対するウェハパターン拡大像の結像位置に焦点
を有するものとすることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体露光用アライメント装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58190757A JPH0612752B2 (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 投影式アライメント方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58190757A JPH0612752B2 (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 投影式アライメント方法及びその装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7011187A Division JP2698329B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 投影式アライメント方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6083326A true JPS6083326A (ja) | 1985-05-11 |
| JPH0612752B2 JPH0612752B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=16263223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58190757A Expired - Lifetime JPH0612752B2 (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 投影式アライメント方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612752B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6265327A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-24 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ装置 |
| JPS63140527A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-13 | Toshiba Corp | 位置合わせ機構を持つた転写装置 |
| JPS63215039A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Hitachi Ltd | アライメント装置 |
| JPH01200620A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-11 | Hitachi Ltd | パターン検出装置及び露光装置 |
| JPH01230233A (ja) * | 1988-03-10 | 1989-09-13 | Hitachi Ltd | 投影式露光方法およびその装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5974625A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-27 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影型露光装置 |
-
1983
- 1983-10-14 JP JP58190757A patent/JPH0612752B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5974625A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-27 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影型露光装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6265327A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-24 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ装置 |
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| JPS63215039A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Hitachi Ltd | アライメント装置 |
| JPH0552052B2 (ja) * | 1987-03-04 | 1993-08-04 | Hitachi Ltd | |
| JPH01200620A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-11 | Hitachi Ltd | パターン検出装置及び露光装置 |
| JPH01230233A (ja) * | 1988-03-10 | 1989-09-13 | Hitachi Ltd | 投影式露光方法およびその装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0612752B2 (ja) | 1994-02-16 |
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