JPS60771A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS60771A JPS60771A JP10865883A JP10865883A JPS60771A JP S60771 A JPS60771 A JP S60771A JP 10865883 A JP10865883 A JP 10865883A JP 10865883 A JP10865883 A JP 10865883A JP S60771 A JPS60771 A JP S60771A
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- Japan
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- layer
- region
- schottky barrier
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はショトキ−バリ°アダイオードのベレット構造
に関するものである。
に関するものである。
現在、半導体装置の組立工程において、リード緋の接続
（（は全自動ボンディング装置を使用することが多い。
（（は全自動ボンディング装置を使用することが多い。
かかる装置を使用する際、ベレットの位置、ボンディン
グする位置をセンサーにて認識する必要がある。本発明
はベレット上の酸化膜による検出マーク′ｆｒ：２値化
像で黒と判定し、位置決定を行う方式の全自動ボンディ
ング装置に適用でき、判定の容易なショットキーバリア
ダイオードを提供することにある。
グする位置をセンサーにて認識する必要がある。本発明
はベレット上の酸化膜による検出マーク′ｆｒ：２値化
像で黒と判定し、位置決定を行う方式の全自動ボンディ
ング装置に適用でき、判定の容易なショットキーバリア
ダイオードを提供することにある。
一般に、ショットキーバリアダイオードはバリア金属が
シリコン基板に直接接触している構造をもつため、酸化
膜による検出マークを利用して全自動ボンディングを行
うことは困難である。
シリコン基板に直接接触している構造をもつため、酸化
膜による検出マークを利用して全自動ボンディングを行
うことは困難である。
本発明の目的は、機械的に検出可能な位置検出マークを
備えた半導体装置を提供することにある。
備えた半導体装置を提供することにある。
本発明によれば、−導電型のショットキーバリア領域内
に他の導電型の領域を備え、この他の導電型の領域上に
はショットキーバリア金属を有しないこと全特徴とする
半導体装置を得る。
に他の導電型の領域を備え、この他の導電型の領域上に
はショットキーバリア金属を有しないこと全特徴とする
半導体装置を得る。
次に、図面を参照して本発明をより詳細に説明する。
第１図に示す本発明の一実施例による断面図および第２
図に示す平面図によればｎ 基板１の上にエピタキシャ
ルによシｌΩ・ののｎ ４２ ’に形成した基板全使用
している。この基板にボロン拡散によりＰ＋層を拡散し
、ガードリンク３と検出マーク用Ｐ 層４を同時に拡散
している。基板全表面には酸化膜が成長するかもしくは
新らたに形成されるが、この酸化膜を選択的にエツチン
グし、ショットキバリア形成領域以外に酸化膜層５を残
し、この上にショットキーバリアメタル６を蒸着し、さ
らに電極金属７を蒸着している。式らにベレット周辺お
よび検出マーク用ＰＪＶＪ４の上部金属をエツチング等
により除去して、酸化膜層５を露出している。
図に示す平面図によればｎ 基板１の上にエピタキシャ
ルによシｌΩ・ののｎ ４２ ’に形成した基板全使用
している。この基板にボロン拡散によりＰ＋層を拡散し
、ガードリンク３と検出マーク用Ｐ 層４を同時に拡散
している。基板全表面には酸化膜が成長するかもしくは
新らたに形成されるが、この酸化膜を選択的にエツチン
グし、ショットキバリア形成領域以外に酸化膜層５を残
し、この上にショットキーバリアメタル６を蒸着し、さ
らに電極金属７を蒸着している。式らにベレット周辺お
よび検出マーク用ＰＪＶＪ４の上部金属をエツチング等
により除去して、酸化膜層５を露出している。
この、実施例を上部からみた例が第２図である。
電極金属８の所定部に酸化膜部分５が露出されている。
この実施例では検出マーク用Ｐ 層４はマスク上で直径
１５０μｍの円状であり、酸化膜部分は１２０１１ｍｍ
の円とナッテイル。
１５０μｍの円状であり、酸化膜部分は１２０１１ｍｍ
の円とナッテイル。
本発明によれば、検出マーク用Ｐ 層には酸化膜５が露
出しているので電極金属７とのコント２ストが大きいの
で、機械的に位置検出が十分可能となる。尚、本実施例
では酸化膜５を部分的に露出せしめたが、酸化膜を電極
金属上に部分的に新らたに形成しても良い。
出しているので電極金属７とのコント２ストが大きいの
で、機械的に位置検出が十分可能となる。尚、本実施例
では酸化膜５を部分的に露出せしめたが、酸化膜を電極
金属上に部分的に新らたに形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
＄１図は本発明の一実施例による断面図、第２図はその
平面図である。 １・・・・・・シリコンｎ 基板、２・・・・・・エピ
タキシャルｎｌ−１３・・・・・・Ｐ ガードリング、
４・・・・・・戸検出マーク、訃・・・・・酸化８層、
６・・・・・・ショットキーバリア金属。 ゝ−・
平面図である。 １・・・・・・シリコンｎ 基板、２・・・・・・エピ
タキシャルｎｌ−１３・・・・・・Ｐ ガードリング、
４・・・・・・戸検出マーク、訃・・・・・酸化８層、
６・・・・・・ショットキーバリア金属。 ゝ−・
Claims (1)
- 一導電型のショットキーバリア領域内部の所定部に他の
導電型の領域を・汀し、この他の導電型の領域上に酸化
膜を露出せしめることにより、該露出酸化膜部分′ｆｃ
位置検出マークとしたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10865883A JPS60771A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10865883A JPS60771A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60771A true JPS60771A (ja) | 1985-01-05 |
Family
ID=14490386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10865883A Pending JPS60771A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60771A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014057026A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-03-27 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置 |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP10865883A patent/JPS60771A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014057026A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-03-27 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置 |
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