JPS607352A - 感ガス素子 - Google Patents
感ガス素子Info
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- JPS607352A JPS607352A JP11423283A JP11423283A JPS607352A JP S607352 A JPS607352 A JP S607352A JP 11423283 A JP11423283 A JP 11423283A JP 11423283 A JP11423283 A JP 11423283A JP S607352 A JPS607352 A JP S607352A
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- Japan
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- gas
- gas sensitive
- sensitivity
- substrate
- thin film
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は感ガス素子、特に触媒層を有する感ガス素子に
関する。
関する。
従来から、各種のガスに接触して抵抗値の変化する例え
ば５ｎ０２系酸化物半専体等のガス感応体を用いた感ガ
ス素子について各種の研究がなされている。このような
急ガス素子におＶ・ては、ガスに対する検出７％［をあ
げるため等の目的で触媒を用いるが、この触媒を用いる
感ガス素子の１つの構造として、ガス感応体上に触媒層
を設けたものがある。
ば５ｎ０２系酸化物半専体等のガス感応体を用いた感ガ
ス素子について各種の研究がなされている。このような
急ガス素子におＶ・ては、ガスに対する検出７％［をあ
げるため等の目的で触媒を用いるが、この触媒を用いる
感ガス素子の１つの構造として、ガス感応体上に触媒層
を設けたものがある。
このような触媒層として―、一般にＡｌ２Ｏ３等の担体
にＰｔ、Ｐｄ等の貴金属触媒金属を混入した厚膜が用い
られている。
にＰｔ、Ｐｄ等の貴金属触媒金属を混入した厚膜が用い
られている。
このように触媒層を形成した場合、カス感度は向上する
ものの、測定雰囲気中の温度の影響をうける場合があり
、特に高温中に長時間放置した場合使用動作温度によっ
ては、感度が低下してしまうという問題点がある。特に
ｃｏ等低娘度で人体に悪影響を及ぼすガスを測定対象と
する場合には大きな問題でおりＩ耐湿性に擾れた感ガス
素子への要求が高まっている。
ものの、測定雰囲気中の温度の影響をうける場合があり
、特に高温中に長時間放置した場合使用動作温度によっ
ては、感度が低下してしまうという問題点がある。特に
ｃｏ等低娘度で人体に悪影響を及ぼすガスを測定対象と
する場合には大きな問題でおりＩ耐湿性に擾れた感ガス
素子への要求が高まっている。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、耐湿性に
優れ、かつｃｏ高感度の感ガス素子を提供することを目
的とする。
優れ、かつｃｏ高感度の感ガス素子を提供することを目
的とする。
本発明は、基板と、この基板上に設けられ測定対象ガス
に接触して抵抗値の変化するガス感応体と、このガス感
応体に設けられた一対の電極と、このガス感応体表面に
設けられた、酸化アルミニウムに硫酸銅が担持されてな
る触媒層とを具備したことを特徴とする感ガス素子であ
る。
に接触して抵抗値の変化するガス感応体と、このガス感
応体に設けられた一対の電極と、このガス感応体表面に
設けられた、酸化アルミニウムに硫酸銅が担持されてな
る触媒層とを具備したことを特徴とする感ガス素子であ
る。
本発明において基板としてはＡｌ２Ｏ３等のセラミック
基板等の耐熱性かつ絶縁性の基板を用い、電極としては
Ａｕ、Ｐｔ等を用い、スクリーン印刷法、スパッタリン
グ法、蒸着法等により形成する。この電極はガス感応体
上で対向して設けられ、ガス感応体と基板との間、ガス
感応体と触媒層との間どちらに設けても良い。また基板
は円筒状のものを用い、その外周面にガス感応体を形成
しても良いし、平板状のものでよい。
基板等の耐熱性かつ絶縁性の基板を用い、電極としては
Ａｕ、Ｐｔ等を用い、スクリーン印刷法、スパッタリン
グ法、蒸着法等により形成する。この電極はガス感応体
上で対向して設けられ、ガス感応体と基板との間、ガス
感応体と触媒層との間どちらに設けても良い。また基板
は円筒状のものを用い、その外周面にガス感応体を形成
しても良いし、平板状のものでよい。
また測定対象ガスはＣＯ等の還元性ガスでありガス感応
体としては、一般に用いられる５ｎ０２系、Ｉｎ２Ｏ３
系％ Ｆｅ２Ｑ３系等の測定対象ガスに接触してその抵
抗値の変化するｉ技化物半導体を用いる。この５ｎ０２
系、Ｉｎ２Ｏ３系、Ｆｅ２Ｏ３系酸化物半導体は、それ
ぞれ５ｎＯｚ 、Ｉｎ２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし
、必要に応じＮｂ”、Ｓｂ ３＋、Ｓｂ”＠の副成分が
添加されたものである。このガス感応体は、スパッタリ
ング法、蒸着法、塗布焼結、有機化合物の熱分納９等に
より形成きれる。しかしながら、ガス感度、再現性、耐
久性等から、スパッタリング法、熱分解法等を用いた薄
膜でガス感応体を構成することが好捷しい。またガス感
度等の点から５ｎ０２系を用いる方が好ましい。
体としては、一般に用いられる５ｎ０２系、Ｉｎ２Ｏ３
系％ Ｆｅ２Ｑ３系等の測定対象ガスに接触してその抵
抗値の変化するｉ技化物半導体を用いる。この５ｎ０２
系、Ｉｎ２Ｏ３系、Ｆｅ２Ｏ３系酸化物半導体は、それ
ぞれ５ｎＯｚ 、Ｉｎ２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし
、必要に応じＮｂ”、Ｓｂ ３＋、Ｓｂ”＠の副成分が
添加されたものである。このガス感応体は、スパッタリ
ング法、蒸着法、塗布焼結、有機化合物の熱分納９等に
より形成きれる。しかしながら、ガス感度、再現性、耐
久性等から、スパッタリング法、熱分解法等を用いた薄
膜でガス感応体を構成することが好捷しい。またガス感
度等の点から５ｎ０２系を用いる方が好ましい。
さらに、熱分解法によれば基板の形状にょｈず均一な薄
膜を容易に得ることができ、この薄膜３は例えば次のよ
うにして作成される。
膜を容易に得ることができ、この薄膜３は例えば次のよ
うにして作成される。
まず、スズの金属石鹸（例えば２−エチルヘキサン酸ス
ズ）あるいは、Ｓｎを含有する樹脂塩、スズのアルコキ
シド１迫Ｓｎ ：ただし、Ｒはアルキル基）、さらには
スズの有機金属化合物（Ｒ８ｎ：ただし、Ｒはアルキル
基あるいはアリール基）などのＳｎを含有する有機化合
物又は、これにＮｂあるいはｓｂを含有する有機化合物
を所定量添加した混合物ヲトルエン、ベンゼン、ｎ−ブ
チルアルフールなどの適宜な溶剤を用いて溶解し、Ｓｎ
の所定濃度の試料溶液をＡ製する。Ｓｎ＆ａ度は１．０
〜２０重量係の範囲にあることが好咬しい。
ズ）あるいは、Ｓｎを含有する樹脂塩、スズのアルコキ
シド１迫Ｓｎ ：ただし、Ｒはアルキル基）、さらには
スズの有機金属化合物（Ｒ８ｎ：ただし、Ｒはアルキル
基あるいはアリール基）などのＳｎを含有する有機化合
物又は、これにＮｂあるいはｓｂを含有する有機化合物
を所定量添加した混合物ヲトルエン、ベンゼン、ｎ−ブ
チルアルフールなどの適宜な溶剤を用いて溶解し、Ｓｎ
の所定濃度の試料溶液をＡ製する。Ｓｎ＆ａ度は１．０
〜２０重量係の範囲にあることが好咬しい。
つぎに、この試料容液を一対の４極を有する基板に塗布
し、空気中で所定時間（通常３０分〜１時間）放Ｉｆｆ
、 した後、適宜な温度（通常約１２０°Ｃ）に加熱し
て用いた溶剤を気化せしめる。しかる後に、全体を空気
中で３０分〜１時間に亘り４００〜７００°Ｃの温度で
焼成すると、Ｓｎを含有する有機化合物は熱分解しあわ
せてＳｎは酸化されて、ここに５ｎ０２薄膜が形成され
る。用いる試料溶液のＳｎｉ度によって異なり一義的に
は定められないが、この塗布−焼成の工程を１〜４回程
度反復して所定の膜厚の５ｎ０２薄膜が形成される。
し、空気中で所定時間（通常３０分〜１時間）放Ｉｆｆ
、 した後、適宜な温度（通常約１２０°Ｃ）に加熱し
て用いた溶剤を気化せしめる。しかる後に、全体を空気
中で３０分〜１時間に亘り４００〜７００°Ｃの温度で
焼成すると、Ｓｎを含有する有機化合物は熱分解しあわ
せてＳｎは酸化されて、ここに５ｎ０２薄膜が形成され
る。用いる試料溶液のＳｎｉ度によって異なり一義的に
は定められないが、この塗布−焼成の工程を１〜４回程
度反復して所定の膜厚の５ｎ０２薄膜が形成される。
不純物としてＮｂ、Ｓｂを添加した薄膜３を作成した場
合、このとき、Ｎｂ、Ｓｂはいずれもドナーとして機能
する。Ｎｂ、Ｓｂは、Ｓｎに対する原子比（Ｎｂ／Ｓｎ
又はＳｂ／Ｓｎ）で０００５〜０．０５の範囲内の量で
あることが好ましい。
合、このとき、Ｎｂ、Ｓｂはいずれもドナーとして機能
する。Ｎｂ、Ｓｂは、Ｓｎに対する原子比（Ｎｂ／Ｓｎ
又はＳｂ／Ｓｎ）で０００５〜０．０５の範囲内の量で
あることが好ましい。
次に触媒層について述べる。
本発明においては、酸化アルミニウム（Ａ１２０３）に
硫酸銅（Ｃｕ５Ｏ４）が担持された触媒層を用い、この
触媒層は例えば次のようにして製造される。
硫酸銅（Ｃｕ５Ｏ４）が担持された触媒層を用い、この
触媒層は例えば次のようにして製造される。
まず結晶硫酸銅（Ｃｕ５Ｏ，ｉ・５Ｈ２０）の水溶液に
所定の割合でＡｌ２Ｏ３を浸漬する。充分に攪拌混合の
後、１〜２時間減圧乾燥し、更に１００’（］で加熱乾
燥する。その後乳鉢で粉砕等の方法で粉末として、石英
ルツボに入れて４００〜６００ ’０の温度で焼成する
。
所定の割合でＡｌ２Ｏ３を浸漬する。充分に攪拌混合の
後、１〜２時間減圧乾燥し、更に１００’（］で加熱乾
燥する。その後乳鉢で粉砕等の方法で粉末として、石英
ルツボに入れて４００〜６００ ’０の温度で焼成する
。
このように調整された触媒をバインダとしての例えばア
ルミニウムヒドロキシクロライド等の水浴液を用いて泥
漿とし、この泥漿をガス感応体上に所定の厚みで塗布乾
燥し、その後４００〜５００ ’（］で焼成して触媒層
を形成する。Ｃｕ５Ｏ，＋の分解温度は約６５０°Ｃで
９ので、この温度以下、例えば６００°０以下で行なう
ことが好ましい。
ルミニウムヒドロキシクロライド等の水浴液を用いて泥
漿とし、この泥漿をガス感応体上に所定の厚みで塗布乾
燥し、その後４００〜５００ ’（］で焼成して触媒層
を形成する。Ｃｕ５Ｏ，＋の分解温度は約６５０°Ｃで
９ので、この温度以下、例えば６００°０以下で行なう
ことが好ましい。
この触媒（Ｃｕ５Ｏ４）の担持量は銅（Ｃｕ）に換算し
て、 Ａｌ２Ｏ３担体に対し、０．１〜３０重量係の範
囲が好ましい。この範囲をはずれると、感度向上にあま
シ効果がない。
て、 Ａｌ２Ｏ３担体に対し、０．１〜３０重量係の範
囲が好ましい。この範囲をはずれると、感度向上にあま
シ効果がない。
ここで、薄膜の膜厚は１ｏｏｏＸ〜１μｍの範囲にある
ことが好ましく、該膜厚が１μｍを超えるとその還元性
ガスに対する感度が低下し、まだ１０００Ａより小さい
場合には、感度が以下すると同時にそのバラツキが大き
くなる。更に厚膜触媒層の厚みは１０〜５０μｍの範囲
にあることが好ましく、この範囲を外れると感度、選択
性等の触媒効果が低下する。
ことが好ましく、該膜厚が１μｍを超えるとその還元性
ガスに対する感度が低下し、まだ１０００Ａより小さい
場合には、感度が以下すると同時にそのバラツキが大き
くなる。更に厚膜触媒層の厚みは１０〜５０μｍの範囲
にあることが好ましく、この範囲を外れると感度、選択
性等の触媒効果が低下する。
本発明においては、このようにＣｕＳＯ４がＡｌ２Ｏ３
に担持された触媒層を用いることによシ、感度が増大す
るとともに、耐湿性が非常に向上する。
に担持された触媒層を用いることによシ、感度が増大す
るとともに、耐湿性が非常に向上する。
これは硫酸銅の触媒効果に加え、ＣｕＳＯ４はを気中の
水分を吸収し、５水塩となシ、加熱すると無水塩となる
性質があるため、感ガス素子に対する湿度の影響を抑え
ることができるためと考えられる。また担持層としては
５ｉ０２等を用いることも考えられるが＃湿性の面から
Ａｌ２Ｏ３が最適である。
水分を吸収し、５水塩となシ、加熱すると無水塩となる
性質があるため、感ガス素子に対する湿度の影響を抑え
ることができるためと考えられる。また担持層としては
５ｉ０２等を用いることも考えられるが＃湿性の面から
Ａｌ２Ｏ３が最適である。
まだ一般に感ガス素子は、ガス応答性改善、ガス選択性
を得るためヒータを具備し、動作温度を制御するが、例
えば円筒状の基板を用いた場合はその内部にヒーターを
配置してもよいし、平板状の場合は、ガス感応体を形成
した面の裏面、または絶縁体面を介してガス感応体の下
層に配置することもできる。
を得るためヒータを具備し、動作温度を制御するが、例
えば円筒状の基板を用いた場合はその内部にヒーターを
配置してもよいし、平板状の場合は、ガス感応体を形成
した面の裏面、または絶縁体面を介してガス感応体の下
層に配置することもできる。
以上説明したように不発明によれば感度、耐湿性ともに
向上し、特に１湿性、ＣＯ感度にすぐれた感ガス素子を
得ることができる。
向上し、特に１湿性、ＣＯ感度にすぐれた感ガス素子を
得ることができる。
本発明の実施例を以下に説明する。第１図は本発明の感
ガス素子を示す断面図、第２図は本発明の感ガス素子を
示す斜視図である。
ガス素子を示す断面図、第２図は本発明の感ガス素子を
示す斜視図である。
■）ガス感応体の形成
２−エチルヘキサン酸スズをＳｎの含有量が１０重量％
となるようにｎ−ブタノールに溶解して試料溶液を調製
した。さらに、不純物として用いだＮｂ 、Ｓｂに関し
ては各々、 Ｎｂ−レジネート、アンチモニイｎ−ブｆ
Ｌ／ ）（（ｎ−０ＣＪｉ９）３ｓｂ） ヲ用イ、Ｓ
ｎに対する原子比で各々ｏｌとなるように溶液を調製し
た。
となるようにｎ−ブタノールに溶解して試料溶液を調製
した。さらに、不純物として用いだＮｂ 、Ｓｂに関し
ては各々、 Ｎｂ−レジネート、アンチモニイｎ−ブｆ
Ｌ／ ）（（ｎ−０ＣＪｉ９）３ｓｂ） ヲ用イ、Ｓ
ｎに対する原子比で各々ｏｌとなるように溶液を調製し
た。
これを、菓１図に示したような、一対の電極２を予め設
けた基板１の筒の外側表面に塗布して空気中に１時間放
置した後、１２０℃に加熱してｎ−ブタノールを気化せ
しめた。ついで全体を４００°Ｃ１時間空気中で焼成し
た。この塗布−焼成の工程を３回反復して厚み約０．３
μｍのＳｎＯ２薄膜からなるノＪス１ニク応体（３）を
形成した。
けた基板１の筒の外側表面に塗布して空気中に１時間放
置した後、１２０℃に加熱してｎ−ブタノールを気化せ
しめた。ついで全体を４００°Ｃ１時間空気中で焼成し
た。この塗布−焼成の工程を３回反復して厚み約０．３
μｍのＳｎＯ２薄膜からなるノＪス１ニク応体（３）を
形成した。
２）触媒層の形成
ＣｕＳＯ４、５Ｈ２０を水に溶解してＣｕ、 ２．ＯＭ
量−の水溶液を調整した。ここに、表面積約１００ゴ／
ｇのＡｌ２Ｏ３微粉を浸漬し光分攪拌した。Ａｌ２Ｏ３
微粉を戸別し１．５時間減圧乾燥して水分を除去した後
、蒸発乾固した。ついで、乳鉢で粉砕し、得られた粉末
を石英ルツボの中に入れて４００°Ｑで焼成した。
量−の水溶液を調整した。ここに、表面積約１００ゴ／
ｇのＡｌ２Ｏ３微粉を浸漬し光分攪拌した。Ａｌ２Ｏ３
微粉を戸別し１．５時間減圧乾燥して水分を除去した後
、蒸発乾固した。ついで、乳鉢で粉砕し、得られた粉末
を石英ルツボの中に入れて４００°Ｑで焼成した。
この触媒の粉末をアルミニウムヒドロキシクロライド水
溶液（ＡｄｚＯ３１％）の中に入れて泥漿とした。この
泥漿を、５ｎＯｚ薄膜の上に塗布した後、乾燥し、全体
を４００°Ｃで焼成した。厚み２０μｍのＣｕＳＯ４担
持Ａｎ２０３の触媒層４が形成された。
溶液（ＡｄｚＯ３１％）の中に入れて泥漿とした。この
泥漿を、５ｎＯｚ薄膜の上に塗布した後、乾燥し、全体
を４００°Ｃで焼成した。厚み２０μｍのＣｕＳＯ４担
持Ａｎ２０３の触媒層４が形成された。
このように構成された感ガス素子は、第２図に示したよ
うに絶縁板５に立設されたピン６の上に他と接触しない
状態に取付けて保持されガス検知装置を構成する。図中
７は電極用のリード線、８はヒータを表わし、該ヒータ
８は、素子の表面温肌（動作温度）を調整するだめに用
いられる。
うに絶縁板５に立設されたピン６の上に他と接触しない
状態に取付けて保持されガス検知装置を構成する。図中
７は電極用のリード線、８はヒータを表わし、該ヒータ
８は、素子の表面温肌（動作温度）を調整するだめに用
いられる。
３ｊ感度特性の測定
以上のようにして製造した本発明の感ガス素子を用いて
温度２００ ｐｐｍのＣＯ・Ｈ２，Ｃ３Ｈ８のガスに対
し、素子の動作温度に関する感度をＲａ１ｒ／Ｒｇａｓ
として測定した。ここで、Ｒａｆｔは測定ガスを含まな
い空気中において素子が示しだ抵抗値であり、Ｒｇａｓ
は上記ガスをそれぞれの濃液含有する空気中において素
子が示した抵抗値である。Ｒ，ａ ｉ ｒ ／Ｒｇａ
ｓが大きい程、高感度であることを慈味する。
温度２００ ｐｐｍのＣＯ・Ｈ２，Ｃ３Ｈ８のガスに対
し、素子の動作温度に関する感度をＲａ１ｒ／Ｒｇａｓ
として測定した。ここで、Ｒａｆｔは測定ガスを含まな
い空気中において素子が示しだ抵抗値であり、Ｒｇａｓ
は上記ガスをそれぞれの濃液含有する空気中において素
子が示した抵抗値である。Ｒ，ａ ｉ ｒ ／Ｒｇａ
ｓが大きい程、高感度であることを慈味する。
その結果を第１表に示した。半導体組成がＳｎＯ２＋５
ｎＯｚ−Ｎｂ、５ｎＯ２−３ｂの場合の感度％性、さら
に前記半導体に対して、 Ｃｕ担持量が１．０ 、１０
．０ 。
ｎＯｚ−Ｎｂ、５ｎＯ２−３ｂの場合の感度％性、さら
に前記半導体に対して、 Ｃｕ担持量が１．０ 、１０
．０ 。
２０、 Ｏｗｔ％のＣｕ５Ｏ４−Ａｄ２０ａ触媒を用い
た場合の感度特性を示した。なお索子温度は３５０ ’
０としだ。
た場合の感度特性を示した。なお索子温度は３５０ ’
０としだ。
以下余白
第１表よυ明らかなように、半導体のみを備えた素子の
感度は低く、本発明に係る触媒を用いた場合には感度が
増大する。また、本素子は、Ｃ０１Ｈ２、１ｓｏ−Ｃ４
Ｈｔｏに対する感度がほぼ同程度であることも特徴的で
ある。Ｃｕ担持量が１．０ｗｔ％および２０ｗｔ％の場
合は１０ｗｔ％の場合より感度が低下する傾向にるる。
感度は低く、本発明に係る触媒を用いた場合には感度が
増大する。また、本素子は、Ｃ０１Ｈ２、１ｓｏ−Ｃ４
Ｈｔｏに対する感度がほぼ同程度であることも特徴的で
ある。Ｃｕ担持量が１．０ｗｔ％および２０ｗｔ％の場
合は１０ｗｔ％の場合より感度が低下する傾向にるる。
また、第３図には、５ｎ０２−Ｎｂ系半導体と、Ｃｕ５
Ｏ４−Ａ１２０３ （Ｃｕ；１．０ｗｔ％）触媒を用い
た５ｎＯｚ−Ｎｂ系半導体素子を４０”０−９０１徂チ
中に２週間放置した場合の空気中の抵抗値およびＣｏ、
２００ｐｐｍ中での抵抗値変化を示した。第３図から明
らかなように、半導体のみを備えた感ガス素子（比較例
−１）は放置後高抵抗化しているが、本発明におけるＣ
ｕ５Ｏ４−Ａｌｚ０３触媒を用いた素子は全く抵抗変化
を示しておらず、高温高温中放置による影響？受けない
ことがわかる。
Ｏ４−Ａ１２０３ （Ｃｕ；１．０ｗｔ％）触媒を用い
た５ｎＯｚ−Ｎｂ系半導体素子を４０”０−９０１徂チ
中に２週間放置した場合の空気中の抵抗値およびＣｏ、
２００ｐｐｍ中での抵抗値変化を示した。第３図から明
らかなように、半導体のみを備えた感ガス素子（比較例
−１）は放置後高抵抗化しているが、本発明におけるＣ
ｕ５Ｏ４−Ａｌｚ０３触媒を用いた素子は全く抵抗変化
を示しておらず、高温高温中放置による影響？受けない
ことがわかる。
また比較例′７２としてＲｈ（１，Ｏｗｔ ％ ） Ａ
／ｚｏ３触媒を用いた以外は第３図に示した場合と同様
にして形成した感ガス素子の高温中放置試験の結果を第
４図に示した。動作温度３５０°Ｃで感度測定を行なっ
た場合第４図に示しだ如く、高温中に放置後、抵抗値が
高抵抗となシ、かつＣＯ熱感度低下することがわかる。
／ｚｏ３触媒を用いた以外は第３図に示した場合と同様
にして形成した感ガス素子の高温中放置試験の結果を第
４図に示した。動作温度３５０°Ｃで感度測定を行なっ
た場合第４図に示しだ如く、高温中に放置後、抵抗値が
高抵抗となシ、かつＣＯ熱感度低下することがわかる。
以上の説明のように、本発明に係るガス検知素子は低鋲
度の還元性ガス（Ｇｏ、Ｈ２，１ｓｏ−Ｃ４Ｈ１０）に
高感度をまし、萬温高湿中に放置しても、感度低下現象
のないガス検知ズ―子である。従って、連続的使用かつ
断続的使用にも適応するガス検知素子でしる。
度の還元性ガス（Ｇｏ、Ｈ２，１ｓｏ−Ｃ４Ｈ１０）に
高感度をまし、萬温高湿中に放置しても、感度低下現象
のないガス検知ズ―子である。従って、連続的使用かつ
断続的使用にも適応するガス検知素子でしる。
第１図は、本発明感ガス素子のｆｉｓｌ’１ｅｆｉｉ図
、第２図は、該素子を組立てて成るガス検知装置の斜視
図である。第３図及び第４図は、抵抗液化特性図。 １・・・基板、２・・・螺接、３・・・ガス感応体、４
・・・触媒ノー。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （はか１名） 第 １ 図 第８図 第４図 ′Ｂ敷 ３０
、第２図は、該素子を組立てて成るガス検知装置の斜視
図である。第３図及び第４図は、抵抗液化特性図。 １・・・基板、２・・・螺接、３・・・ガス感応体、４
・・・触媒ノー。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （はか１名） 第 １ 図 第８図 第４図 ′Ｂ敷 ３０
Claims (1)
- 基板と、この基板上に設けられ測定対象ガスに接触して
抵抗値の変化するガス感応体と、このガス感応体に設け
られた一対の電極と、このガス感応体表面に設けられた
。酸化アルミニウムに硫酸銅が担持されてなる触媒層と
を具備したことを特徴とする感ガス素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11423283A JPS607352A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 感ガス素子 |
| DE8484304357T DE3469596D1 (en) | 1983-06-27 | 1984-06-27 | Gas detecting element |
| US06/625,127 US4569826A (en) | 1983-06-27 | 1984-06-27 | Gas detecting element |
| EP84304357A EP0130785B1 (en) | 1983-06-27 | 1984-06-27 | Gas detecting element |
| KR1019840003650A KR870001258B1 (ko) | 1983-06-27 | 1984-06-27 | 감가스소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11423283A JPS607352A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 感ガス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607352A true JPS607352A (ja) | 1985-01-16 |
| JPH0259948B2 JPH0259948B2 (ja) | 1990-12-13 |
Family
ID=14632553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11423283A Granted JPS607352A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 感ガス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607352A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015516071A (ja) * | 2012-04-30 | 2015-06-04 | カウンシル オブ サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ | 呼気中アセトン検出用センサ組成物 |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP11423283A patent/JPS607352A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015516071A (ja) * | 2012-04-30 | 2015-06-04 | カウンシル オブ サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ | 呼気中アセトン検出用センサ組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0259948B2 (ja) | 1990-12-13 |
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