JPS60731A - イオン打込み方法 - Google Patents
イオン打込み方法Info
- Publication number
- JPS60731A JPS60731A JP10767983A JP10767983A JPS60731A JP S60731 A JPS60731 A JP S60731A JP 10767983 A JP10767983 A JP 10767983A JP 10767983 A JP10767983 A JP 10767983A JP S60731 A JPS60731 A JP S60731A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- ion implantation
- implanted
- ions
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims description 29
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract description 7
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 abstract 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はイオン打込み方法に関し、詳しくは、イオンマ
イクロビームによって基板に直接イオン打込みを行なう
に際し、ビームの走査速度を変えることによシ打込みイ
オンの濃度分布を制御するイオン打込み方法に関するも
のである。
イクロビームによって基板に直接イオン打込みを行なう
に際し、ビームの走査速度を変えることによシ打込みイ
オンの濃度分布を制御するイオン打込み方法に関するも
のである。
従来のイオン打込み方法の概略を第１図によって説明す
る。
る。
従来、半導体装置などのイオン打込みに用いられたイオ
ンビーム１は、その径が数ｍもあり、そのままでは所望
部分のみに選択的にイオン打込みできないので、打込み
領域の設定は、イオンを打込むべき基板２の上にマスク
３を設けることにより行なわれていた。半導体装置の製
造において、打込み領域１０の最小幅は、はぼ、数μｍ
であるが、このような小さな場所内で、打込みイオンの
濃度分布を変化させることは極めて困嬌である。
ンビーム１は、その径が数ｍもあり、そのままでは所望
部分のみに選択的にイオン打込みできないので、打込み
領域の設定は、イオンを打込むべき基板２の上にマスク
３を設けることにより行なわれていた。半導体装置の製
造において、打込み領域１０の最小幅は、はぼ、数μｍ
であるが、このような小さな場所内で、打込みイオンの
濃度分布を変化させることは極めて困嬌である。
従来のイオン濃度分布を変える方法を第２図および第３
図に示す。
図に示す。
第２図（ａ）、 （ｂ）は、２回打込みにより、イオン
濃度を２種類に変えたもので、まずマスク３を用いる第
１回のイオン打込みによって第１のイオン打込領域１０
を形成した後、異なるマスク３′を用いる第２のイオン
打込みにより、第２のイオン打込み領域１１を形成する
。第３図は厚さが部分的に異なるマスク３“を用いるこ
とにより、打込みイオンのマスク透過率を変え、打込み
領域１０゜１１の濃度分布を変える方法である。上記第
２図に示した方法では、基板上のマスク形成とイオン打
込みの工程をそれぞれ２回ずつ行なう必要でちゃ、第３
図に示した方法では、イオン打込みの工程は一回でよい
が、マスクの厚さを変えるための煩雑なマスク製作工程
が必要になる。
濃度を２種類に変えたもので、まずマスク３を用いる第
１回のイオン打込みによって第１のイオン打込領域１０
を形成した後、異なるマスク３′を用いる第２のイオン
打込みにより、第２のイオン打込み領域１１を形成する
。第３図は厚さが部分的に異なるマスク３“を用いるこ
とにより、打込みイオンのマスク透過率を変え、打込み
領域１０゜１１の濃度分布を変える方法である。上記第
２図に示した方法では、基板上のマスク形成とイオン打
込みの工程をそれぞれ２回ずつ行なう必要でちゃ、第３
図に示した方法では、イオン打込みの工程は一回でよい
が、マスクの厚さを変えるための煩雑なマスク製作工程
が必要になる。
この方法ではマスクを通過してくるイオンのエネルギー
がマスクの厚さの関数となるため、マスクの厚さによっ
て、単にイオン濃度分布が変わるばかシでなく、打込み
領域１０．１１の深さ分布も同時に変わってしまう。
がマスクの厚さの関数となるため、マスクの厚さによっ
て、単にイオン濃度分布が変わるばかシでなく、打込み
領域１０．１１の深さ分布も同時に変わってしまう。
いずれの方法でも、打込みイオン濃度を多種類悪くなる
ので、半導体装置の良品歩留りは、マスク枚数とともに
指数関数的に低下するという欠点があった。また、マス
ク加工や位置合せの精度から、打込みイオンの濃度分布
の制御の位置精度は、約０．５μｍＫ制限されていた。
ので、半導体装置の良品歩留りは、マスク枚数とともに
指数関数的に低下するという欠点があった。また、マス
ク加工や位置合せの精度から、打込みイオンの濃度分布
の制御の位置精度は、約０．５μｍＫ制限されていた。
□〔発明の目的〕
本発明の目的は、従来のイオン打込み方法の有する上記
問題を解決し、所望濃度分布を有するイオン打込み領域
をマスクを用いることなしに、極めて高い精度で形成す
ることのできるイオン打込み方法を提供することにある
。
問題を解決し、所望濃度分布を有するイオン打込み領域
をマスクを用いることなしに、極めて高い精度で形成す
ることのできるイオン打込み方法を提供することにある
。
上記目的を達成するため、本発明は、直径はぼ１μｍ以
下のマイクロイオンビームを用いて、走査速度を変えな
がら、マスクを用いることなしに、基板の所望領域にイ
オン打込みすることにより、上記所望領域に、所望濃度
分布を有するイオン打込み領域を形成するものである。
下のマイクロイオンビームを用いて、走査速度を変えな
がら、マスクを用いることなしに、基板の所望領域にイ
オン打込みすることにより、上記所望領域に、所望濃度
分布を有するイオン打込み領域を形成するものである。
以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
本実施例において使用したイオンマイクロビーム装置の
基本構成を第４図に模式的に示す。高輝度イオン源４と
しては、溶融金属から強電界でイオンを生成する液体金
属イオン源を使用することができ、本実施例では、ボロ
ン（Ｂ）イオン打込みを目的としているので、イオン化
物質としてＮｉＢ系合金を用いた。ビーム制御系５は、
イオン源４からの引出しビームを集束、偏向するだけで
なく、打込みビームの純化を行なうだめに、Ｂ”ビーム
のみを選択的に取出すことのできる質量分離機能を持っ
ている。イオンマイクロビーム６の基板２上での走査領
域は、２００Ｘ２００μｍ２であｐ、試料微動制御系７
により、２００μｍずつステップ状に移動させていくこ
とによシ、基板２上の任意の場所に打込みが可能である
。Ｂ＋ビームの加速エネルギーは、３０ＫｅＶ、ビーム
径ｄはＱ、２μｍ、電流密度Ｊは、約０．Ｉ Ａ／ｌ−
とした。
基本構成を第４図に模式的に示す。高輝度イオン源４と
しては、溶融金属から強電界でイオンを生成する液体金
属イオン源を使用することができ、本実施例では、ボロ
ン（Ｂ）イオン打込みを目的としているので、イオン化
物質としてＮｉＢ系合金を用いた。ビーム制御系５は、
イオン源４からの引出しビームを集束、偏向するだけで
なく、打込みビームの純化を行なうだめに、Ｂ”ビーム
のみを選択的に取出すことのできる質量分離機能を持っ
ている。イオンマイクロビーム６の基板２上での走査領
域は、２００Ｘ２００μｍ２であｐ、試料微動制御系７
により、２００μｍずつステップ状に移動させていくこ
とによシ、基板２上の任意の場所に打込みが可能である
。Ｂ＋ビームの加速エネルギーは、３０ＫｅＶ、ビーム
径ｄはＱ、２μｍ、電流密度Ｊは、約０．Ｉ Ａ／ｌ−
とした。
つぎに、本発明によってＳｉ基板にＢ０イオンを打込み
、打込み濃度が部分的に異なる打込み領域を形成した実
施例を第５図を用いて説明する。
、打込み濃度が部分的に異なる打込み領域を形成した実
施例を第５図を用いて説明する。
イオン打込み領域のＸおよびｙ軸方向の寸法はそれぞれ
２μｍおよび５０μｍとした。第５図（ａ）の場合の濃
度分布は、第５図（Ｃ）に示したように、Ｘ軸方向のみ
につけられ、ｙ軸方向は同一である。
２μｍおよび５０μｍとした。第５図（ａ）の場合の濃
度分布は、第５図（Ｃ）に示したように、Ｘ軸方向のみ
につけられ、ｙ軸方向は同一である。
同様に第５図（ｂ）の場合は、ｙ軸方向に濃度分布がつ
けられ、Ｘ軸方向は均一である。第５図において、この
ような濃度分布をつけるだめのビーム走査方法として、
本実施例では２種類の走査方法を採用した。両者をそれ
ぞれ第５図（ａ）および（ｂ）を用いて説明する。ビー
ム６のＸ軸およびｙ軸方向の丈 走査速度をそれぞれＶ、、Ｖ、とすると、第４図り （ａ）の場合は、Ｖ工＝可変、Ｖア；一定とし、第４図
（ｂ）の場合は、Ｖ工＝一定、Ｖア＝可変として走査し
たものである。ビームの断面形状をｄ〔μｍ〕角、角状
ビーム断面での電流密度を一様であると近似すると、ビ
ームの走査速度Ｖ Ｃ＝ （Ｖ ｘ”＋Ｖｙ２）ｌ／２
］ｃｍ／ 圓と打込みイオン濃度Ｄ １ｏｎｓ／ｉとの
間には、下記式（１）で表わされる関係が成立すること
が見出された。
けられ、Ｘ軸方向は均一である。第５図において、この
ような濃度分布をつけるだめのビーム走査方法として、
本実施例では２種類の走査方法を採用した。両者をそれ
ぞれ第５図（ａ）および（ｂ）を用いて説明する。ビー
ム６のＸ軸およびｙ軸方向の丈 走査速度をそれぞれＶ、、Ｖ、とすると、第４図り （ａ）の場合は、Ｖ工＝可変、Ｖア；一定とし、第４図
（ｂ）の場合は、Ｖ工＝一定、Ｖア＝可変として走査し
たものである。ビームの断面形状をｄ〔μｍ〕角、角状
ビーム断面での電流密度を一様であると近似すると、ビ
ームの走査速度Ｖ Ｃ＝ （Ｖ ｘ”＋Ｖｙ２）ｌ／２
］ｃｍ／ 圓と打込みイオン濃度Ｄ １ｏｎｓ／ｉとの
間には、下記式（１）で表わされる関係が成立すること
が見出された。
Ｄ＝６．２５ｘ１０”ＪＣＡ／ｃｎｉ’〕・ｄｃｔｆｎ
：／Ｖ〔ｃｒｖ’８ｅＣ〕・（１）従って、イオンビー
ムの走査速度を所望の速度で変えて走査を行なうことに
ょシ、所望の濃度分布を有するイオン打込み領域を形成
することが可能である。
：／Ｖ〔ｃｒｖ’８ｅＣ〕・（１）従って、イオンビー
ムの走査速度を所望の速度で変えて走査を行なうことに
ょシ、所望の濃度分布を有するイオン打込み領域を形成
することが可能である。
本実施例ではＪ ＝０． Ｉ Ａ／ｃｒｌ 、 ｄ ＝
０．２ ｐｍとしたので、例えばＶ＝２７〜智 とすれ
ば、Ｄ＝５Ｘ１０’ ３ｉｏｎＳ／ＣｎＰ となった。
０．２ ｐｍとしたので、例えばＶ＝２７〜智 とすれ
ば、Ｄ＝５Ｘ１０’ ３ｉｏｎＳ／ＣｎＰ となった。
この結果はビームの描画方法が一筆書きの場合に対応し
ている。同様な結果は、重ね書き、例えば、２回の重ね
書きではＶを２倍の５４〜儀にすることにより得られた
。第５図（ａ）、 （ｂ）のいずれの場合でも、Ｖｙ／
Ｖｘ−５０〜５００の範囲で走査を行なった。
ている。同様な結果は、重ね書き、例えば、２回の重ね
書きではＶを２倍の５４〜儀にすることにより得られた
。第５図（ａ）、 （ｂ）のいずれの場合でも、Ｖｙ／
Ｖｘ−５０〜５００の範囲で走査を行なった。
本発明において、打込みに使用されるイオンビームの直
径は種々の値に設定することが可能であるが、特にほぼ
１μｍ程度以下にすることによって、極めて微小な領域
内に濃度分布を形成することが可能であシ、従来のイオ
ン打込み方法では形成が不可能であった全く新しい構造
の半導体装置の形成が可能になった。
径は種々の値に設定することが可能であるが、特にほぼ
１μｍ程度以下にすることによって、極めて微小な領域
内に濃度分布を形成することが可能であシ、従来のイオ
ン打込み方法では形成が不可能であった全く新しい構造
の半導体装置の形成が可能になった。
イオン打込みされる領域がやや大きかったり、あるいは
打込み領域の形成速度を大にするときは、ビームの直径
を上記値より若干大きくすればよいことはいうまでもな
い。
打込み領域の形成速度を大にするときは、ビームの直径
を上記値より若干大きくすればよいことはいうまでもな
い。
本発明において用いられる打込みイオン種としては、ボ
ロンの他、液体金属イオン源から安定に得られる、たと
えばガリウム、シリコン、ゲルマニュームなどを利用で
きる。また、本発明において得られる打込み濃度の範囲
はを１ぼ１０１２〜１ｏ１７ｉｏｎｓ／ｉ である。打
込みイオンの深さはイオンエネルギーによってコントロ
ールすることができ、例えば３０ＫｅＶでＢ０イオンを
Ｓｉ基板へ打込んだときの深さは、約２００ｎｍ、１０
０ＫｅＶ打込んだときは約４００ｎｍであった。本実施
例で用いた装置では、打込み領域の基本パターン形状は
矩形で最大２００Ｘ２００μｍ２である。Ｌ形打込など
他の形状のパターンについては、２つ以上の長方形打込
みを組み合わせることにより容易に行なうことが可能で
ある。
ロンの他、液体金属イオン源から安定に得られる、たと
えばガリウム、シリコン、ゲルマニュームなどを利用で
きる。また、本発明において得られる打込み濃度の範囲
はを１ぼ１０１２〜１ｏ１７ｉｏｎｓ／ｉ である。打
込みイオンの深さはイオンエネルギーによってコントロ
ールすることができ、例えば３０ＫｅＶでＢ０イオンを
Ｓｉ基板へ打込んだときの深さは、約２００ｎｍ、１０
０ＫｅＶ打込んだときは約４００ｎｍであった。本実施
例で用いた装置では、打込み領域の基本パターン形状は
矩形で最大２００Ｘ２００μｍ２である。Ｌ形打込など
他の形状のパターンについては、２つ以上の長方形打込
みを組み合わせることにより容易に行なうことが可能で
ある。
なお、上記実施例は、一つの領域内に異なる濃度分布を
持ったイオン打込み領域を形成する場合を示した。しか
し、複数の領域に、濃度が互いに異なるイオン打込み領
域を本発明によって形成できることはいうまでもない。
持ったイオン打込み領域を形成する場合を示した。しか
し、複数の領域に、濃度が互いに異なるイオン打込み領
域を本発明によって形成できることはいうまでもない。
上記説明から明らかなように、本発明によれば、直径は
ぼ１μｍ以下のイオンビームによって、基板に直接、マ
スク外しでイオン打込みし、そのビーム走査速度を変え
ることにより極めて微小表領域内における打込みイオン
の所望の濃度分布を得゛ることかできる。深さ方向の濃
度分布は、従来のイオン打込み方法と同様に、イオンエ
ネルギーによって制御できるので、本発明によシ、３次
元的に濃度分布を制御することが可能になった。また、
ビーム径をほぼ１μｍ以下まで絞っているので、サブル
ミクロン・オーダで、横方′向の濃度分布を制御ができ
る。これらは、各種半導体装置の性能を著るしく向上さ
せるだけでなく、イオン打込みの際にマスクを使用しな
りため製造工程の簡略化およびコスト低減の点からも非
常に有効である。
ぼ１μｍ以下のイオンビームによって、基板に直接、マ
スク外しでイオン打込みし、そのビーム走査速度を変え
ることにより極めて微小表領域内における打込みイオン
の所望の濃度分布を得゛ることかできる。深さ方向の濃
度分布は、従来のイオン打込み方法と同様に、イオンエ
ネルギーによって制御できるので、本発明によシ、３次
元的に濃度分布を制御することが可能になった。また、
ビーム径をほぼ１μｍ以下まで絞っているので、サブル
ミクロン・オーダで、横方′向の濃度分布を制御ができ
る。これらは、各種半導体装置の性能を著るしく向上さ
せるだけでなく、イオン打込みの際にマスクを使用しな
りため製造工程の簡略化およびコスト低減の点からも非
常に有効である。
匣宜上、上記説明は、シリコン基板にイオンを打込む場
合について行なったが、本発明がシリコン基板への打込
みに限定されるものでないことは、いうまでもないこと
であり、シリコン基板以外のものに対しても、容易にイ
オン打込みし、異なる濃度分布を持った打込み領域を形
成することができる。
合について行なったが、本発明がシリコン基板への打込
みに限定されるものでないことは、いうまでもないこと
であり、シリコン基板以外のものに対しても、容易にイ
オン打込みし、異なる濃度分布を持った打込み領域を形
成することができる。
第１図乃至第３図は、従来のイオン打込み方法を説明す
るための図、第４図は本発明において使用されるマイク
ロイオンビーム装置を説明するための模式図、第５図は
本発明の一実施例を説明するための図である。
るための図、第４図は本発明において使用されるマイク
ロイオンビーム装置を説明するための模式図、第５図は
本発明の一実施例を説明するための図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、イオン打込み領域を形成すべきものの所望部分を、
イオンビームによって速度を変えて走査することにより
、上記所望部分に、異なるイオン濃度を有するイオン打
込み領域を形成することを特徴とするイオン打込み方法
。 ２、上記走査によって異なるイオン濃度分布を持ったイ
オン打込み領域が形成される特許請求の数のイオン打込
み領域が形成される特許請求の範囲第１項記載のイオン
打込み方法。 ４、上記イオンビームの直径がほぼ１μｍ以下である特
許請求の範囲第１項乃至第３項記載のイオン打込み方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10767983A JPS60731A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | イオン打込み方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10767983A JPS60731A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | イオン打込み方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60731A true JPS60731A (ja) | 1985-01-05 |
Family
ID=14465223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10767983A Pending JPS60731A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | イオン打込み方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60731A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5256579A (en) * | 1989-04-03 | 1993-10-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Tunable-frequency Gunn diodes fabrication with focused ion beams |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP10767983A patent/JPS60731A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5256579A (en) * | 1989-04-03 | 1993-10-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Tunable-frequency Gunn diodes fabrication with focused ion beams |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04137728A (ja) | 集束イオンビームエッチング装置 | |
| EP0021140A1 (de) | Ionenquelle in einer Vakuumkammer und Verfahren zum Betrieb derselben | |
| JPS58190028A (ja) | 可変ライン走査を用いる荷電粒子ビ−ム露光装置 | |
| EP0088457A2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
| JP2843249B2 (ja) | デバイスを製造する方法および装置 | |
| JPS6051261B2 (ja) | 荷電粒子ビ−ム描画装置 | |
| JPS60731A (ja) | イオン打込み方法 | |
| JPS60208826A (ja) | 集束イオン照射方法 | |
| JPH08315765A (ja) | 静電スキャン式イオン注入方法 | |
| JPS6290842A (ja) | 集束イオンビ−ム照射装置 | |
| JPH02105099A (ja) | 高速原子源 | |
| JPH0251224A (ja) | 不純物の注入方法 | |
| JPS5945217B2 (ja) | イオンビ−ム照射方法及びこれに使用する装置 | |
| Ichiki et al. | New fast atom beam processing with separated masks for fabricating multiple microstructures | |
| JPS60153126A (ja) | 近接した極微細線形成方法 | |
| JP3478739B2 (ja) | イオンビーム加工方法およびそれによる被加工物 | |
| JPS61256632A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JPH0451443A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH04272640A (ja) | 集束イオンビームエッチング装置 | |
| JPH03266429A (ja) | イオンビームエッチング装置 | |
| JPS6112027A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JP2714087B2 (ja) | パターン加工装置 | |
| JPH02205011A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム加工装置 | |
| JPS63174317A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0498751A (ja) | イオン注入装置 |