JPS6069911A - 電圧制御形発振器 - Google Patents
電圧制御形発振器Info
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- JPS6069911A JPS6069911A JP17745083A JP17745083A JPS6069911A JP S6069911 A JPS6069911 A JP S6069911A JP 17745083 A JP17745083 A JP 17745083A JP 17745083 A JP17745083 A JP 17745083A JP S6069911 A JPS6069911 A JP S6069911A
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- Japan
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- circuit
- oscillation
- emitter
- voltage
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
- H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
- H03K3/282—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator astable
- H03K3/2821—Emitters connected to one another by using a capacitor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、モノシックＩＣ化に適した電圧−周波数変換
のための電圧制御型発振器に関する。
のための電圧制御型発振器に関する。
従来の電圧制御型発振器の代表例として第１図に示す（
ＩＥＥＨＪ、 ８． ＣＶｏ １．８Ｃ−１０Ｎ１６１
）ｅｃ１９７５）ものがある。図においてＱｌ乃至Ｑ４
は、トランジスタＱ５．Ｑ６はダイオード、５０は容量
がＣのコンデンサを示し、これらはエミッタ結合形弁安
定マルチバイブレータを構成している。今、トランジス
タＱ１：オフ、トランジスタＱ２：オンの状態とする。
ＩＥＥＨＪ、 ８． ＣＶｏ １．８Ｃ−１０Ｎ１６１
）ｅｃ１９７５）ものがある。図においてＱｌ乃至Ｑ４
は、トランジスタＱ５．Ｑ６はダイオード、５０は容量
がＣのコンデンサを示し、これらはエミッタ結合形弁安
定マルチバイブレータを構成している。今、トランジス
タＱ１：オフ、トランジスタＱ２：オンの状態とする。
この時、トランシタＱ１ｃ７）ベース’を位ｆｄ−２Ｖ
ｎｒ、（Ｖ）（ＶｎＥｉｉトランジスタＱ２．Ｑ３のベ
ース・エミッタ間の〜 電位を表わし、以下この記号を
使用する）トランジスタＱ２のエミッタ電位は−２ＶＢ
Ｆ！（Ｖ 〕である。トランジスタＱ１がオフ状態にあ
るためトランジスタＱ２を流れる電流はコンデンサ５ｏ
を充電する。これによってトランジスタＱ１のエミッタ
電位が下がり、 （２ＶＢＥ＋ＶＢＥ（ＯＮ）（Ｖ）と
なった時、トランジスタＱ１は順バイアス状態となジオ
ンになる。（Ｖｎｇ（ｏＮ）はトランジスタＱ２がオン
状態になるために必要なベース・エミッタ間の電圧差）
。これに従ってダイオードＱ５がオンとなシトランジス
タＱ２のベース電位は２ Ｖｎｇ［Ｖ ）となる。しだ
がってトランジスタＱ２及びダイオードＱ６がオフとな
シ、トランジスタＱ１のベース電位は−ＶＢＥ（Ｖ 〕
となる。この様なトランジスタＱ］、、Ｑ２のオン、オ
フの周期はコンデンサＣの充放電時間の周期に従う。こ
の回路の発振周波ａｆは、トランジスタＱａのコレクタ
電流を工とすると、 ｆ＝Ｉ／４ ＣＶｎｇ（ＯＮ） で表わされ、入力電圧ＹＯＮによって電流工？変化させ
て発振周波ａｆｆ、変化させる。
ｎｒ、（Ｖ）（ＶｎＥｉｉトランジスタＱ２．Ｑ３のベ
ース・エミッタ間の〜 電位を表わし、以下この記号を
使用する）トランジスタＱ２のエミッタ電位は−２ＶＢ
Ｆ！（Ｖ 〕である。トランジスタＱ１がオフ状態にあ
るためトランジスタＱ２を流れる電流はコンデンサ５ｏ
を充電する。これによってトランジスタＱ１のエミッタ
電位が下がり、 （２ＶＢＥ＋ＶＢＥ（ＯＮ）（Ｖ）と
なった時、トランジスタＱ１は順バイアス状態となジオ
ンになる。（Ｖｎｇ（ｏＮ）はトランジスタＱ２がオン
状態になるために必要なベース・エミッタ間の電圧差）
。これに従ってダイオードＱ５がオンとなシトランジス
タＱ２のベース電位は２ Ｖｎｇ［Ｖ ）となる。しだ
がってトランジスタＱ２及びダイオードＱ６がオフとな
シ、トランジスタＱ１のベース電位は−ＶＢＥ（Ｖ 〕
となる。この様なトランジスタＱ］、、Ｑ２のオン、オ
フの周期はコンデンサＣの充放電時間の周期に従う。こ
の回路の発振周波ａｆは、トランジスタＱａのコレクタ
電流を工とすると、 ｆ＝Ｉ／４ ＣＶｎｇ（ＯＮ） で表わされ、入力電圧ＹＯＮによって電流工？変化させ
て発振周波ａｆｆ、変化させる。
しかしながら、温度によってベース・エミッタ間電圧’
ＶＢＥ及びＶ’ｎｇ（ｏＮ）は変化する。すなわち温度
が上昇するＫつれてＶｎｄＥ小さくなる。したがって入
力電圧■ｉｎが一定であれば璽流工は増加し、またＶｎ
ｒ、（ｏＮ）は小さくなるので、この２つの相乗効果に
よって発振周波数ｆは大きく変化する。
ＶＢＥ及びＶ’ｎｇ（ｏＮ）は変化する。すなわち温度
が上昇するＫつれてＶｎｄＥ小さくなる。したがって入
力電圧■ｉｎが一定であれば璽流工は増加し、またＶｎ
ｒ、（ｏＮ）は小さくなるので、この２つの相乗効果に
よって発振周波数ｆは大きく変化する。
このように第１図の回路では温度変化に対して安定性が
ないという欠点があった。また、発振停止機能を持たな
い為、マルチバイブレータ回路の発振が他回路の動作に
支障を起たし、安定な性能が得禰かった。
ないという欠点があった。また、発振停止機能を持たな
い為、マルチバイブレータ回路の発振が他回路の動作に
支障を起たし、安定な性能が得禰かった。
本発明の目的は、前述の欠点である温度特性変化を補償
し、入力電圧に対して安定な発振周波数を得ること及び
発振不要時には、発振を停止出来る回路を提供するこに
ある。
し、入力電圧に対して安定な発振周波数を得ること及び
発振不要時には、発振を停止出来る回路を提供するこに
ある。
本発明によれば、直結形フリップフロップ接続された２
つのトランジスタのエミッタ１ｋｌＪがコンデンサで結
合され、前記トランジスタに発振制御トランジスタが吸
続されたエミッタ結合形マルチバイブレータと、前記発
振制御トランジスタのベース電位を可変して前記エミッ
タ結合形マルチバイブレータの発掘を制御するイネイブ
ル回路と、周波数可変用入力電圧と基準電圧とを比較す
る２重差動トランジスタを有し、その比較出力を前記コ
ンデンサに供給する発振周波数制御回路と、前記振制御
トランジスタと前記２重差動トランジスタの駆動電流の
温度変化を補正する温度補償回路とを含む電圧制御形発
振器が得られる。
つのトランジスタのエミッタ１ｋｌＪがコンデンサで結
合され、前記トランジスタに発振制御トランジスタが吸
続されたエミッタ結合形マルチバイブレータと、前記発
振制御トランジスタのベース電位を可変して前記エミッ
タ結合形マルチバイブレータの発掘を制御するイネイブ
ル回路と、周波数可変用入力電圧と基準電圧とを比較す
る２重差動トランジスタを有し、その比較出力を前記コ
ンデンサに供給する発振周波数制御回路と、前記振制御
トランジスタと前記２重差動トランジスタの駆動電流の
温度変化を補正する温度補償回路とを含む電圧制御形発
振器が得られる。
次に本発明の実施列を図面を参照して詳細に説明する。
第２図は本発明の実施例の回路図である。図において、
トランジスタＱ１乃ｎＱ １０ 、抵抗１乃至６及びコ
ンデンサ０１を肩ずゐ回路部５０は、エミッタ古合型マ
ルチパイプレーク回路である。
トランジスタＱ１乃ｎＱ １０ 、抵抗１乃至６及びコ
ンデンサ０１を肩ずゐ回路部５０は、エミッタ古合型マ
ルチパイプレーク回路である。
トランジスタＱ１１、ダ・ｆオードＤ１３乃至１６、ト
ランジスタＱ１７乃至Ｑ２２及び抵抗７乃至工３を有す
る回路部５１は、発振周波数制御回路である。トランジ
スタＱ２３乃至Ｑ２５及び抵抗１４乃至１９、およびダ
イオード］Ｊ２１３乃至Ｄ２９を有する回路部５２は、
温度補償回路である。また、トランジスタＱ３０ 、
Ｑ３１ 、 ＣＪ、：Ｊ ６ 、 Ｑ３６゜Ｑ３’７．
Ｑ３８及びＱ３９、ダイオードＤ３２乃至Ｄ３５および
抵抗２０乃至２７を有ずゐ回路部５３は、イネイブル回
路である。
ランジスタＱ１７乃至Ｑ２２及び抵抗７乃至工３を有す
る回路部５１は、発振周波数制御回路である。トランジ
スタＱ２３乃至Ｑ２５及び抵抗１４乃至１９、およびダ
イオード］Ｊ２１３乃至Ｄ２９を有する回路部５２は、
温度補償回路である。また、トランジスタＱ３０ 、
Ｑ３１ 、 ＣＪ、：Ｊ ６ 、 Ｑ３６゜Ｑ３’７．
Ｑ３８及びＱ３９、ダイオードＤ３２乃至Ｄ３５および
抵抗２０乃至２７を有ずゐ回路部５３は、イネイブル回
路である。
イネイブル回路５３は、イネイブル入力が端子１００に
印加される。ＥＣＬレベル（ＣＭＬレベル）のオン、オ
フ信号をトランジスタＱ３６とＱ３７で差動増幅し、ト
ランジスタ３７および温度補償回路５２を介してトラン
ジスタＱ７．Ｑ８及びＱ２１のベース電位を電源電圧−
■。。〔■〕近傍まで下げ、そのベース・エミッタ間電
圧をＶＢＥ＜ＶＢＥ（。Ｎ）Ｋすることで、これらトラ
ンジスタをオフにしてエミッタ結合型マルチバイブレー
タ５０の発振を止める。この発振停市は入力端子１００
に入力する信号がオン信号（通常Ｈレベルと称する）の
ときに行なわれる。
印加される。ＥＣＬレベル（ＣＭＬレベル）のオン、オ
フ信号をトランジスタＱ３６とＱ３７で差動増幅し、ト
ランジスタ３７および温度補償回路５２を介してトラン
ジスタＱ７．Ｑ８及びＱ２１のベース電位を電源電圧−
■。。〔■〕近傍まで下げ、そのベース・エミッタ間電
圧をＶＢＥ＜ＶＢＥ（。Ｎ）Ｋすることで、これらトラ
ンジスタをオフにしてエミッタ結合型マルチバイブレー
タ５０の発振を止める。この発振停市は入力端子１００
に入力する信号がオン信号（通常Ｈレベルと称する）の
ときに行なわれる。
エミッタ結合型ｉルチバイブレータ回路５０は、第１図
に示す電圧制御型発揚回路と回路構造および動作が同一
である。したがって出力端子３００から出力する信号の
発振周波数ｆは５ トランジスタＱ１またはトランジス
タ（シ２がオンになったとき、トランジスタＱ７ （Ｑ
８ ）に流れる電流をｉとすると、 ｆ＝ｉ／４ＣＶｎｇ（ｏＮ） ・・・・・・・・・（１
）で衣わせる。ただしＶＢＥ（ＯＮ）はトランジスタＱ
ｌまたはＱ２がオン状態で委るときのベース・エミッタ
間電圧である。トランジスタＱ７．Ｑ８は前述したよう
に発振停止の制御用トランジスタで、トランジスタＱ９
、抵抗３およびトランシタＱｌ Ｏ１抵抗４はそれぞれ
足電流回路を構成している。
に示す電圧制御型発揚回路と回路構造および動作が同一
である。したがって出力端子３００から出力する信号の
発振周波数ｆは５ トランジスタＱ１またはトランジス
タ（シ２がオンになったとき、トランジスタＱ７ （Ｑ
８ ）に流れる電流をｉとすると、 ｆ＝ｉ／４ＣＶｎｇ（ｏＮ） ・・・・・・・・・（１
）で衣わせる。ただしＶＢＥ（ＯＮ）はトランジスタＱ
ｌまたはＱ２がオン状態で委るときのベース・エミッタ
間電圧である。トランジスタＱ７．Ｑ８は前述したよう
に発振停止の制御用トランジスタで、トランジスタＱ９
、抵抗３およびトランシタＱｌ Ｏ１抵抗４はそれぞれ
足電流回路を構成している。
発振周波数側１卸回路５１では、トランジスタＱ１７及
びｃ２１Ｂのコレクタがマルチバイブレータのトランジ
スタＱ１及びＱ２のエミッタに接続され、トランジスタ
Ｑ１７及びＱｌ８のベースに基準電位Ｖｒｅｆを与えて
いる。またトランジスタＱ１７．Ｑ１８およびトランク
、ｒ、 タＱ、 １９ ｅｃ Ｑ２０は差ｒｔｔｈ対を
成し、入力端子２００へ印加する入力電圧Ｖｉｎによる
トランジスタＱ１９．Ｑ２０の入力電位と基準電位との
差に比例しだ電流を抵抗１１およびコンデンサＣ１に供
給して５発振周波赦ｆを入力電圧■ｉｎに比例して変化
させる。
びｃ２１Ｂのコレクタがマルチバイブレータのトランジ
スタＱ１及びＱ２のエミッタに接続され、トランジスタ
Ｑ１７及びＱｌ８のベースに基準電位Ｖｒｅｆを与えて
いる。またトランジスタＱ１７．Ｑ１８およびトランク
、ｒ、 タＱ、 １９ ｅｃ Ｑ２０は差ｒｔｔｈ対を
成し、入力端子２００へ印加する入力電圧Ｖｉｎによる
トランジスタＱ１９．Ｑ２０の入力電位と基準電位との
差に比例しだ電流を抵抗１１およびコンデンサＣ１に供
給して５発振周波赦ｆを入力電圧■ｉｎに比例して変化
させる。
トランジスタＱ１９とＱ２０はトランジスタＱ１７とＱ
ｌ８はコンパチブルでに石のバランスを保つ。又、トラ
ンジスタＱｌｌ、ダイオードＤ１３及びＤ１５と、Ｑ１
２ダイオードＤ１４及びＤ１６はそれぞれレベルシフト
回路を成し、入力の電源変動、温度変動に対してバラン
スを保っている。
ｌ８はコンパチブルでに石のバランスを保つ。又、トラ
ンジスタＱｌｌ、ダイオードＤ１３及びＤ１５と、Ｑ１
２ダイオードＤ１４及びＤ１６はそれぞれレベルシフト
回路を成し、入力の電源変動、温度変動に対してバラン
スを保っている。
ここで抵抗１、抵抗２、・・・・・・、抵抗２７の抵抗
値をそれぞれＲ１，Ｒ２，・・・・・・、Ｒ２７とする
と、（１）式に示した電流ｉは、 ””’／Ｒ１＋（α／Ｒ１３−（Ｖ ｉ ｎ−Ｖｒ ｅ
ｆ ）／Ｒ１１）／４−−−−−−（２）となる。組
上式において■ｒｅｆは発振周波数制御回路５１のトラ
ンジスタＱｌｌのベース電位、４・■αはダイオードＤ
２６乃至Ｄ２９による電位差、ＶＢＩＣｓはトランジス
タＱ２５のベース・エミッタ電圧、２・ＶＢＥ２はトラ
ンジスタＱ２３゜Ｑ２４のベース・エミッタ電圧の和、
Ｖｎ Ｅｌｌ ハ）ランジスタＱ２１のベース・エミッ
タ電圧である。
値をそれぞれＲ１，Ｒ２，・・・・・・、Ｒ２７とする
と、（１）式に示した電流ｉは、 ””’／Ｒ１＋（α／Ｒ１３−（Ｖ ｉ ｎ−Ｖｒ ｅ
ｆ ）／Ｒ１１）／４−−−−−−（２）となる。組
上式において■ｒｅｆは発振周波数制御回路５１のトラ
ンジスタＱｌｌのベース電位、４・■αはダイオードＤ
２６乃至Ｄ２９による電位差、ＶＢＩＣｓはトランジス
タＱ２５のベース・エミッタ電圧、２・ＶＢＥ２はトラ
ンジスタＱ２３゜Ｑ２４のベース・エミッタ電圧の和、
Ｖｎ Ｅｌｌ ハ）ランジスタＱ２１のベース・エミッ
タ電圧である。
したがって発振周波数ｆの温度（りの変化による周波数
遷移量Δｆ（りは（１）式から で表わされる。但し、ｉｏは規準温度で抵抗Ｒ１に流れ
る電流、△ｉ（りは電流ｉの温度（りの変化による電流
変化量、△ＶＢＥ（ＯＮ）（りはトランジスタＱｌ（Ｑ
２）がＯＮした時のベース・エミッタ電圧Ｖｎｇ（ｏＮ
）の温度（りの変化による変化量である。
遷移量Δｆ（りは（１）式から で表わされる。但し、ｉｏは規準温度で抵抗Ｒ１に流れ
る電流、△ｉ（りは電流ｉの温度（りの変化による電流
変化量、△ＶＢＥ（ＯＮ）（りはトランジスタＱｌ（Ｑ
２）がＯＮした時のベース・エミッタ電圧Ｖｎｇ（ｏＮ
）の温度（りの変化による変化量である。
温度補償回路５２は（３）式に示す周波数遷移量△ｆ（
りを０にするため、次式 ％式％（４） を満足する抵抗１４，１５，１６，１７，１８および１
９を選択する。すなわち温度変化によシ発振制御トラン
ジスタＱ７．ＱＢおよびＱ２１を流れる駆動通流変化量
を、トランジスタＱｌ、Ｑ２がオン状態のときのベース
・エミッタ電圧の温度変化量△Ｖｉ＋ｇ（ｏＮ）（りに
近似することによって、温度による発振周波数遷移をな
くする。
りを０にするため、次式 ％式％（４） を満足する抵抗１４，１５，１６，１７，１８および１
９を選択する。すなわち温度変化によシ発振制御トラン
ジスタＱ７．ＱＢおよびＱ２１を流れる駆動通流変化量
を、トランジスタＱｌ、Ｑ２がオン状態のときのベース
・エミッタ電圧の温度変化量△Ｖｉ＋ｇ（ｏＮ）（りに
近似することによって、温度による発振周波数遷移をな
くする。
上式において、△ＶｎＥ（りとΔＶｎｇ（ｏＮ）（ｔが
同次数の関数であれば、温度変化による周波数遷移量Δ
ｆ（りを厳格に０にすることが出来る。
同次数の関数であれば、温度変化による周波数遷移量Δ
ｆ（りを厳格に０にすることが出来る。
第２図に示す電圧制御型発振器は、
１Ｖｉｎ−Ｖｒｅｆｌ（■（１−Ｌ、ａ 、、−・・（
５）１３ （αは２式で示した） を満足する入力電位幅に対して直線性入力電位■ｉｎの
変化量に対する周波数変化量を持つ。
５）１３ （αは２式で示した） を満足する入力電位幅に対して直線性入力電位■ｉｎの
変化量に対する周波数変化量を持つ。
また発振周波数ｆは
の範囲で変化可能である。
上式（５）、 （６Ｊで明らかなように、本回路特性は
抵抗値Ｒ１，Ｒ１１，及びＲ１３を調整することで簡単
に希望特性に合わせることが出来る。
抵抗値Ｒ１，Ｒ１１，及びＲ１３を調整することで簡単
に希望特性に合わせることが出来る。
又、入力信号の中心値は、抵抗値Ｒ７及びＲ８を調整す
ることで任意の電位に設定出来る。
ることで任意の電位に設定出来る。
以上説明したように本発明によれば、温度変化に対して
極めて簀定性の高い発振出力を得る事ができる。また不
要時には、発振動作を停止できるので、本回路の発振に
よる他回路へのまわ９込みを確実に防止できる。
極めて簀定性の高い発振出力を得る事ができる。また不
要時には、発振動作を停止できるので、本回路の発振に
よる他回路へのまわ９込みを確実に防止できる。
第４図は従来のエミッタ結合型マルチバイブレータの回
路図、第２図は本発明の実施例の回路図である。 ５０・・・・・・エミッタ結合型マルチバイブレータ、
５１・・・・・・発掘周波数制御回路、５２・・・・・
・温度補償２７ 図
路図、第２図は本発明の実施例の回路図である。 ５０・・・・・・エミッタ結合型マルチバイブレータ、
５１・・・・・・発掘周波数制御回路、５２・・・・・
・温度補償２７ 図
Claims (1)
- 直結形フリップフロップ接続された２つのトランジスタ
のエミッタ間がコンデンサで結合され、前記トランジス
タに発振制御トランジスタが接続されたエミッタ結合マ
ルチバイブレータと、前記発振制御トランジスタのベー
ス電位を可変して前記エミッタ結合形マルチバイブレー
タの発振を制御するイネイブル回路と、周波数可変用入
力電圧と基準電圧とを比較する２重差動トランジスタを
有し、その比較出力を前記コンデンサに供給する発掘周
波数制御回路と、前記発振制御トランジスタと前記２重
差動トランジスタの駆動電流の温度変化を補正する温度
補償回路とを含む電圧制御形発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17745083A JPS6069911A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 電圧制御形発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17745083A JPS6069911A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 電圧制御形発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6069911A true JPS6069911A (ja) | 1985-04-20 |
Family
ID=16031154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17745083A Pending JPS6069911A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 電圧制御形発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6069911A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04129317A (ja) * | 1990-09-20 | 1992-04-30 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 発振回路 |
| JPH08104823A (ja) * | 1988-12-15 | 1996-04-23 | Kerr Mcgee Chem Corp | 紫外線吸収性組成物及びその製法 |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP17745083A patent/JPS6069911A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08104823A (ja) * | 1988-12-15 | 1996-04-23 | Kerr Mcgee Chem Corp | 紫外線吸収性組成物及びその製法 |
| JPH04129317A (ja) * | 1990-09-20 | 1992-04-30 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 発振回路 |
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