JPS6068681A - 超伝導トランジスタ - Google Patents
超伝導トランジスタInfo
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- JPS6068681A JPS6068681A JP58177379A JP17737983A JPS6068681A JP S6068681 A JPS6068681 A JP S6068681A JP 58177379 A JP58177379 A JP 58177379A JP 17737983 A JP17737983 A JP 17737983A JP S6068681 A JPS6068681 A JP S6068681A
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- electrode
- superconducting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、超伝導素子に係わり、判に直流・交流ジョセ
フソン効果を利用した超ｌｉＴ′、歩トランジスタの構
造に関する〇 〔発明の技術的背景とその問題点〕 従来の超伝導素子としては、ジョセフソン接合を１個使
ったジョセフソン素子が知られ、ているが、これは２端
子素子であり入出力を分離でへないため仲いにくい。そ
こで、釦、１図に示すような入出力を分離した回路が考
案プかているＯこれは、磁界制御型であり、信郵電流Ｉ
ｓにより発生した磁束によりジョセフソン扶−合（Ｊ・
Ｊ）に流れる電流を可変するものである。［２かしなが
ら、このイ苦造では複数のジョセフソンぶ子を年債化す
る場合、隣接素子からのめ、界の影響を防止するため、
各素子４−ある程更以上朗して配設する必要があり、高
年私化の点で４＋点があった０また、スイッチング速度
がインダクタンスによって決定されるので、スイッチン
グ動作が遅いと言う欠点かあ、つた０ このような問題を８１決するものとして最近、第２図に
示す如くジョセフソン接合素子を２個直列に接続した３
端子素子か提案さすしている０これは、デバイス構造及
び原理共に通孔の半専体パイボーラトランシスクと類似
しており、原理としてはインジェクタ亀流Ｉｉを流すと
、アクセグタ矩：流Ｉａか忽飽に俊わると１うものであ
る。すなわち、Ｓ ２−１１”’−ＳＩ Ｗ合に電流Ｉ
ｉを流し、Ｓ２に阜Ａ泣子を注入することによって、Ｓ
２の超伝導エネルギ・ギャップを小さくしＳ３から８２
への準粒子のトンネル効果を促がし、Ｓｓ Ｉ ２−８
２接合に電流Ｉａを流すものである。なお、第２図中８
１ ・５２ｓＳ３は超伝導金属を示し、Ｉｌ ＊ Ｉ２
は絶縁膜を示している。
フソン効果を利用した超ｌｉＴ′、歩トランジスタの構
造に関する〇 〔発明の技術的背景とその問題点〕 従来の超伝導素子としては、ジョセフソン接合を１個使
ったジョセフソン素子が知られ、ているが、これは２端
子素子であり入出力を分離でへないため仲いにくい。そ
こで、釦、１図に示すような入出力を分離した回路が考
案プかているＯこれは、磁界制御型であり、信郵電流Ｉ
ｓにより発生した磁束によりジョセフソン扶−合（Ｊ・
Ｊ）に流れる電流を可変するものである。［２かしなが
ら、このイ苦造では複数のジョセフソンぶ子を年債化す
る場合、隣接素子からのめ、界の影響を防止するため、
各素子４−ある程更以上朗して配設する必要があり、高
年私化の点で４＋点があった０また、スイッチング速度
がインダクタンスによって決定されるので、スイッチン
グ動作が遅いと言う欠点かあ、つた０ このような問題を８１決するものとして最近、第２図に
示す如くジョセフソン接合素子を２個直列に接続した３
端子素子か提案さすしている０これは、デバイス構造及
び原理共に通孔の半専体パイボーラトランシスクと類似
しており、原理としてはインジェクタ亀流Ｉｉを流すと
、アクセグタ矩：流Ｉａか忽飽に俊わると１うものであ
る。すなわち、Ｓ ２−１１”’−ＳＩ Ｗ合に電流Ｉ
ｉを流し、Ｓ２に阜Ａ泣子を注入することによって、Ｓ
２の超伝導エネルギ・ギャップを小さくしＳ３から８２
への準粒子のトンネル効果を促がし、Ｓｓ Ｉ ２−８
２接合に電流Ｉａを流すものである。なお、第２図中８
１ ・５２ｓＳ３は超伝導金属を示し、Ｉｌ ＊ Ｉ２
は絶縁膜を示している。
ところで、この種の３端子素子は上述した如く準粒子注
入によるスイッチング動作及び増幅動作で、通常のバイ
ポーラトランジスタの働きを２個のジョセフソン接合素
子の直列接続によＶ実現［７だものである。したがって
、スイッチング動作は前記第１図に示しまた回路よりは
速くなるが、バイポーラトランジスタのそれに比して速
くなるものではない。
入によるスイッチング動作及び増幅動作で、通常のバイ
ポーラトランジスタの働きを２個のジョセフソン接合素
子の直列接続によＶ実現［７だものである。したがって
、スイッチング動作は前記第１図に示しまた回路よりは
速くなるが、バイポーラトランジスタのそれに比して速
くなるものではない。
本発明の目的は、高集積化をはウリ得ると共に高速スイ
ッチング動作及び電圧増幅動作を可能とした超伝導トラ
ンジスタを提供することにちる。
ッチング動作及び電圧増幅動作を可能とした超伝導トラ
ンジスタを提供することにちる。
本発明の骨子は、ｂ圧制御によりジョセフソン接合素子
間に流れる電流を制御することにより、高速スイッチン
グ動作及び電圧増幅動作（・実現することにある。
間に流れる電流を制御することにより、高速スイッチン
グ動作及び電圧増幅動作（・実現することにある。
すなわち本発明ｌ」、絶縁基板上に超伝導体からなる第
１．第２及び第３の電極を、各々の電極Ｎ１のそれぞれ
に超伝導電子であるクーパ対がトンネル可能となる程度
に、相互に近接配償し、第３の電極に印加する電圧によ
り、第１及び第２の電極間をｉＭ接流れる超伝導電流と
第３の電極を介し−Ｃ第１及び第２の電極間に流れる超
伝導′【に流との総２＋］市流をｊ；Ｉ’Ｊ御するよう
にし７たものでんる〇 〔発明の動床〕 本発明によｉｌ、 ＆ｊ、 、第３の電極に直流電圧を
印加することにより第１及び第２の電極間に流れｉ４．
ｔ 、６超伝４を電流の大きさを制御することができる
。このため、第３の電極に電圧を印加しない状態で第１
及び第２の電極間に適当な大きさの超伝導電流を流して
」？けば、第３の電極に電圧を印加することにより第１
及び泥２の電極間に電圧ぎ１下を昼じさせることができ
る。すなわち、第３の電極に印加する電圧により第１及
び第２の一；極曲に流れる電流を・ＯＮ・ＯＦＦ’制御
することがでへる。そしてこの場合、電圧によってスイ
ッチング動作を制御しているので、スイッチ７７１作の
高速化をはかり得る。また、第３の電極に印加する′重
圧より、この電圧印加により生じる第１及び第２のＩｎ
極ｍＪの電位差を太きくすることができ、これにより電
圧増幅動作を実現することが可能である。
１．第２及び第３の電極を、各々の電極Ｎ１のそれぞれ
に超伝導電子であるクーパ対がトンネル可能となる程度
に、相互に近接配償し、第３の電極に印加する電圧によ
り、第１及び第２の電極間をｉＭ接流れる超伝導電流と
第３の電極を介し−Ｃ第１及び第２の電極間に流れる超
伝導′【に流との総２＋］市流をｊ；Ｉ’Ｊ御するよう
にし７たものでんる〇 〔発明の動床〕 本発明によｉｌ、 ＆ｊ、 、第３の電極に直流電圧を
印加することにより第１及び第２の電極間に流れｉ４．
ｔ 、６超伝４を電流の大きさを制御することができる
。このため、第３の電極に電圧を印加しない状態で第１
及び第２の電極間に適当な大きさの超伝導電流を流して
」？けば、第３の電極に電圧を印加することにより第１
及び泥２の電極間に電圧ぎ１下を昼じさせることができ
る。すなわち、第３の電極に印加する電圧により第１及
び第２の一；極曲に流れる電流を・ＯＮ・ＯＦＦ’制御
することがでへる。そしてこの場合、電圧によってスイ
ッチング動作を制御しているので、スイッチ７７１作の
高速化をはかり得る。また、第３の電極に印加する′重
圧より、この電圧印加により生じる第１及び第２のＩｎ
極ｍＪの電位差を太きくすることができ、これにより電
圧増幅動作を実現することが可能である。
第３図は本発明の一実施例に係わる超伝導トランジスタ
の概略構造を示す平面図である。超伝導体からなる第１
乃至第３の電極１．ｚ、ａが絶縁基板４上へ互いに接触
することなく十分近接して乱作さねている。そして、’
ＦＦｔＪｙ、１．２の界面部Ｓ１２．電極２，３の界面
部Ｓ ２３及び電極３．ｌの界面部Ｓｓ＋では、超伝導
電子であるクーパ対がトンネル可能となっている。すな
イつち、界面部８１２＋ ５２３Ｉ ＳＵにトンネル型
ジョセクソン接合が形成されている。また、界面部５２
３ｖＳ８□における超伝導体分離は、界面部Ｓ １２に
おけるそれよりも十分小名いものとなっている。
の概略構造を示す平面図である。超伝導体からなる第１
乃至第３の電極１．ｚ、ａが絶縁基板４上へ互いに接触
することなく十分近接して乱作さねている。そして、’
ＦＦｔＪｙ、１．２の界面部Ｓ１２．電極２，３の界面
部Ｓ ２３及び電極３．ｌの界面部Ｓｓ＋では、超伝導
電子であるクーパ対がトンネル可能となっている。すな
イつち、界面部８１２＋ ５２３Ｉ ＳＵにトンネル型
ジョセクソン接合が形成されている。また、界面部５２
３ｖＳ８□における超伝導体分離は、界面部Ｓ １２に
おけるそれよりも十分小名いものとなっている。
このような構造において、第１及び第２の電極１．２間
に流れる電流は次のよう（〆こなる。ジョセフソン接合
Ｓ、、を流れることので作る超伏（１２） 導電流の臨界値をＪｏ 、２つのジョセフソン接合Ｓ３
１＋Ｓ２Ｓを通して電極１．２間に電極３をバイパスし
て流れることのできる超伝導電流Ｏ３の の臨界値をＪ。 とすると、電極Ｊ、２間に流れ得る超
伝導電流の臨界値ＪＯは （Ｊ２） （１３２） Ｊｏ：Ｊｏ ＋Ｊｏ ・・・・・・・・・・・・（１）
となる。
に流れる電流は次のよう（〆こなる。ジョセフソン接合
Ｓ、、を流れることので作る超伏（１２） 導電流の臨界値をＪｏ 、２つのジョセフソン接合Ｓ３
１＋Ｓ２Ｓを通して電極１．２間に電極３をバイパスし
て流れることのできる超伝導電流Ｏ３の の臨界値をＪ。 とすると、電極Ｊ、２間に流れ得る超
伝導電流の臨界値ＪＯは （Ｊ２） （１３２） Ｊｏ：Ｊｏ ＋Ｊｏ ・・・・・・・・・・・・（１）
となる。
したがって、電極１．２間に臨界値Ｊ、以下の電流Ｊを
流しｆｃ場合、ジョセフソン接合の特性から電圧降下な
しに上記電流Ｊが流力−５電極１．２間は零抵抗を示す
。今、外部電流Ｊをａの Ｊｏ ＜Ｊ＜Ｊｏ ＝Ｊ？” 十Ｊ。。３４・・・・・
・・・・（２）となるように設定しておく。この設定の
下で第３の電極３に直流電圧Ｖｇを印加すると、ジョセ
フソン接合８３１ｅＳｌ！８は交流ジョセフソン効果に
より超伝導電流を流せなくなる。このため、電極１，２
間を流れる超伝導電流の臨界値は（ｖｇ） Ｑ巧 Ｊ ｏ ＝ Ｊ ｏ となり、外部電流Ｊより小さくな
り、電極１．２間に電圧降下が生じる。
流しｆｃ場合、ジョセフソン接合の特性から電圧降下な
しに上記電流Ｊが流力−５電極１．２間は零抵抗を示す
。今、外部電流Ｊをａの Ｊｏ ＜Ｊ＜Ｊｏ ＝Ｊ？” 十Ｊ。。３４・・・・・
・・・・（２）となるように設定しておく。この設定の
下で第３の電極３に直流電圧Ｖｇを印加すると、ジョセ
フソン接合８３１ｅＳｌ！８は交流ジョセフソン効果に
より超伝導電流を流せなくなる。このため、電極１，２
間を流れる超伝導電流の臨界値は（ｖｇ） Ｑ巧 Ｊ ｏ ＝ Ｊ ｏ となり、外部電流Ｊより小さくな
り、電極１．２間に電圧降下が生じる。
したがって、スイッチング動作としては、第３の電極３
の電圧を零と有限値Ｖｇとで切り換えることにより、第
１及び第２の電極１．２出ｊ− を流れる電流の臨昇１飢をＪ。とＪ。 との間で切り換
える。これに伴い、電極１．２１１−ｉ〕の箆位差が零
と有限電圧との曲でスイッチングされることになる。ま
た、電極３に印加する電圧Ｖｇは原理的には十分小さく
てよいので、電極１゜２間に生じた電圧をもってＶｇＯ
増輻値とすることができる。すなわち、電圧増幅動作が
可能である。
の電圧を零と有限値Ｖｇとで切り換えることにより、第
１及び第２の電極１．２出ｊ− を流れる電流の臨昇１飢をＪ。とＪ。 との間で切り換
える。これに伴い、電極１．２１１−ｉ〕の箆位差が零
と有限電圧との曲でスイッチングされることになる。ま
た、電極３に印加する電圧Ｖｇは原理的には十分小さく
てよいので、電極１゜２間に生じた電圧をもってＶｇＯ
増輻値とすることができる。すなわち、電圧増幅動作が
可能である。
なお、上記超伝導トランジスタの等価記号を第４図のよ
うに魯〈とすると、このトランジスタは第５図に示す如
く電極１．２間に負葡抵抗を並列接続されて使用される
ことになる。
うに魯〈とすると、このトランジスタは第５図に示す如
く電極１．２間に負葡抵抗を並列接続されて使用される
ことになる。
第６図は他の実施例に係わる超伝導トランジスタの概略
構造を示す斜視図である。なお、第３図と同一部分には
同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。この実
施例が先に説明した実施例と異なる点は、第１乃至第３
の電極１．２，３を同一平面上に形成するのではなく、
第１及び第２の電極１．２上に第３の電極３を形成した
ことにある。すなわち、Ｓｉ基板１１上にＳｉｎ、膜ノ
２を被着Ｌ７てなる絶縁基板４上に、超伝導体からなる
電極１，２が十分薄いＳｉＯ□膜１３全１３で被着され
、電極１．２上には超伝導体からなる電極３が十分薄い
ＳｉＯ□膜１４全１４て被着されている。
構造を示す斜視図である。なお、第３図と同一部分には
同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。この実
施例が先に説明した実施例と異なる点は、第１乃至第３
の電極１．２，３を同一平面上に形成するのではなく、
第１及び第２の電極１．２上に第３の電極３を形成した
ことにある。すなわち、Ｓｉ基板１１上にＳｉｎ、膜ノ
２を被着Ｌ７てなる絶縁基板４上に、超伝導体からなる
電極１，２が十分薄いＳｉＯ□膜１３全１３で被着され
、電極１．２上には超伝導体からなる電極３が十分薄い
ＳｉＯ□膜１４全１４て被着されている。
このような構成であっても、先の実施例と同様な効果が
得られるのは勿論のことである０次に、第６図に示す、
超伝導トランジスタの製造方法について、詑７図（ａ）
〜（ロ））を参照して説明する。１ず、第７図（ａ）に
示す如＜Ｓｉ基板１１上に熱酸化等によりＳｉＯ２膜１
２全１２し、このＳ ｉ ０２膜１２上に超伝導体とし
て例えばＮｂにオブ）からなる第１の電極１を蒸着形成
する。次いで、反応性イオンエツチング法等を用い、第
７図（ｂ）に示す如く電極ｌ及びＳ’ｉ０ｚ膜１２を所
望パターンに泗択エツチングする。その後、第７図（ｃ
）に示す如く全面にＳｉＯ２膜１３全１３する。このと
き、電極１Ｏｆｌｌｌｉ面でＳ ｉｏ ２膜１３の膜厚
が十分薄くなる薄膜形成条件を選ぶ。次いで、全面にＮ
ｂ等からなる第２の電ｉへ２を蒸着形成し、この電極２
を８＋２７図（ｄ）に示す如くパターニングする。これ
により、電Ｇ；４＝ １ ＋２はＳｉｎ、膜１３を介し
てジョセフソン接合８１２を形成することになる。
得られるのは勿論のことである０次に、第６図に示す、
超伝導トランジスタの製造方法について、詑７図（ａ）
〜（ロ））を参照して説明する。１ず、第７図（ａ）に
示す如＜Ｓｉ基板１１上に熱酸化等によりＳｉＯ２膜１
２全１２し、このＳ ｉ ０２膜１２上に超伝導体とし
て例えばＮｂにオブ）からなる第１の電極１を蒸着形成
する。次いで、反応性イオンエツチング法等を用い、第
７図（ｂ）に示す如く電極ｌ及びＳ’ｉ０ｚ膜１２を所
望パターンに泗択エツチングする。その後、第７図（ｃ
）に示す如く全面にＳｉＯ２膜１３全１３する。このと
き、電極１Ｏｆｌｌｌｉ面でＳ ｉｏ ２膜１３の膜厚
が十分薄くなる薄膜形成条件を選ぶ。次いで、全面にＮ
ｂ等からなる第２の電ｉへ２を蒸着形成し、この電極２
を８＋２７図（ｄ）に示す如くパターニングする。これ
により、電Ｇ；４＝ １ ＋２はＳｉｎ、膜１３を介し
てジョセフソン接合８１２を形成することになる。
次に、第７図（ｅ）に示す如く全面に５ｉ０２．’換１
５を被着し、続いて同図（ｆ）に示す如＜５ｉ０２膜１
５を選択エツチングする。次いで、第７図（ｇ）に示す
如く露出した電極１，２上に十分挿い５ｉｎ２膜１４を
形成し、このＳ ｉ ０２ ＩＩ：之１４上にＮｂ等か
らなる第３の電極３を蒸着形成する。
５を被着し、続いて同図（ｆ）に示す如＜５ｉ０２膜１
５を選択エツチングする。次いで、第７図（ｇ）に示す
如く露出した電極１，２上に十分挿い５ｉｎ２膜１４を
形成し、このＳ ｉ ０２ ＩＩ：之１４上にＮｂ等か
らなる第３の電極３を蒸着形成する。
その後、５ｉ０２膜１５を除去することによって、前記
第６図に示す構造が完成することになる。
第６図に示す構造が完成することになる。
電極１．２の間隔は例えば” ５ （”］ ＋ Ｓ＋、
０２膜１４の膜厚は例えばＩＱ（ｍ＋ｍ）とする。なお
、５ｉｎ２膜１５は必ずしも除去する必要はなく、残し
た１寸にしてもよい。
０２膜１４の膜厚は例えばＩＱ（ｍ＋ｍ）とする。なお
、５ｉｎ２膜１５は必ずしも除去する必要はなく、残し
た１寸にしてもよい。
以上の説明の通り、第６図の構成は現在半求体技術分野
で広く用いらノ１．でいる一般的な工程を使用すること
で、容易に実現することができる０ なお、木見耽ζは上述した各実施例に限定されるもので
はない。例えば、前記第１乃至媚、３の電４ゲの形成材
料はＮｂに限るものではなく、超伏黒体であハ、ばよい
。贅た、＠電極間の間隔若しくは電極間の功緑Ｊ台膜厚
等は、クーパ対がトンネル可能である範囲内で適宜穴め
ればよい。
で広く用いらノ１．でいる一般的な工程を使用すること
で、容易に実現することができる０ なお、木見耽ζは上述した各実施例に限定されるもので
はない。例えば、前記第１乃至媚、３の電４ゲの形成材
料はＮｂに限るものではなく、超伏黒体であハ、ばよい
。贅た、＠電極間の間隔若しくは電極間の功緑Ｊ台膜厚
等は、クーパ対がトンネル可能である範囲内で適宜穴め
ればよい。
さらに上記絶縁層が５ｉｎ２膜に限らないのは勿論のこ
とである。その他、本発明の要旨を逸脱しないｆ＋７
ｔ’＋で、種々変形して実施することができる。
とである。その他、本発明の要旨を逸脱しないｆ＋７
ｔ’＋で、種々変形して実施することができる。
＠１図及び第２図は従来例を説明するためのもので第１
図は磁界制御型ジョセフソン接合素子を示す等価回路図
、第２図はジョセフソン接合素子を２個直列接続し７た
３端子素子を示す等仙ｉ回路図、第３図は本発明の一実
施例に係イっる超伝導トランジスタの概略構造を示す平
面図、第４図は上記実施例トランジスタの等色記号を示
す図、第５図は上記トランジスタの使用状態を示す等価
回路図、第６図は他の火婢例の礼゛Ｌ略構造を示す斜視
図、第７図（ａ）〜（ｇ）は上記・）１１・の実施例に
係わる超伝導トランジスタキメ造工程七止示す断面図で
ある。 ｌ・・・第１の電極、２・・・第４２の電極、３・・・
第３の電極、４・・・薪、縁基板、１ノ・・・Ｓｔ基鈑
、１２゜〜、１５・・・５ｉｎ２膜。 出願人イＵ県人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 第４図
図は磁界制御型ジョセフソン接合素子を示す等価回路図
、第２図はジョセフソン接合素子を２個直列接続し７た
３端子素子を示す等仙ｉ回路図、第３図は本発明の一実
施例に係イっる超伝導トランジスタの概略構造を示す平
面図、第４図は上記実施例トランジスタの等色記号を示
す図、第５図は上記トランジスタの使用状態を示す等価
回路図、第６図は他の火婢例の礼゛Ｌ略構造を示す斜視
図、第７図（ａ）〜（ｇ）は上記・）１１・の実施例に
係わる超伝導トランジスタキメ造工程七止示す断面図で
ある。 ｌ・・・第１の電極、２・・・第４２の電極、３・・・
第３の電極、４・・・薪、縁基板、１ノ・・・Ｓｔ基鈑
、１２゜〜、１５・・・５ｉｎ２膜。 出願人イＵ県人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (3)
- （１）絶島基板上に超伝導体からなる第１．第２及び第
３の電極を、各々の電極間のそれぞれに赴、化２４電子
であるクーパ対がトンネル可能となる程度に、相互に近
接配置してなることを特徴とする超伝導トランジスタ。 - （２）前記第１及び第２の電極は前記絶縁基板上に抜＠
でれたものであり、前記第３の電極は上記第１及び第２
の電極上に絶縁膜を介して被着されたものであることを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の超伝導トラ
ンジスタ。 - （３）前記８３の電極は、直流電圧の印加により、前記
第１及び２ｇ２の電極間に直接流れる超伝導電流と上記
第３の電極を介して第１及び第２の電極間に流れる超伝
導電流との総和電流を制御するものであることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項または第（２）項記載の
超伝導トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177379A JPS6068681A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 超伝導トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177379A JPS6068681A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 超伝導トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068681A true JPS6068681A (ja) | 1985-04-19 |
Family
ID=16029909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58177379A Pending JPS6068681A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 超伝導トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068681A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63261765A (ja) * | 1987-04-18 | 1988-10-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導素子 |
| JPS63262877A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導素子 |
| US5071832A (en) * | 1988-10-25 | 1991-12-10 | Seiko Epson Corporation | Field effect type josephson transistor |
| US5318952A (en) * | 1992-12-24 | 1994-06-07 | Fujitsu Limited | A superconducting transistor wherein hot electrons are injected into and trapped from the base |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP58177379A patent/JPS6068681A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63261765A (ja) * | 1987-04-18 | 1988-10-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導素子 |
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