JPS6068587A - Sealing structure of thin film el panel - Google Patents

Sealing structure of thin film el panel

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JPS6068587A
JPS6068587A JP58177472A JP17747283A JPS6068587A JP S6068587 A JPS6068587 A JP S6068587A JP 58177472 A JP58177472 A JP 58177472A JP 17747283 A JP17747283 A JP 17747283A JP S6068587 A JPS6068587 A JP S6068587A
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thin film
fluid
panel
glass plate
injection
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利昭 石井
猪原 章夫
岸下 博
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は交流電界の印加に依ってEL (El ect
r。
[Detailed Description of the Invention] Technical Field> The present invention utilizes EL (EL) technology by applying an alternating electric field.
r.

Lum1nescence)発光を呈する薄B) E 
L素子を使用したEL表示パネルに対して有効な技術と
なるN膜EL素子保護用流体の注入封止構造に関するも
のである。
Luminescence) Thin that exhibits luminescence B) E
This invention relates to a structure for injection and sealing of a fluid for protecting N-film EL elements, which is an effective technology for EL display panels using L elements.

〈従来技術〉 従来、交流動作の薄膜EL素子に関して、発光層に規則
的に高い電界(106V/cm程度)を印加し、絶縁耐
圧、発光効率及び動作の安定性等を高めるために、0.
1〜2. Ow t%のMn (あるいはCu。
<Prior Art> Conventionally, with regard to AC-operated thin film EL elements, a high electric field (about 106 V/cm) is regularly applied to the light emitting layer to improve dielectric strength, luminous efficiency, stability of operation, etc.
1-2. Ow t% Mn (or Cu.

At、Br等)をドープしたZnS、Zn5e%の半導
体発光層をY2O3+ Ti0z等の誘電体薄膜でサン
ドイッチした三層構造Zns:Mn(又はZn5e、M
n)EL素子が開発され、発光緒特性の向上が確かめら
れている。この薄膜EL素子は数K Hzの交流電界印
加によって高輝度発光し、しかも長寿命であるという特
徴を有している。
A three-layer structure Zns:Mn (or Zn5e, M
n) EL devices have been developed and improvements in light emitting characteristics have been confirmed. This thin film EL element emits light with high brightness when an alternating current electric field of several KHz is applied, and has a long lifespan.

薄膜EL素子の1例としてZnS:Mn薄膜EL素子の
基本的構造を第1図に示す〔。
The basic structure of a ZnS:Mn thin film EL device is shown in FIG. 1 as an example of a thin film EL device.

第1図に基いて薄膜EL素子の構造を具体的に説明する
と、ガラス基板l上にIn2O3,SnO2等の透明電
極2、さらにその上に積層してY2O3゜TiO2,A
l2O3、Si3N4.SiO2等からなる第1の誘電
体層3がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等により重
畳形成されている。第1の誘電体層3土にはZnS:M
n焼結ペレットを電子ビーム蒸着することにより得られ
るZnS発光層4が形成されている。この時蒸着用のZ
nS:Mn焼結ペレットには活性物質となるMnが目的
に応じた濃度に設定されたベレットが使用される。Zn
S 発光層4上には第1の誘電体N3と同様の材質から
成る第2の誘電体層5が積層され、更にその上にへ1等
から成る背面電極6が蒸着形成されている。
The structure of a thin film EL element will be explained in detail based on FIG.
l2O3, Si3N4. A first dielectric layer 3 made of SiO2 or the like is formed in an overlapping manner by sputtering, electron beam evaporation, or the like. The first dielectric layer 3 contains ZnS:M
A ZnS light emitting layer 4 obtained by electron beam evaporation of n-sintered pellets is formed. At this time, Z for vapor deposition
As the nS:Mn sintered pellet, a pellet in which Mn, which is an active substance, is set at a concentration depending on the purpose is used. Zn
A second dielectric layer 5 made of the same material as the first dielectric N3 is laminated on the S light-emitting layer 4, and furthermore, a back electrode 6 made of a metal oxide layer is formed by vapor deposition thereon.

透明電極2と背面電極6は交流電源7.に接続され、薄
j摸E L素子が駆動される。
The transparent electrode 2 and the back electrode 6 are connected to an AC power source 7. is connected to, and the thin J-type E L element is driven.

電極2,6間に交流電圧を印加すると、ZnS発光層4
の両側の誘電体層3,5間に上記交流電圧が誘起砦れる
ことにな9、従ってZnS発光層4内に発生した電界に
よって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネルギ
ーを得た電子が、直接Mn発光センターを励起し、励起
されたMn発光センターが基底状態に戻る際に黄色の発
光を行なう。即ち高電界で加速された電子がZnS発光
層4中の発光センターであるZnサイトに入ったMn原
子の電子を励起し、基底状態に落ちる時、い発光を呈す
る。
When an AC voltage is applied between the electrodes 2 and 6, the ZnS light emitting layer 4
The alternating current voltage is induced between the dielectric layers 3 and 5 on both sides of the ZnS light emitting layer 9. Therefore, the electric field generated in the ZnS light emitting layer 4 excites and accelerates the electrons into the conduction band and obtains sufficient energy. directly excites the Mn luminescent center, and when the excited Mn luminescent center returns to the ground state, it emits yellow light. That is, electrons accelerated by a high electric field excite the electrons of Mn atoms that have entered the Zn site, which is the luminescence center, in the ZnS luminescent layer 4, and when they fall to the ground state, they emit bright light.

上記の如き構造を有する薄膜EL素子はスペース・ファ
クタの利点を生かした平面薄型ディスプレイ・デバイス
として、文字及び図形を含むコンビ、−クーの出力表示
端末機器その他種々の表示装置に文字、記号、静止画像
、動画像等の表示手段として利用することができ非常に
有効なものである。
The thin film EL element having the structure described above can be used as a flat thin display device that takes advantage of the space factor to display characters, symbols, static images, etc. It can be used as a display means for images, moving images, etc., and is very effective.

しかしながら薄膜EL素子の誘電体層は製造工程途中で
発生した多数のピンホールやマイクロクラック等全含み
、これらの欠陥を通してZnS発光層4に湿気等が侵入
するため、EL発光損失による発熱、層間剥離、素子特
性の劣化等を招来するO 上記問題全解決することを目的として、第2図に示すよ
うに、薄膜EL素子特有の不完全さ、即ちピンホール等
によって通電時に生じるブレークダウンのため起る微小
な熱損傷領域の拡大を防止、固定化し、大気環境下での
湿気保護、放熱効果、さらに振動、たわみに対しても有
効な改良技術となるシーリング方式が提唱されている。
However, the dielectric layer of a thin film EL element contains many pinholes and microcracks that occur during the manufacturing process, and moisture, etc. enters the ZnS light emitting layer 4 through these defects, resulting in heat generation due to EL emission loss and delamination. , resulting in deterioration of device characteristics, etc. In order to solve all of the above problems, as shown in Fig. A sealing method has been proposed as an improved technology that prevents and fixes the expansion of minute thermal damage areas, protects against moisture in atmospheric environments, has heat dissipation effects, and is also effective against vibration and deflection.

この薄膜ELパネルは第」図に於ける透明電極2及び背
面電極6が帯状に成形され、互い妬直交する如く複数本
配列されたマトリックス電極構造が採用されてお9、透
明電極2と背面電極6が平面図的に見て交差した位置が
パネルの1絵素に相当する。
This thin film EL panel adopts a matrix electrode structure in which the transparent electrode 2 and the back electrode 6 shown in FIG. The position where 6 intersects in plan view corresponds to one picture element of the panel.

第2図に基いて説明すると、ガラス基板1上に一定ビノ
チ間隔で平行配列された透明電極2、第1の誘電体層3
、ZnS発光層4が順次積層され、ZnS発光層4上に
け5iaN4膜とSi3N4膜上に重畳されたAl20
3Mとから成る第2の誘電体層5が2層構造で積層され
、更に上記透明電極2と直交する方向に一定ピッチ間隔
をもって平行配列された背面電極6が第2の誘電体層5
上に設けられ、薄膜EL素子が構成されている。この薄
膜EL素子f:制止するため、ガラス基板lにスペーサ
lOを介して背面ガラス板11が対向配置され、ガラス
基板1、スペーサ10及び背面ガラス板11の各接合部
は接着剤]2で固定密封され、薄膜EL素子に対する外
囲器が構成されている。外囲器内には薄膜EL素子が内
蔵されるとともにシリコンオイノペ真空グリース等の薄
膜EL素子保護用注入流体13が充填封入されている。
To explain based on FIG. 2, transparent electrodes 2 and a first dielectric layer 3 are arranged in parallel on a glass substrate 1 at a constant interval.
, a ZnS light emitting layer 4 is sequentially laminated, and an Al20 film is superimposed on a 5iaN4 film and a Si3N4 film on the ZnS light emitting layer 4.
A second dielectric layer 5 made of 3M is laminated in a two-layer structure, and back electrodes 6 are arranged in parallel at a constant pitch in a direction perpendicular to the transparent electrode 2.
A thin film EL element is formed on the top of the thin film EL element. In order to prevent this thin film EL element f: a back glass plate 11 is placed facing the glass substrate l via a spacer lO, and each joint of the glass substrate 1, spacer 10 and back glass plate 11 is fixed with adhesive]2. It is sealed and forms an envelope for the thin film EL device. A thin film EL element is housed in the envelope, and an injection fluid 13 for protecting the thin film EL element, such as silicon oinope vacuum grease, is filled and sealed.

注入流体13に要求される条件としては(1)ピンホー
ルへの浸透性があり、(2)絶縁耐圧が高く、(3)耐
熱性、耐湿性に優れ、(4)薄膜EL素子構成膜と反応
せず、(5)蒸気圧、熱膨張係数の小さい流動性物質で
あることが望ましいが特にピンホールへの浸透性があり
絶縁耐圧がある程度高いこと及び薄膜EL素子構成膜と
反応しないことを要する。スペーサIOKはシリコンオ
イル等注入用の微小注入孔14が1個乃至数個設けられ
ている。また透明電極2及び背面電極6のリード端子部
15はガラス基板1と背面ガラス板11の接合部を介し
て外囲器外部のガラス基板l上へその一端が延設され、
駆動制御用回路(図示せず)と電気的に接続されている
0〈発明の目的〉 本発明は上記薄膜E’L素子保護用流体が充填された薄
膜ELパネルて於いて、流体封止構造に関する改良技術
を提供することを目的とする。
The conditions required for the injection fluid 13 are (1) permeability into pinholes, (2) high dielectric strength, (3) excellent heat resistance and moisture resistance, and (4) high resistance to thin-film EL element constituent films. (5) It is desirable that the material is a fluid material with a low vapor pressure and coefficient of thermal expansion, but it is particularly important that it has permeability into pinholes, has a somewhat high dielectric strength voltage, and does not react with the films constituting the thin-film EL element. It takes. The spacer IOK is provided with one to several micro injection holes 14 for injecting silicone oil or the like. Further, one end of the lead terminal portion 15 of the transparent electrode 2 and the back electrode 6 extends onto the glass substrate l outside the envelope via the joint between the glass substrate 1 and the back glass plate 11.
<Object of the Invention> The present invention provides a fluid sealing structure in a thin film EL panel filled with the fluid for protecting the thin film E'L elements. The purpose is to provide improved technology regarding.

〈実施例〉 第3図は本発明の1実施例の説明に供する薄膜ELパネ
ルの構成断面図である。
<Embodiment> FIG. 3 is a cross-sectional view of a thin film EL panel for explaining one embodiment of the present invention.

ガラス基板1」二に透明電極2が帯状に一定ピッチ間隔
をもって平行配列され、薄膜EL素子16が構成されて
いる。この薄膜EL素子16を収納する如く皿状の背面
ガラス板17がガラス基板1土に重畳され、その内部間
隙に薄膜EL素子が内蔵される。ガラス基板1と背面ガ
ラス板17の接合部は光硬化性樹脂、エポキシ樹脂等の
接着剤で密封されている。背面ガラス板17の製作工程
途中に於ける詳細を第4図に示す0背面ガラス板17と
してはソーダガラス、ホウケイ酸ガラス等が使用され、
EL素子構造部の収納部分がサンドエツチング等により
深さ]、 tan程度に凹陥成形されている。凹陥成形
領域の隅部1箇所には流体注入用の注入孔18が形成さ
れ、中空の注入用パイプ1975勤挿入されている。注
入用パイプ19は金属製で、注入孔18に接着固定され
ている。注入孔]8の外部端に相当する背面ガラス板1
7の位置には注入孔18の径より大きい直径5〜1〇−
程度の穴21が形成されている。穴21の深さは約2丁
1程度である。注入用パイプ19の先端を絶縁性保護用
流体例えばシリコーンオイル等の槽内に挿入し、流体全
パネル内部へ注入する。注入流体の注入操作が完了する
と、第5図(A)に示す如く外囲器接合部近傍の注入パ
イプ19を圧着し、仮封止全行なう。その後仮封止部の
注入/<イブ19全第5図(B)に示す如く切断し、切
断部の注入パイプ19を完全に封止するためエポキシ系
樹脂、光硬化性樹脂等から成る樹脂接着剤20を第5図
(C)に示す如く背面ガラス板17の穴21(深さD)
内に収納されるよう被着する。次に平板ガラスキ八・ノ
ブ22f:注入パイプ19封止部の背面ガラス板17上
に接着剤を介して被冠し、第5図(C)に示す二重封止
構造とする0尚、従来のガラスキャップに凹陥部を設け
た構造は、第6図(A)に示す如く注入パイプ19を背
面ガラス板17上で圧着仮封止し第6図(B)に示す如
く注入パイプ19を切断した後、樹脂を被着し、更に第
6図(C)に示す如く凹陥部を持つガラスギヤ5.プ2
3を背面ガラス板17土に接着した構造が用いられてい
るが本実施例と比較すれば、背面ガラス板17に凹陥部
を設け、封止部を凹陥部に収納させることにより、第5
図(C)の平板ガラスキャップ22の板厚’tT+、第
6図(C)の凹陥部を設けたガラスキャップ23の板厚
をT2とした場合に総合的な板厚をT2−T+だけ薄く
することかり能となる。平板ガラスキャップ22を背面
ガラス板17に接着する接着剤としては光硬化性接着剤
等が用いられる。また平板ガラスキャップ22としては
背面ガラス板]7と同材質の大きさ15 WrmX 1
5 +rrm程度の厚さ0.1〜1. O1mRのもの
が用いられる。
Transparent electrodes 2 are arranged parallel to each other in a strip shape at a constant pitch on a glass substrate 1''2, thereby forming a thin film EL element 16. A dish-shaped rear glass plate 17 is superimposed on the glass substrate 1 to accommodate the thin film EL element 16, and the thin film EL element is housed in the internal gap. The joint between the glass substrate 1 and the rear glass plate 17 is sealed with an adhesive such as a photocurable resin or an epoxy resin. Details of the manufacturing process of the back glass plate 17 are shown in FIG. 4.As the back glass plate 17, soda glass, borosilicate glass, etc. are used.
The housing portion of the EL element structure is formed into a recess by sand etching or the like to a depth of about 100 mm. An injection hole 18 for fluid injection is formed at one corner of the concave molding area, and a hollow injection pipe 1975 is inserted thereinto. The injection pipe 19 is made of metal and is fixed to the injection hole 18 with adhesive. Rear glass plate 1 corresponding to the outer end of injection hole] 8
At position 7, there is a hole with a diameter of 5 to 10 - larger than the diameter of the injection hole 18.
A hole 21 of approximately 100 mm is formed. The depth of the hole 21 is approximately 2-1. The tip of the injection pipe 19 is inserted into a tank containing an insulating protective fluid such as silicone oil, and the fluid is injected into the entire panel. When the injection operation of the injection fluid is completed, as shown in FIG. 5(A), the injection pipe 19 near the envelope joint is crimped to complete the temporary sealing. After that, the temporary sealing part is injected/< Eve 19 is cut as shown in FIG. The agent 20 is inserted into the hole 21 (depth D) of the rear glass plate 17 as shown in FIG. 5(C).
It is attached so that it can be stored inside. Next, the flat glass key 8/knob 22f is covered with an adhesive on the back glass plate 17 of the sealing part of the injection pipe 19, creating a double sealing structure as shown in FIG. 5(C). The structure in which a concave portion is provided in the glass cap is obtained by temporarily sealing the injection pipe 19 by pressure on the rear glass plate 17 as shown in FIG. 6(A), and cutting the injection pipe 19 as shown in FIG. 6(B). After that, a glass gear 5. is coated with resin and has a concave portion as shown in FIG. 6(C). P2
3 is bonded to the back glass plate 17, but compared to this embodiment, by providing a concave portion in the rear glass plate 17 and storing the sealing portion in the concave portion, the fifth
If the plate thickness of the flat glass cap 22 in Figure (C) is 'tT+, and the plate thickness of the glass cap 23 provided with the concave portion in Figure 6 (C) is T2, the overall plate thickness is thinned by T2-T+. By doing so, it becomes Noh. As the adhesive for bonding the flat glass cap 22 to the back glass plate 17, a photocurable adhesive or the like is used. In addition, the flat glass cap 22 is made of the same material as the rear glass plate ] 7 and has a size of 15 WrmX 1
5 Thickness of about +rrm 0.1 to 1. One with O1mR is used.

背面ガラス板17は平板ガラスをサンドエツチングによ
シ凹陥成形する以外に皿状に成形されたガラス材料を用
いてもよい。また、流体注入孔18を穿設した後、その
外端部をザグリ加工により径大の穴21に拡大し、その
後、注入用パイプ19を流体注入孔18に挿入して接着
剤で固定する。
The rear glass plate 17 may be made of a glass material formed into a dish shape instead of a flat glass plate formed into a concave shape by sand etching. After the fluid injection hole 18 is bored, the outer end thereof is expanded into a large diameter hole 21 by counterboring, and then the injection pipe 19 is inserted into the fluid injection hole 18 and fixed with adhesive.

注入用パイプ19は圧着により容易に内部が封止される
ものが良く一般にアルミニウム、銅、鉄等の金属部材が
用いられる。絶縁性保護用流体の注入は、真空容器内で
注入用パイプの先端を流体の収納された槽内に挿入し、
次に大気圧に戻すことにより注入用パイプ19を介して
流体を外囲器日へ注入する方法が適用される。
The injection pipe 19 is preferably one whose interior can be easily sealed by pressure bonding, and generally a metal member such as aluminum, copper, or iron is used. To inject the insulating protection fluid, insert the tip of the injection pipe into the tank containing the fluid inside the vacuum container.
A method is then applied in which the fluid is injected into the envelope via the injection pipe 19 by returning to atmospheric pressure.

絶縁性保護用流体は特に薄膜EL素子1Gに対する防湿
を企図して充填されるものであり、従って流体注入後の
注入用パイプ19及び流体注入孔】8の封止は確実に行
なう必要がある。上記実施例ではこの封止構造を二重構
造にして信頼性を確保している。またシリコーンオイル
等の絶縁性保護用流体は熱膨張係数が高いため、高温下
での使用に於いては体積膨張によ多流体注入孔18より
洩出することがある。しかしながら、本実施例の封止構
造ではこの洩出流体は平板ガラスキャップ22が被冠さ
れているためザグリ穴21の部分で貯留されることとな
り、外部にもれ出ることはないO 〈発明の効果〉 以上の如く本発明の薄膜ELパネル封止構造は、従来の
凹陥部をもつガラスキャップに代って背面ガラス板内に
封止部を内股可能な凹陥部を設け、さらに平板ガラスキ
ャップを被冠させて二重に封止する為、従来の信頼性を
保証しつつディスプレイとしての薄型化が可能になり、
より実用的測置が大となる。
The insulating protective fluid is filled especially with the intention of moisture-proofing the thin film EL element 1G, and therefore the injection pipe 19 and the fluid injection hole 8 must be reliably sealed after the fluid is injected. In the above embodiment, this sealing structure is made into a double structure to ensure reliability. Furthermore, since the insulating protective fluid such as silicone oil has a high coefficient of thermal expansion, it may leak from the multi-fluid injection hole 18 due to volumetric expansion when used at high temperatures. However, in the sealing structure of this embodiment, this leaked fluid is covered with the flat glass cap 22, so it is stored in the counterbore hole 21 and does not leak outside. Effects> As described above, the thin film EL panel sealing structure of the present invention has a concave part in the rear glass plate that allows the sealing part to be inserted in place of the conventional glass cap with a concave part, and also has a flat glass cap. Because it is covered and double-sealed, it is possible to make the display thinner while still guaranteeing conventional reliability.
The practical measurement becomes more important.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は薄膜EL素子の具体的構造を示す構成図である
。第2図は従来の薄膜ELパネルの1例を示す要部構成
図である。第3図は本発明の1実施例の説明に供する薄
膜ELパネルの要部構成図である。第4図は第3図の薄
膜ELパネルに使用される背面ガラス板の断面図である
。第5図(A)(B) (C)は本発明の1実施例を説
明する製造工程図である。第6図(A) (B) (C
)は従来のガラスキャップに凹陥部を設けた1実施例を
説明する製造工程図である。 トガラス基板、 16 薄膜EL素子、17 ・背面ガ
ラス板、 18 ・注入孔、19・注入用パイプ、 2
0−接着剤、21 ・凹陥部、 22 ・・平板ガラス
キャップ代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)箒
1図 第2図 第3図 (A) (B) (C) ニー;□ 5 図
FIG. 1 is a block diagram showing a specific structure of a thin film EL element. FIG. 2 is a diagram illustrating a main part of an example of a conventional thin film EL panel. FIG. 3 is a diagram showing the main part of a thin film EL panel for explaining one embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view of the back glass plate used in the thin film EL panel of FIG. 3. FIGS. 5(A), 5(B), and 5(C) are manufacturing process diagrams illustrating one embodiment of the present invention. Figure 6 (A) (B) (C
) is a manufacturing process diagram illustrating an embodiment in which a conventional glass cap is provided with a concave portion. glass substrate, 16 thin film EL element, 17 - back glass plate, 18 - injection hole, 19 - injection pipe, 2
0 - Adhesive, 21 - Concave part, 22 - Flat glass cap agent Patent attorney Yoshihiko Fukushi (and 2 others) Broom 1 Figure 2 Figure 3 (A) (B) (C) Knee; □ 5 Figure

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、透光性前面基板と背面板とから成る外囲器内に薄膜
EL素子及び該薄膜EL素子に対する絶縁’(l保護用
流体を収納した薄膜ELパネルに於いて、前記外囲器に
前記絶縁性保護用流体を注入するための注入孔を穿設す
るとともに該注入孔の外方端に径太のザグリ穴を形成し
、該ザグリ穴内で前記注入孔の開口を封止するとともに
ザグリ穴にガラスキャップを被冠して密封したことを!
1キ徴とする薄膜ELパネルの封止構造。
1. In a thin film EL panel containing a protective fluid, a thin film EL element and insulation for the thin film EL element are placed in an envelope consisting of a translucent front substrate and a back plate. An injection hole for injecting an insulating protection fluid is bored, and a counterbore hole with a large diameter is formed at the outer end of the injection hole, and the opening of the injection hole is sealed within the counterbore hole. It was sealed with a glass cap!
Sealing structure of thin film EL panel with one characteristic.
JP58177472A 1983-09-24 1983-09-24 Sealing structure of thin film el panel Granted JPS6068587A (en)

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