JPS5944633B2 - Thin film EL panel - Google Patents

Thin film EL panel

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JPS5944633B2
JPS5944633B2 JP54032162A JP3216279A JPS5944633B2 JP S5944633 B2 JPS5944633 B2 JP S5944633B2 JP 54032162 A JP54032162 A JP 54032162A JP 3216279 A JP3216279 A JP 3216279A JP S5944633 B2 JPS5944633 B2 JP S5944633B2
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JP
Japan
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thin film
panel
moisture
film
thin
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JP54032162A
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Japanese (ja)
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JPS55124182A (en
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清 沢江
章夫 「いの」原
順 川口
「きん」一 井坂
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Original Assignee
Sharp Corp
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Priority to DE3010164A priority patent/DE3010164C2/en
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は交流電界の印加に依うてEL(Electro
Luminescence)発光を呈する薄膜EL素子
を使用したEL表示パネルに対して有効な技術となる薄
膜ELパネルの劣化防止構造に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention utilizes EL (Electro
The present invention relates to a deterioration prevention structure for thin film EL panels, which is an effective technology for EL display panels using thin film EL elements that emit luminescence.

従来、交流動作の薄膜EL素子に関して、発光層に規則
的に高い電界(106V/cm程度)を印加し、絶縁耐
圧、発光効率及び動作の安定性等を高めるために、0.
1〜2.0wを%のMn(あるいはCu、Al、Br等
)をドープしたZnS、ZnSe等の半導体発光層をY
2O3、TiO2等の誘電体薄膜でサンドイッチした三
層構造ZnS:Mn(又はZnSe:Mn)EL素子が
開発され、発光諸特性の向上が確かめられている。
Conventionally, for AC-operated thin film EL elements, a high electric field (about 106 V/cm) is regularly applied to the light emitting layer to improve dielectric strength, luminous efficiency, stability of operation, etc.
Y
A three-layer structure ZnS:Mn (or ZnSe:Mn) EL device sandwiched between dielectric thin films such as 2O3 and TiO2 has been developed, and improvements in various light-emitting properties have been confirmed.

この薄膜EL素子は数KH2の交流電界印加によつて高
輝度発光し、しかも長寿命であるという特徴を有してい
る。またこの薄膜EL素子の発光に関しては印加電圧を
昇圧していく過程と高電圧側より降圧していく過程で、
同じ印加電圧に対して発光輝度が異なるといつたヒステ
リシス特性を有していることが発見され、そしてこのヒ
ステリシス特性を有する薄膜EL素子に印加電圧を昇圧
する過程に於いて、光、電界、熱等が付与されると薄膜
EL素子はその強度に対応した発光輝度の状態に励起さ
れ、光、電界、熱等を除去して元の状態に戻しても発光
輝度は高くなつた状態で維持される、いわゆるメモリー
現象が表示技術の新たな利用分野を開拓するに到つた。
薄膜EL素子の1例としてZnS:Mn薄膜EL素子の
基本的構造を第1図に示す。第1図に基いて薄膜EL素
子の構造を具体的にノ 説明すると、ガラス基板1上に
ln2o3、sno2等の透明電極2、さらにその上に
積層してY2O3、TiO2、Al2O3、Si3N4
、SiO2等からなる第1の誘電体層3がスパッタある
いは電子ビーム蒸着法等により重畳形成されている。
This thin film EL element emits light with high brightness when an alternating current electric field of several KH2 is applied, and is characterized by long life. In addition, regarding the light emission of this thin film EL element, there are two processes: increasing the applied voltage and decreasing it from the high voltage side.
It was discovered that the thin-film EL element has a hysteresis characteristic in which the luminance differs for the same applied voltage, and in the process of increasing the applied voltage to a thin-film EL element with this hysteresis characteristic, light, electric field, and heat When the light, electric field, heat, etc. are removed and the element returns to its original state, the thin film EL element is excited to a state of luminance corresponding to the intensity, and the luminance remains high even if the light, electric field, heat, etc. are removed and the element returns to its original state. The so-called memory phenomenon has opened up new fields of use for display technology.
FIG. 1 shows the basic structure of a ZnS:Mn thin film EL device as an example of a thin film EL device. The structure of the thin film EL element will be explained in detail based on FIG.
A first dielectric layer 3 made of , SiO2 or the like is formed in an overlapping manner by sputtering or electron beam evaporation.

第1の誘電体5 層3上にはZnS:Mn焼結ペレット
を電子ビーム蒸着することにより得られるZnS発光層
4が形成されている。この時蒸着用のZnS:Mn焼結
ぺレツトには活性物質となるMnが目的に応じた濃度に
設定されたペレツトが使用される。ZnS発光層4上に
は第1の誘電体層3と同様の材質から成る第2の誘電体
層5が積層され、更にその上にAl等から成る背面電極
6が蒸着形成されている。
A ZnS light-emitting layer 4 is formed on the first dielectric 5 layer 3 by electron beam evaporation of ZnS:Mn sintered pellets. At this time, the ZnS:Mn sintered pellets used for vapor deposition are pellets in which the concentration of Mn as an active substance is set to suit the purpose. A second dielectric layer 5 made of the same material as the first dielectric layer 3 is laminated on the ZnS light emitting layer 4, and a back electrode 6 made of Al or the like is further deposited thereon.

透明電極2と背面電極6は交流電源7に接続され、薄膜
EL素子が駆動される。電極2,6間にAC電圧を印加
すると、ZnS発光層4の両側の誘電体層3,5間に上
記AC電圧が誘起されることになり、従つてZnS発光
層4内に発生した電界によつて伝導帯に励起されかつ加
速されて充分なエネルギーを得た電子が、直接Mn発光
センターを励起し、励起されたMn発光センターが基底
状態に戻る際に黄色の発光を行なう。即ち高電界で加速
された電子がZnS発光層4中の発光センターであるZ
nサイトに入つたMn原子の電子を励起し、基底状態に
落ちる時、略々5850Nをピークに幅広い波長領域で
、強い発光を呈する。上記の如き構造を有する薄膜EL
素子はスペーニス・フアクタの利点を生かした平面薄型
デイスプレイ・デバイスとして、文字及び図形を含むコ
ンピユータ一の出力表示端末機器その他種々の表示装置
に文字、記号、静止画像、動画像等の表示手段として利
用することができる。
The transparent electrode 2 and the back electrode 6 are connected to an AC power source 7, and the thin film EL element is driven. When an AC voltage is applied between the electrodes 2 and 6, the above AC voltage is induced between the dielectric layers 3 and 5 on both sides of the ZnS light emitting layer 4, and therefore the electric field generated within the ZnS light emitting layer 4 Therefore, the electrons excited and accelerated into the conduction band and having obtained sufficient energy directly excite the Mn luminescent center, and when the excited Mn luminescent center returns to the ground state, it emits yellow light. That is, electrons accelerated by a high electric field reach Z, which is the luminescent center in the ZnS luminescent layer 4.
When the electrons of the Mn atoms that have entered the n-site are excited and fall to the ground state, they emit strong light in a wide wavelength range with a peak of approximately 5850N. Thin film EL with the above structure
The element can be used as a flat thin display device that takes advantage of the advantages of the Spanish factor, and can be used as a means of displaying characters, symbols, still images, moving images, etc. in computer output display terminal equipment and various other display devices that contain characters and figures. can do.

平面薄型表示装二置としての薄膜ELパネルは従来のブ
ラウン管CRTと比較して動作電圧が低く、同じ平面型
デイスプレイ・デバイスであるブラズマデイスプレイパ
ネルPDPと比較すれば重量や強度面で優れており、液
晶LCDに比べて動作可能温度範囲が3広く、応答速度
が速い等多くの利点を有している。また純固体マトリツ
クス型パネルとして使用できるため動作寿命が長く、そ
のアドレスの正確さとともにコンピユータ一等の入出力
表示手段として非常に有効なものである。
3しかしながら薄膜EL素子の誘電体層は製
造工程途中で発生した多数のピンホールやマイクロクラ
ツク等を含み、これらの欠陥を通してZnS発光層4に
湿気等が侵入するため、EL発光損失による発熱、素子
特性の劣化を招来する。 4上記問題を解決す
ることを目的として、第2図に示すように、薄膜EL素
子背面(ガラス基板1の反対側面)にSi3N4膜やA
l2O3膜等の絶縁膜8をコーテイングして保護する構
造成いは上記絶縁膜8の上に更に樹脂9をコーテイング
して保護する構造が実施されている。更には真空封止す
る構造が提案されている。第2図に於いて、第1図と同
一部分には同一符号を付して説明を省略する。
A thin film EL panel used as a flat flat display device has a lower operating voltage than a conventional cathode ray tube CRT, and is superior in terms of weight and strength compared to a plasma display panel PDP, which is the same flat display device. It has many advantages over liquid crystal LCDs, such as a wider operating temperature range and faster response speed. Furthermore, since it can be used as a pure solid matrix type panel, it has a long operating life, and its address accuracy makes it very effective as an input/output display means for computers and the like.
3 However, the dielectric layer of the thin film EL element contains many pinholes and microcracks generated during the manufacturing process, and moisture, etc. enters the ZnS light emitting layer 4 through these defects, resulting in heat generation due to EL emission loss, This results in deterioration of device characteristics. 4. In order to solve the above problem, as shown in FIG. 2, Si3N4 film or A
A structure is implemented in which the insulating film 8 such as an 12O3 film is coated to protect it, or a structure in which a resin 9 is further coated on the insulating film 8 to protect it. Furthermore, a vacuum-sealed structure has been proposed. In FIG. 2, the same parts as in FIG. 1 are given the same reference numerals, and their explanation will be omitted.

しかし、薄膜EL素子を構成する各薄膜3,4,5に対
する絶縁膜8のコーテイングによる保護膜形成には、微
少ゴミ、異物等の付着が原因となつてピンホール等がで
き易いこと、さらに大面積化に伴ない、欠陥を含まない
均一な保護膜の生成が困難となること等の欠点がある。
However, when forming a protective film by coating each of the thin films 3, 4, and 5 constituting the thin film EL element with the insulating film 8, pinholes are easily formed due to the adhesion of microscopic dust, foreign matter, etc. As the area increases, there are drawbacks such as difficulty in producing a uniform protective film free of defects.

また完全な保護膜形成が得られたとしても、薄膜EL素
子の微少領域での不完全さによつて通電時に発光面にブ
レークダウンを生じ、その結果微小領域の熱損傷によつ
て保護膜も損傷を受け、その損傷部分から薄膜EL素子
の破壊、劣化の主原因と考えられる大気中の湿気がEL
発光層へ侵入する。薄膜コーテイングによる保護方法を
実現するためには、薄膜EL素子並びに保護膜のいずれ
にも完全均一なものが要求されるが、現段階における薄
膜生成技術で各種の構造欠陥を含まない充分緻密なEL
発光層および誘電体層を生成することは極めて困難であ
り、現実的な方法ではない。
Furthermore, even if a complete protective film is formed, imperfections in a minute area of the thin film EL element will cause breakdown on the light emitting surface when electricity is applied, and as a result, the protective film will be damaged due to thermal damage in the minute area. After the damage occurs, moisture in the atmosphere, which is thought to be the main cause of destruction and deterioration of the thin film EL element, leaks from the damaged area.
Penetrates into the luminescent layer. In order to realize a protection method using a thin film coating, both the thin film EL element and the protective film must be completely uniform, but the current thin film production technology is capable of producing sufficiently dense EL elements without any structural defects.
Producing the emissive and dielectric layers is extremely difficult and not a practical method.

一方、真空封止においては、前述の薄膜EL素子の不完
全さによるブレークダウンによつて熱破壊が生じた際の
アウトガスによる真空度の劣化の問題、真空封止工程の
煩雑さが伴なう欠点がある。また薄膜によるコーテイン
グ、真空封止共にEL発光損失に伴う発熱の放散効果が
ない等の欠点が掲げられる。凝固性樹脂コーテイングに
関して、樹脂と薄膜EL素子の密着性が強い場合、通電
時に生じる振動、取扱い上の応力歪み、および熱応力歪
み等が薄膜EL素子の層間剥離等の悪影響を与える。一
方、密着性が弱い場合には振動、たわみ、発熱によつて
ギヤツプを生じ大気中の湿気侵入を防止できなくなる欠
点がある。上記欠点に鑑み、薄膜EL素子特有の不完全
さ、即ちピンホール等によつて通電時に生じるブレーク
ダウンのため起る微小な熱損傷領域の拡大を防止、固定
化し、大気環境下での湿気保護、放熱効果、さらに振動
、たわみに対しても有効な改良技術となるシーリング方
式としてオイル等流体注入封止法が提唱されている。
On the other hand, in vacuum sealing, there is the problem of deterioration of the degree of vacuum due to outgas when thermal breakdown occurs due to breakdown due to the imperfection of the thin film EL element mentioned above, and the complexity of the vacuum sealing process. There are drawbacks. In addition, both thin film coating and vacuum sealing have drawbacks such as inability to dissipate heat generated due to EL emission loss. Regarding the coagulable resin coating, if the resin and the thin film EL element have strong adhesion, vibrations generated during energization, stress distortion during handling, thermal stress distortion, etc. will have an adverse effect such as delamination of the thin film EL element. On the other hand, if the adhesion is weak, gaps may occur due to vibration, deflection, and heat generation, making it impossible to prevent moisture from entering the atmosphere. In view of the above-mentioned drawbacks, we have taken measures to prevent and fix the expansion of minute thermal damage areas that occur due to breakdown caused by pinholes and other imperfections that occur during energization, and to protect against moisture in atmospheric environments. A sealing method using fluids such as oil has been proposed as a sealing method that is effective in improving heat dissipation effects, as well as vibration and deflection.

第3図にこの流体注入封止法を用いた薄膜ELパネルの
1例を示す。
FIG. 3 shows an example of a thin film EL panel using this fluid injection sealing method.

この薄膜ELパネルは第1図に於ける透明電極2及び背
面電極6が帯状に成形され、互いに直交する如く複数本
配列されたマトリツクス電極構造が採用されており、透
明電極2と背面電極6が平面図的に見て交又した位置が
パネルの1絵素に相当する。第3図に基いて説明すると
、ガラス基板1上に平行配列された透明電極2、第1の
誘電体層3,ZnS発光層4が順次積層され、ZnS発
光層4上にはSl3N4膜とSl3N4膜上に重畳され
たAl2O3膜とから成る第2の誘電体層5が2層構造
で積層され、更に上記透明電極2と直交する方向に平行
配列された背面電極6が第2の誘電体層上に設けられ、
薄膜EL素子が構成されている。
This thin film EL panel adopts a matrix electrode structure in which the transparent electrode 2 and the back electrode 6 shown in FIG. The intersecting position corresponds to one pixel of the panel when viewed from a plan view. To explain based on FIG. 3, a transparent electrode 2, a first dielectric layer 3, and a ZnS light emitting layer 4 arranged in parallel on a glass substrate 1 are sequentially laminated, and on the ZnS light emitting layer 4, an Sl3N4 film and a Sl3N4 film are formed. A second dielectric layer 5 consisting of an Al2O3 film superimposed on the film is laminated in a two-layer structure, and a back electrode 6 arranged in parallel in a direction orthogonal to the transparent electrode 2 is further formed on the second dielectric layer. set on top,
A thin film EL element is constructed.

この薄膜EL素子を封止するため、ガラス基板1にスペ
ーサ10を介して背面ガラス板11が対向配置され、ガ
ラス基板1、スペーサ10、及び背面ガラス板11の各
接合部は接着剤12で固定密封され、薄膜EL素子に対
する外囲器が構成されている。外囲器内には薄膜EL素
子が内蔵される,とともにシリコンオイル、真空グリー
ス等の薄膜EL素子保護用注入流体13が充填封入され
ている。注入流体13に要求される条件としては(1)
ピンホールへの浸透性があり、(2)絶縁耐圧が高く、
(3)耐熱性、耐湿性に秀れ、(4)薄膜EL素子構成
膜と反応せず、(5)蒸気性、熱膨張係数の小さい流動
性物質であることが望ましいが特にピンホールへの浸透
性があり絶縁耐圧がある程度高いこと及び薄膜EL素子
構成膜と反応しないことを要する。スペーサ10として
は厚さ0.5m71Lのテフロンやポリイミド樹脂等の
絶縁プラスチツクシートが使用されるが、その他シリコ
ンゴム、ガラス等も用いられる。スペーサ10は周辺に
シリコンオイル等注入用の微小注入孔14が1個乃至数
個設けられている。注入孔14は背面ガラス板11に形
成してもよい。接着剤12としてはエポキシ系樹脂その
他が用いられ、接着剤12は注入孔14を除いて外囲器
の接合部に付着される。また透明電極2及び背面電極6
のリード端子部15はガラス基板1と背面ガラス板11
の接合部を介して外囲器外部のガラス基板1上へその一
端が延設され、駆動制御用回路(図示せず)と電気的に
接続されている。透明電極2及び背面電極6を介して交
流電圧を印加するとガラス基板1の前面より絵素単位の
発光表示が実行される。上記構成から成る薄膜ELパネ
ルは大気中の湿気侵入を有効に防止することができるた
め、薄膜EL素子の信頼性、寿命を飛躍的に向上させる
優れた効果を有する。
In order to seal this thin film EL element, a back glass plate 11 is arranged to face the glass substrate 1 with a spacer 10 in between, and each joint of the glass substrate 1, spacer 10, and back glass plate 11 is fixed with an adhesive 12. It is sealed and forms an envelope for the thin film EL device. A thin film EL element is housed in the envelope, and an injection fluid 13 for protecting the thin film EL element, such as silicone oil or vacuum grease, is filled and sealed. The conditions required for the injection fluid 13 are (1)
Penetrates into pinholes, (2) has high dielectric strength,
(3) It is desirable that it has excellent heat resistance and moisture resistance, (4) it does not react with the constituent films of thin film EL elements, and (5) it is a fluid substance with vapor property and a small coefficient of thermal expansion, but it is especially suitable for pinholes. It is required to have permeability, have a certain high dielectric strength voltage, and not react with the films constituting the thin film EL element. As the spacer 10, an insulating plastic sheet such as Teflon or polyimide resin having a thickness of 0.5 m71 L is used, but silicone rubber, glass, etc. may also be used. The spacer 10 is provided with one to several micro injection holes 14 for injection of silicone oil, etc., around the spacer 10 . The injection hole 14 may be formed in the back glass plate 11. Epoxy resin or the like is used as the adhesive 12, and the adhesive 12 is attached to the joints of the envelope except for the injection hole 14. In addition, the transparent electrode 2 and the back electrode 6
The lead terminal portion 15 is connected to the glass substrate 1 and the back glass plate 11.
One end thereof extends onto the glass substrate 1 outside the envelope through the joint portion, and is electrically connected to a drive control circuit (not shown). When an alternating current voltage is applied through the transparent electrode 2 and the back electrode 6, a light emitting display is performed on a pixel-by-pixel basis from the front surface of the glass substrate 1. Since the thin film EL panel having the above structure can effectively prevent moisture from entering the atmosphere, it has an excellent effect of dramatically improving the reliability and life of the thin film EL element.

しかしながら上記構成に於いてもシーリング用オイル等
の注入流体自体に水分が含有されるためこの水分が薄膜
EL素子に侵入して素子特性の劣化要因になるという問
題点が尚残存する。注入流体に含有される水分を注入前
に完全に除去することは技術的に困難であり、ガス出し
操作を施こしても若干の水分は注入流体中に残留する。
本発明は上記問題点に鑑み、薄膜EL素子保護用注入流
体に含有される水分を吸収体に吸着せしめ、薄膜EL素
子を水分から完全に保護してより一層の信頼性を確立し
た新規有用な薄膜ELパネルを提供することを目的とす
る。
However, even with the above configuration, there still remains the problem that the injected fluid itself, such as sealing oil, contains moisture, and this moisture enters the thin film EL element and becomes a factor in deteriorating the characteristics of the element. It is technically difficult to completely remove moisture contained in the injection fluid before injection, and even after performing a gas venting operation, some moisture remains in the injection fluid.
In view of the above-mentioned problems, the present invention has been devised to provide a new and useful product that completely protects the thin-film EL element from moisture by adsorbing the water contained in the injection fluid for protecting the thin-film EL element to an absorber, thereby establishing further reliability. The purpose is to provide a thin film EL panel.

以下、本発明を実施例に従つて図面を参照しながら詳説
する。
Hereinafter, the present invention will be explained in detail according to embodiments with reference to the drawings.

第4図は本発明の1実施例を示す薄膜ELパネルの要部
断面構成図である。
FIG. 4 is a cross-sectional configuration diagram of essential parts of a thin film EL panel showing one embodiment of the present invention.

第3図と同一符号は同一内容を示し説明を省略する。第
3図同様薄膜EL素子が外囲器内に内蔵され、シリコン
オイル、真空グリース等の注入流体13が充填封入され
ている。
The same reference numerals as in FIG. 3 indicate the same contents, and the explanation will be omitted. As in FIG. 3, a thin film EL element is housed in an envelope, and filled with injection fluid 13 such as silicone oil or vacuum grease.

外囲器を構成する背面ガラス板11の内面にはアルミ箔
上にシリカゲルを塗布した水分吸収体16がシート状に
貼設されている。シリカゲルは注入流体13が非イオン
性であるため、注入流体に妨げられることなくイオン性
を有する水分を吸着することができる。水分吸収体16
はエポキシ系樹脂等で背面ガラス板11に接着される。
外囲器への流体注人は外囲器接着後両者を10『C〜2
00℃に昇温し、10−2T0rr以下の減圧下で脱ガ
ス処理した後、注入孔14をシリコンオイル等の槽内に
挿入して行なう。流体注入後注入孔14はエポキシ系樹
脂等で密封する。水分吸収体16はアルミ箔上にシリカ
ゲルを塗布したものを用いたがガラス、プラスチツク上
に塗布しても良く、シリカゲルのみのシートを背面ガラ
ス11に直接貼設しても良い。第5図は第3図に示す薄
膜ELパネルと第4図に示す薄膜ELパネルをそれぞれ
10個抽出し加温加湿雰囲気中で加速試験した時の劣化
状況を示す特性図である。
A moisture absorber 16 made of aluminum foil coated with silica gel is pasted in the form of a sheet on the inner surface of the rear glass plate 11 constituting the envelope. Since the injection fluid 13 is nonionic, silica gel can adsorb ionic water without being hindered by the injection fluid. Moisture absorber 16
is adhered to the rear glass plate 11 with epoxy resin or the like.
The person injecting the fluid into the envelope should heat both to 10"C~2" after adhering the envelope.
After raising the temperature to 00 DEG C. and degassing under a reduced pressure of 10@-2 T0rr or less, the injection hole 14 is inserted into a bath of silicone oil or the like. After the fluid is injected, the injection hole 14 is sealed with epoxy resin or the like. Although the moisture absorber 16 is made of aluminum foil coated with silica gel, it may be coated on glass or plastic, or a sheet of silica gel alone may be directly attached to the back glass 11. FIG. 5 is a characteristic diagram showing the state of deterioration when ten thin film EL panels shown in FIG. 3 and ten thin film EL panels shown in FIG. 4 were extracted and subjected to an accelerated test in a heated and humid atmosphere.

図中aはシリカゲルを内包しない従来の薄膜ELパネル
の劣化曲線、bはシリカゲルを内包した上記実施例に示
す薄膜ELパネルの劣化曲線である。図中のcは表示品
位が低下し始める限界領域を示す。シリカゲルを内設し
た薄膜ELパネルは従来のものに比較してその素子寿命
が4〜5倍に達している。この実験に於いて、シリカゲ
ルは厚さ100μm以下に設定したが、シリカゲルの層
厚を厚くすると更に寿命が長くなる。第6図、第7図、
第8図はそれぞれ本発明の他の実施例を示す薄膜ELパ
ネルの要部構成断面図である。
In the figure, a is a deterioration curve of a conventional thin film EL panel that does not contain silica gel, and b is a deterioration curve of the thin film EL panel shown in the above embodiment that contains silica gel. In the figure, c indicates a limit region where display quality begins to deteriorate. Thin-film EL panels containing silica gel have an element life that is four to five times longer than conventional panels. In this experiment, the silica gel was set to have a thickness of 100 μm or less, but the life will be further extended if the silica gel layer thickness is increased. Figure 6, Figure 7,
FIG. 8 is a cross-sectional view of the main part of a thin film EL panel showing other embodiments of the present invention.

第6図の実施例は、外囲器内の薄膜EL素子外周にプラ
スチツク等から成る型板17を架設し、型板17と背面
ガラス板11間にスペーサ18を介設するとともにスペ
ーサ18で離間された型板17と背面ガラス板11間の
間隙にシリカゲルの粉末から成る水分吸収体16を挿入
したものである。
In the embodiment shown in FIG. 6, a template 17 made of plastic or the like is installed around the outer periphery of the thin film EL element in the envelope, and a spacer 18 is interposed between the template 17 and the rear glass plate 11, and the spacer 18 separates the element. A moisture absorber 16 made of silica gel powder is inserted into the gap between the mold plate 17 and the back glass plate 11.

注入流体13中にシリカゲルの微小粉末を混入するだけ
でも水分吸収機能を構成することは可冫能であるが、こ
の場合は沈殿による表示品位の低下をきたすことになる
ため、本実施例の如く型板17を用いてシリカゲルを前
面(表示側)のガラス基板1から見えないようにするこ
とが望ましい。第7図の実施例はシリカゲル粉末を微小
な孔が二多数設けられたチユーブあるいは水分透過性の
大なるチユーブ内に充填して成る水分吸収体16を外囲
器内の周囲に配設したものである。第8図はスペーサ1
0を構成する樹脂中にシリカゲルを含有せしめたもので
ある。
Although it is possible to provide a moisture absorbing function by simply mixing fine silica gel powder into the injection fluid 13, in this case, the display quality will deteriorate due to precipitation, so it is not necessary to It is desirable to use the template 17 to make the silica gel invisible from the front (display side) glass substrate 1. In the embodiment shown in FIG. 7, a moisture absorber 16 made of silica gel powder filled in a tube with two microscopic holes or a large moisture-permeable tube is arranged around the inside of the envelope. It is something. Figure 8 shows spacer 1
Silica gel is contained in the resin constituting 0.

水分吸収効果は前記各実施例に比較して若干劣るが構成
は簡素化される。以上詳説した如く、本発明によれば薄
膜ELパネルに注入された薄膜EL素子保護用流体で大
気中の湿気が薄膜EL素子に侵入することを防止するの
みならず、流体自体の有する水分も流体中の水分吸収体
に吸着されるため、薄膜EL素子に対する水分侵入防止
効果がより一層顕著なものとなり、薄膜ELパネルの表
示寿命が飛躍的に向上する。
Although the moisture absorption effect is slightly inferior to those of the above embodiments, the structure is simplified. As explained in detail above, according to the present invention, the fluid for protecting thin film EL elements injected into the thin film EL panel not only prevents moisture in the atmosphere from entering the thin film EL elements, but also prevents moisture contained in the fluid itself from entering the thin film EL elements. Since it is adsorbed by the moisture absorber inside, the effect of preventing moisture from entering into the thin film EL element becomes even more remarkable, and the display life of the thin film EL panel is dramatically improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は薄膜EL素子の具体的構造を示す構成図である
。 第2図は従来の薄膜EL素子の構成図である。第3図は
従来の薄膜ELパネルの1例を示す要部構成図である。
第4図は本発明の1実施例の説明に供する薄膜ELパネ
ルの要部断面構成図である。第5図は第3図及び第4図
の薄膜ELパネルの劣化試験結果を示す特性図である。
第6図、第7図及び第8図はそれぞれ本発明の他の実施
例を示す薄膜ELパネルの要部構成断面図である。1・
・・・・・ガラス基板、10・・・・・・スペーサ、1
1・・・・・・背面ガラス板、16・・・・・・水分吸
収体。
FIG. 1 is a block diagram showing a specific structure of a thin film EL element. FIG. 2 is a block diagram of a conventional thin film EL element. FIG. 3 is a diagram illustrating a main part of an example of a conventional thin film EL panel.
FIG. 4 is a cross-sectional configuration diagram of essential parts of a thin film EL panel for explaining one embodiment of the present invention. FIG. 5 is a characteristic diagram showing the results of a deterioration test for the thin film EL panels shown in FIGS. 3 and 4. FIG.
FIG. 6, FIG. 7, and FIG. 8 are sectional views showing main parts of a thin film EL panel showing other embodiments of the present invention. 1・
...Glass substrate, 10...Spacer, 1
1...Back glass plate, 16...Moisture absorber.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 透光性前面基板と背面板とから成る外囲器内に薄膜
EL素子を内蔵し、前記透光性前面基板を介して表示を
実行する薄膜ELパネルに於いて、前記外囲器内に前記
薄膜EL素子への水分侵入を防止するシーリング用オイ
ルを注入するとともに該シーリング用オイルと接触する
水分吸収体を配設し、前記シーリング用オイルの含有す
る水分を前記水分吸収体に吸着せしめることを特徴とす
る薄膜ELパネル。
1. In a thin-film EL panel in which a thin-film EL element is built in an envelope consisting of a translucent front substrate and a back plate, and display is performed via the translucent front substrate, Injecting a sealing oil that prevents moisture from entering the thin film EL element and disposing a moisture absorber in contact with the sealing oil, so that moisture contained in the sealing oil is adsorbed by the moisture absorber. A thin film EL panel featuring:
JP54032162A 1979-03-16 1979-03-16 Thin film EL panel Expired JPS5944633B2 (en)

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DE3010164A DE3010164C2 (en) 1979-03-16 1980-03-17 Thin-film electroluminescent display element

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