JPS6025193A - Thin film el unit - Google Patents
Thin film el unitInfo
- Publication number
- JPS6025193A JPS6025193A JP58133228A JP13322883A JPS6025193A JP S6025193 A JPS6025193 A JP S6025193A JP 58133228 A JP58133228 A JP 58133228A JP 13322883 A JP13322883 A JP 13322883A JP S6025193 A JPS6025193 A JP S6025193A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- moisture
- glass
- container
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 30
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 claims description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 11
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 11
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 11
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 241000583281 Sugiura Species 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000007844 bleaching agent Substances 0.000 description 1
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、薄膜ＦｉＬ素子１こよって光を得る薄膜ＢＬ
装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a thin film BL which obtains light through a thin film FiL element 1.
It is related to the device.
背景技術とその問題点
第１図は、上記の様な薄膜ＥＬ装置の従来例を示してい
る。この部１図に示す様に、薄膜ＢＬ装置（１）では薄
膜ＥＬ素子（２）がガラス基板（３）上部と形成されて
いる。BACKGROUND ART AND THEIR PROBLEMS FIG. 1 shows a conventional example of a thin film EL device as described above. As shown in Figure 1 of this section, in a thin film BL device (1), a thin film EL element (2) is formed on the top of a glass substrate (3).
薄膜ＥＬ素子（２）を形成する為には、第２図１こ示す
様に、ガラス基板（３）上にＩＴＯを真空蒸着すること
によってまず透明電極（４）全形成する。次いで、透明
電極（４）上に透明な下部絶縁膜（５）をスパッタリン
グで形成し、更にその上にＺｎ８ ： Ｍｎ （〜Ｉｎ
が付活剤として添加されたＺｎＳ ）を電子ビーム蒸着
することによって薄膜状の発光層（６）を形成する。そ
して、発光層（６）上に上部絶縁膜（７）をスパッタリ
ングで形成し、最後にその上にＡｌ を真空蒸着するこ
とによって背面電極ａυを形成する。In order to form the thin film EL element (2), as shown in FIG. 2, the entire transparent electrode (4) is first formed by vacuum evaporating ITO on the glass substrate (3). Next, a transparent lower insulating film (5) is formed on the transparent electrode (4) by sputtering, and Zn8:Mn (~In
A thin film-like light-emitting layer (6) is formed by electron beam evaporation of ZnS (ZnS) added as an activator. Then, an upper insulating film (7) is formed on the light emitting layer (6) by sputtering, and finally, Al is vacuum-deposited thereon to form a back electrode aυ.
Ｆｉ Ｌ素子（２）が形成きれているガラス基板（３）
上には、一方の端面が閉塞されている扁平な四角筒状の
ガラス蓋α２が載置され、このガラス蓋ｔｔ２１とガラ
ス基板（３）とＩこよって空間Ｑ３１が形成されて、こ
の空間（１′ａ内にＢＬ累子（２）が収容されている。Glass substrate (3) on which the Fi L element (2) is completely formed
A flat rectangular cylindrical glass lid α2 with one end closed is placed on top, and a space Q31 is formed by this glass lid tt21 and the glass substrate (3). A BL holder (2) is housed in 1'a.
つ才り、ガラス基板（３）とガラス蓋Ｑ４とで％ＥＬ素
子（２）を収容する為の容器が形成されている。そして
、これらのガラス基板（３）とガラスａｎ２１とは、エ
ポキシ樹脂α４によって封止されている。なお、電極（
４） （ｌυは、外部の電源（図示せず）への接続の為
に、互いに接触しない様にガラス蓋ａ２の外側へ延出さ
れている。Additionally, the glass substrate (3) and the glass lid Q4 form a container for accommodating the %EL element (2). These glass substrates (3) and glass an21 are sealed with epoxy resin α4. In addition, the electrode (
4) (lυ are extended to the outside of the glass lid a2 so as not to touch each other for connection to an external power source (not shown).
ガラス蓋０７Ｊのガラス基板（３）１こ対向する面には
貫通孔０■が形成されており、この貫通孔（１５１から
空間０：９内へシリコーンオイルｆｌＱが注入されてい
る。貫通孔（１５）は、シリコーンオイル（１（ｊの注
入後に、ガラス板Ｑ７）で覆われエポキシ樹脂０１）に
よって封止されている。A through hole 0 is formed in the surface of the glass lid 07J opposite to the glass substrate (3), and silicone oil flQ is injected into the space 0:9 from this through hole (151). 15) is covered with silicone oil (glass plate Q7 after injection of 1(j) and sealed with epoxy resin 01).
シリコーンオイル００は、その中に９されているＥＬ累
子（２）の透明電極（４）と背面電極的）とを絶縁する
と共に、もしこれらの間で放電が起こりＩシＬ素子（２
）の一部が破壊された場合Ｉこはその部分に入り込むこ
とによってそれ以上の破壊の拡大を防止する為のもので
ある。The silicone oil 00 insulates the transparent electrode (4) of the EL element (2) placed therein (like the back electrode), and also insulates the transparent electrode (4) of the EL element (2) placed therein, and in case a discharge occurs between them.
) is to prevent further expansion of destruction by entering that part.
シリコーンオイルＯｅの空間０３１内への注入は、液晶
を注入する場合と同様の方法によって行われる。The silicone oil Oe is injected into the space 031 by the same method as injecting liquid crystal.
即ち、シリコーンオイルＱ（ｉｌの貯溜槽（図示せず）
とＥＬ装置（１）とを真空芥器（図示せず〕内にまず配
置する。そして、シリコーンオイル（１６）の通路とな
るパイプ（図示せず〕の一端部を貫通孔（１９内に位置
きせるか他端部は貯溜槽から離した状態で、真空容器内
を真空にする。すると、空間０３）内もパイプを通じて
真空にされる。次いで、この真空状態番保持したままで
、パイプの他端部を貯溜槽内に位置させる。この後、真
空容器内を大気圧に戻すと、パイプ及び貫通孔０■を通
じて空間（１３）内へシリコーンオイル（１６１が注入
される。That is, a storage tank (not shown) of silicone oil Q (il)
and the EL device (1) are placed in a vacuum container (not shown).Then, one end of the pipe (not shown) that will serve as a passage for the silicone oil (16) is placed in the through hole (19). With the other end of the pipe separated from the storage tank, the inside of the vacuum container is evacuated.Then, the inside of space 03) is also evacuated through the pipe.Next, while maintaining this vacuum state, the other end of the pipe is evacuated. The end portion is placed in the storage tank. After this, when the inside of the vacuum container is returned to atmospheric pressure, silicone oil (161) is injected into the space (13) through the pipe and the through hole 0.
以上の様なＥＬ装置（１）の電極（４） （１η間に電
圧を印加すると、発光層（６）が発光し、ガラス基板（
３）を通してその光を取出すことができる。When a voltage is applied between the electrodes (4) (1η) of the EL device (1) as described above, the light emitting layer (6) emits light, and the glass substrate (
The light can be extracted through 3).
ところで、特に薄膜ＥＬ素子（２）は水分によって劣化
され易い。しかし以上の様な構造の薄膜ＥＬ装置（１）
では、時間の経過と共に空気中の水分が封止部のエポキ
シ樹脂（＋４）（２ｔｌを透過して空間（４内へ浸入す
る。そして、この水分によって薄膜ＥＬ素子（２）が劣
化されるので、薄膜ＥＬ装置（１）の寿命は非常に短い
。エポキシ樹脂（１，４１（２１，１の代りに封止部に
フリットガラスを使用すると水分の透過はないが、フリ
ットガラスは融点が５００〜１５００Ｃの高温であるの
で、熱にも弱い薄膜ＥＬ素子（２）は、今度は制止時の
この熱によって劣化きれる。By the way, the thin film EL element (2) is particularly susceptible to deterioration due to moisture. However, the thin film EL device (1) with the above structure
Then, as time passes, moisture in the air passes through the epoxy resin (+4) (2tl) of the sealing part and enters into the space (4).Then, this moisture deteriorates the thin film EL element (2). , the life of the thin film EL device (1) is very short.If frit glass is used in the sealing part instead of epoxy resin (1,41 (21,1), no moisture will pass through, but frit glass has a melting point of 500~ Since the temperature is as high as 1500C, the thin film EL element (2), which is sensitive to heat, will be degraded by this heat during stopping.
そこで従来は、シリコーンオイル（１（３１またはエポ
キシ樹脂０（イ）Ｃ１）＃こ水分吸収剤を混入して、薄
膜Ｅ Ｌ素子（２）への水分の到達全１慣止しようとし
ていた。Therefore, in the past, attempts were made to mix silicone oil (1 (31) or epoxy resin 0 (a) C1) with a moisture absorbent to prevent moisture from reaching the thin film EL element (2).
しかしこの様な構造では、浸入した水分が水分晒収剤に
完全には吸収されず、薄膜Ｅ Ｌ装置（１）の爵命がや
はり短かかった。However, with such a structure, the infiltrated moisture was not completely absorbed by the moisture bleaching agent, and the life of the thin film EL device (1) was still short.
発明の目的
本発明は、上述の問題点薯こ鑑み、薄膜Ｆ３Ｌ素子への
水分の到達が阻止されて鍔命が長い薄膜ＥＬ装置を提供
することを目的としている。OBJECTS OF THE INVENTION In view of the above-mentioned problems, an object of the present invention is to provide a thin film EL device that prevents moisture from reaching the thin film F3L element and has a long life.
発明の概袂
本発明は、薄膜Ｔ３ Ｌ素子を収容した状態で封止され
ている容器と、前記封止部に臨み且つこの封止部に沿う
様に前記容器に形成されている溝部と、この溝部内にそ
の全長に亘って配！されている水分吸着用のモレキュラ
ーシーブとを夫々具備する薄膜Ｂ Ｌ装置ｔ暴こ係るも
のである。Summary of the Invention The present invention provides a container that is sealed while accommodating a thin film T3 L element, a groove portion that is formed in the container so as to face the sealing portion and along the sealing portion; Distributed within this groove over its entire length! This is a thin film BL apparatus each equipped with a molecular sieve for moisture adsorption.
実施例
以下、本発明の一実施例を第６図及び第４図を参照しな
がら説明する。EXAMPLE Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 4.
第３図及び第４図に示す様に、本実施例による薄膜Ｆｉ
Ｌ装置０１）は、ガラス基板（３）とガラス蓋（１２１
との封止部に臨み且つこの封止部に沿う様に水分吸着用
のモレキュラーシーブ０のが配置されており、貫通孔（
１籾内にＩｎ ４’ｌｌが圧入されエポキシ樹脂Ｃυに
よって抜止めされていることを除いて、第１図及び第２
図に示した従来例の薄膜ＥＬ装置（１）と実質的に同様
の構成であってよい。As shown in FIGS. 3 and 4, the thin film Fi according to this embodiment
L device 01) includes a glass substrate (3) and a glass lid (121).
Molecular sieve 0 for moisture adsorption is arranged facing the sealing part and along this sealing part, and the through hole (
1 and 2 except that In 4'll is press-fitted into the rice grain and is prevented from coming out by epoxy resin Cυ.
The structure may be substantially the same as the conventional thin film EL device (1) shown in the figure.
モレキュラーシーブ（３２）を上記の様に配置する為に
、ガラス蓋（１２１の口字状の開口端面に開口を取囲む
様な溝部０４）が、ケミカルエツチングによって形成さ
れている。そして、溝部Ｏａから僅かに突出する様に、
板状のモレキュラーシーブ０′ＩＪがこの溝部０４）内
にその全長ｉこ亘って配置されている。In order to arrange the molecular sieve (32) as described above, a glass lid (a groove 04 surrounding the opening of the opening of the opening 121) is formed by chemical etching. Then, so as to slightly protrude from the groove Oa,
A plate-shaped molecular sieve 0'IJ is disposed within this groove 04) over its entire length i.
ガラス蓋（１りは、溝部０４）内にモレキュラーシーブ
ＣＩ３が配置されている状態で、エポキシ樹脂ａす匿よ
ってガラス基板（３）に接着されている。モレキュラ−
ブ０２はガラス蓋０２１の開口端面から僅かに突出して
いるので、ガラス蓋０りがガラス基板（３）に接着され
ると、エポキシ樹脂Ｑ４１がモレキュラーシーブＧつの
両側方に分断され、このエポキシ樹脂０４）を透過しよ
うとする水分は、モレキュラーシーブ０３３によって吸
着される。The molecular sieve CI3 is placed in the glass lid (groove 04) and is bonded to the glass substrate (3) using epoxy resin. Molecule
Since the sieve 02 slightly protrudes from the opening end surface of the glass lid 021, when the glass lid 021 is adhered to the glass substrate (3), the epoxy resin Q41 is divided into two molecular sieves G on both sides, and this epoxy resin 04) is adsorbed by the molecular sieve 033.
なお、ガラス基板（３）とガラス蓋ａ２との接着作業は
、乾燥したＡｒやＮ２等の雰囲気中で行われるので、溝
部０ａの内壁面とモレキュラーシーブ０４との間の僅か
な間隙には、空気ではなく乾燥したＡｒやＮ２ 等が入
っている。従って、上記の間隙に閉じ込められている気
体中の水分化よってＥＬ素子（２）１が劣化されること
はない。Note that since the bonding work between the glass substrate (3) and the glass lid a2 is performed in a dry atmosphere of Ar, N2, etc., there is a small gap between the inner wall surface of the groove 0a and the molecular sieve 04. It contains dry Ar, N2, etc. instead of air. Therefore, the EL element (2) 1 will not deteriorate due to moisture in the gas trapped in the gap.
Ｉｎ （至）は柔らかい金属であり、貫通孔（１５１内
に圧入されると、貫通孔（１９の内壁面と完全に密接す
る。In is a soft metal, and when it is press-fitted into the through hole (151), it comes into complete contact with the inner wall surface of the through hole (19).
この様に、本実施例による薄膜ＢＬ装置ｃ３１１は、シ
リコーンオイル０に）を空間（１３内へ注入する為の貫
通孔（＋５１にＩ ｎ ｐ３１が圧入されており、この
Ｉｎ３１がエポキシ樹脂ｅＪＩ＋によって抜止めされて
いるので、時間の経過と共に、空気中の水分がエポキシ
樹脂（２１）及び貫通孔ｔｌ！ｉ）を通って空間峙内に
浸入することはない。従って、空間（１３）内に収容さ
れている薄膜Ｅ Ｌ素子（２）への水分の到達が阻止さ
れて、薄膜ＥＬ装置（１）の慢命は非常に長い。In this way, in the thin film BL device c311 according to the present embodiment, In31 is press-fitted into the through hole (+51) for injecting the silicone oil (0) into the space (13), and this In31 is injected by the epoxy resin eJI+. Since it is prevented from coming out, moisture in the air will not penetrate into the space through the epoxy resin (21) and the through hole tl!i) over time. Since moisture is prevented from reaching the housed thin film EL device (2), the thin film EL device (1) has a very long lifespan.
応用例
以上、本発明を一実施例に基いて説明したか、本発明は
この実施例に限定されるものではなく、各種の変更が可
能である。Application Examples Although the present invention has been described based on one embodiment, the present invention is not limited to this embodiment, and various modifications can be made.
例えば、上記の実施例に於いてはモレキュラーシーブＣ
（ａを配置する為の溝部Ｃｌ４１がガラス蓋（１２１の
開口端面ζこ形成されているか、この溝部０４）は、ガ
ラス基板（３）の上記開口端面に対向する位置に形成さ
れていてもよく、またガラス基板（３）とガラス蓋（＋
２１との両方に形成されていてもよい。For example, in the above embodiment, molecular sieve C
(Groove Cl41 for arranging a is formed on the opening end surface of the glass lid (121, or this groove 04) may be formed at a position facing the opening end surface of the glass substrate (3). , and the glass substrate (3) and glass lid (+
21 may be formed.
発明の効果
以上の様に、本発明ｌこよる薄膜ＥＬ装置に於いては、
薄膜ＥＬ素子が収容されている容器の封止部に臨み且つ
この封止部に沿う様に溝部を形成し、この溝部内にその
全長に亘って水分吸着用のモレキュラーシーブを配置す
る様にしている。As described above, the thin film EL device according to the present invention has the following effects:
A groove is formed facing the sealing part of the container in which the thin film EL element is housed and along this sealing part, and a molecular sieve for moisture adsorption is disposed within the groove along its entire length. There is.
従って、封止部を透過して容器内へ浸入する水分がモレ
キュラーシーブによって有効に吸着さ札容器内ζこ収納
されている薄膜ＢＬ素子への水分の到達が阻止されるの
で、薄膜Ｅ Ｔ、素子が水分によって劣化されず、薄膜
Ｆ、Ｌｉ置の却命が非常に長い。Therefore, the moisture that permeates through the sealing part and enters the container is effectively adsorbed by the molecular sieve and is prevented from reaching the thin film BL element housed inside the label container. The device is not deteriorated by moisture, and the life of the thin film F and Li devices is very long.
第１図は本発明の従来例を示す概略的な断面図、第２図
は第１図の製部の拡大図、第３図は本発明の一実施例を
示す概、略的な断面図、第４図（ｌ４図に於けるＩＶ矢
視図である。
なお図面１こ用いた符号において、
（２）・・・・・・・・・・・・薄膜ＥＬ素子（３）・
・・・・・・・・・・・ガラス基板（Ｉり・・・・・・
・・・・・・ガラス蓋０１：・・・・・・・・・・・・
薄膜１０Ｌ装置Ｇ４・・・・・・・・・・・・モレキュ
ラーシーブ０ａ・・・・・・・・・・・・溝部
である。
代理人 上屋 勝
Ｉ 常包芳男
Ｉ 杉浦俊貴
第１１図Fig. 1 is a schematic cross-sectional view showing a conventional example of the present invention, Fig. 2 is an enlarged view of the manufacturing part in Fig. 1, and Fig. 3 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the present invention. , FIG. 4 (This is a view taken from the IV arrow in FIG. 14. In addition, in the reference numerals used in FIG.
......Glass substrate (Iri...)
・・・・・・Glass lid 01:・・・・・・・・・・・・
Thin film 10L device G4......Molecular sieve 0a......Groove portion. Agents Masaru Ueya I Yoshio Tsuneko I Toshiki Sugiura Figure 11
Claims (1)
、前記封止部に臨み且つこの封止部に沿う様に前記容器
に形成されている溝部と、この溝部内にその全長に亘っ
て配置されている水分吸着用のモレキュラーシーブとを
夫々具備する薄膜ＨＬ装置。A container that is sealed while accommodating a thin film B L element, a groove portion that is formed in the container facing the sealing portion and along the sealing portion, and a groove portion that extends over the entire length of the container within the groove portion. A thin film HL device comprising a molecular sieve for moisture adsorption, which is disposed at the same time.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58133228A JPS6025193A (en) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | Thin film el unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58133228A JPS6025193A (en) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | Thin film el unit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6025193A true JPS6025193A (en) | 1985-02-07 |
| JPH0532874B2 JPH0532874B2 (en) | 1993-05-18 |
Family
ID=15099720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58133228A Granted JPS6025193A (en) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | Thin film el unit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025193A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000173766A (en) * | 1998-09-30 | 2000-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | Display device |
| JP2000173764A (en) * | 1998-12-07 | 2000-06-23 | Futaba Corp | Organic el element and its manufacture |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55124182A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-25 | Sharp Kk | Thin film el panel |
| JPS5989385U (en) * | 1982-12-07 | 1984-06-16 | 沖電気工業株式会社 | Display sealed case structure |
-
1983
- 1983-07-21 JP JP58133228A patent/JPS6025193A/en active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55124182A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-25 | Sharp Kk | Thin film el panel |
| JPS5989385U (en) * | 1982-12-07 | 1984-06-16 | 沖電気工業株式会社 | Display sealed case structure |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000173766A (en) * | 1998-09-30 | 2000-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | Display device |
| JP2000173764A (en) * | 1998-12-07 | 2000-06-23 | Futaba Corp | Organic el element and its manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0532874B2 (en) | 1993-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7255937B2 (en) | Encapsulated organic electroluminescent display | |
| US8557324B2 (en) | Light emitting device | |
| US4357557A (en) | Glass sealed thin-film electroluminescent display panel free of moisture and the fabrication method thereof | |
| WO2004092566A2 (en) | Metal seal packaging for organic light emitting diode device | |
| JP2002260847A (en) | Electroluminescence element sealing film and sealed organic electroluminescence element | |
| JP2000100562A (en) | Organic el element and its manufacture | |
| JP2002216951A (en) | Light emitting device | |
| JP2002216952A (en) | Electric field light-emitting display device | |
| JP2000156287A (en) | Organic el element, and manufacture thereof | |
| JPS6025193A (en) | Thin film el unit | |
| KR960025291A (en) | Plasma address display device | |
| JPH03187193A (en) | Thin film el device | |
| JPS5944633B2 (en) | Thin film EL panel | |
| JPH11339954A (en) | Organic el display device | |
| JPS598039B2 (en) | Thin film EL panel | |
| JP2001217071A (en) | Manufacturing method of organic el element | |
| JPS6041436B2 (en) | Thin film EL panel | |
| KR20020053463A (en) | Electroluminescence device | |
| KR20030024996A (en) | Organic electroluminedcence device and method of fabricating the same | |
| JP2003151762A (en) | Display device | |
| JPS5855634B2 (en) | Thin film EL panel | |
| JP2007053017A (en) | Organic el panel and its manufacturing method | |
| KR100641023B1 (en) | Organic light emitting device panel | |
| JP2003187965A (en) | Organic el device | |
| KR20070078425A (en) | Electroluminescence device and method for manufacturing the same |