JPS592157B2 - Thin film EL panel - Google Patents

Thin film EL panel

Info

Publication number
JPS592157B2
JPS592157B2 JP56077237A JP7723781A JPS592157B2 JP S592157 B2 JPS592157 B2 JP S592157B2 JP 56077237 A JP56077237 A JP 56077237A JP 7723781 A JP7723781 A JP 7723781A JP S592157 B2 JPS592157 B2 JP S592157B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
fluid
panel
injection
zns
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP56077237A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS57191991A (en
Inventor
欽一 井坂
久 上出
利昭 石井
順 川口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP56077237A priority Critical patent/JPS592157B2/en
Priority to US06/272,723 priority patent/US4447757A/en
Publication of JPS57191991A publication Critical patent/JPS57191991A/en
Publication of JPS592157B2 publication Critical patent/JPS592157B2/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は交流電界の印加に依つてEL(Electro
Luminescence)発光を呈する薄膜EL素子
を使用したEL表示パネルに対して有効な技術となる薄
膜EL素子保護用流体の注入封止構造に関するものであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention utilizes EL (Electro
The present invention relates to a structure for injecting and sealing a fluid for protecting thin film EL elements, which is an effective technology for EL display panels using thin film EL elements that emit luminescence.

従来、交流動作の薄膜EL素子に関して、発光層に規則
的に高い電界(106V/(V7!程度)を印加し、絶
昂耐圧、発光効率及び動作の安定性等を高めるために、
0.1〜2.0wt%のMn(あるいはCu、Al、B
r等)をドープしたZnS、ZnSe等の半導体発光層
をY203、TiO2等の誘電体薄膜でサンドイッチし
た三層構造ZnS■Mn(又はZnSe:Mn)EL素
子が開発され、発光諸特性の向上が確かめられている。
Conventionally, for AC-operated thin film EL elements, a high electric field (about 106 V/(V7!)) is regularly applied to the light-emitting layer in order to improve the maximum breakdown voltage, luminous efficiency, and stability of operation.
0.1 to 2.0 wt% Mn (or Cu, Al, B
A three-layer structure ZnS Mn (or ZnSe:Mn) EL device has been developed, in which a semiconductor light emitting layer made of ZnS, ZnSe, etc. doped with ZnS, ZnSe, etc., is sandwiched between dielectric thin films such as Y203, TiO2, etc., and improvements in various light emitting characteristics have been developed. It has been confirmed.

この薄膜EL素子は数KH2の交流電界印加によつて高
輝度発光し、しかも長寿命であるという特徴を有してい
る。薄膜EL素子の1例としてZnS:Mn薄膜EL素
子の基本的構造を第1図に示す。
This thin film EL element emits light with high brightness when an alternating current electric field of several KH2 is applied, and is characterized by long life. FIG. 1 shows the basic structure of a ZnS:Mn thin film EL device as an example of a thin film EL device.

第1図に基いて薄膜EL素子の構造を具体的に説明する
と、ガラス基板1上にIn2o3、sno2等の透明電
極2、さらにその上に積層してY203、TiO2、A
l2O3、Si3N4、SiO2等からなる第1の誘電
体層3がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等により重
畳形成されている。
The structure of the thin film EL element will be explained in detail based on FIG.
A first dielectric layer 3 made of l2O3, Si3N4, SiO2, etc. is formed in an overlapping manner by sputtering, electron beam evaporation, or the like.

第1の誘電体層3上にはZnS:Mn焼結ペレットを電
子ビーム蒸着することにより得られるZnS発光層4が
形成されている。この時蒸着用のZnS:Mn焼結ペレ
ットには活性物質となるMnが目的に応じた濃度に設定
されたペレットが使用される。ZnS発光層4上には第
1の誘電体層3と同様の材質から成る第2の誘電体層5
が積層され、更にその上にAl等から成る背面電極6が
蒸着形成されている。透明電極2と背面電極6は交流電
源7に接続され、薄膜EL素子が駆動される。電極2、
6間にAC電圧を印加すると、ZnS発光層4の両側の
誘電体層3、5間に上記AC電圧が誘起されることにな
レ、従つてZnS発光層4内に発生した電界によつて伝
導体に励起されかつ加速されて充分なエネルギーを得た
電子が、直接Mn発光センターを励起し、励起されたM
n発光センターが基底状態に戻る際に黄色の発光を行な
う。
A ZnS light emitting layer 4 is formed on the first dielectric layer 3 by electron beam evaporation of ZnS:Mn sintered pellets. At this time, the ZnS:Mn sintered pellets used for vapor deposition are pellets in which Mn, which is an active substance, is set at a concentration depending on the purpose. A second dielectric layer 5 made of the same material as the first dielectric layer 3 is provided on the ZnS light emitting layer 4.
are laminated, and a back electrode 6 made of Al or the like is further formed by vapor deposition thereon. The transparent electrode 2 and the back electrode 6 are connected to an AC power source 7, and the thin film EL element is driven. electrode 2,
When an AC voltage is applied between the dielectric layers 3 and 5 on both sides of the ZnS light emitting layer 4, the above AC voltage is induced between the dielectric layers 3 and 5 on both sides of the ZnS light emitting layer 4. Therefore, the electric field generated within the ZnS light emitting layer 4 Electrons that are excited and accelerated by the conductor and have obtained sufficient energy directly excite the Mn emission center, and the excited Mn
When the n-emission center returns to the ground state, it emits yellow light.

即ち高電界で加速された電子がZnS発光層4中の発光
センターであるZnサイトに入つ沈Mn原子の電子を励
起し、基底状態に落ちる時、略々5850Aをピークに
幅広い波長領域で、強い発光を呈する。上記の如き構造
を有する薄膜EL素子はスペース・フアクタの利点を生
かした平面薄型デイスプレイ・デバイスとして、文字及
び図形を含むコンピユータ一の出力表示端末機器その他
種々の表示装置に文字、記号、静止画像、動画像等の表
示手段として利用することができ非常に有効なものであ
る。
That is, when the electrons accelerated by a high electric field excite the electrons of the precipitated Mn atoms that enter the Zn site, which is the luminescence center in the ZnS luminescent layer 4, and fall to the ground state, the electrons emit light in a wide wavelength range with a peak of approximately 5850A. Exhibits strong luminescence. The thin film EL element having the structure described above can be used as a flat thin display device that takes advantage of the space factor to display characters, symbols, still images, etc. It can be used as a means of displaying moving images, etc., and is very effective.

しかしながら薄膜EL素子の誘電体層は製造工程途中で
発生した多数のピンホールやマイクロクラツク等を含み
、これらの欠陥を通してZnS発光層4に湿気等が侵入
するため、EL発光損失による発熱、層間剥離、素子特
性の劣化等を招来する。
However, the dielectric layer of a thin-film EL device contains many pinholes and microcracks generated during the manufacturing process, and moisture, etc. enters the ZnS light emitting layer 4 through these defects, resulting in heat generation due to EL emission loss and interlayer damage. This may lead to peeling, deterioration of device characteristics, etc.

上記問題を解決することを目的として、第2図に示すよ
うに、薄膜EL素子特有の不完全さ、即ちピンホール等
によつて通電時に生じるブレークダウンのため起る微小
な熱損傷領域の拡大を防止、固定化し、大気環境下での
湿気保護、放熱効果、さらに振動、たわみに対しても有
効な改良技術となるシーリング方式が提唱されている。
In order to solve the above problem, as shown in Fig. 2, the micro thermal damage area that occurs due to breakdown caused by imperfections peculiar to thin film EL elements, such as pinholes, during energization is expanded. A sealing method has been proposed as an improved technology that prevents and immobilizes the structure, protects moisture in atmospheric environments, has heat dissipation effects, and is also effective against vibration and deflection.

この薄膜ELパネルは第1図に於ける透明電極2及び背
面電極6が帯状に成形され、互いに直交する如く複数本
配列されたマトリツクス電極構造が採用されており、透
明電極2と背面電極6が平面図的に見て交叉した位置が
パネルの1絵素に相当する。
This thin film EL panel adopts a matrix electrode structure in which the transparent electrode 2 and the back electrode 6 shown in FIG. The crossing position corresponds to one picture element on the panel when viewed from a plan view.

第2図に基いて説明すると、ガラス基板1上に一定ピツ
チ間隔で平行配列された透明電極2、第1の誘電体層3
、ZnS発光層4が順次積層され、ZnS発光層4上に
はSi3N4膜とSi3N4膜上に重畳されたAl2O
3膜とから成る第2の誘電体層5が2層構造で積層され
、更に上記透明電極2と直交する方向に一定ピツチ間隔
をもつて平行配列された背面電極6が第2の誘電体層5
上に設けられ、薄膜EL素子が構成されている。
To explain based on FIG. 2, transparent electrodes 2 and a first dielectric layer 3 are arranged in parallel at a constant pitch on a glass substrate 1.
, a ZnS light emitting layer 4 is sequentially laminated, and on the ZnS light emitting layer 4 there is a Si3N4 film and an Al2O layer superimposed on the Si3N4 film.
A second dielectric layer 5 consisting of three films is laminated in a two-layer structure, and back electrodes 6 are arranged in parallel with a constant pitch in a direction perpendicular to the transparent electrode 2. 5
A thin film EL element is formed on the top of the thin film EL element.

この薄膜EL素子を封止するため、ガラス基板1にスペ
ーサ10を介して背面ガラス板11が対向配置され、ガ
ラス基板1、スペーサ10、及び背面ガラス板11の各
接合部は接着剤12で固定密封され、薄膜EL素子に対
する外囲器が構成されている。外囲器内には薄膜EL素
子が内蔵されるとともにシリコンオイル、真空グリース
等の薄膜EL素子保護用注入流体13が充填封入されて
いる。注入流体13に要求される条件としては(1)ピ
ンホールへの浸透性があり、(2)絶縁耐圧が高く、(
3)耐熱性、耐湿性に優れ、(4)薄膜EL素子構成膜
と反応せず、(ト)蒸気圧、熱膨張係数の小さい流動性
物質であることが望ましいが特にピンホールへの浸透性
があり絶縁耐圧がある程度高いこと及び薄膜EL素子構
成膜と反応しないことを要する。スペーサ10にはシリ
コンオイル等注入用の微小注入孔14が1個乃至数個設
けられている。また透明電極2及び背面電極6のリード
端子部15はガラス基板1と背面ガラス板11の接合部
を介して外囲器外部のガラス基板1上へその一端が延設
され、駆動制御用回路(図示せず)と電気的に接続され
ている。本発明は上記薄膜EL素子保護用流体が充填さ
れた薄膜ELパネルに於いて、流体封止構造に関する改
良技術を提供することを目的とする。
In order to seal this thin film EL element, a back glass plate 11 is arranged to face the glass substrate 1 with a spacer 10 in between, and each joint of the glass substrate 1, spacer 10, and back glass plate 11 is fixed with an adhesive 12. It is sealed and forms an envelope for the thin film EL device. A thin film EL element is built in the envelope, and an injection fluid 13 for protecting the thin film EL element, such as silicone oil or vacuum grease, is filled and sealed. The conditions required for the injection fluid 13 are (1) penetration into pinholes, (2) high dielectric strength, and (
3) It is desirable to be a fluid substance that has excellent heat resistance and moisture resistance, (4) does not react with the constituent films of the thin film EL element, and (g) has low vapor pressure and coefficient of thermal expansion, but is particularly permeable to pinholes. It is necessary that the dielectric strength is high to some extent and that it does not react with the films that constitute the thin film EL element. The spacer 10 is provided with one to several micro injection holes 14 for injecting silicone oil or the like. Further, one end of the lead terminal portion 15 of the transparent electrode 2 and the back electrode 6 is extended onto the glass substrate 1 outside the envelope via the joint between the glass substrate 1 and the back glass plate 11, and the drive control circuit ( (not shown). An object of the present invention is to provide an improved technique regarding a fluid sealing structure in a thin film EL panel filled with the above fluid for protecting thin film EL elements.

以下、本発明の1実施例について図面を参照しながら詳
細に説明する。第3図は本発明の1実施例の説明に供す
る薄膜ELパネルの構成断面図である。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 3 is a cross-sectional view of a thin film EL panel for explaining one embodiment of the present invention.

ガラス基板1上に透明電極2が帯状に一定ピツチ間隔を
もつて平行配列?れ、薄膜EL素子16が構成されてい
る。
Transparent electrodes 2 are arranged parallel to each other in a strip shape on a glass substrate 1 with a constant pitch interval? A thin film EL element 16 is constructed.

この薄膜EL素子16を収納する如く皿状の背面ガラス
板17がガラス基板1上に重畳され、その内部間隙に薄
膜EL素子が内蔵される。ガラス基板1と背面ガラス板
17の接合部は光硬化性樹脂(フオトボンド)等の接着
剤で密封されている。背面ガラス板17の製作工程途中
に於ける詳細を第4図に示す。背面ガラス板17として
は厚さ3mmのソーダガラスが使用され、EL素子構造
部の収納部分がサンドエツチングにより深さ1mm程度
に凹陥成形されている。凹陥成形領域の隅部1箇所には
流体注入用の注入孔18が形成され、中空の注入用パイ
プ19が挿入されている。注入用パイプ19は金属製て
、注入孔18に接着固定されている。流体注入及び封止
は第5図A,B及び第6図A,B,Cに示す操作を介し
て行なわれる。
A dish-shaped rear glass plate 17 is superimposed on the glass substrate 1 so as to accommodate the thin film EL element 16, and the thin film EL element is housed in the internal gap thereof. The joint between the glass substrate 1 and the rear glass plate 17 is sealed with an adhesive such as photocurable resin (Photobond). Details of the manufacturing process of the back glass plate 17 are shown in FIG. Soda glass with a thickness of 3 mm is used as the back glass plate 17, and the housing portion of the EL element structure is formed into a recess with a depth of about 1 mm by sand etching. An injection hole 18 for injecting a fluid is formed at one corner of the concave molding area, into which a hollow injection pipe 19 is inserted. The injection pipe 19 is made of metal and is fixed to the injection hole 18 with adhesive. Fluid injection and sealing are performed via the operations shown in FIGS. 5A, B and 6 A, B, C.

ガラス基板1と背面ガラス板17で構成される外囲器と
流体収納槽20を第5図Aに示す如く真空槽21内に設
置する。
An envelope composed of a glass substrate 1 and a rear glass plate 17 and a fluid storage tank 20 are placed in a vacuum chamber 21 as shown in FIG. 5A.

この時外囲器の注入パイプ19の先端は流体収納槽20
内の注入流体と離反している。この状態で真空槽21内
を減圧し、注入流体及び薄膜EL素子16のガス出しを
行なう。次に真空保持のまま流体収納槽20を上昇させ
、第5図Bに示す如く、注入パイプ19の先端を注入流
体内へ挿入させる。この後、真空槽21を大気圧下に戻
し、これによつて外囲器内へ流体収納槽20内の注入流
体が注入パイプ19を介して注入される。この時真空槽
21内を必要に応じて昇温させ、注入流体の流動性を高
めることもできる。
At this time, the tip of the injection pipe 19 of the envelope is connected to the fluid storage tank 20.
It is separated from the injection fluid inside. In this state, the pressure inside the vacuum chamber 21 is reduced, and the injected fluid and the gas from the thin film EL element 16 are vented. Next, the fluid storage tank 20 is raised while maintaining the vacuum, and the tip of the injection pipe 19 is inserted into the injection fluid as shown in FIG. 5B. Thereafter, the vacuum chamber 21 is returned to atmospheric pressure, whereby the injection fluid in the fluid storage tank 20 is injected into the envelope via the injection pipe 19. At this time, the temperature inside the vacuum chamber 21 can be raised as necessary to improve the fluidity of the injected fluid.

注入流体の注入操作が完了すると、第5図Bに示す状態
で第6図Aに示す如く注入パイプ19と外囲器接合部近
傍の注入パイプ19を圧着し、及封止を行なう。
When the injection operation of the injection fluid is completed, in the state shown in FIG. 5B, the injection pipe 19 and the injection pipe 19 near the envelope joint are crimped and sealed as shown in FIG. 6A.

その後及封止部の注入パイプ19を第6図Bに示す如く
切断し、切断部の注入パイプ19を完全封止するためエ
ポキシ系樹脂から成る樹脂接着剤22を被着する。次に
この注入パイプ19封止部を内設可能な凹陥部23を有
するガラスキヤツプ24を注入パイプ19封止部の背面
ガラス板17上に接着剤を介して被冠し、第6図Cに示
す如く注入流体に対する二重封止構造を構成する。ガラ
スキヤツプ24を背面ガラス板17に接着する接着剤と
しては光硬イ牲接着剤(フオトボンド)等が用いられる
。以上により封入操作工程が完了する。
Thereafter, the injection pipe 19 at the sealed portion is cut as shown in FIG. 6B, and a resin adhesive 22 made of epoxy resin is applied to completely seal the injection pipe 19 at the cut portion. Next, a glass cap 24 having a concave portion 23 in which the sealing portion of the injection pipe 19 can be placed is placed on the rear glass plate 17 of the sealing portion of the injection pipe 19 with adhesive, and as shown in FIG. 6C. As shown, a double sealing structure for the injection fluid is constructed. As the adhesive for bonding the glass cap 24 to the rear glass plate 17, a light hardening adhesive (Photobond) or the like is used. With the above steps, the enclosing operation process is completed.

ガラスキヤツプ24としては第7図A,Bの側面図、底
面図に示す様な20mmX20mmで厚さ3mmのソー
ダガラスが用いられ、注入パイプ19封止部に被冠した
際に、注入パイプ19の先端及び樹脂接着剤22を内包
しかつ漏洩注入流体を貯溜するための若干の空隙を有す
る凹陥部23がサンドエツチング等により加工されてい
る。以下、本発明の二重封止構造について説明する。
The glass cap 24 is made of soda glass measuring 20 mm x 20 mm and having a thickness of 3 mm as shown in the side and bottom views of FIGS. 7A and 7B. A concave portion 23 containing the tip and the resin adhesive 22 and having a slight gap for storing leaked injection fluid is processed by sand etching or the like. The double sealing structure of the present invention will be explained below.

樹脂接着剤とガラスとは一般に熱膨張係数が大きく相違
しており、上記注入パイプ19の封止用として用いたエ
ポキシ系樹脂(トールシール)の熱膨張係数は5×10
−37Cであり、ガラス(Tempax)の熱膨張係数
3.2X10−67Cに比較して極めて大きな値を呈す
る。従つて、注入パイプ19の切断部を強く封止するた
めエポキソ系樹脂を厚く形成すると熱サイクルテストを
行なつた場合接着面が剥れることになる。これを防止す
るためエポキシ系樹脂を薄くすると昇温時に注入流体で
あるゾリコンオイルが膨張してエポキシ系樹脂を破り、
シリコンオイルの漏洩を招く場合がある。このような問
題の解決に本発明の二重封止構造は非常に有効なもので
あり、注入パイプ19を樹脂接着剤22で封止した後、
その外周囲にガラスキヤツプ24を被冠して外部側の封
止構造を構成することにより、封止部の信頼性を向上さ
せている。ガラスキヤツプ24内部の凹陥部23は注入
パイプ19の樹脂接着剤22より漏洩したシリコンオイ
ル等の注入流体を確実に貯溜し、外部へ漏出させないよ
うにしている。ガラスキヤツプ24と背面ガラス板17
を接着するフオトボンドは比較的軟らかい樹脂であり、
熱膨張による接着部の変形歪はこの樹脂自体に吸収され
る。以上の如く本発明の薄膜ELパネル封止構造は流体
注入口を接着剤で封止し、さらにガラスキヤツプを被冠
させて二重に封止されているため、熱的変化によりオイ
ルが膨張して注入口より漏出した場合でも背面ガラス板
と同程度の膨張係数をもつガラスキヤツプ内の空隙部で
漏洩オイルを確実に貯溜することができるため封止の信
頼性が高く実用的価値が大となる。
Resin adhesives and glass generally have a large difference in coefficient of thermal expansion, and the coefficient of thermal expansion of the epoxy resin (Thor Seal) used for sealing the injection pipe 19 is 5×10.
-37C, which is an extremely large value compared to the coefficient of thermal expansion of glass (Tempax), which is 3.2X10-67C. Therefore, if the epoxo resin is formed thickly to strongly seal the cut portion of the injection pipe 19, the adhesive surface will peel off when a thermal cycle test is performed. To prevent this, if the epoxy resin is made thinner, the injected fluid, Zolicon oil, expands when the temperature rises and breaks the epoxy resin.
This may lead to leakage of silicone oil. The double sealing structure of the present invention is very effective in solving such problems, and after sealing the injection pipe 19 with the resin adhesive 22,
By covering the outer periphery with a glass cap 24 to form an external sealing structure, the reliability of the sealing portion is improved. The concave portion 23 inside the glass cap 24 reliably stores the injection fluid such as silicone oil leaked from the resin adhesive 22 of the injection pipe 19 and prevents it from leaking outside. Glass cap 24 and back glass plate 17
Photobond is a relatively soft resin that adheres
Deformation strain of the bonded portion due to thermal expansion is absorbed by the resin itself. As described above, in the thin film EL panel sealing structure of the present invention, the fluid inlet is sealed with an adhesive and the glass cap is further covered to form a double seal, so that the oil expands due to thermal changes. Even if leaked oil leaks from the injection port, the leaked oil can be reliably stored in the gap inside the glass cap, which has an expansion coefficient similar to that of the rear glass plate, resulting in high sealing reliability and great practical value. Become.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は薄膜EL素子の具体的構造を示す構成図である
。 第2図は従来の薄膜ELパネルの1例を示す要部構成図
である。第3図は本発明のl実施例の説明に供する薄膜
ELパネルの要部構成図である。第4図は第3図の薄膜
ELパネルに使用される背面ガラス板の断面図である。
第5図A,B及び第6図A,B,Cは本発明の実施例を
説明まる製造工程図である。第7図A,Bはガラス円板
の正面図及び底面図である。1・・・・・・ガラス基板
、16・・・・・・薄膜EL素子、17・・・・・・背
面ガラス板、18・・・・・・注入孔、19・・・・・
・注入パイプ、20・・・・・・流体収納槽、21・・
・・・・真空槽、22・・・・・・接着剤、23・・・
・・・凹陥部、24・・・・・・ガラスキヤツプ。
FIG. 1 is a block diagram showing a specific structure of a thin film EL element. FIG. 2 is a diagram illustrating a main part of an example of a conventional thin film EL panel. FIG. 3 is a diagram showing the main part of a thin film EL panel for explaining an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view of the back glass plate used in the thin film EL panel of FIG. 3.
FIGS. 5A, B and 6A, B, and C are manufacturing process diagrams illustrating embodiments of the present invention. FIGS. 7A and 7B are a front view and a bottom view of the glass disk. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Glass substrate, 16...Thin film EL element, 17...Back glass plate, 18...Injection hole, 19...
・Injection pipe, 20...Fluid storage tank, 21...
...Vacuum chamber, 22...Adhesive, 23...
...Concave portion, 24...Glass cap.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 透光性前面基板と背面板とから成る外囲器内に薄膜
EL素子及び該薄膜EL素子に対する絶縁性保護用流体
を収納した薄膜ELパネルに於いて、前記外囲器に設け
られた前記保護用流体の注入管開口を封止した後ガラス
キャップを被冠して前記注入管と前記ガラスキャップ間
に空胴部を設け、前記注入管より漏洩した前記保護用流
体の貯溜部を構成したことを特徴とする薄膜ELパネル
1. In a thin film EL panel in which a thin film EL element and an insulating protective fluid for the thin film EL element are housed in an envelope consisting of a translucent front substrate and a back plate, the After sealing the opening of the protective fluid injection tube, a glass cap was placed over the injection tube to form a cavity between the injection tube and the glass cap, thereby forming a reservoir for the protective fluid leaked from the injection tube. A thin film EL panel characterized by:
JP56077237A 1980-06-16 1981-05-20 Thin film EL panel Expired JPS592157B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56077237A JPS592157B2 (en) 1981-05-20 1981-05-20 Thin film EL panel
US06/272,723 US4447757A (en) 1980-06-16 1981-06-11 Structure of thin-film electroluminescent display panel sealed by glass substrates

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56077237A JPS592157B2 (en) 1981-05-20 1981-05-20 Thin film EL panel

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57191991A JPS57191991A (en) 1982-11-25
JPS592157B2 true JPS592157B2 (en) 1984-01-17

Family

ID=13628252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56077237A Expired JPS592157B2 (en) 1980-06-16 1981-05-20 Thin film EL panel

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS592157B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS57191991A (en) 1982-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2795207B2 (en) Electroluminescence display and method of manufacturing the same
JP3278611B2 (en) Organic EL element sealing method
US20030066311A1 (en) Encapsulation of a display element and method of forming the same
JP4112779B2 (en) Manufacturing method of organic EL element
JPH05182759A (en) Organic el element
KR100858803B1 (en) Organic electro luminesence display
JPS592157B2 (en) Thin film EL panel
JPH1140347A (en) Organic electroluminescent element
JPH0332080Y2 (en)
JPS5944633B2 (en) Thin film EL panel
JPS598039B2 (en) Thin film EL panel
JPS6337476B2 (en)
JPH11339954A (en) Organic el display device
JPS60167296A (en) El panel
JPH0115116Y2 (en)
JPS6041436B2 (en) Thin film EL panel
JPH0351080B2 (en)
JPH0129319B2 (en)
JPS6375783A (en) Electric field light emitting display panel
JPS5855634B2 (en) Thin film EL panel
JPS6086795A (en) Sealing structure of thin film el panel
JPS6321320B2 (en)
JPH0533511B2 (en)
JPS60221791A (en) Thin film el panel
JPH1140343A (en) Thin-film electro-luminescence display panel