JPS6065521A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPS6065521A JPS6065521A JP17492883A JP17492883A JPS6065521A JP S6065521 A JPS6065521 A JP S6065521A JP 17492883 A JP17492883 A JP 17492883A JP 17492883 A JP17492883 A JP 17492883A JP S6065521 A JPS6065521 A JP S6065521A
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- Japan
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- solid electrolytic
- capacitors
- aluminum
- electrolytic capacitor
- capacitor
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- Pending
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Other In-Based Heterocyclic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は新ノ夏な有機半導体全固体電解質として有し、
周波数特性の改良された固体電解コンデンサに関するも
のであるっ 従来例の構成とその問題点 近年、ディジタル機器の発展に伴ない、高周波領域でイ
ンピーダンスの低い大容量コンデンサへの要望が高畦り
つつある。
周波数特性の改良された固体電解コンデンサに関するも
のであるっ 従来例の構成とその問題点 近年、ディジタル機器の発展に伴ない、高周波領域でイ
ンピーダンスの低い大容量コンデンサへの要望が高畦り
つつある。
従来知られている高周波コンデンサには、■コイ力、■
プラスチックフィルム、及び■積層セラミックコンデン
サがある。
プラスチックフィルム、及び■積層セラミックコンデン
サがある。
しかしながら、これらのコンデンサでは1μF以上の大
容量を達成するにはサイズが極端に大きくなり、たとえ
ば実現できたとしても価格が非常に高く万る。また、■
のセラミックコンデンサは現状では温度特性の良好なも
のが得られ難いっ一方、大容量コンデンサとして知られ
る電解コンデンサに、アルミニウム乾式電解コンデンサ
と、クンタルあるいはアルミニウム焼結形固体電解コン
デンサがある。
容量を達成するにはサイズが極端に大きくなり、たとえ
ば実現できたとしても価格が非常に高く万る。また、■
のセラミックコンデンサは現状では温度特性の良好なも
のが得られ難いっ一方、大容量コンデンサとして知られ
る電解コンデンサに、アルミニウム乾式電解コンデンサ
と、クンタルあるいはアルミニウム焼結形固体電解コン
デンサがある。
前者のアルミ巨つム電解コンテンザは、エツチングを施
したアルミニウム箔を捲回して大容量を達成しているが
、非常に薄い陽極酸化皮膜全保護するために液体状の電
解質を用いている。この電解質は当然イオン伝導性であ
るため、高周波領域および低温領域で著しく抵抗が増大
し、コンデンサの損失およびインピーダンス2 Q+大
させる。
したアルミニウム箔を捲回して大容量を達成しているが
、非常に薄い陽極酸化皮膜全保護するために液体状の電
解質を用いている。この電解質は当然イオン伝導性であ
るため、高周波領域および低温領域で著しく抵抗が増大
し、コンデンサの損失およびインピーダンス2 Q+大
させる。
後者のタンタルあるいはアルミニウム固体電解コンデン
サは硝酸マンガンを熱分解して得られる二酸化マンガン
(MnO2)i固体電解質として有するため、ペースト
電解質を用いたコンデンサよりは改良された周波数、温
度特性を有す。しかしながら、このコンデンサではMn
O2の比抵抗が比較的、“、Zl<、硝酸マンガンの熱
の解による酸化皮膜の]t−1傷が著しいなどの理由か
ら、高周波領域のインピーダンス、損失は十分には小さ
く々らない。
サは硝酸マンガンを熱分解して得られる二酸化マンガン
(MnO2)i固体電解質として有するため、ペースト
電解質を用いたコンデンサよりは改良された周波数、温
度特性を有す。しかしながら、このコンデンサではMn
O2の比抵抗が比較的、“、Zl<、硝酸マンガンの熱
の解による酸化皮膜の]t−1傷が著しいなどの理由か
ら、高周波領域のインピーダンス、損失は十分には小さ
く々らない。
これらの従来のコンデンサの欠点を解消するために、7
,7,8.8−テ1−ラシアノキノジメタン(以下TC
NQと略す)から成るイオンラジカル塩全固体電解質と
する固体電解コンデンサが提案されている。上記有機半
導体は溶液あるいは溶融体からアルミニウムあるいはタ
ンタルの陽極酸化皮膜上に塗布することが可能で、Mn
O2の場合のように、塗布時に酸化皮膜に損傷を与える
ことが全くない。
,7,8.8−テ1−ラシアノキノジメタン(以下TC
NQと略す)から成るイオンラジカル塩全固体電解質と
する固体電解コンデンサが提案されている。上記有機半
導体は溶液あるいは溶融体からアルミニウムあるいはタ
ンタルの陽極酸化皮膜上に塗布することが可能で、Mn
O2の場合のように、塗布時に酸化皮膜に損傷を与える
ことが全くない。
もし有機半導体として、■酸化皮膜に対する陽極酸化皮
膜有し、■比抵抗値が低いものが選ばれれば、目的とす
る大容量で周波数特性の良好なコンデンサが得られるこ
とになろう 従来使用されているTCNQ化合物としては、本出願人
の提案になる。N位fn−プロピル基。
膜有し、■比抵抗値が低いものが選ばれれば、目的とす
る大容量で周波数特性の良好なコンデンサが得られるこ
とになろう 従来使用されているTCNQ化合物としては、本出願人
の提案になる。N位fn−プロピル基。
isoプロピル基、またはtarグチル基で置換したキ
ノリニウムあるいはピリジニウム全カチオンとするTG
NQコンプレックス塩(特公昭56−10777公報)
があるう また最近では、N位をn−プロピル基あるいはisoプ
ロピル基で置換したイソキノリンをカチオンとするTC
NQ塩(特開昭68−17609公報)も提案されてい
るう これらの材料は確かに固体電解コンデンサ用電解質とし
て利用され、ある程度の特性の改良をもたらすものであ
るが、ともにいくつかの欠点を有するものである。、特
に、溶融法により、エツチング2施されたアルミニウム
箔あるいはタンタル焼結体に含浸させる場合、上記の材
料では溶融状態の安定性に乏しいため、十分に高い容量
値および低い損失を有する固体電解コンデンサが得られ
ないという欠点がある9 発明の目的 本発明は上記従来の欠点全解消するもので、Nィ37を
・n−7’チルJil、;で置換したイソキノリンをカ
チオンとするTCNQコンプレックス塩全固体電解質と
して用いることにより、大容量で周波数特性の改良され
た固体電解コンデンサ′ff:提供することを目的とす
るっ 発明の構成 本発明は上記目的を達成するためになされたもので、N
位全ノルマルブチル基で置換したインキノリンをカチオ
ンとし、7,7,8.8−テトラシアノキノジメタン全
アニオンとするイオンラジカルコンプレックス塩を用い
たとと全特徴とする固体電解コンデンサを提供するもの
であるっ実施例の説明 本発明の実施例による固体電解コンデンサの基本構成は
、陽極酸化(化成)により表面に陽極酸化皮膜を有する
ジ1′金属(たとえばアルミニウム。
ノリニウムあるいはピリジニウム全カチオンとするTG
NQコンプレックス塩(特公昭56−10777公報)
があるう また最近では、N位をn−プロピル基あるいはisoプ
ロピル基で置換したイソキノリンをカチオンとするTC
NQ塩(特開昭68−17609公報)も提案されてい
るう これらの材料は確かに固体電解コンデンサ用電解質とし
て利用され、ある程度の特性の改良をもたらすものであ
るが、ともにいくつかの欠点を有するものである。、特
に、溶融法により、エツチング2施されたアルミニウム
箔あるいはタンタル焼結体に含浸させる場合、上記の材
料では溶融状態の安定性に乏しいため、十分に高い容量
値および低い損失を有する固体電解コンデンサが得られ
ないという欠点がある9 発明の目的 本発明は上記従来の欠点全解消するもので、Nィ37を
・n−7’チルJil、;で置換したイソキノリンをカ
チオンとするTCNQコンプレックス塩全固体電解質と
して用いることにより、大容量で周波数特性の改良され
た固体電解コンデンサ′ff:提供することを目的とす
るっ 発明の構成 本発明は上記目的を達成するためになされたもので、N
位全ノルマルブチル基で置換したインキノリンをカチオ
ンとし、7,7,8.8−テトラシアノキノジメタン全
アニオンとするイオンラジカルコンプレックス塩を用い
たとと全特徴とする固体電解コンデンサを提供するもの
であるっ実施例の説明 本発明の実施例による固体電解コンデンサの基本構成は
、陽極酸化(化成)により表面に陽極酸化皮膜を有する
ジ1′金属(たとえばアルミニウム。
タンクル、チタンおよびこれらの合金)を第1の電極と
し、第2の電極(対極)とこの第1の電極との間に、T
CNQ塩からなる固体電解質を有するものであろう本実
施例によるTCNQ塩はN位’In−グチル基で置換し
たイソキノリンであるっその合成方法は次のとおシであ
るっ 先ず、1モルのヨウ化n−ブチル又は臭化n −プルチ
(184g)と1モルのイソキノリン(129g)をフ
ラスコ中で混合しつつウォーターバスで熱するっ溶液温
度が約80’CK達すると、急激に発熱して4級化が起
こる(収率100%)。
し、第2の電極(対極)とこの第1の電極との間に、T
CNQ塩からなる固体電解質を有するものであろう本実
施例によるTCNQ塩はN位’In−グチル基で置換し
たイソキノリンであるっその合成方法は次のとおシであ
るっ 先ず、1モルのヨウ化n−ブチル又は臭化n −プルチ
(184g)と1モルのイソキノリン(129g)をフ
ラスコ中で混合しつつウォーターバスで熱するっ溶液温
度が約80’CK達すると、急激に発熱して4級化が起
こる(収率100%)。
この溶液全冷却して得られる黄色の粉末(ヨウ化N−n
−プチルイソギノリン)の1モル(313,91アセト
ニトリルに沸騰状態で溶解し、1モル(204g)のT
CNQk溶解したアセトニトリル溶液(80°C)と混
合する。約10時間6°Cに放置することにより、収率
約75%で所望のN−n−ブチルイソキノリウム(TC
NQ)、(以下NBIQTと略す)の針状結晶が得られ
る、この結晶は更に、ボールミル、ジェットミルあるい
はルーレットミルで4o○メソシユまで粉砕され、固体
電解コンデンサに適用される。
−プチルイソギノリン)の1モル(313,91アセト
ニトリルに沸騰状態で溶解し、1モル(204g)のT
CNQk溶解したアセトニトリル溶液(80°C)と混
合する。約10時間6°Cに放置することにより、収率
約75%で所望のN−n−ブチルイソキノリウム(TC
NQ)、(以下NBIQTと略す)の針状結晶が得られ
る、この結晶は更に、ボールミル、ジェットミルあるい
はルーレットミルで4o○メソシユまで粉砕され、固体
電解コンデンサに適用される。
上記方法で得られた有機半導体NBIQTを固体電解コ
ンデンサに適用する方法は従来知られた方法の中からい
くつかを選択することができる。
ンデンサに適用する方法は従来知られた方法の中からい
くつかを選択することができる。
たとえにl:NBIQTケバインダーとなる高分子とJ
)、にアセ[・ニトリル、ジメチルフォルムアミド等の
溶剤に溶かし、加熱された溶液中に陽極ユニットを侵f
%冒−2、引」−げて乾燥させる方法があるっまたNB
IQTの融点は約220’Cであるので、これ以上の温
度で溶解した液体中に陽極ユニットを1”l fL’d
〜冷却して含浸させる方法などがある。特に後者の方法
を用いた場合、本実施例の有機半導体は熱安定性が良好
であるため、高い静電容量達成率および良好な周波数特
性を与えることが判明したつ 以下に本実施例孕さらに詳細に説明する。
)、にアセ[・ニトリル、ジメチルフォルムアミド等の
溶剤に溶かし、加熱された溶液中に陽極ユニットを侵f
%冒−2、引」−げて乾燥させる方法があるっまたNB
IQTの融点は約220’Cであるので、これ以上の温
度で溶解した液体中に陽極ユニットを1”l fL’d
〜冷却して含浸させる方法などがある。特に後者の方法
を用いた場合、本実施例の有機半導体は熱安定性が良好
であるため、高い静電容量達成率および良好な周波数特
性を与えることが判明したつ 以下に本実施例孕さらに詳細に説明する。
NBIQTの粉末f 100 ml、直径6 、311
#7:)アルミケースに充填し、260’C′−!で約
10秒で加熱し溶解させたつそこに捲取形アルミ電解コ
ンデンサ二二ノト全浸漬させ、浸漬後約20秒で急激に
冷却させたつこの際、コンデンサユニッ1−ハアルミニ
ウム端而全化成処理して酸化皮膜全形成させたものを用
い、有機半導体の含浸直前に270°Cの温度まで上昇
させておいた。定格47μFの陽極に対し、46μF1
損失4・0%の固体電解コンデン−17[が得られたつ 同様の条件で、N−n−プロピルキノリニウム(TGN
Q)2 およびN −n−プロピルイソキノリニウム(
TCNQ)2 ’r含浸させた従来の場合の容量、損失
はそれぞれについて38μF、10%、および45μF
、15%であったので、本実施例による有機半導体の効
果が著しいことが分る。
#7:)アルミケースに充填し、260’C′−!で約
10秒で加熱し溶解させたつそこに捲取形アルミ電解コ
ンデンサ二二ノト全浸漬させ、浸漬後約20秒で急激に
冷却させたつこの際、コンデンサユニッ1−ハアルミニ
ウム端而全化成処理して酸化皮膜全形成させたものを用
い、有機半導体の含浸直前に270°Cの温度まで上昇
させておいた。定格47μFの陽極に対し、46μF1
損失4・0%の固体電解コンデン−17[が得られたつ 同様の条件で、N−n−プロピルキノリニウム(TGN
Q)2 およびN −n−プロピルイソキノリニウム(
TCNQ)2 ’r含浸させた従来の場合の容量、損失
はそれぞれについて38μF、10%、および45μF
、15%であったので、本実施例による有機半導体の効
果が著しいことが分る。
また4、7μF級の小容量コンデンサに対しては、容量
は4.3μF以上、損失は1.5%以下の良好な結果が
得られた。
は4.3μF以上、損失は1.5%以下の良好な結果が
得られた。
次に焼結形タンタル固体電解コンデンサに本発明の有機
半導体全適用した例を示す。
半導体全適用した例を示す。
二酸化マンガンを付着さぜた場合に1oOμFの容i?
有する焼結形ペレッ1−ヲ用い、前実施例と同様の方法
でNBIQT’(i7含浸させたつこの場合含浸温度は
280°C(分解温度283°C)とし、時間を15秒
としたつ陰極として、ポリビニルブチラールをバインダ
ーとするコロイド状グラフフイl−’<アルコール分散
液より塗布し、次にアクリル系バインダを持つ銀ペース
トi塗布し、更にハンダにてリード線を接着したつ得ら
れたコンデンサの特性は静電容量が95μF1損失5%
、回れ電流0.1μ人であった。
有する焼結形ペレッ1−ヲ用い、前実施例と同様の方法
でNBIQT’(i7含浸させたつこの場合含浸温度は
280°C(分解温度283°C)とし、時間を15秒
としたつ陰極として、ポリビニルブチラールをバインダ
ーとするコロイド状グラフフイl−’<アルコール分散
液より塗布し、次にアクリル系バインダを持つ銀ペース
トi塗布し、更にハンダにてリード線を接着したつ得ら
れたコンデンサの特性は静電容量が95μF1損失5%
、回れ電流0.1μ人であった。
さらに他の実施例として、NBIQTi50Jj9用い
、前実施例と同様の方法で、捲取形のアルミ電解コンデ
ンサを試作したつ 定格容量3.3μFに74シ、3・3μF1損失1%の
コンデンサが得られたつ1MHzでの等価直列抵抗t
測定したところ0.01Ωで、従来例の有機半導体を用
いた場合の値、約1Ωよりはるかに低い値であり、高置
波特性が極めて良好であることが証明された。
、前実施例と同様の方法で、捲取形のアルミ電解コンデ
ンサを試作したつ 定格容量3.3μFに74シ、3・3μF1損失1%の
コンデンサが得られたつ1MHzでの等価直列抵抗t
測定したところ0.01Ωで、従来例の有機半導体を用
いた場合の値、約1Ωよりはるかに低い値であり、高置
波特性が極めて良好であることが証明された。
発明の効果
以」二型するに本発明はN位全ノルマルブチルで置換し
たイソキノリンをカチオンとし、7,7。
たイソキノリンをカチオンとし、7,7。
8、8−テトラシアノキノジメタンをアニオンとするイ
オンラジカルコンプレックス塩を用いたことを特徴とす
る固体電解コンデンサを提供するもので、大容量で高周
波特性の改良された固体電解コ゛ンデンサが得られる利
点を有する。
オンラジカルコンプレックス塩を用いたことを特徴とす
る固体電解コンデンサを提供するもので、大容量で高周
波特性の改良された固体電解コ゛ンデンサが得られる利
点を有する。
Claims (1)
- N位をノルマルブチル基で置換したイソキノリン全カチ
オンとし、ア、7,8.8−テトラシアノキノジメタン
をアニオンとするイオンラジカルコンプレックス塩を用
いたことを特徴とする固体電解コンデンサっ
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17492883A JPS6065521A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17492883A JPS6065521A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6065521A true JPS6065521A (ja) | 1985-04-15 |
Family
ID=15987165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17492883A Pending JPS6065521A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6065521A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62116552A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-28 | Japan Carlit Co Ltd:The | 電荷移動錯体 |
-
1983
- 1983-09-20 JP JP17492883A patent/JPS6065521A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62116552A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-28 | Japan Carlit Co Ltd:The | 電荷移動錯体 |
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