JPS6065432A - 撮像管 - Google Patents
撮像管Info
- Publication number
- JPS6065432A JPS6065432A JP58172934A JP17293483A JPS6065432A JP S6065432 A JPS6065432 A JP S6065432A JP 58172934 A JP58172934 A JP 58172934A JP 17293483 A JP17293483 A JP 17293483A JP S6065432 A JPS6065432 A JP S6065432A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electrodes
- layer
- target
- image pickup
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、高速度電子ビーム走査により、光電変換信号
を読み取る方式の光導室形撮像管に関するものである。
を読み取る方式の光導室形撮像管に関するものである。
従来の撮像管はほとんど、低速度の電子ビームで走査す
る方式（以下ＬＰ方式と記す）を用いているため、低照
度における残像が長く、とくに色残像を生じやすい、ビ
ームベンディングによる画像の歪みゃ色むらを生じやす
い等の欠点を有している。
る方式（以下ＬＰ方式と記す）を用いているため、低照
度における残像が長く、とくに色残像を生じやすい、ビ
ームベンディングによる画像の歪みゃ色むらを生じやす
い等の欠点を有している。
一方、上記問題点を改善する方法として高速歴の電子ビ
ームで走査する方式（以下ＨＮ方式と記す）が知られて
いる（例えば特開昭５４−４４４８７号）。第１図はＨ
Ｎ方式の動作原理を説明するものである。ＨＮ方式では
、透明導電膜２にカソード電極９より高い正の電圧を印
加し、クーゲントの２次電子放出比δが１以上になるよ
うにして使用する。この状態で高速度電子ビーム走査す
ると、ターゲット表面は２次電子７を放出してコレクタ
電極８の電位に平衡し、透明電極２に対して正の電位を
取る。透光性基板１および透明電極２を通った光は光導
電体層３で吸収され、電子−正孔対を発生するが、を子
が走査側へ流れて、走査側電位を負の方向に下降させる
。この下降分が信号として取り出される。尚、第１図に
おいて、１は、透光性基板、６は走査電子ビーム、７Ｆ
ｉ２次電子、８は巣束兼コレクタ電極、９はカソード、
１０は負荷抵抗、１１はターゲット近圧である。
ームで走査する方式（以下ＨＮ方式と記す）が知られて
いる（例えば特開昭５４−４４４８７号）。第１図はＨ
Ｎ方式の動作原理を説明するものである。ＨＮ方式では
、透明導電膜２にカソード電極９より高い正の電圧を印
加し、クーゲントの２次電子放出比δが１以上になるよ
うにして使用する。この状態で高速度電子ビーム走査す
ると、ターゲット表面は２次電子７を放出してコレクタ
電極８の電位に平衡し、透明電極２に対して正の電位を
取る。透光性基板１および透明電極２を通った光は光導
電体層３で吸収され、電子−正孔対を発生するが、を子
が走査側へ流れて、走査側電位を負の方向に下降させる
。この下降分が信号として取り出される。尚、第１図に
おいて、１は、透光性基板、６は走査電子ビーム、７Ｆ
ｉ２次電子、８は巣束兼コレクタ電極、９はカソード、
１０は負荷抵抗、１１はターゲット近圧である。
このようなＨＮ方式撮像管では、従来のＬＰ方式にくら
べて（１）容量性残像が少ない、（２）周辺解像度が良
い、（３）画像歪みが少ないなどの利点がある。
べて（１）容量性残像が少ない、（２）周辺解像度が良
い、（３）画像歪みが少ないなどの利点がある。
しかしながら、従来のＨＮ方式ではコレクタ電極８とタ
ーゲット走査面の電位差がほとんどないためビーム走査
時にターゲットから出た２次電子の一部がターゲツト面
に飛散し、書分布するために偽信号が発生するという問
題があり、良好な画質が得られなかった。
ーゲット走査面の電位差がほとんどないためビーム走査
時にターゲットから出た２次電子の一部がターゲツト面
に飛散し、書分布するために偽信号が発生するという問
題があり、良好な画質が得られなかった。
この偽信号を除去する方法として、新たに電位を規定す
る電極をターゲット近くに設けて、２次電子を強制的に
コレクタ電極８に収集させる方法が提案され、電位を規
定する電極を金属メツシュとして、ターゲットのビーム
走査面に直接付ける方法や、走査面上にストライプ状の
平衡電極を形成する方法が提案されている（特願昭５７
−１９２４７６ ３゜確かに、これらの方法は再分布抑
制効果があるが、反面、解像度の劣化や残像の増加等の
特性劣化をともなうので、副作用なく偽信号を除去する
技術が強く車重れでいる。
る電極をターゲット近くに設けて、２次電子を強制的に
コレクタ電極８に収集させる方法が提案され、電位を規
定する電極を金属メツシュとして、ターゲットのビーム
走査面に直接付ける方法や、走査面上にストライプ状の
平衡電極を形成する方法が提案されている（特願昭５７
−１９２４７６ ３゜確かに、これらの方法は再分布抑
制効果があるが、反面、解像度の劣化や残像の増加等の
特性劣化をともなうので、副作用なく偽信号を除去する
技術が強く車重れでいる。
本発明の目的は、ＨＮ方式撮像管において、上記の解像
度劣化、残像劣化を起こすことなく、２次電子再分布に
基づく偽信号を除去する方法を提供することにある。
度劣化、残像劣化を起こすことなく、２次電子再分布に
基づく偽信号を除去する方法を提供することにある。
本発明では、２層構造の平衡電極をターゲットのビーム
走査面上に形成することにより偽信号の除去を行なう。
走査面上に形成することにより偽信号の除去を行なう。
発明者らは、従来のＨＮ方式を詳細に検討し、前記の問
題点は、平衡電極とビームで走査される光導電膜表面の
電位が異なるため、光導電膜内に電位勾配を生ずること
に起因することを見出した。
題点は、平衡電極とビームで走査される光導電膜表面の
電位が異なるため、光導電膜内に電位勾配を生ずること
に起因することを見出した。
一方、平衡電極の電位とビーム走査面の電位を一致させ
ると２次電子の再分布防止効果がなくなってしまう。
ると２次電子の再分布防止効果がなくなってしまう。
本発明では、２層構造の電極組を設け、ターゲットに近
い側の電極（第１電極と呼ぶ）をビーム走査面電位に等
しくシ、上側の電極（第２電極と呼ぶ）は従来２次電子
の再分布を防止する目的で設定したようにコレクタ電極
より低電位に設定する。
い側の電極（第１電極と呼ぶ）をビーム走査面電位に等
しくシ、上側の電極（第２電極と呼ぶ）は従来２次電子
の再分布を防止する目的で設定したようにコレクタ電極
より低電位に設定する。
第２図は、本発明の動作原理を説明するものである。第
１電極４、および第２電極５は、縞状あるいは格子状な
どの配置をもち、第１電極同志、第２電極同志は同゛屯
位となっている。
１電極４、および第２電極５は、縞状あるいは格子状な
どの配置をもち、第１電極同志、第２電極同志は同゛屯
位となっている。
このようなターゲットを高速度電子ビームで走査すると
、放出された２次電子は、電極５とコレクタ電極８間の
電源１２によって形成される電界で加速され、コレクタ
電極８に収集されるため、ターゲツト面に再分布せず、
偽信号は発生しない。
、放出された２次電子は、電極５とコレクタ電極８間の
電源１２によって形成される電界で加速され、コレクタ
電極８に収集されるため、ターゲツト面に再分布せず、
偽信号は発生しない。
また、第１電極４があるために光導電膜中には電位勾配
が生じないので、解像度劣化や残像劣化はおこらず、良
好な画像信号が得られる。
が生じないので、解像度劣化や残像劣化はおこらず、良
好な画像信号が得られる。
第３図は、再分布の程度３１と残像３２について本発明
の効果を示すものである。図中、実線は本発明破線は従
来の平衡電極を直接ターゲット上に作りつけた場合の測
定値である横軸で従来技術の場合は電源１２の電圧、本
発明の場合は第１電極と第２電極の電位差に相当する。
の効果を示すものである。図中、実線は本発明破線は従
来の平衡電極を直接ターゲット上に作りつけた場合の測
定値である横軸で従来技術の場合は電源１２の電圧、本
発明の場合は第１電極と第２電極の電位差に相当する。
従来技術では電圧の増加とともに再分布は減少するが、
残像が劣化するのに対し、本発明によれば、副作用なく
再分布を減少できることがわかる。
残像が劣化するのに対し、本発明によれば、副作用なく
再分布を減少できることがわかる。
第４図は、本発明のターゲット構造の代表的−例である
。２層電極のうち第１電極４は、光導電体層３の上に絶
縁層１３を介して形成される。さらに第２層目の第２電
極５は絶縁層１４を介して、第１電極４の上に電気的に
絶縁された状態で形成される。このようＫして形成され
た２層電極は、互いに短絡しないように撮像管の外部へ
取り出し、独立して電圧を印加できるようにする。
。２層電極のうち第１電極４は、光導電体層３の上に絶
縁層１３を介して形成される。さらに第２層目の第２電
極５は絶縁層１４を介して、第１電極４の上に電気的に
絶縁された状態で形成される。このようＫして形成され
た２層電極は、互いに短絡しないように撮像管の外部へ
取り出し、独立して電圧を印加できるようにする。
第５図は別な構造のターゲットの例である。
第５図では、第１電極４を光導電体層３から絶縁するた
めに、第１電極４に沿って絶縁層１３が透明電極２に直
接形成されており、２層電極４゜５と透明電極２との間
の光導電体層を除き、絶縁層１３を介在させた場合の例
である。また、この例でも、２層電極は第２図で説明し
た場合と同様に形成されている。ターゲット構造をこの
ようにすることにより、２層電極４．５の部分において
電子−正孔対の生成、および電荷の蓄積がなくなり、残
像が改善される。
めに、第１電極４に沿って絶縁層１３が透明電極２に直
接形成されており、２層電極４゜５と透明電極２との間
の光導電体層を除き、絶縁層１３を介在させた場合の例
である。また、この例でも、２層電極は第２図で説明し
た場合と同様に形成されている。ターゲット構造をこの
ようにすることにより、２層電極４．５の部分において
電子−正孔対の生成、および電荷の蓄積がなくなり、残
像が改善される。
本発明において光導電体層３については特に材料に制限
はなく、通常の光導室形撮像管に適用可能で、ビーム走
査側の二次電子放出比δが動作時に１以上になるような
薄層で形成されていれば良い。ただ、前述の例で説明し
たように、光導電体層３の上に縞状又は、格子状の２層
電極４．５を形成しなければならず、化学的エツチング
やプラズマエツチングなどの加工プロセスに適合する拐
料であることが望ましい。この観点から検討した結果、
とくに水素又はフッ素を含むアモルファスシリコンを光
導電膜用材料とした時、特性、プロセス加工性ともに良
好な結果が得られた。
はなく、通常の光導室形撮像管に適用可能で、ビーム走
査側の二次電子放出比δが動作時に１以上になるような
薄層で形成されていれば良い。ただ、前述の例で説明し
たように、光導電体層３の上に縞状又は、格子状の２層
電極４．５を形成しなければならず、化学的エツチング
やプラズマエツチングなどの加工プロセスに適合する拐
料であることが望ましい。この観点から検討した結果、
とくに水素又はフッ素を含むアモルファスシリコンを光
導電膜用材料とした時、特性、プロセス加工性ともに良
好な結果が得られた。
なお、本発明に色分解用のストライプカラーフィルター
を組合わせて、単管カラー撮像管を構成しても、本発明
の効果が有効であることは云うまでも無い。
を組合わせて、単管カラー撮像管を構成しても、本発明
の効果が有効であることは云うまでも無い。
本発明によれば、ビーム走査面上に２層溝造の縞状又は
格子状の電極を形成することＫより１ビ一ム走査時の表
面電位を一様にすることができるので、信号電荷の横流
れ罠よる解像度の劣化や、残像の劣化を防止し、良好な
撮像特性を得ることができる。
格子状の電極を形成することＫより１ビ一ム走査時の表
面電位を一様にすることができるので、信号電荷の横流
れ罠よる解像度の劣化や、残像の劣化を防止し、良好な
撮像特性を得ることができる。
第１図は、従来のＨＮ方式撮像管の動作説明図、第２図
は本発明による撮像管の構成を示す図、第３図は本発明
の効果を従来法と比較して示した図、第４図は、本発明
による撮像管ターゲットの実施例の断面図、第５図は、
本発明による撮像管ターゲットの他の実施例の断面図で
あるケ ト・・透光性基板、２・・・透明導電膜、３・・・光導
電体層、４・・・縞状又は格子状の第１電極、５・・・
縞状又は格子状の第２電極、６・・・走査電子ビーム、
７・・・２次電子、８・・・集束兼コレクタ電極、９・
・・カソード、ｌＯ・・・負荷抵抗、１１・・・ターゲ
ット電圧、１２・・・再分布防止用電圧、１３・・・絶
縁層、１４・・・絶縁層。 代理人 弁理士 高橋明入 奉 ｌ 凶 第 ２ 鳳 羊 ３ 口 ３伎＜ｖ） 第１頁の続き ０発 明 者 小 川 博 文 国分寺市東恋ケ窪央研
究所内
は本発明による撮像管の構成を示す図、第３図は本発明
の効果を従来法と比較して示した図、第４図は、本発明
による撮像管ターゲットの実施例の断面図、第５図は、
本発明による撮像管ターゲットの他の実施例の断面図で
あるケ ト・・透光性基板、２・・・透明導電膜、３・・・光導
電体層、４・・・縞状又は格子状の第１電極、５・・・
縞状又は格子状の第２電極、６・・・走査電子ビーム、
７・・・２次電子、８・・・集束兼コレクタ電極、９・
・・カソード、ｌＯ・・・負荷抵抗、１１・・・ターゲ
ット電圧、１２・・・再分布防止用電圧、１３・・・絶
縁層、１４・・・絶縁層。 代理人 弁理士 高橋明入 奉 ｌ 凶 第 ２ 鳳 羊 ３ 口 ３伎＜ｖ） 第１頁の続き ０発 明 者 小 川 博 文 国分寺市東恋ケ窪央研
究所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透光性基板上に透明導電膜と光導電体層とを具備す
る光電変換ターゲットを有し、高速度電子ビームで走査
する方式の撮像管において、前記光導電体層のビーム走
査面上に電気的に連結された縞状または格子状の電極組
が設けられ、該電極組の上に絶縁層を介してさらに別の
電気的に連結された電極組が形成されていることを特徴
とする撮像管。 ２、前記縞状または格子状電極は、前記光導電体層上に
絶縁膜を介して形成されていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の撮像管。 ３、前記光導゛電膜はクリコンを主成分とし、水素及び
／又は、フッ素を含有する非晶質半導体であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項又は、第２項記載の撮像
管。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58172934A JPS6065432A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 撮像管 |
| US06/652,459 US4609846A (en) | 1983-09-21 | 1984-09-20 | Image pick-up tube having collector and balance electrodes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58172934A JPS6065432A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 撮像管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6065432A true JPS6065432A (ja) | 1985-04-15 |
Family
ID=15951059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58172934A Pending JPS6065432A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 撮像管 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4609846A (ja) |
| JP (1) | JPS6065432A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69122168T2 (de) * | 1990-05-23 | 1997-04-03 | Hitachi Ltd | Bildaufnahmeröhre und Verfahren zum Betrieb derselben |
| US6511187B1 (en) | 1992-02-20 | 2003-01-28 | Kopin Corporation | Method of fabricating a matrix display system |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA962314A (en) * | 1971-09-29 | 1975-02-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Color camera tube having color strip filter and an index electrode |
| JPS54150995A (en) * | 1978-05-19 | 1979-11-27 | Hitachi Ltd | Photo detector |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP58172934A patent/JPS6065432A/ja active Pending
-
1984
- 1984-09-20 US US06/652,459 patent/US4609846A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4609846A (en) | 1986-09-02 |
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