JPS6063978A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS6063978A JPS6063978A JP17158383A JP17158383A JPS6063978A JP S6063978 A JPS6063978 A JP S6063978A JP 17158383 A JP17158383 A JP 17158383A JP 17158383 A JP17158383 A JP 17158383A JP S6063978 A JPS6063978 A JP S6063978A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体レーザ装置に係り、牛）にレーザ光を
発生するレーザダイオード部と、そのレ−上に形成した
集積形半導体レーザ装置の改良に関するものである。
発生するレーザダイオード部と、そのレ−上に形成した
集積形半導体レーザ装置の改良に関するものである。
用１図は従来の集積形半導体レーザ装置の構成を判り易
く示すためレーザダイオード部に対してデテクタ部（破
線で示す）を位１ｒをすら亡で示した斜視図である。図
において、（１）は第１導電形であるｎ形のカリウム・
ヒ素（ＧａＡｓ）基板、（２ａ）、（２ｂ）はこれと反
対の第２導電形であるｐ形を有するアルミニウム・カリ
ウム自ヒ素（Ａｌ、Ｇａ、−ｘＡｅ ）電１ｌｉｉＬブ
ロック１１９、（３ａ）、 （３ｂ）はそれぞれ電流ブ
ロック層（２ａ）、（２ｂ）にその表面から基板ｆｌ）
に達するように形成されたストライプ溝、（４ａ）、
（４ｂ）はそれぞれ１１１流ブロック層（２ａ）、 （
２ｂ）の−ヒにストライプｉ？Ｊｔ （３ａ）、 （３
ｂ）内を含めて、例えば液相エピタキシャル成長法など
で（ｋ ｈｊされたｎ形のＡｌ ｙ Ｇａ １−ｙ Ａ
ｓ上クラッド層、（５ａ）、 （５ｂ）はＡＩ！２０ａ
、−２Ａθ活性層、（６ａ）、 （６ｂ）は下クラッド
Ｊｉｍ （４ａ）、 （４ｂ）および活性Ｉｕ （５ａ
）、 （５ｂ）とダブル−＼テロ接合を形成するＡ７？
。
く示すためレーザダイオード部に対してデテクタ部（破
線で示す）を位１ｒをすら亡で示した斜視図である。図
において、（１）は第１導電形であるｎ形のカリウム・
ヒ素（ＧａＡｓ）基板、（２ａ）、（２ｂ）はこれと反
対の第２導電形であるｐ形を有するアルミニウム・カリ
ウム自ヒ素（Ａｌ、Ｇａ、−ｘＡｅ ）電１ｌｉｉＬブ
ロック１１９、（３ａ）、 （３ｂ）はそれぞれ電流ブ
ロック層（２ａ）、（２ｂ）にその表面から基板ｆｌ）
に達するように形成されたストライプ溝、（４ａ）、
（４ｂ）はそれぞれ１１１流ブロック層（２ａ）、 （
２ｂ）の−ヒにストライプｉ？Ｊｔ （３ａ）、 （３
ｂ）内を含めて、例えば液相エピタキシャル成長法など
で（ｋ ｈｊされたｎ形のＡｌ ｙ Ｇａ １−ｙ Ａ
ｓ上クラッド層、（５ａ）、 （５ｂ）はＡＩ！２０ａ
、−２Ａθ活性層、（６ａ）、 （６ｂ）は下クラッド
Ｊｉｍ （４ａ）、 （４ｂ）および活性Ｉｕ （５ａ
）、 （５ｂ）とダブル−＼テロ接合を形成するＡ７？
。
Ｇａｌ−、Ａｓ上クラッド層、（７ａ）、 （７１））
はｐ形を有するＧａＡｓキャップ７１、＋８１は基板（
１）にオーミック接触する陰極、（９ａ）、 （９ｂ）
はキャップＮ（’７ａ）、 （’７１））にそれぞれオ
ーミック接触する陽極で、（ｌｏ）は添字ａを付して示
した部分からなるレーザダイオード部、（＋＋）はレー
ザダイオード部（１０）との間をリアクティブ・イオン
・エツチング（Ｒ工Ｅ）で基板ｉ１１に達する１で分離
して形成したデテクタ部で、姫′：ｆ−ｂを付して示し
た部分からなる。
はｐ形を有するＧａＡｓキャップ７１、＋８１は基板（
１）にオーミック接触する陰極、（９ａ）、 （９ｂ）
はキャップＮ（’７ａ）、 （’７１））にそれぞれオ
ーミック接触する陽極で、（ｌｏ）は添字ａを付して示
した部分からなるレーザダイオード部、（＋＋）はレー
ザダイオード部（１０）との間をリアクティブ・イオン
・エツチング（Ｒ工Ｅ）で基板ｉ１１に達する１で分離
して形成したデテクタ部で、姫′：ｆ−ｂを付して示し
た部分からなる。
このような集積形半導体レーザ４昨において、レーザダ
イオード部（１０）に順方向電流各供給すると、電流は
電流ブロックＪＶ（２ａ）に形成されたストライプ溝（
３ａ）で狭窄され、下クラッドＪ＊（４ａ）、活性層（
５ａ） 、及び上クラッド層（６ａ）で形成宴れるダブ
ルへテロ接合により、活性層（５ａ）にキャリヤの閉じ
込めが生じ、−また、下クラッド層（４ａ） 、活性層
（５ａ）及び上クラッド層（６ａ）のＪｉｄ折惠の分布
から光の閉じ込めが生じることがらレーザ発振が生起し
、電流ブロック層（２ａ）での光の吸収から横力間に実
効的な屈折率分布が形成され、枦モード安定なレーザ動
作を行ない、レーザ光を放出する。
イオード部（１０）に順方向電流各供給すると、電流は
電流ブロックＪＶ（２ａ）に形成されたストライプ溝（
３ａ）で狭窄され、下クラッドＪ＊（４ａ）、活性層（
５ａ） 、及び上クラッド層（６ａ）で形成宴れるダブ
ルへテロ接合により、活性層（５ａ）にキャリヤの閉じ
込めが生じ、−また、下クラッド層（４ａ） 、活性層
（５ａ）及び上クラッド層（６ａ）のＪｉｄ折惠の分布
から光の閉じ込めが生じることがらレーザ発振が生起し
、電流ブロック層（２ａ）での光の吸収から横力間に実
効的な屈折率分布が形成され、枦モード安定なレーザ動
作を行ない、レーザ光を放出する。
このようにして放出されたレーザ光はデテクタ部（川の
活性層（５ｂ）に入射し、この活性Ｊｆｆ （５ｂ）中
でのレーザ光の吸収によってキャリヤを生じ、このデテ
クタ部（１１目こ逆方向ｉｔｔ圧を印加した場合、上記
発生したキャリヤによって逆電流が流れる。そして、入
射するレーザ光の強度によってキャリヤの生成力）も−
！′÷す、逆方向電流も異なった値になることから、レ
ーザ光の強度の検出に用いることができる。
活性層（５ｂ）に入射し、この活性Ｊｆｆ （５ｂ）中
でのレーザ光の吸収によってキャリヤを生じ、このデテ
クタ部（１１目こ逆方向ｉｔｔ圧を印加した場合、上記
発生したキャリヤによって逆電流が流れる。そして、入
射するレーザ光の強度によってキャリヤの生成力）も−
！′÷す、逆方向電流も異なった値になることから、レ
ーザ光の強度の検出に用いることができる。
しかし、上記従来４慣ではデテクタ部（＋＋）は、光軸
方向に距離をへたてている点を除いて、Ｌ−、、−ザダ
イオード部（＋（＋＋と組成、構造が同一でを）るので
、レーザダイオード部Ｑｏ＋の活性層（５８）とデテク
タ部（１１）の活物−ｆＵ（５ｂ）とは同一大きさのバ
ンドギャップをもち、レーザダイオード部（ｌｏ）の活
性層（５ａ）がら放出されたレーザ光のエネルギー（ｊ
デテクタ部（川の活性＋５（５ｂ）のバンドギャップエ
ネルギーに相当するので、レーザ光を！ｌｌＳ収する隙
の動電がよくないなどの欠点かＸ−っだ。
方向に距離をへたてている点を除いて、Ｌ−、、−ザダ
イオード部（＋（＋＋と組成、構造が同一でを）るので
、レーザダイオード部Ｑｏ＋の活性層（５８）とデテク
タ部（１１）の活物−ｆＵ（５ｂ）とは同一大きさのバ
ンドギャップをもち、レーザダイオード部（ｌｏ）の活
性層（５ａ）がら放出されたレーザ光のエネルギー（ｊ
デテクタ部（川の活性＋５（５ｂ）のバンドギャップエ
ネルギーに相当するので、レーザ光を！ｌｌＳ収する隙
の動電がよくないなどの欠点かＸ−っだ。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、デ
テクタ部の活性層の受光部のバンドギャップエネルギー
をレーザダイオード部の活性層のバンドギャップエネル
ギーより小感くなるようにすることによって、デテクタ
部でのレーザ光の吸収効率を向上させ％作特性のよい半
榊体し−ザ装飢を提供するものである。
テクタ部の活性層の受光部のバンドギャップエネルギー
をレーザダイオード部の活性層のバンドギャップエネル
ギーより小感くなるようにすることによって、デテクタ
部でのレーザ光の吸収効率を向上させ％作特性のよい半
榊体し−ザ装飢を提供するものである。
第２図はこの発明の一実施例を第１図と回し形式で示す
斜視図で、第１図と同−和一号は同等部分を示す。（２
Ｃ）はｐ形Ａｌ、ａａ、 −、Ａｓ ＩＪ（流ブロック
層、（３Ｃ）はストライプ溝、（４Ｃ）はｎ形Ａ７．Ｇ
ａ 、 −、Ａｓクラッド層、（５Ｃ）はＡＺｚ Ｇａ
ｌ −ｚ Ａ ８活性層、（６Ｃ）はＡｔ、Ｇａ１−
、Ａｅ下クラッド層、（７ｃ） Ｇ、ｔ ｐｆｒ＜ Ｇ
ａＡｓ痺ヤツプ胎、（９Ｃ）は陽極でこの冷字Ｃを付し
て示した部分がこの実施例におけるデテクタ！ｌｉ （
１２ｉである。
斜視図で、第１図と同−和一号は同等部分を示す。（２
Ｃ）はｐ形Ａｌ、ａａ、 −、Ａｓ ＩＪ（流ブロック
層、（３Ｃ）はストライプ溝、（４Ｃ）はｎ形Ａ７．Ｇ
ａ 、 −、Ａｓクラッド層、（５Ｃ）はＡＺｚ Ｇａ
ｌ −ｚ Ａ ８活性層、（６Ｃ）はＡｔ、Ｇａ１−
、Ａｅ下クラッド層、（７ｃ） Ｇ、ｔ ｐｆｒ＜ Ｇ
ａＡｓ痺ヤツプ胎、（９Ｃ）は陽極でこの冷字Ｃを付し
て示した部分がこの実施例におけるデテクタ！ｌｉ （
１２ｉである。
この実施例では、デテクタ部（１ン（リストライブｆｖ
ｌ（３Ｃ）の幅Ｗ２は、レーザダイオード部ｉｏ＋のス
トライプ溝（３ａ）の幅Ｗ、より犬きく、Ｖ／、＜Ｗつ
の関係に形成されている。従って、デテクタ部α２）の
活性層（５ｃ）を積鳥する際に、ストライブ溝（７ｃ）
の部分上での成長速涙〃・、レーザダイオード部（１ｏ
１の活性Ｊ曽（５ａ）を積層する際の成長速度よりも早
くなり、ｆｔｒ ’ｒｊ、 Ｊ斉（５ｃ）にわん血清性
領域Ｑ３ｉが層成され、レーザダイオードｉｌ、 ｌυ
１の活性層（５ａ）のバンドギャップよりｔラ−）−フ
タ刊３０２１のわん曲話性惰坂（Ｉ３）のバンドギャッ
プの力が小さく １．’ｃる〇この実施例にふいＣも、
レーザダイオード部（１０１に胆方向１８流を流−Ｉｆ
ｆ ＆ｊ 、レーザ動作をして、レーザ）Ｙ： ’ｔ’
ｒ、加躬し、デテクタ部（１２）のわん血清性領域（川
−・そ（」レーザ光は入射する。そして、デテクタ部（
１２１６：、迎方向７［ツｖ１１．の人５さで、レーザ
光の弥良を検出−〇きる。この１、入射されるし・−ザ
光のエネルギーに比して、デテクタ部（１′Ｌ（のわん
血清性領域（１１）のハント＾ヤツンエ坏ル４−の方か
小さいので、入射５’Ｃのわん血清性領域（Ｉｌｌ中で
の吸収効率が大きく、（火山能力かｌｉ１上する。
ｌ（３Ｃ）の幅Ｗ２は、レーザダイオード部ｉｏ＋のス
トライプ溝（３ａ）の幅Ｗ、より犬きく、Ｖ／、＜Ｗつ
の関係に形成されている。従って、デテクタ部α２）の
活性層（５ｃ）を積鳥する際に、ストライブ溝（７ｃ）
の部分上での成長速涙〃・、レーザダイオード部（１ｏ
１の活性Ｊ曽（５ａ）を積層する際の成長速度よりも早
くなり、ｆｔｒ ’ｒｊ、 Ｊ斉（５ｃ）にわん血清性
領域Ｑ３ｉが層成され、レーザダイオードｉｌ、 ｌυ
１の活性層（５ａ）のバンドギャップよりｔラ−）−フ
タ刊３０２１のわん曲話性惰坂（Ｉ３）のバンドギャッ
プの力が小さく １．’ｃる〇この実施例にふいＣも、
レーザダイオード部（１０１に胆方向１８流を流−Ｉｆ
ｆ ＆ｊ 、レーザ動作をして、レーザ）Ｙ： ’ｔ’
ｒ、加躬し、デテクタ部（１２）のわん血清性領域（川
−・そ（」レーザ光は入射する。そして、デテクタ部（
１２１６：、迎方向７［ツｖ１１．の人５さで、レーザ
光の弥良を検出−〇きる。この１、入射されるし・−ザ
光のエネルギーに比して、デテクタ部（１′Ｌ（のわん
血清性領域（１１）のハント＾ヤツンエ坏ル４−の方か
小さいので、入射５’Ｃのわん血清性領域（Ｉｌｌ中で
の吸収効率が大きく、（火山能力かｌｉ１上する。
な」−・、この発８Ｉｊになる半導体レーザ装置では上
Ｈ＊ ’＜ ｈ’ａ例の各＋、ｉＳ分についてｐ形とｎ
形とを反転させて、第１の導電形をｐ形、第２の導電形
をｎ形と【７てもよいことは改めていう甘でもないであ
ろう０才た、ＧａＡｅ 、 ＡｂａＡｓのみではなく、
他の半導体を用いても同様に実現できる。
Ｈ＊ ’＜ ｈ’ａ例の各＋、ｉＳ分についてｐ形とｎ
形とを反転させて、第１の導電形をｐ形、第２の導電形
をｎ形と【７てもよいことは改めていう甘でもないであ
ろう０才た、ＧａＡｅ 、 ＡｂａＡｓのみではなく、
他の半導体を用いても同様に実現できる。
以上説明したように、この発明になる半導体レーザ装置
ではレーザダイオード部とデテクタ部とが同一半導体基
板上に同一工程で同様な半導体層構成に形成され、とも
にストライプ構造を有し、レーザダイオード部からのレ
ーザ光をデテクタ部で受光するようにしたものにおいて
、レーザダイオード部の活性層に対応するデテクタ部の
層の受光部のバンドギャップエネルギーをレーザダイオ
ード部の活性層のバンドギャップエネルギーより小さく
なるようにしたので、デテクタ部でのレーザ光の吸収効
率は同上し、動作特性は良好になる。
ではレーザダイオード部とデテクタ部とが同一半導体基
板上に同一工程で同様な半導体層構成に形成され、とも
にストライプ構造を有し、レーザダイオード部からのレ
ーザ光をデテクタ部で受光するようにしたものにおいて
、レーザダイオード部の活性層に対応するデテクタ部の
層の受光部のバンドギャップエネルギーをレーザダイオ
ード部の活性層のバンドギャップエネルギーより小さく
なるようにしたので、デテクタ部でのレーザ光の吸収効
率は同上し、動作特性は良好になる。
第１図は従来の集積形半導体レーザ装置の構成を判り易
く示すためレーザダイオード部に対してデテクタ部（破
約で示す）の位１６をすらせて示した斜視図、第２図は
この発シｊの一笑節制を第１図と同じ形式で示す斜視図
である。 図において、（ｌｊは半導体基板、（２ａ）、 （２ｃ
）は電流ブロックＭ７． （３Ｆ１）、（３ｃ）はスト
ライプ状の溝、（４ａ）、 （４ｃ）は下クラッド層、
（５ａ）、 （５ｃ）は活性Ｘｉ。 （６ａ）、 （６ｃ ）は上り二ンツドＪｅノ、（１ｔ
ｌ！はし′−ザグイメード部、（１？）はデテクタ部で
ある。 なお、図中同一符号は同−捷たけ相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 特許庁長官殿 １．事イ！１の表示 特願昭 ５８−１７１５８３号３
、補正をする者 ５、 補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄、および発明の詳細な説明
の欄 ６、補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲を添付別紙のとおりに
訂正する。 （２） 明細書の第３頁第１９行の「ダブルへテロ接合
を形成する」の次ｖｃ「ｐ形の」を挿入する。 （３）同、第６頁第１３行に「クラッド層」とあるのを
「下クラッド層」と訂正する。 （４） 同、第６頁第１４行ＶＣ「下クラッド層」とあ
るのを「上クラッド層」と訂正する。 フ、 添付書類の目録 訂正後の特許請求の範囲を示す書面 １通以上 特許請求の範囲 （１） 第１導電形を有する半導体基板上に上記第１導
電形とは反対の第２導電形を有する電流ブロック層を積
層し、この電流ブロックノーの上面から上記半導体基板
に達するストライプ状の溝を形成し、このストライプ状
の溝の内部を含めて上記電流ブロック層の上Ｋ ｇｇ
ｌ導電形を有する下クラッド層を積層し、更に上記下ク
ラ・ラドｌ崎の上に上記下クラッド層より禁制帯幅の小
さい活性層、および上記活性層より禁制帯幅の大きい上
クラッド層をｒＩｒｉ次積層してダブルへテロ粋合を構
成させてなり、上記電流ブロック層で電流通路を制限す
るスト之イブ構造のレーザダイオード部と、同一の上記
半導体基板上に上記レーザダイオード部の各ＩｌＮと同
時に形成された各層からなり、上記レーザダイオード部
の上記ストライプ状の溝に対応するストライプ状の溝を
有し上記レーザダイオード部の上記活性層から放出され
るレーザ光が上記活性層に対応する層に入射させるよう
に構成されたデテクタ部とを有するものにおいて、上記
レーザダイオード部の上記活性層に対応する上記デテク
タ部の層の上記レーザ光の入射する領域の禁制帯幅を上
記レーザダイオード部の上記活性層の禁制帯幅よシ小さ
くなるようにしたことを特徴とする半導体レーザ装置。 （２） デテクタ部のストライプ状の溝の幅をレーザダ
イオード部のストライプ状の溝の幅より太きく形成して
おくことによって上記レーザダイオード部の活性層の禁
制帯幅よりも、上記活性層に対応する層の上記ストライ
プ状の溝の上の部分の禁制帯幅を小さくなるようにした
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レ
ーザ装置。
く示すためレーザダイオード部に対してデテクタ部（破
約で示す）の位１６をすらせて示した斜視図、第２図は
この発シｊの一笑節制を第１図と同じ形式で示す斜視図
である。 図において、（ｌｊは半導体基板、（２ａ）、 （２ｃ
）は電流ブロックＭ７． （３Ｆ１）、（３ｃ）はスト
ライプ状の溝、（４ａ）、 （４ｃ）は下クラッド層、
（５ａ）、 （５ｃ）は活性Ｘｉ。 （６ａ）、 （６ｃ ）は上り二ンツドＪｅノ、（１ｔ
ｌ！はし′−ザグイメード部、（１？）はデテクタ部で
ある。 なお、図中同一符号は同−捷たけ相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 特許庁長官殿 １．事イ！１の表示 特願昭 ５８−１７１５８３号３
、補正をする者 ５、 補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄、および発明の詳細な説明
の欄 ６、補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲を添付別紙のとおりに
訂正する。 （２） 明細書の第３頁第１９行の「ダブルへテロ接合
を形成する」の次ｖｃ「ｐ形の」を挿入する。 （３）同、第６頁第１３行に「クラッド層」とあるのを
「下クラッド層」と訂正する。 （４） 同、第６頁第１４行ＶＣ「下クラッド層」とあ
るのを「上クラッド層」と訂正する。 フ、 添付書類の目録 訂正後の特許請求の範囲を示す書面 １通以上 特許請求の範囲 （１） 第１導電形を有する半導体基板上に上記第１導
電形とは反対の第２導電形を有する電流ブロック層を積
層し、この電流ブロックノーの上面から上記半導体基板
に達するストライプ状の溝を形成し、このストライプ状
の溝の内部を含めて上記電流ブロック層の上Ｋ ｇｇ
ｌ導電形を有する下クラッド層を積層し、更に上記下ク
ラ・ラドｌ崎の上に上記下クラッド層より禁制帯幅の小
さい活性層、および上記活性層より禁制帯幅の大きい上
クラッド層をｒＩｒｉ次積層してダブルへテロ粋合を構
成させてなり、上記電流ブロック層で電流通路を制限す
るスト之イブ構造のレーザダイオード部と、同一の上記
半導体基板上に上記レーザダイオード部の各ＩｌＮと同
時に形成された各層からなり、上記レーザダイオード部
の上記ストライプ状の溝に対応するストライプ状の溝を
有し上記レーザダイオード部の上記活性層から放出され
るレーザ光が上記活性層に対応する層に入射させるよう
に構成されたデテクタ部とを有するものにおいて、上記
レーザダイオード部の上記活性層に対応する上記デテク
タ部の層の上記レーザ光の入射する領域の禁制帯幅を上
記レーザダイオード部の上記活性層の禁制帯幅よシ小さ
くなるようにしたことを特徴とする半導体レーザ装置。 （２） デテクタ部のストライプ状の溝の幅をレーザダ
イオード部のストライプ状の溝の幅より太きく形成して
おくことによって上記レーザダイオード部の活性層の禁
制帯幅よりも、上記活性層に対応する層の上記ストライ
プ状の溝の上の部分の禁制帯幅を小さくなるようにした
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レ
ーザ装置。
Claims (2)
- （１）第１導電形を有する半導体基板上に上記第１導電
形とは反対の第２導電形を有する電流ブロック層を積層
し、この電流ブロック層の上面から上記半導体基板に達
するストライプ状の溝を形成し、このストライプ状の溝
の内部を含めて上記電流ブロック層の上に第１導電形を
有する下クラッド胎を積層し、更に上記下クラッド層の
上に第１導′ｔＪＬ形を有し上記下クラッド層より禁制
帯幅の小きい活性層、および上記活性層より禁制帯幅の
大きい上クラッド層を順次積層してダブルへテロ接合を
１１゛η成させてなり、上記電流ブロック層で電流ノ１
α路を制限するストライプ構造のレーザダイオード部と
、同一の上記半導体基板上に上記レーザダイオード部の
各層と同時に形成された各層からなり、」７記レーザダ
イオード部の上記ストライプ状ザダイオード部の上記活
性層から放出されるレーザ光が上記活性層に対応する層
に入射されるように構成されたデテクタ部とを有するも
のにおいて、上記レーザタ”イオード部の上記活性層に
対応する上記デテクタ部の層の上記レーザ光の入射する
領域の禁制帯幅を上記レーザダイオード部の上記活性層
の禁制帯幅より小さくなるようにしたことを特徴とする
半導体レーザ装置。 - （２） デテクタ部のストライプ状の溝の幅をレーザダ
イオード部のストライプ状の溝の幅より太きく形成して
おくことによって上記レーザダイオード部の活性層の禁
制帯幅よりも、」：記活性層に対応する層の上記ストラ
イプ状の溝の上の部分の禁制帯幅を小さくなるようにし
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
レーザ装置ｉ’ｔ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17158383A JPS6063978A (ja) | 1983-09-17 | 1983-09-17 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17158383A JPS6063978A (ja) | 1983-09-17 | 1983-09-17 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6063978A true JPS6063978A (ja) | 1985-04-12 |
Family
ID=15925840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17158383A Pending JPS6063978A (ja) | 1983-09-17 | 1983-09-17 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6063978A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0206818A2 (en) * | 1985-06-26 | 1986-12-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| JPS6230390A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS63200584A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光集積回路およびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5875879A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-07 | Nec Corp | 光集積化素子 |
-
1983
- 1983-09-17 JP JP17158383A patent/JPS6063978A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5875879A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-07 | Nec Corp | 光集積化素子 |
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