JPS5923584A - 半導体レ−ザ - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
- H01S5/0424—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer lateral current injection
-
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4043—Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザの改良に関する。
半導体レーザは小ｍ軽舟の上、高効率で動作し、かつ注
入電流による直接変調も可能であるなどの特徴を有し、
光フアイバ通信用をはじめとして急速な実用化が進んで
いる。中でも発光領域でろる活性層が七！ｔよシも禁制
帯幅が大きい組成のクラッド領域で囲まれた、いわゆる
埋め込み第１り造半導体レーザは、活性層とクラッド領
域の禁制帯幅の差によるキャリア閉じ込め作用と、また
それらの屈折率差による光導波作用とによって、高効率
かつ安定な単−横モード発振を行ない高性能な元ファイ
バ通信用光源としての好ましい特性を有している。しか
し汝から従来の埋め込み描造半導体Ｖ−ザは活性層の寸
法が２μｍ×０１μｍ程度と極めて小さいため、他の半
導体レーザに比べ、光出射面での光密度が高いこと、ま
た接合電流密度が高いことに起因する欠点として、高出
力動作が難しいこと、あるいは高出力時の信頼性が低い
ことなどがあった。
入電流による直接変調も可能であるなどの特徴を有し、
光フアイバ通信用をはじめとして急速な実用化が進んで
いる。中でも発光領域でろる活性層が七！ｔよシも禁制
帯幅が大きい組成のクラッド領域で囲まれた、いわゆる
埋め込み第１り造半導体レーザは、活性層とクラッド領
域の禁制帯幅の差によるキャリア閉じ込め作用と、また
それらの屈折率差による光導波作用とによって、高効率
かつ安定な単−横モード発振を行ない高性能な元ファイ
バ通信用光源としての好ましい特性を有している。しか
し汝から従来の埋め込み描造半導体Ｖ−ザは活性層の寸
法が２μｍ×０１μｍ程度と極めて小さいため、他の半
導体レーザに比べ、光出射面での光密度が高いこと、ま
た接合電流密度が高いことに起因する欠点として、高出
力動作が難しいこと、あるいは高出力時の信頼性が低い
ことなどがあった。
本発明の目的は上述の欠点を除去し、高信頼の高出力動
作と高効率かつ安定な単−横モード発振全可能とする半
導体レーザを提供することにある。
作と高効率かつ安定な単−横モード発振全可能とする半
導体レーザを提供することにある。
本発明によれば禁制帯唱が；Ｉｆ対的に大きな組成のク
ラッド領域で囲まれた活性層を有する半導体レーザにお
いて、前記活性層が複数個、多層構造を成して存在し、
かつ各活性層が互いに光学的に結合されていることを特
徴とする半導体レーザが得られる。
ラッド領域で囲まれた活性層を有する半導体レーザにお
いて、前記活性層が複数個、多層構造を成して存在し、
かつ各活性層が互いに光学的に結合されていることを特
徴とする半導体レーザが得られる。
次に図面全参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明に基づく第１の実施例に関し光用ΩＪ
方向に対し垂直方向の断面図である。本実施例は半絶縁
性のＩｎＰ基板１の上に順次液相エピタキシャル成長さ
れた第１のｎ−ＩｎＰクラッド層２、第１の活性層３、
第１のｐ（ｎＰクラッドｊば４４、第２のｎ−ＩｎＰク
ラッド層５、第２の活性層６、第２のｐ−ＩｎＪ’クラ
ｙド１５５７．２ｙＪ３のｎ−１ｎＰクラッド層８、第
３の活性Ｍ ９、Ｊ ３のｐ−１ｎＰクラツド屑１０と
、途中、エツチング工程を経て形成されたｎ−ＩｎＰ埋
め込みクラッド層１１及びｐ−ＩｎＰ埋め込みクラッド
層１２を含み、真空蒸着によって形成されたｎ （ｔｌ
ｌ ７［１を極１３及びｐ Ｏ！Ｉｆ ’ｔｌＥ極１４
極小４描成すれている。
方向に対し垂直方向の断面図である。本実施例は半絶縁
性のＩｎＰ基板１の上に順次液相エピタキシャル成長さ
れた第１のｎ−ＩｎＰクラッド層２、第１の活性層３、
第１のｐ（ｎＰクラッドｊば４４、第２のｎ−ＩｎＰク
ラッド層５、第２の活性層６、第２のｐ−ＩｎＪ’クラ
ｙド１５５７．２ｙＪ３のｎ−１ｎＰクラッド層８、第
３の活性Ｍ ９、Ｊ ３のｐ−１ｎＰクラツド屑１０と
、途中、エツチング工程を経て形成されたｎ−ＩｎＰ埋
め込みクラッド層１１及びｐ−ＩｎＰ埋め込みクラッド
層１２を含み、真空蒸着によって形成されたｎ （ｔｌ
ｌ ７［１を極１３及びｐ Ｏ！Ｉｆ ’ｔｌＥ極１４
極小４描成すれている。
本実施例の主要部寸法等を述べれば、第１のｎ（ｎＰク
ラッド層２は濃度１ｘｔｏ ｃｍ のＳｎ ドー
プで厚さ３／Ｉｍ１第２のｎ−ＩｎＰクラッド層５及び
ｔＪ３のｎ−ｊｎＰクラッド層８は濃度１×ｌＯＣｍの
Ｓｎドープで厚さ０．２〕Ｉｌｎ％第】のｐ−ＩｎＰク
シッド屑４及び第２のｐ−、ＩｎＰクラッド層７は濃度
ＬＸＩＯｃｒｎ のＣｄドープで厚さ０．５ ｊ’ｌｎ
ｘ、第３の ｐ−ＩｎＩ’クラッドＩｎ１ｏは濃度ｌＸ
１０ｃｎ＋ のＣｄドープで厚さ２ ｉｒｍ 、第１
１第２、第３の各活性層３．６．９１−ｔいずｔｔもア
ンドープで、発振波長１．３μｍＫμｍ中る組成の、［
ｎ６＋Ｙ４ Ｇａｏ、ｔｓ Ａｓｏ、ｅｓ Ｐｅａ４か
ら成り、いずれも厚さ０．１μ【ｎ％そしてこれらの各
層を含むストライプ部１５の幅は２ｔ＋ｒｒ＋、＋ビ、
［ｎＰ埋め込みクラッド層１１は濃度５ Ｘ １０ ”
ｃｍ−３のＳｎドープで厚さ約７μｍ、 ｐ−工ｒ１ｐ
埋め込みクラッド層１２は濃度１〜５×ｌＯ工８．１８
．−３のＺｎ、）’−グで厚さ約７μｍ、ＩｎＰ基板基
板厚さ約９０μｍなどである。また、ストライプ部１５
と平行及び垂直な方向にへき開によって切り出された本
実施例の外形寸法は、約３００μｍ×３００μｍ、厚さ
約１００ ｐｍである。なおｎ （Ｉｌｌｌ電極１３の
組成はＡｕ −Ｇｅ−Ｎｉ合金、ｐ側電極１４の組成は
Ａｕ −Ｚ ｎ合金である。ｎ（ｎＰ埋め込みクラッド
層１１とｐ−１：ｎＰ １ｍめ込みり２ラド層１２とは
別の工程でエピタキシャル成長させても良いが、両者２
同時に成長した後、ｐ（ｎＰ埋め込みクラッド層１２を
不純物拡散法によって形成することもできる。
ラッド層２は濃度１ｘｔｏ ｃｍ のＳｎ ドー
プで厚さ３／Ｉｍ１第２のｎ−ＩｎＰクラッド層５及び
ｔＪ３のｎ−ｊｎＰクラッド層８は濃度１×ｌＯＣｍの
Ｓｎドープで厚さ０．２〕Ｉｌｎ％第】のｐ−ＩｎＰク
シッド屑４及び第２のｐ−、ＩｎＰクラッド層７は濃度
ＬＸＩＯｃｒｎ のＣｄドープで厚さ０．５ ｊ’ｌｎ
ｘ、第３の ｐ−ＩｎＩ’クラッドＩｎ１ｏは濃度ｌＸ
１０ｃｎ＋ のＣｄドープで厚さ２ ｉｒｍ 、第１
１第２、第３の各活性層３．６．９１−ｔいずｔｔもア
ンドープで、発振波長１．３μｍＫμｍ中る組成の、［
ｎ６＋Ｙ４ Ｇａｏ、ｔｓ Ａｓｏ、ｅｓ Ｐｅａ４か
ら成り、いずれも厚さ０．１μ【ｎ％そしてこれらの各
層を含むストライプ部１５の幅は２ｔ＋ｒｒ＋、＋ビ、
［ｎＰ埋め込みクラッド層１１は濃度５ Ｘ １０ ”
ｃｍ−３のＳｎドープで厚さ約７μｍ、 ｐ−工ｒ１ｐ
埋め込みクラッド層１２は濃度１〜５×ｌＯ工８．１８
．−３のＺｎ、）’−グで厚さ約７μｍ、ＩｎＰ基板基
板厚さ約９０μｍなどである。また、ストライプ部１５
と平行及び垂直な方向にへき開によって切り出された本
実施例の外形寸法は、約３００μｍ×３００μｍ、厚さ
約１００ ｐｍである。なおｎ （Ｉｌｌｌ電極１３の
組成はＡｕ −Ｇｅ−Ｎｉ合金、ｐ側電極１４の組成は
Ａｕ −Ｚ ｎ合金である。ｎ（ｎＰ埋め込みクラッド
層１１とｐ−１：ｎＰ １ｍめ込みり２ラド層１２とは
別の工程でエピタキシャル成長させても良いが、両者２
同時に成長した後、ｐ（ｎＰ埋め込みクラッド層１２を
不純物拡散法によって形成することもできる。
さて木＊施例のｐ側電極１４に正、ｎ側電極１３に負の
電圧を印加すると、１！流はｐ−ＩｎＰ埋め込みクラッ
ド層１２からｎ−１ｎＰ埋め込みクラッド層１１へ、（
１）第１のｐ−Ｉｎｐクラッド層４→第１の活性層３→
第１のｎ−ＩｎＰ Ｈ２、（２）第２のｐ−Ｉｒｒｐク
ラッド層７→第７→第２層６→第２のｎ−ＩｎＰクラッ
ド層ｓ、（３）第３のｐ４ｎＰり２ラドＭ１０−＋第３
ｔＤ活性層９→第３のｎ−ＩｎＰクラッドｒｍ８の３
つの経過を通って流几、そｎぞれの活性層へ電流注入が
行わ几る。電流注入が一足値（発振閾値）を越えたと仁
ろから、本実施例は発振動作を開始する。発振波長は１
．３μ川である。本実施例は、各クラッド層２、４．５
．７．８．１０ と各埋め込みクラッド層１１．１２と
から成るクラッド領域圧よって各活性層３． Ｇ、 ９
が完全に埋め込まｙｔだ構造、いわゆる埋め込みイ、′
り造全有しているためにキャリヤの閉じ込め効果に優ｎ
極めて効率的な発振動作を行う。発振閾値（・よ各活性
層尚９で２０〜３０ ｍＡ、全体として６０〜９０ｍＡ
である。各活性層３．６．９は互いに各クラッド層４．
５．７．８によりて電気的区分熱さＪｔているものの、
各活性Ｗｆ３． （３，９からの光のしみ出し効果によ
って互いに光学的に結合され、全体として一つのモード
で発振を行なう。
電圧を印加すると、１！流はｐ−ＩｎＰ埋め込みクラッ
ド層１２からｎ−１ｎＰ埋め込みクラッド層１１へ、（
１）第１のｐ−Ｉｎｐクラッド層４→第１の活性層３→
第１のｎ−ＩｎＰ Ｈ２、（２）第２のｐ−Ｉｒｒｐク
ラッド層７→第７→第２層６→第２のｎ−ＩｎＰクラッ
ド層ｓ、（３）第３のｐ４ｎＰり２ラドＭ１０−＋第３
ｔＤ活性層９→第３のｎ−ＩｎＰクラッドｒｍ８の３
つの経過を通って流几、そｎぞれの活性層へ電流注入が
行わ几る。電流注入が一足値（発振閾値）を越えたと仁
ろから、本実施例は発振動作を開始する。発振波長は１
．３μ川である。本実施例は、各クラッド層２、４．５
．７．８．１０ と各埋め込みクラッド層１１．１２と
から成るクラッド領域圧よって各活性層３． Ｇ、 ９
が完全に埋め込まｙｔだ構造、いわゆる埋め込みイ、′
り造全有しているためにキャリヤの閉じ込め効果に優ｎ
極めて効率的な発振動作を行う。発振閾値（・よ各活性
層尚９で２０〜３０ ｍＡ、全体として６０〜９０ｍＡ
である。各活性層３．６．９は互いに各クラッド層４．
５．７．８によりて電気的区分熱さＪｔているものの、
各活性Ｗｆ３． （３，９からの光のしみ出し効果によ
って互いに光学的に結合され、全体として一つのモード
で発振を行なう。
本実施例は、約２μＩｎ ×０．１ ／Ｉｍの大きさを
もつ活性層を一つしか含まない従来の埋め込み構造半導
体レーザに比が実効的に３倍の活性層３→第し、同一の
出力で動作させた場合には、従来例に比べ接合電流密度
が約１／３に低減さ２ｔ、従って信頼性上優れるという
利点を有する。また発振スポットが３つの活性層３．６
．９にまたがって形成さルるために、従来例に比べれば
、１．５〜２倍８度大きな発振スポットが形成さ几る。
もつ活性層を一つしか含まない従来の埋め込み構造半導
体レーザに比が実効的に３倍の活性層３→第し、同一の
出力で動作させた場合には、従来例に比べ接合電流密度
が約１／３に低減さ２ｔ、従って信頼性上優れるという
利点を有する。また発振スポットが３つの活性層３．６
．９にまたがって形成さルるために、従来例に比べれば
、１．５〜２倍８度大きな発振スポットが形成さ几る。
こ几は同一の信頼性レベルで動作させる場合洗は、その
分高出力動作が可能なことを意味している。
分高出力動作が可能なことを意味している。
第２図は本発明に基づく第２の実施例に関し、光出射方
向に垂直方向の断面図である。図中、第１図と同一番号
は同一名称と同一組成を表わす。
向に垂直方向の断面図である。図中、第１図と同一番号
は同一名称と同一組成を表わす。
本実施例も第１の実施例と同様に、ＩｎＰ基板１の土に
第１のｎ（ｎｌＦり２ラド層２．ＦＪＩの活性層３、第
１のｐ−４０Ｐり２ラド層４、第２の活性層６、第２の
ｎ−ＩｎＰクラッドＷ４５、第３の活性層９、第２のｐ
−ＩｎＰクラッドＭ７が順次エピタキシャル成長さｔま
た後、ｎ−ＩｎＰ埋め込みクラッドＭ１１とｐ−ＩｎＰ
埋め込みクラッド層１２が形成さ１ｔている。各層の厚
さは第１のｎ−ＩｎＰクラッド層２及び第２のｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層７が２ ｔｔｍ 、 Ｉｎ Ｉのｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層４及び〜２のｎ−ＩｎＰクラッド層５がＱ
、７ｔｓｍｓ第１〜３の活性ＩＮ ３．６．９がいずれ
も０．１１１ｒｎ、 １ｔ−ＩｎＰ埋め込みり２ラド
層１１及びｐ−ＩｎＰ坤め込みクラッド層１２が６μｍ
″ｃＩＤる。
第１のｎ（ｎｌＦり２ラド層２．ＦＪＩの活性層３、第
１のｐ−４０Ｐり２ラド層４、第２の活性層６、第２の
ｎ−ＩｎＰクラッドＷ４５、第３の活性層９、第２のｐ
−ＩｎＰクラッドＭ７が順次エピタキシャル成長さｔま
た後、ｎ−ＩｎＰ埋め込みクラッドＭ１１とｐ−ＩｎＰ
埋め込みクラッド層１２が形成さ１ｔている。各層の厚
さは第１のｎ−ＩｎＰクラッド層２及び第２のｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層７が２ ｔｔｍ 、 Ｉｎ Ｉのｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層４及び〜２のｎ−ＩｎＰクラッド層５がＱ
、７ｔｓｍｓ第１〜３の活性ＩＮ ３．６．９がいずれ
も０．１１１ｒｎ、 １ｔ−ＩｎＰ埋め込みり２ラド
層１１及びｐ−ＩｎＰ坤め込みクラッド層１２が６μｍ
″ｃＩＤる。
本実施例洗おける電流の経路は第１の火力ｔ！ｉ １３
すとは異なシ、（１）第１のｐ−ＩｎＰクラッド層４−
第１の活性層３→第１のｎ −Ｉ ｎ ｐクラッド層２
、（２）第１のｐ−ＩｎＰクラッド層４→第２の活性層
６→第２のｎ−ＩｎＰクラッド層５．（３）〜２のｐ−
ＩｎＰクラッド層７→第３の活性層９→第２のｎ４ｎＰ
クラツドＷ４５の３つとなる。本実施例は、第１の実施
例と同一の動作原理及び利点を有する他、第１の実〃イ
ク例１（比ベクラソド層の数が低減されておシ、エビタ
キクヤル成長上、工程が簡単になるという利点２有する
。
すとは異なシ、（１）第１のｐ−ＩｎＰクラッド層４−
第１の活性層３→第１のｎ −Ｉ ｎ ｐクラッド層２
、（２）第１のｐ−ＩｎＰクラッド層４→第２の活性層
６→第２のｎ−ＩｎＰクラッド層５．（３）〜２のｐ−
ＩｎＰクラッド層７→第３の活性層９→第２のｎ４ｎＰ
クラツドＷ４５の３つとなる。本実施例は、第１の実施
例と同一の動作原理及び利点を有する他、第１の実〃イ
ク例１（比ベクラソド層の数が低減されておシ、エビタ
キクヤル成長上、工程が簡単になるという利点２有する
。
上述の第１及び第２の実施例はいずれも半絶縁性基板の
使用と、詳述したところの構造とによって、電流注入用
の電極が半導体結晶の片側表面のみに設けら１１でいる
ために、素子の複合シ１４積化、ちるいは素子組立上便
利である。しかしながら本発明は必ずしもと扛に限定す
るものではなく、例えば基板にＳｎドーグｎ−Ｉｎｐ等
の導電性基板を用い、活性層を中心とするｐ−（ｎｏｒ
ｐ）ｎ、但しくｎｏｒｐ）は活性層、全基本単位とする
積層、あるいはｐ”ｐ−（ｒｉｏｒ ｐ）−ｎｎ”を基
本単位とするＭ層樽造を設け、半導体結晶の厚み方向に
電流を流す第１り造としても良い。
使用と、詳述したところの構造とによって、電流注入用
の電極が半導体結晶の片側表面のみに設けら１１でいる
ために、素子の複合シ１４積化、ちるいは素子組立上便
利である。しかしながら本発明は必ずしもと扛に限定す
るものではなく、例えば基板にＳｎドーグｎ−Ｉｎｐ等
の導電性基板を用い、活性層を中心とするｐ−（ｎｏｒ
ｐ）ｎ、但しくｎｏｒｐ）は活性層、全基本単位とする
積層、あるいはｐ”ｐ−（ｒｉｏｒ ｐ）−ｎｎ”を基
本単位とするＭ層樽造を設け、半導体結晶の厚み方向に
電流を流す第１り造としても良い。
ところで上述の実施例はいず７’ＬもＩｎ０ａＡｓＰ系
全組成とし発振波長がｌｌ−３ｊｒのものであるが、本
発明は、必ずしもこｎＶこ限定するものではな（、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ系の４）＠でも他の波長、例えばｌ、 １〜
１．７ ／１ｍイｉテの任意の発振波長を選択すること
ができるし、また、０８ＡＩ Ａ Ｉ！系’ｔ［成とし
０．７ Ｍ−０，９ｔｔｍ帯の発振波長をもつ半導体レ
ーザとすることもできる。活性層の数も３に必らず２以
上の任意であって良いＱ最後に本発明が有する特徴を要
約すｔＬば、多層化した活性層の効果によって安定かつ
効率的な動作と共に高出力％性あるいは高出力時の債確
性に優れた半導体レーザが得られることである。
全組成とし発振波長がｌｌ−３ｊｒのものであるが、本
発明は、必ずしもこｎＶこ限定するものではな（、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ系の４）＠でも他の波長、例えばｌ、 １〜
１．７ ／１ｍイｉテの任意の発振波長を選択すること
ができるし、また、０８ＡＩ Ａ Ｉ！系’ｔ［成とし
０．７ Ｍ−０，９ｔｔｍ帯の発振波長をもつ半導体レ
ーザとすることもできる。活性層の数も３に必らず２以
上の任意であって良いＱ最後に本発明が有する特徴を要
約すｔＬば、多層化した活性層の効果によって安定かつ
効率的な動作と共に高出力％性あるいは高出力時の債確
性に優れた半導体レーザが得られることである。
第１図及び第２図はそれぞれ第１及び第２の実施例の断
面図である９図中、ｌはＩｎＰ基板、２は第１のｎ−Ｉ
ｎＰクラッド層、３は第１の活性層、４け第１のｐ４ｎ
Ｐクラッド層、５け第２のｎ−ＩｎＰクラッド層、６は
２１（２の活性層、７をま第２のｐ−ＩｎＰクラッド層
、８は第３のｎ−Ｉｎ１’クラット°層、９は第３の活
性層、１０は第３のＩ’）−Ｉｎｐクラット°１督、１
１１”ｔ ｎ４ｎＰ Ｊ！Ｉ’！め込みクラッド層、１
２）よｐ−丁ｎｌＦ’埋め込みクラッド層、１３けｏ
（Ｉｌｌ ｍ極、１４ ｋ’ｌ二ｐ側１■１極、１５は
ストライプ部である。 第１図 １５ 躬２図 ５
面図である９図中、ｌはＩｎＰ基板、２は第１のｎ−Ｉ
ｎＰクラッド層、３は第１の活性層、４け第１のｐ４ｎ
Ｐクラッド層、５け第２のｎ−ＩｎＰクラッド層、６は
２１（２の活性層、７をま第２のｐ−ＩｎＰクラッド層
、８は第３のｎ−Ｉｎ１’クラット°層、９は第３の活
性層、１０は第３のＩ’）−Ｉｎｐクラット°１督、１
１１”ｔ ｎ４ｎＰ Ｊ！Ｉ’！め込みクラッド層、１
２）よｐ−丁ｎｌＦ’埋め込みクラッド層、１３けｏ
（Ｉｌｌ ｍ極、１４ ｋ’ｌ二ｐ側１■１極、１５は
ストライプ部である。 第１図 １５ 躬２図 ５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 禁制帯幅が相対的に大きな組成のり２ツド領域で
囲まれた活性層を有する半導体レーザにおいて、前記活
性層が複数個、多層構造を成して存在し、かつ各活性層
が互いに光学的に結合されていることを特徴とする半導
体レーザ。 ２、 前記複数の活性層が、前記り２ツド領域の一部を
成し互いに導電形が反対の２つの埋め込みクラッド層に
よって挾まれておル、かつ、その２つの埋め込みり２ラ
ド層を介して前記複数の活、性層への′？Ｔ１流注入が
行なわれる特許請求の範１２１１ｍ ｌ ｍ記ＩＲｃノ
半ｉ体Ｖ −”’。 ３、 前記電流注入のための正負両電極が半導体結晶の
片側表面に設けら牡ている特許請求の範囲第２項記載の
半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13261882A JPS5923584A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13261882A JPS5923584A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5923584A true JPS5923584A (ja) | 1984-02-07 |
Family
ID=15085538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13261882A Pending JPS5923584A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5923584A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4644553A (en) * | 1983-11-22 | 1987-02-17 | U.S. Philips Corporation | Semiconductor laser with lateral injection |
| US4752934A (en) * | 1985-09-20 | 1988-06-21 | Hitachi, Ltd. | Multi quantum well laser with parallel injection |
-
1982
- 1982-07-29 JP JP13261882A patent/JPS5923584A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4644553A (en) * | 1983-11-22 | 1987-02-17 | U.S. Philips Corporation | Semiconductor laser with lateral injection |
| US4752934A (en) * | 1985-09-20 | 1988-06-21 | Hitachi, Ltd. | Multi quantum well laser with parallel injection |
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