JPS6063968A - 太陽電池 - Google Patents
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- JPS6063968A JPS6063968A JP59065470A JP6547084A JPS6063968A JP S6063968 A JPS6063968 A JP S6063968A JP 59065470 A JP59065470 A JP 59065470A JP 6547084 A JP6547084 A JP 6547084A JP S6063968 A JPS6063968 A JP S6063968A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高効率の太陽電池に関するものである。
従来、ｐｎ構造あるいはｐｉｎ構造から成るシリコン太
陽電池のｐ型層は、シリコンにおけるｐ型不純物として
は固溶限界が最高である硼素を単結晶シリコンに添加す
る方法あるいは硼素と水素とを非晶質シリコンに添加す
る方法によって形成していた。このように、従来は、硼
素あるいは硼素と水素とを以てｐ型層を形成したのであ
るが、硼素のシリコン中における固溶限界は、Ｐ型不純
物の中では最高であるといえども、ｎ型不純物である砒
素や燐の固溶限界に比べると、著しく低いため、その抵
抗率をｎ型シリコンの抵抗率はど下げることは不可能で
あった。
陽電池のｐ型層は、シリコンにおけるｐ型不純物として
は固溶限界が最高である硼素を単結晶シリコンに添加す
る方法あるいは硼素と水素とを非晶質シリコンに添加す
る方法によって形成していた。このように、従来は、硼
素あるいは硼素と水素とを以てｐ型層を形成したのであ
るが、硼素のシリコン中における固溶限界は、Ｐ型不純
物の中では最高であるといえども、ｎ型不純物である砒
素や燐の固溶限界に比べると、著しく低いため、その抵
抗率をｎ型シリコンの抵抗率はど下げることは不可能で
あった。
ところで、ｐｎ構造あるいはｐｉｎ構造から成るシリコ
ン太陽電池におけるｐ聖像のうちで、有効な光電変換を
行う領域は、それぞれｎ型層あるいはｉ型層と接するこ
とにより空乏層となった領域と空乏層端から少数キャリ
アである電子の拡散長以内の領域とを併せた領域である
。従ってこれ以外のｐ型領域は太陽電池としては、いわ
ば余分な領域であり、この領域の抵抗成分による電力損
失は太陽電池の高効率化に対して弊害をなすものである
。
ン太陽電池におけるｐ聖像のうちで、有効な光電変換を
行う領域は、それぞれｎ型層あるいはｉ型層と接するこ
とにより空乏層となった領域と空乏層端から少数キャリ
アである電子の拡散長以内の領域とを併せた領域である
。従ってこれ以外のｐ型領域は太陽電池としては、いわ
ば余分な領域であり、この領域の抵抗成分による電力損
失は太陽電池の高効率化に対して弊害をなすものである
。
そのため、従来のｐｎ構造あるいはｐｉｎ構造から成る
シリコン太陽電池では、ｐ型層での電力損失が大きく、
効率の点で問題があった。
シリコン太陽電池では、ｐ型層での電力損失が大きく、
効率の点で問題があった。
本発明の目的は、従来のｐｎ構造あるいはｐｉｎ堝造か
ら成るシリコン太陽電池における」；述の欠点を一掃す
ることを目的とするもので、そのために、本発明では、
硼素とゲルマニウムまたは硼素と水素とゲルマニウムを
少なくとも添加してｐ型層を形成する。
ら成るシリコン太陽電池における」；述の欠点を一掃す
ることを目的とするもので、そのために、本発明では、
硼素とゲルマニウムまたは硼素と水素とゲルマニウムを
少なくとも添加してｐ型層を形成する。
硼素のシリコン中での固溶限界が砒素や燐の固溶限界に
比べ著しく低い原因のひとつは、硼素のイオン半径がシ
リコンのイオン半径に比べて著しく小さく、硼素をシリ
コン中に添加したときにイオン半径の不整合に起因して
大きな歪がシリコン中に発生することにある。本発明は
、ゲルマニウムがイオン半径に関しては硼素とは逆にシ
リコンヨＩＪ大キ＜、かつ、電気的性質に関してはシリ
コン中で中性であるということに着目して成したもので
、ゲルマニウムの添加により歪の軽減、固溶限界の上昇
を図り、従来の限界を越えた低い抵抗〕オ・＜のｐ型層
を実現し、以て、太陽電池の効率を向」ニさせようにと
するものである。
比べ著しく低い原因のひとつは、硼素のイオン半径がシ
リコンのイオン半径に比べて著しく小さく、硼素をシリ
コン中に添加したときにイオン半径の不整合に起因して
大きな歪がシリコン中に発生することにある。本発明は
、ゲルマニウムがイオン半径に関しては硼素とは逆にシ
リコンヨＩＪ大キ＜、かつ、電気的性質に関してはシリ
コン中で中性であるということに着目して成したもので
、ゲルマニウムの添加により歪の軽減、固溶限界の上昇
を図り、従来の限界を越えた低い抵抗〕オ・＜のｐ型層
を実現し、以て、太陽電池の効率を向」ニさせようにと
するものである。
以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
本発明太陽電池の第一の実施例を第１図に即しての述べ
る。第１図において、１はｎ型単結晶シリコン基板であ
り、鏡面になした主面２および３のうちの一方の主面２
側から矢印４で示すようにイオン注入法により硼素を導
入する。ここで、硼素イオン注入層の厚さが少なくとも
ｐ型層側に生ずる空乏層の厚さと電子の拡散長との和以
上になるように注入エネルギを設定し、かつ少なくとも
硼素注入層のピーク濃度がシリコン中の硼素の固溶限界
以上になるように硼素の注入量を設定して導入するもの
とする。ついで、ゲルマニウムをシリコン基板１の同じ
主面２側から矢印４で示すようにイオン注入法により導
入するが、ここでは、次工程であるアニーリング工程を
経た後の硼素の分布を覆うように注入エネルギを設定し
てゲルマニウムを導入する。なお、硼素イオン注入とゲ
ルマニウムイオン注入とを行う相互の順序は上述とは逆
であっても差支えない。次に硼素の電気的活性化のため
のアニーリングをたとえば通常の熱処理で行いｐ型層５
を形成し、以てｐｎ接合を形成する。このとき、硼素注
入層のピーク濃度付近は、シリコン中での通常の固溶限
界を越えた高濃度層であるにもかかわらず、ゲルマニウ
ム添加の効果により電気的に活性化し、従来にない低い
抵抗率をもつことになる。なお、硼素注入層とゲルマニ
ウム注入層との空間的相対関係は必要に応じて注入エネ
ルギを変えることにより種々変更することができる。最
後にｐ型層５にオーム性透明電極６を被着し、ｎ型層１
にオーム性電極７を被着して太陽電池を完成させる。な
お、必要に応じて水素をイオン注入によってｐ型層に導
入してもよい。
る。第１図において、１はｎ型単結晶シリコン基板であ
り、鏡面になした主面２および３のうちの一方の主面２
側から矢印４で示すようにイオン注入法により硼素を導
入する。ここで、硼素イオン注入層の厚さが少なくとも
ｐ型層側に生ずる空乏層の厚さと電子の拡散長との和以
上になるように注入エネルギを設定し、かつ少なくとも
硼素注入層のピーク濃度がシリコン中の硼素の固溶限界
以上になるように硼素の注入量を設定して導入するもの
とする。ついで、ゲルマニウムをシリコン基板１の同じ
主面２側から矢印４で示すようにイオン注入法により導
入するが、ここでは、次工程であるアニーリング工程を
経た後の硼素の分布を覆うように注入エネルギを設定し
てゲルマニウムを導入する。なお、硼素イオン注入とゲ
ルマニウムイオン注入とを行う相互の順序は上述とは逆
であっても差支えない。次に硼素の電気的活性化のため
のアニーリングをたとえば通常の熱処理で行いｐ型層５
を形成し、以てｐｎ接合を形成する。このとき、硼素注
入層のピーク濃度付近は、シリコン中での通常の固溶限
界を越えた高濃度層であるにもかかわらず、ゲルマニウ
ム添加の効果により電気的に活性化し、従来にない低い
抵抗率をもつことになる。なお、硼素注入層とゲルマニ
ウム注入層との空間的相対関係は必要に応じて注入エネ
ルギを変えることにより種々変更することができる。最
後にｐ型層５にオーム性透明電極６を被着し、ｎ型層１
にオーム性電極７を被着して太陽電池を完成させる。な
お、必要に応じて水素をイオン注入によってｐ型層に導
入してもよい。
次に本発明の第２の実施例を第２図に即して述へる。こ
こでは、ｎ型中結晶シリコン基板ｌの鏡１ｒｉｉになし
たる一方の主面２を、その」−にｐ型シリコン層８を堆
積するのに先立って、かかる堆積を行うための装置内、
たとえはＣｖＤ装置内でたとえば１）１Ａ化水素ガスに
よって清浄化し、ひきつづいて、たとえばシラン（Ｓｉ
Ｈｎ ）とジボラン（８２Ｈ６）トケルマン（ＧｅＨ，
Ｉ）と水素あ〜るいはヘリウム等の花釈ガスとから成る
混合ガスを用いたＣＶＤ法によって主面２上に硼素とゲ
ルマニウムとを含むｐ型シリコン層８を堆積させる。こ
のとき、ｊ（＋積温度を８５０°ＯＪＲ，ｌにするとｐ
型車結晶シリコン層が得られ、 ６００°Ｃ以下にする
とｐ型非晶質シリコン層が得られる。いずれの場合にお
いてもｐ型層８の抵抗率はゲルマニウムの添加効果によ
り従来より極めて低くなる。また、後者においては、エ
ネルギギャップの異なった２つの領域をもつ太陽電池と
して得られ、ｐ型層８の低抵抗化の効果と相俟って、太
陽電池の効率が一層向上する。最後にｐ型層８の表面９
にオーム性透明電極１ｏを被着し、基板ｌの他方の主面
３にオーム外電ａｌｌを被着して太陽電池を完成させる
。なお、本例では、ｐ型シリコン層８の堆積方法として
ＣＶＤ法による場合を述べたが、特にｐ型層をｐ型非晶
質シリコン層として（ｑる場合には、たとえは形成湿度
を２００℃から４００°Ｃの範囲内でｒび、シランどゲ
ルマンとゲルマンと水素から成る混合カスを用いたグロ
ー放電堆積法によってもよい。この場合、ｐ型層８は硼
素とゲルマニウムとに加えて水素をも含み、水素の効果
によってダングリングボンドに起因するバンドキャップ
中の準位が極めて少なくかつゲルマニウムの効果によっ
て従来にない低抵抗率のｐ型非晶質シリコン層として得
られる。
こでは、ｎ型中結晶シリコン基板ｌの鏡１ｒｉｉになし
たる一方の主面２を、その」−にｐ型シリコン層８を堆
積するのに先立って、かかる堆積を行うための装置内、
たとえはＣｖＤ装置内でたとえば１）１Ａ化水素ガスに
よって清浄化し、ひきつづいて、たとえばシラン（Ｓｉ
Ｈｎ ）とジボラン（８２Ｈ６）トケルマン（ＧｅＨ，
Ｉ）と水素あ〜るいはヘリウム等の花釈ガスとから成る
混合ガスを用いたＣＶＤ法によって主面２上に硼素とゲ
ルマニウムとを含むｐ型シリコン層８を堆積させる。こ
のとき、ｊ（＋積温度を８５０°ＯＪＲ，ｌにするとｐ
型車結晶シリコン層が得られ、 ６００°Ｃ以下にする
とｐ型非晶質シリコン層が得られる。いずれの場合にお
いてもｐ型層８の抵抗率はゲルマニウムの添加効果によ
り従来より極めて低くなる。また、後者においては、エ
ネルギギャップの異なった２つの領域をもつ太陽電池と
して得られ、ｐ型層８の低抵抗化の効果と相俟って、太
陽電池の効率が一層向上する。最後にｐ型層８の表面９
にオーム性透明電極１ｏを被着し、基板ｌの他方の主面
３にオーム外電ａｌｌを被着して太陽電池を完成させる
。なお、本例では、ｐ型シリコン層８の堆積方法として
ＣＶＤ法による場合を述べたが、特にｐ型層をｐ型非晶
質シリコン層として（ｑる場合には、たとえは形成湿度
を２００℃から４００°Ｃの範囲内でｒび、シランどゲ
ルマンとゲルマンと水素から成る混合カスを用いたグロ
ー放電堆積法によってもよい。この場合、ｐ型層８は硼
素とゲルマニウムとに加えて水素をも含み、水素の効果
によってダングリングボンドに起因するバンドキャップ
中の準位が極めて少なくかつゲルマニウムの効果によっ
て従来にない低抵抗率のｐ型非晶質シリコン層として得
られる。
次に本発明の第３の実施例を第３図に即して述べる。先
づ、電極を兼ねる基板１２、たとえばステンレスの上に
、たとえばグロー放電堆積法において基板温度を２００
°Ｃから４００°Ｃの範囲に設定し、少なくともドナ不
純物、たとえば燐を含むｎ型非晶Ｆｔシリコン層１３を
、たとえばシランとホスフィン（Ｐ）Ｉ５）と水素とか
ら成る混合ガスを用いて所望の膜厚にまで堆積させ、直
ちに引続いて、混合カスを１・す不純物およびアクセプ
タ不純物を供給せざる成分の混合ガス、たとえばシラン
と水素とからなるｊ混合ガスに切替えてｉ型非晶質シリ
コン層１４を所望の膜厚にまで堆積させ、更に引続いて
１昆合力′スをたとえばシランとシボランとゲルマンと
水素から成る７１３合ガスに切替えてｐ型非晶質シリコ
ン層１５を所望の膜厚にまで堆積させる。最後にｎ型層
１５」二に透明オーム性電極１６を被着して太陽電池を
完成する。本実施例においては、ｎ型層１５は硼素と水
素とゲルマニウムとを含むｐ型非晶賀シリコンとして得
られ、水素を含むことによってダングリングボンドに起
因するエネルギギャップ中の準位が極めて少なく、かつ
、ゲルマニウムを含むことによって抵抗率が従来の限界
を越えて低いという性質を有する。また、本実施例にお
いては、ｎ型層１５を形成する場合にのみ混合カス中に
ゲルマンを含ませたが、混合ガスの組成を堆積中に変化
させることが容易でありかつ、ゲルマニウムはシリコン
中で電気的に中性であることに鑑みて、ゲルマンをｎ型
層１３、ｉ甲層１４．ｎ型層１５の堆積を通して、混合
ガス中に組成比を適当に変化させながら含ませることも
容易にできる。その場合には、ゲルマニウムの添加によ
って、歪緩和の効果によりｎ型層１５あるいはｎ型層１
５とｎ型層１３との双方の抵抗率を従来の限界を越えて
低くできることに加えて、エネルギギャップ幅減少の効
果によりｎ型層１３、ｉ型層１４、ｎ型層１５を通じて
ゲルマニウムの含有率に応じて基礎吸収端に分布をもた
せることができる。従って、前者の効果による電力損失
の現象と後者の効果による光吸収効率のｈ ＩＩとが相
俟って、高効率の太陽電池を実現することができる。
づ、電極を兼ねる基板１２、たとえばステンレスの上に
、たとえばグロー放電堆積法において基板温度を２００
°Ｃから４００°Ｃの範囲に設定し、少なくともドナ不
純物、たとえば燐を含むｎ型非晶Ｆｔシリコン層１３を
、たとえばシランとホスフィン（Ｐ）Ｉ５）と水素とか
ら成る混合ガスを用いて所望の膜厚にまで堆積させ、直
ちに引続いて、混合カスを１・す不純物およびアクセプ
タ不純物を供給せざる成分の混合ガス、たとえばシラン
と水素とからなるｊ混合ガスに切替えてｉ型非晶質シリ
コン層１４を所望の膜厚にまで堆積させ、更に引続いて
１昆合力′スをたとえばシランとシボランとゲルマンと
水素から成る７１３合ガスに切替えてｐ型非晶質シリコ
ン層１５を所望の膜厚にまで堆積させる。最後にｎ型層
１５」二に透明オーム性電極１６を被着して太陽電池を
完成する。本実施例においては、ｎ型層１５は硼素と水
素とゲルマニウムとを含むｐ型非晶賀シリコンとして得
られ、水素を含むことによってダングリングボンドに起
因するエネルギギャップ中の準位が極めて少なく、かつ
、ゲルマニウムを含むことによって抵抗率が従来の限界
を越えて低いという性質を有する。また、本実施例にお
いては、ｎ型層１５を形成する場合にのみ混合カス中に
ゲルマンを含ませたが、混合ガスの組成を堆積中に変化
させることが容易でありかつ、ゲルマニウムはシリコン
中で電気的に中性であることに鑑みて、ゲルマンをｎ型
層１３、ｉ甲層１４．ｎ型層１５の堆積を通して、混合
ガス中に組成比を適当に変化させながら含ませることも
容易にできる。その場合には、ゲルマニウムの添加によ
って、歪緩和の効果によりｎ型層１５あるいはｎ型層１
５とｎ型層１３との双方の抵抗率を従来の限界を越えて
低くできることに加えて、エネルギギャップ幅減少の効
果によりｎ型層１３、ｉ型層１４、ｎ型層１５を通じて
ゲルマニウムの含有率に応じて基礎吸収端に分布をもた
せることができる。従って、前者の効果による電力損失
の現象と後者の効果による光吸収効率のｈ ＩＩとが相
俟って、高効率の太陽電池を実現することができる。
以」、では、本発明を単一のｐｎ構造あるいはｐｉｎ構
造の３実施例について述べたが、更に多層からなる構造
に対しても本発明を適用できることは明らかである。
造の３実施例について述べたが、更に多層からなる構造
に対しても本発明を適用できることは明らかである。
なお、本発明者等は、特に、本発明による硼素とゲルマ
ニウムとを含むｐ型非晶質シリコンについて種々の検討
を行った結果、従来の限界を越えた低抵抗のｐ型非晶質
シリコン層が（↓すられることを明らかにし、本発明の
有用性を確認した。−例として、低圧ＣＶＤ法により
５５０ ’Ｃにおいて、Ｐ型、１１品質シリコンを作成
する場合において、まず、硼素のみを添加した場合につ
いて述べると、シラン、ジポラン、ヘリウム、水素から
成る混合ガスの圧力を０．２Ｔｏｒｒとし、かつジポラ
ン流量のシラン流量に対する比を０．１ として作製し
た硼素のみを含有するｐ型非晶質シリコンの抵抗率は１
００ｃｍであった。一方、シラン、ジボラン、ゲルマン
、ヘリウム、水素から成る混合ガスの圧力を０．２Ｔｏ
ｒｒとし、かつジポラン流量のシラン流量に対する比を
０．１とし、かつゲルマン流量のジポラン流量に対する
比を０．５として作製した硼素およびゲルマニウムを含
有するｐ型非晶質シリコンの抵抗率は１．８Ωｃｍとな
り、硼素のみを添加した場合よりも低くなった。
ニウムとを含むｐ型非晶質シリコンについて種々の検討
を行った結果、従来の限界を越えた低抵抗のｐ型非晶質
シリコン層が（↓すられることを明らかにし、本発明の
有用性を確認した。−例として、低圧ＣＶＤ法により
５５０ ’Ｃにおいて、Ｐ型、１１品質シリコンを作成
する場合において、まず、硼素のみを添加した場合につ
いて述べると、シラン、ジポラン、ヘリウム、水素から
成る混合ガスの圧力を０．２Ｔｏｒｒとし、かつジポラ
ン流量のシラン流量に対する比を０．１ として作製し
た硼素のみを含有するｐ型非晶質シリコンの抵抗率は１
００ｃｍであった。一方、シラン、ジボラン、ゲルマン
、ヘリウム、水素から成る混合ガスの圧力を０．２Ｔｏ
ｒｒとし、かつジポラン流量のシラン流量に対する比を
０．１とし、かつゲルマン流量のジポラン流量に対する
比を０．５として作製した硼素およびゲルマニウムを含
有するｐ型非晶質シリコンの抵抗率は１．８Ωｃｍとな
り、硼素のみを添加した場合よりも低くなった。
上述の実験は低圧ＣＶＤ法で作製したＰ型非晶質シリコ
ンに１５４Ｉする一例にすぎず、木発明大陽′肛ｌｌ！
！は低圧ＣＶＤ法を用いて製造する場合に限られるもの
ではなく、また、シリコンの形態としては非晶質シリコ
ンに限られず、単結晶シリコンであってもよいことは勿
論である。
ンに１５４Ｉする一例にすぎず、木発明大陽′肛ｌｌ！
！は低圧ＣＶＤ法を用いて製造する場合に限られるもの
ではなく、また、シリコンの形態としては非晶質シリコ
ンに限られず、単結晶シリコンであってもよいことは勿
論である。
なお、以上の実施例を通じて、ｐ型層が従来にない低抵
抗率を有するという特徴を有するのみならず、歪が緩和
されたことにより機械的にも従来より安定であるという
特徴をも有していることは容易に理解されるであろう。
抗率を有するという特徴を有するのみならず、歪が緩和
されたことにより機械的にも従来より安定であるという
特徴をも有していることは容易に理解されるであろう。
以上説明したように、本発明によれば、従来にない低い
抵抗率をもち、機械的にも従来より安定なｐ型層を有す
るｐｎ構造あるいはｐｉｎ構造のシリコン太陽電池を形
成できるから、従来以上の高効率の太陽電池を実現でき
る利点がある。
抵抗率をもち、機械的にも従来より安定なｐ型層を有す
るｐｎ構造あるいはｐｉｎ構造のシリコン太陽電池を形
成できるから、従来以上の高効率の太陽電池を実現でき
る利点がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図、ｆｒ、
２図は本発明の第２の実施例を示す断面図、第３図は本
発明の第３の実施例を示す断面図である。 １・・・単結晶シリコン基板、 ２．３・・・単結晶シリコン基板主面、４・・・不純物
イオン、 ５・・・ｐ Ｂ’ｊ、層、 ６・・・透明電極、 ７・・・電極、 ８・・・ｐ型層、 ８・・・Ｐ型層表面、 １０・・・透明電極、 １１・・・電極、 １２・・・電極を兼ねる基板、 １３・・・ｎ型層、 １４・・・ｉ型層、 １５・・・ｐ型層、 １６・・・透明電極。 特許出願人 日木電信電話公社
２図は本発明の第２の実施例を示す断面図、第３図は本
発明の第３の実施例を示す断面図である。 １・・・単結晶シリコン基板、 ２．３・・・単結晶シリコン基板主面、４・・・不純物
イオン、 ５・・・ｐ Ｂ’ｊ、層、 ６・・・透明電極、 ７・・・電極、 ８・・・ｐ型層、 ８・・・Ｐ型層表面、 １０・・・透明電極、 １１・・・電極、 １２・・・電極を兼ねる基板、 １３・・・ｎ型層、 １４・・・ｉ型層、 １５・・・ｐ型層、 １６・・・透明電極。 特許出願人 日木電信電話公社
Claims (1)
- Ｐ型シリコン層とｎ型シリコン層とを有するｐｎ構造あ
るいはｎ型シリコン層とｉ型シリコン層とｎ型シリコン
層とを有するＰ１ｎ構造から成るシリコン太陽電池にお
いて、前記ｎ型シリコン層には少なくとも硼素と水素と
ゲルマニウムとを添加したことを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065470A JPS6063968A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065470A JPS6063968A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | 太陽電池 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55137674A Division JPS5762571A (en) | 1980-09-30 | 1980-10-03 | Solar battery |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6063968A true JPS6063968A (ja) | 1985-04-12 |
Family
ID=13288030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59065470A Pending JPS6063968A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6063968A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5738732A (en) * | 1995-06-05 | 1998-04-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell and manufacturing method thereof |
| WO1998043304A1 (fr) * | 1997-03-21 | 1998-10-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Element photovoltaique et procede de fabrication dudit element |
| EP2490268A1 (en) * | 2011-02-03 | 2012-08-22 | Imec | Method for fabricating photovoltaic cells |
-
1984
- 1984-04-02 JP JP59065470A patent/JPS6063968A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5738732A (en) * | 1995-06-05 | 1998-04-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell and manufacturing method thereof |
| EP1231648A3 (en) * | 1995-06-05 | 2004-12-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell and manufacturing method thereof |
| WO1998043304A1 (fr) * | 1997-03-21 | 1998-10-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Element photovoltaique et procede de fabrication dudit element |
| US6207890B1 (en) | 1997-03-21 | 2001-03-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic element and method for manufacture thereof |
| US6380479B2 (en) | 1997-03-21 | 2002-04-30 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic element and method for manufacture thereof |
| EP2490268A1 (en) * | 2011-02-03 | 2012-08-22 | Imec | Method for fabricating photovoltaic cells |
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