JPS6057700B2 - 超音波ワイヤボンデイング装置 - Google Patents

超音波ワイヤボンデイング装置

Info

Publication number
JPS6057700B2
JPS6057700B2 JP53067804A JP6780478A JPS6057700B2 JP S6057700 B2 JPS6057700 B2 JP S6057700B2 JP 53067804 A JP53067804 A JP 53067804A JP 6780478 A JP6780478 A JP 6780478A JP S6057700 B2 JPS6057700 B2 JP S6057700B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
wedge
bonding
guide hole
rod
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP53067804A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS54159175A (en
Inventor
俊一 藤原
惇 森谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Akita Electronics Systems Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Akita Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Akita Electronics Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP53067804A priority Critical patent/JPS6057700B2/ja
Publication of JPS54159175A publication Critical patent/JPS54159175A/ja
Publication of JPS6057700B2 publication Critical patent/JPS6057700B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313Wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313Wedge
    • H01L2224/78314Shape
    • H01L2224/78317Shape of other portions
    • H01L2224/78318Shape of other portions inside the capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/15165Monolayer substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は超音波ワイヤボンディング装置(超音波ワイ
ヤボンダ)に関する。
ガラス封止型半導体装置、セラミック封止型半導体装
置等の組立において、ベース上の半導体素子(ペレット
)の電極とペレットの周辺に延びるリードの内端部とを
ワイヤで接続するワイヤボンディングにあつては、第1
図に示すような超音波ワイヤボンダが用いられている。
この超音波ワイヤボンダは、回転可能なステージ1と、
このステージ1の真上に位置するウェッジ2と、このウ
エ超音波振動させる振動子を内蔵するホーン3と、ホー
ン3の他端を支持しつつウェッジ2を上下動させる昇降
機構部4と、この昇降機構部4を支持しかつ平面XY方
向に移動制御されるXYテーブル5とからなつている。
また、ウェッジ2とともに移動するクランパ6がウェッ
ジ2の側方に配設され、ホーン3の上方のスプール7か
ら解き出されるワイヤ8をクランパするようになつてい
る。また、図示はしないが、一般にワイヤ8にはバック
テンションが加わるようになつている。 このような超
音波ワイヤボンダにおけるワイヤボンディングにあつて
は、まずステージ1上にワークを位置決め固定する。
たとえば、ステージ1上に治具9を介してセラミック板
からなるベース10を載置する。このベース10の中央
窪部分にはペレット11がガラスを介して固定され、ベ
ース10の周縁には金属製のリード12がそれぞれガラ
スを介して固定されている。そこで、ウェッジ2の下端
にワイヤ8の一端を臨ませた状態でウェッジ2を第1ボ
ンディング位置であるペレット11の図示しない電極上
に降下させた後ワイヤ8をウェッジ2で押さえながら振
動子を振動させてウェッジ2でワイヤ8を電極に擦すり
付けて接続させる。つぎに、クランパ6を開いてワイヤ
8を解放状態にした後、ウェッジ2を上昇、平面移動、
下降させて第2ボンディング位置であるリード12の内
端に降下させる。ワイヤ8はその一端が電極に固定され
かつ解放状態となつていることから、ウェッジ2の移動
に伴なつてスプール7から解き出される。また、この解
き出しの際、ワイヤ8にはバックテンション(ウェッジ
2のガイド孔内にワイヤ8が入り込むような方向性の力
によつて生じる。)が生じていることから、ワイヤ8の
剛性,バックテンション等によつてワイヤ8はその解き
出し長さを調整され、山状のループを形作りながら他端
部をリード12とウェッジ2間に挾まれる。そこで、再
びウェッジ2には振動が加えられ、ワイヤ8の他方はリ
ード12に接合される。その後、クランパ6が閉じてワ
イヤ8を保持してウェッジ2はクランパ6と共に上昇す
る。このため、ワイヤ8には大きなりが加わり、最も強
度が弱い接合部の付け根から切れる。そして、クランパ
6はわずかにウェッジ側に前進してワイヤ8の先端をウ
ェッジ2の下方に位置させ、つぎのワイヤボンディング
に備える。ところで、このような超音波ワイヤボンダに
あつては、ウェッジのガイド孔は水平面に対して30度
の傾きを有する30度用ウェッジとなり、スプールの位
置もガイド孔の延長線上に位置するものが使用されてい
る。
しかし、近年のようにペレット内に組み込む回路容量が
増大(高集積化)すると、ペレットが大型化するため、
パッケージの大きさを従来の大きさに維持した状態では
、ペレットがある一定の大きさ以上となるとワイヤボン
ディングができなくなる。すなわち、パッケージの一大
きさをそのままにしてペレットだけを大きくすると、ペ
レットの電極とリードとの距離が短かくなり、ウェッジ
とスプールとの間に延びるワイヤがリード端縁に接触し
、ウェッジの下方からワイヤ先端が外れたりして、確実
なワイヤボンデイン.グができない。たとえば、電極と
リード端面との間隔は、ペレットとリード面との段差の
程度によつても異なるが、ワイヤがリード端縁に接触し
ないためには少なくとも約520μm程度必要である。
また、ベースに対するペレットの取付け位置のずれは現
状では0.2〜0.3m程度は生じてしまう。
このため、30度用ウェッジの適用が可能である品種−
(たとえばペレットが1.7?口)であつても、適用が
不可能となり、30度用ウェッジでは1.4wR?のペ
レットの組立が限界となる。これに対して、ペレットの
大型化に伴なつてパッケージを大型化することも考えら
れるが、製品の小型化の要請、あるいはパッケージ変更
による組立製造装置群の設定による製造コストの増大の
弊害などから好ましくない。
また、第1ボンディングをリード上に行ない、次に第2
ボンディングをペレットの電極上に行なう、いわゆる逆
ボンデ・インク方法の採用についても考えられるが、一
般にガラス封止ではリードとペレットとの段差が小さい
ことから、ループ上のワイヤ部分がペレットの切断した
周縁に接触してショート不良を生じてしまうこともあり
、必ずしも好ましくない。そこで、第1および第2ボン
ディング点が短かい場合には、ウェッジに保持される状
態のワイヤの傾斜角度が大きくなるウェッジのガイド孔
が60度である60度用ウェッジ構造の超音波ワイヤボ
ンダを用いるとよい。この場合では、第1および第2ボ
ンディング点間距離がその段差の違いにもよるが、たと
えば最小限125μmでも確実にワイヤボンディングで
きる。しかし、6g用ウェッジでは、ウェッジの下方に
延びるワイヤ先端部の傾きがほぼ60度で急傾斜である
。このため、第1ボンディング点におけるウェッジの下
降時、ワイヤの先端面が第1ボンディング面に当接して
ワイヤはウェッジのガイド孔方向に力わ受けて曲がつた
りするので、ウェッジの下端で擦すり付けられて第1ボ
ンディング面に接合される部分は極めて少なくなり、ボ
ンディングが良好になされないおそれもあり、30度用
ウェッジに対してボンディング性の信頼度は低い。した
がつて、でき得ることならば、3鍍用ウェッジを用いて
ワイヤボンディングをすることが、歩留の面から考えて
も望ましい。
このため、組立ラインにおけるワイヤボンダにあつては
、3渡用ウェッジと60度用ウェッジとが共用できるこ
とが望ましい。また、30度用ウェッジ構造の超音波ワ
イヤボンダを60度用ウェッジ構造に変更することも、
設備の大幅改造となり経済的にも好ましくない。そこで
、現状の30度用ウェッジ構造の超音波ワイヤボンダに
直接60度用ウェッジ取り付けることも考えられるが、
この場合には第2図に示すような不都合が生じる。
すなわち、60度用ウェッジ13の場合には、ワイヤ8
をウェッジの先端に案内するガイド孔14も水平面(ボ
ンディング面)に対して60度の傾きを有している。こ
のため、ベース10上にガラス層15を介して固定され
たペレット11およびリード12間をワイヤ8で接続す
る場合、ガイド孔14内を延びるワイヤ8は60度の傾
きを有しているが、ガイド孔14とスプールとの間のワ
イヤはほぼ30度の傾きとなつている。したがつて、リ
ード側のボンディングが終つた後、クランパ6でワイヤ
8を保持して矢印15の方向にワイヤ8を引つ張つた際
、ワイヤ8はガイド孔14の入口部Aでしごかれること
になり、ワイヤ8はボンディング部分16の近傍で破断
することなく、ガイド孔14の入口部分で破断する。こ
の結果、ワイヤ8はガイド孔14から外れるため、クラ
ンパ6をウェッジ側に前進させてもワイヤ8は、ガイド
孔14に対する方向性の違い、ガイド孔14が細い等の
理由からガイド孔14内に入らず、つぎにワイヤボンデ
ィングができなくなる。また、第1ボンディング点から
第2ボンディング点に60度用ウェッジ13を移動させ
る際にも、ガイド孔14に対するスプールから繰り出す
ワイヤ8の延在する方向の違いから、ガイド孔14とワ
イヤ8との摩擦が大きくなり、同図鎖線で示すような山
状のループは形成されず、ワイヤ8がペレット11の縁
に接触し易くなり、ショート不良が発生するおそれもあ
る。したがつて、本発明の目的は、30度用ウェッジ構
造の超音波ワイヤボンダにも60度用ウェッジが簡単に
取り付けられ、かつ信頼性が優れ歩留の良いワイヤボン
ディングができる超音波ワイヤボンダを提供することに
ある。
このような目的を達成するために本発明は、ワイヤを押
圧しかつワイヤをガイドするガイド孔を下部に有するウ
ェッジと、このウェッジを支持しかつウェッジに超音波
振動を与える振動子を内蔵するホーンと、ホーン上方に
配設されたワイヤを解き出すスプールと、ウェッジ近傍
に配設されワイヤをクランプするクランパとを有する超
音波ワイヤボンディング装置において、前記スプールか
ら解き出されてウェッジのガイド孔に延びるワイヤの傾
き角度を調整するワイヤ角度調整機構を設け、かつホー
ンへのウェッジの取り付けは他のウェッジと容易に交換
可能となつているものであつて、以下実施例により本発
明を説明する。
第3図は本発明の超音波ワイヤボンダの一実施例である
この実施例は第1図に示す従来の30度用ウェッジ構造
の超音波ワイヤボンダにおいて、3咳用ウェッジの代り
に60度用ウェッジを取り付けることができる(306
用,60ェ用のウェッジのホーンに対する接続構造は共
に同じであることから、特別の構造は敢えて必要としな
い。)とともに、スプールとウェッジ間に延びるワイヤ
の角度を調整することのできるワイヤ角度調整機構を設
けた以外は全て同一であることから、各部の説明は省略
し、以後の説明では前述の同一の名称,指示番号を用い
ることにする。すなわち、クランパ6の駆動機構を収容
する箱体17の外壁にはボルト18によつてL字形のア
ーム19が着脱自在にかつ取付状態調整可能に取り付け
られている。このアーム19の先端の一側面には丸棒か
らなるガイド棒20が固定されている。このガイド棒2
0はスプール7とウェッジ2との間に延びるワイヤ8の
下方に突出し、その上面でワイヤ8を支えるようになつ
ている。このような超音波ワイヤボンダにおり)ては、
第1ボンディング点と第2ボンディング点の間隔が比較
的長い場合には、ホーン3には30度用ウェッジを取り
付けてワイヤボンディングを行なう。
この際、スプール7とウェッジ2のガイド孔との間を延
びるワイヤはほぼ30度となり、ガイド孔の延びる方向
と一致することから、ワイヤ8をガイド棒20で支える
必要はない。また、第1ボンディング点と第2ボンディ
ング点との間の距離が短かく、30度用ウェッジの使用
ができない場合には、ホーン3に取り付けた30度用ウ
ェッジを取り外し、代りに60度用ウェッジを取り付け
る。
この際、ボルト18を緩めて、アーム19を回動し、ア
ーム19の先端のガイド棒20の上面でワイヤ8を支え
、かつガイド棒20とガイド孔との間のワイヤ8の延び
る方向と60度用ウェッジの60度の傾きを有するガイ
ド孔の方向性・を一致させてワイヤボンディングを行な
う。なお、クランパは、ワイヤの傾きが30度でも60
度でもワイヤをクランプできる構造になつている。この
ような実施例によれば、一台の超音波ワイヤボンダで6
0度用,30度用ウェッジの使用をすることができる。
したがつて、ペレットの大きさが比較的大きく、ボンデ
ィング点間距離が短かい場合には60度用ウェッジを用
いて正確確実なワイヤボンディングができ、ボンディン
グ点間距離が長い場合には、ワイヤボンディングの信頼
性の高い30度用ウェッジを用いることができる。この
ため、ワイヤボンディングの歩留の向上を図ることがで
きるとともに、安い設備費のもとで30度・60度用ウ
ェッジの共用を図ることができる。また、同一寸法のパ
ッケージにあつては、大きな寸法のペレットであつても
正確確実にワイヤボンディングできる。なお、本発明は
前記実施例に限定されない。
たとえば、ワイヤの傾きを規定するガイド棒の代りにリ
ングを用い、このリング内にワイヤを入れリングを移動
調整することによつてワイヤの傾きを調整するようにし
てもよい。また、アームの取付部にそれぞれワイヤが3
0度および60度になる状態における食い込み部分を設
け、ワンタッチでアームの取付状態を規定する構造等と
してもよい。また、アームの固定はボルト締めに限定さ
れず一般公知の固定構造でもよい。また、ホーンに取り
付けるウェッジは30度用あるいは60度用以外のもの
でもよい。また、60度用ウェッジ構造の超音波ワイヤ
ボンダに30度用ウェッジを取り付ける構造とし、ワイ
ヤの傾きを修正するアームおよびガイド部からなるワイ
ヤ角度調整機構を有する構造としてもよい。さらに、ワ
イヤ角度調整機構としては、スプールを移動させる構造
としてもよい。
以上のように、本発明の超音波ワイヤボンダによれば、
ホーンに3C8用ウェッジあるいは6鍍用ウェッジを取
り付けることができ、かつウェッジへのワイヤの供給、
引き戻しはスムーズに行なえる。
このため、信頼性が優れ、歩留の良いワイヤボンディン
グが行なえる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の超音波ワイヤボンダの概要を示す概要正
面図、第2図は従来の30度用ウェッジ型の超音波ワイ
ヤボンダに60度用ウェッジを取り付けた状態における
ワイヤボンディング状態を示す一部断面説明図、第3図
は本発明の超音波ワイヤボンダの概要正面図である。 1・・・・・・ステージ、2・・・・・・ウェッジ、3
・・・・・・ホーン、4・・・・・・昇降機構部、5・
・・・・・XYテーブル、6・・・・クランパ、7・・
・・・スプール、8・・・・・ワイヤ、9・・・・・・
治具、10・・・・・・ベース、11・・・・・ペレッ
ト、12・・・・・・リード、13・・・・・6ω斐用
ウェッジ、14・・・・ガイド孔、15・・・・・・ガ
ラス層、16・・ボンディング部分、17・・・・・・
箱体、18・・・・・・ボルト、19・・・・・・アー
ム、20・・・・・・ガイド棒。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 ワイヤボンディング面に対して所定の角度を有する
    ガイド孔をもつウェッジと、異なる角度のガイド孔を有
    するウェッジが取付け可能でかつウェッジに超音波振動
    を与える振動子を内蔵するホーンと、ワイヤを解き出す
    スプールと、ウェッジ近傍に配置されワイヤをクランプ
    するクランパとを有する超音波ワイヤボンディング装置
    において、前記スプールから解き出されてウェッジのガ
    イド孔に延びるワイヤの傾き角度を少なくともウェッジ
    近傍において前記ガイド孔の角度と一致させるためのワ
    イヤ角度調整機構を設けたことを特徴とする超音波ワイ
    ヤボンディング装置。
JP53067804A 1978-06-07 1978-06-07 超音波ワイヤボンデイング装置 Expired JPS6057700B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP53067804A JPS6057700B2 (ja) 1978-06-07 1978-06-07 超音波ワイヤボンデイング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP53067804A JPS6057700B2 (ja) 1978-06-07 1978-06-07 超音波ワイヤボンデイング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS54159175A JPS54159175A (en) 1979-12-15
JPS6057700B2 true JPS6057700B2 (ja) 1985-12-16

Family

ID=13355496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP53067804A Expired JPS6057700B2 (ja) 1978-06-07 1978-06-07 超音波ワイヤボンデイング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6057700B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS54159175A (en) 1979-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0190220B1 (en) Bonding tool and clamp assembly and wire handling method
KR100281435B1 (ko) 반도체장치 및 와이어 본딩방법
JPH10189646A (ja) ワイヤボンディング方法
JPS6057700B2 (ja) 超音波ワイヤボンデイング装置
JP3377748B2 (ja) ワイヤボンディング方法
US7510958B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor device including a bump forming process
JP2824383B2 (ja) ワイヤボンディング方法および半導体装置
JP3522123B2 (ja) ワイヤボンディング方法
TWI759711B (zh) 針狀線成形方法以及打線接合裝置
JPH06132344A (ja) ワイヤボンディング装置
JP2586679B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPS609664B2 (ja) 起音波ワイヤボンダ
JPS61281533A (ja) ワイヤボンデイング装置
JPS5925377B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JP2682146B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPH0433135B2 (ja)
KR100413477B1 (ko) 와이어 본더의 본더헤드
JPH0617291Y2 (ja) ワイヤ−ボンディング装置
JPS62276841A (ja) ワイヤボンデイング方法
JP2000340601A (ja) ワイヤボンディング装置
JP3417659B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JPH05326605A (ja) ワイヤボンディング方法およびその装置
JPS6081835A (ja) 自動ボンデイングワイヤ−通し機構
JPS6050931A (ja) 垂直フィ−ド型ワイヤボンダ
JPS61166035A (ja) ワイヤボンデイング方法