JPS6056340A - 焦電性ターゲツトを備えた撮像管及び焦電性ターゲツトの最少膨張軸線を決定するための方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用力１ 本発吠は、焦電性ターゲットを備えた撮像管に関し、よ
り詳細には、焦電性クーゲットに関する。

また、本発明は、用型性クーゲットの最少膨張ｄｌｌｌ
；線を決定するための方法に関する。

従来の技術 焦電性ターゲットを備えた撮像管が先行技術においてよ
く知られている。これらの撮像管は、温度撮影、特に、
赤外線分野において撮像するのに使用される。

第１図は、焦電性ターゲット１及び、このターゲットを
支持したり、これにバイアスをかけたり、またこのター
ゲットを読み取ったりするために先行技術で使用される
回路を示す断面図である。

焦電性クーゲラ）１は薄板２に固定されており、この薄
板２はそれ自体、１７手のリンク３に４つたって延びて
いる。

この型式の支持体は、脆いターゲラ）？、該ターゲット
を内設した撮像管内で受ける振動から可能な限り保護す
る。

焦電性ターゲットの面のうちの一方には、検出されるべ
き放射線を通す電極４が付着しである。

この電極４は、第１図に真っ直ぐな矢印で示した電子ビ
ームが入射しないターゲットの片面に付着しており、ま
た、電極４は温度変化によってターゲット上に発生した
電荷を読み取るように作用する。

同様に、電極５が薄板２０片面に付着しており、薄板２
のこの片面は検出されるべき放射線を受けない。なお、
この放射線は、波線の矢印で示されている。

一方の側が電極４で被覆されたターゲット１と、リング
３が設けられ電極５で被覆された薄板２とは接着層６に
よって互いに組立てられている。

ターゲットからの読出し信号は電極５に集められ、この
読出し信号によってターゲットにバイアスをかける。

２つの電極４と５とを接続するものはなく、その間は静
電結合たけである。

クーゲット１を読み取るのに役立つ電子ビームによって
観察される静電容量は、ターゲットの静電容量と、直列
に設けられた接着層６の静電容量との合成になるという
問題が生じる。電Ｔビーｌ、が読み取る信号は、これら
の静電容量の仕、すなわち〔Ｃ接着層／Ｃターケラト〕
が掛は合わされる結果となり、ターゲットの感度は低減
する。

この感度の低減を回避するために、２つの電極４．５は
互いに直接接続された。かくして、接着層６による静電
容量は除去された。さらに、環状に形作られた電極５を
使用し、それによって感度を上げた。というのは、検出
されるべき放射線は、完全には透明ではない電極５を通
過する必要がないからである。

発明が解決しようとする［１垣庇享 しかしながら、本出願人は、この解決策はり下の理由の
ために納（尋のゆくものではないことを明らかにした。

、２つの電極４．５間に形成された電気的接触は機械的
障害をもたらし、それ１ごより、はとんどの場合、温度
変化により焦電性ターゲットが破損する。

事実、薄板２はブイラー（登録商標）フィルムのような
弾性材料で作られており、接着層６には、焦電性クーゲ
ットの膨張を許容するために弾力性を有するＰ２着剤が
選択される。この組立体に電気的接触を採用することは
機械的な見地から困難であり、破損をもたらす傾向があ
る。

本発明は、電極４．５間の直接的接続を形成するのが望
喝れる場合に生じる問題を単純かつ効果的な方法で解決
する。

問題点を解決するだめの％　ＥＳｔ ずなわぢ、本発明によるならば、厚手のリングにわたっ
て延びる薄板に取り付けられた焦電性クーゲソ）＆、該
焦電性ターゲットに付着させた電極と、前記薄板に付着
させた環状のもう一つの電極と、接着層によって隔てら
れた前記２−）の電極を互いに接続する接続体とを備え
る撮像管において、前記接続体と前記焦電性ターゲット
にイτ１首させた前記電極との接触箇所を、前記焦電性
ターゲットの最少１１形弓長軸線のうちの−っのイボ近
に配置されていることを特徴上する撮像管か提供される
。

発明の効果 本発明によって、撮像管の平均感度の５（１％の増加が
１号られる。かくして、トリグリココールスルフェート
のターゲットに関し、２．）℃て８．５μΔ／Ｗの感度
が得ちれた。さらに、非常に重要なことには、破損しな
い一体の組立体が得られる。

実施例 本発明の他の目的、特徴及び効果は、非限定的な例示と
して述べられかつ添付図面を参照してなされる以下の説
明から明らかになろう。

なお、異なる図面において、同一符号は同一要素を示す
が、明確にするために、異なるザ素の寸法及び比率は考
慮されていない。

第２図及び第３図には、本発明の一つの実施態様に従っ
て組立てられたターゲットが示されており、このターゲ
ットは第２図では断面図、第３図では平面図で示されて
いる。

本発明によれば、ターゲットに付着させた電極４と、２
つの電極４と５間の接続体との接触箇所は、ターゲット
の最少膨張軸線のうちの−っの付近に位置決めされる。

既知のごとく、焦電性ターゲットは、温度に応じて自発
的電気分極をおこす絶縁材料から作られた単結晶板で形
成される。

一１ｌｋにＴＧＳて示されたトリグリココールスルフェ
ートが一般的に使用され、或いは、そのフッ素化誘導体
又は重水素化誘導体、例えば、ト１．ｊグリココールフ
ルオロベリレート、Ｔ　Ｇ　Ｆ　Ｂ、ＤＴＣＳ又はＤＴ
ＧＦＢが使用される。

焦電性の板は一般的に、焦電軸線に対して垂直に切断さ
れる。しかし、焦電性の板はこの軸線に対して傾斜して
いる場合もある。

焦電性ターゲットを形成するのに使用される物質は非常
に異方性があり、逆方向の膨張に対応した２本の互いに
垂直な高膨張軸線を有している。

これらの２本の軸線の間には、上口膨張に対応した２本
の別の軸線が存在する。

本発明によれば、ターゲットに付着させた電極４と、２
つの電極４と５間の接続体との接触箇所を最少膨張軸線
のうちの一つの付近に配置する。

かくして、焦電性ターゲットの破損はない。

第２図は、電極５の形状が環状であり、かつ接続体７が
２つの電極４．５間に設けられている点で第１図と異な
っている。

第２図に示す実施態様では、導体を接着層６に入れるこ
とによって接続体７を形成する。この導体は例えば、金
属レイキ、黒鉛又は導電接着剤であるのが良い。もし、
電極４と接続体７との接触筒所８がターゲットの最少膨
張軸線の付近に位置決めされていなければ、硬質製品を
接着層に入れると、接続体が破損する。

第２図では、接続体７は垂直である。

第３図には、上から見た第２関のターゲット及びその組
立体が部分に示されている。２つの円ＩＯ１１１はそれ
ぞれ電極の内径、リング３の内径に相当している。

クーデ７）の互いに垂直な２本の高膨張軸線Ａ１及びＡ
２並びにターゲットの最少膨張軸線Ａ３及びＡ４が示さ
れている。

第３図では、例示として接触箇所８を軸線Ａ４近くに配
置している。

実際ミ接触箇所８即ち接続体７全体を、ターゲットの最
少膨張軸線の一方を中心として約３０°の範囲内に配置
するのが良いと思われる。

接触箇所８がターゲットの有効帯域を妨害しないように
接触箇所８を電極４及び５の周囲にできるだけ近づけて
配置するのが有利である。

最少１］１張軸線は、結晶軸の判定から、Ｘ線を使用す
ることによって決定することができる。

最少膨張軸線は、また、焦電性ターゲットの成長中に、
結晶軸を位置決めすることによって決定されてもよい。

また、本発明はこれらの最少膨張軸線を決定するための
方法を提供する。

以下の説明では、焦電軸線に対して垂直に切断されたＴ
ＧＳ製の薄板で作られた焦電性ターゲット［有］場合に
ついて本発明の詳細な説明する。

このターゲットを高温）原の下に配置する。例えば、白
熱電球を使用するのが良い。ターゲットは例えば４０℃
又は５０℃の温度にする。

熱の作用を受けて、ターゲットは軸線、例えば軸線ＡＩ
に沿って膨張し、例えば凹状になる。かくして、高膨張
軸線のうちの１本を決定した。

例えば、さらに数分間加熱を続（テると、クーゲットは
反対側の方向にかつ軸線Ａ１に対してｊ１ｊ直プ：軸線
に沿って膨張する。例えば、クーゲットは軸線Δ２に沿
って凸状に１よる。

当業者に周知の計算によって、正の高膨張軸線と、２本
の最少膨張軸線Ａ３、Ａ４との間の角度θを決定するこ
とができる。この角度は特に、ターゲットに使用される
材料によ−って決まる。

第３図では、軸線Ａ２は正の高ロ☆チ張軸線であり、軸
線Ａ２と、２本の軸線へ３、Ａ４との開の角度は６３°
である。これら２本の軸線Ａ３、Ａ４は軸線Ａ２に関し
て対称である。

高膨張軸線のうちのどちらが正の高膨張軸線であるかを
決定するためにターゲットの結晶軸を利用する。これら
の結晶軸は例えば、ターゲットの製造業者によって指示
されるのが良い。

軸線Ａ３、Ａ４を決定する際の精度は希望の用途につい
ては十分である。

もちろん、軸線Ａ３、Ａ４を碍るためには、軸線ＡＩ、
Ａ２のうちの一方を決定するだけでＴ分である。

軸線Δ３、Ａ４の決定は、接続体７を位置決めする目的
以外の目的に利用されても良い。

要約すると、最少膨張軸線を決定するだめの方法は以下
のとおりである。

１）クーゲットを高温源の下に配置する。

２）ターゲットの高膨張軸線Δ１、Ａ２を構成し、これ
らの軸線に沿ってターゲットが逐次変形する互いに垂直
な軸線のうちの少なくとも１本を決定する。

３）ターゲットの結晶軸から決定された正の高膨張軸線
Ａ２と、最少膨張軸線へ３、Ａ４の各々との間の角度θ
を計算する。

第４図には、本発明の別の実施態様のうちの断面図が示
されている。

この実施態様では、接続体７は外部にある。ターゲット
には、接続体７と電極４とを接続させるためのオリフィ
ス９が形成しである。図面で分かるように、電極５はそ
の直径が大きいので容易に接近しうる。オリフィス９は
電極４を損傷させないで形成されなければならない。と
いうのは、この位置で再び接触させなければならないか
らである。

クーゲットの結晶の局部的溶解により、又は、例えば、
マスキングした状態でイオンエツチング又はプラズマエ
ツチングによってエツチングを施すのが良い。

第２図の場合のように、接続体７は金属レイキまたは導
電ペーストで作られるのが良い。

【図面の簡単な説明】

第１図は、先行技術において使用される焦電性ターゲッ
ト及びその取付は方法を示す断面図である。 第２図及び第４図は、本発明の２つの実施態様で使用す
る焦電性ターゲット及びその取付は方法を示す断面図で
ある。 第３図は、第２図の平面図である。 〔主な参照番号〕 ■・・焦電外ターゲット、２・・・薄板、３・・・厚手
のリング、　４．５・・・電極、６・・接着層、　７・
・・接続体、　８・・・接触箇所、９・・・オリフィス
、Ａ１、Ａ２・・・高膨張軸線、Ａ３、Ａ４・最少膨張
軸線 特許出願人）ムソンーセーエスエフ 代　理　人　弁理士　新居　正彦 第１頁の続き ＠発明者　マリ−モラ　フラ ラノ１ ＠発明者　リュク　プロワ　フラ シンス国　３８１２０　サン、エグルーヴウ　リュ　ジ
ェネ／　ヴイアエ（番地なし）

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）厚手のリングにわたって延びる薄板に取り付けら
   れ、２本の高膨張軸線及び２本の最少膨張軸線を有する
   焦電性ターゲットと、該隼電性ターゲットに付着された
   電極と、前記薄板に付着された環状のもう一つの電極と
   、接着層によって隔てられた前記２つの電極を互いに接
   続する接続体とを備える撮像管において、前記接続体と
   、前記焦電性ターゲットに付着された前記電極との喀触
   箇所を前記焦電性ターゲットの最少膨張軸線の一方の付
   近に配置されていることを特徴とする撮１象管。
2. （２）前記接続体の前記接触箇所は実質的に、前記焦電
   性ターゲットの最少膨張軸線の一方を中心として約３０
   °の範囲の中に配置されていることを特徴とする特許請
   求の範囲第（１）項記載の撮像管。
3. （３）前記焦電性クーゲットは、トリグリココールスル
   フェート又はそのフッ素化誘導体若しくは重水素化誘導
   体で作られていることを特徴とする特許請求の範囲第（
   １）項記載の撮像管。
4. （４）前記接続体は、前記２つの電極を隔てる接着層に
   含まれた導電材料から成ること−を特徴とする特許請求
   の範囲第（１）項記載の撮像管。
5. （５）前記接続体は、前記２つの電極を隔てる接着層に
   含まれた導電材料から成ることを特徴とする特許請求の
   範囲第（２）項記載の撮像管。
6. （６）前記接続体は、前記２つの電極を隔てた接着層の
   外部にあり、前記焦電性ターゲットを被覆した電極との
   接続はこのクーゲットに設けられたオリフィスを介して
   なされていることを特徴とする特許請求の範囲第（１）
   項記載の撮像管。
7. （７）前記接続体は、前記２つの電極を隔てた接着層の
   外部にあり、前記焦電性ターゲットを被覆した電極との
   接続はこのターゲットに設けられたオリフィスによって
   成されることを特（ツクとする特許請求の範囲第（２）
   項記載の撮像管。
8. （８）撮像管用の焦電性クーゲットの最少１膨張軸線を
   決定するだめの方法であって、 ■）ターゲットを高温源の下に配置し、２）ターゲット
   の高膨張軸線を構成し、これらの軸線に沿ってターゲッ
   トが逐次変形する互いに垂直な軸線のうちの少なくとも
   １本を決定し、 ３）ターゲットの結晶軸から決定された正の高膨張軸線
   と、最少膨張軸線の各々との間の角度を測定する ことを特徴とする方法。