JPS6054910A - 炭化ケイ素粉末の製造方法 - Google Patents
炭化ケイ素粉末の製造方法Info
- Publication number
- JPS6054910A JPS6054910A JP58162515A JP16251583A JPS6054910A JP S6054910 A JPS6054910 A JP S6054910A JP 58162515 A JP58162515 A JP 58162515A JP 16251583 A JP16251583 A JP 16251583A JP S6054910 A JPS6054910 A JP S6054910A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- inert gas
- reaction
- carbon
- carbide powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は炭化ケイ素粉末の新規な製造法に関近年、省エ
ネルギーおよび省資源の立場から、高温構造材料として
のセラミックスが注目されている。中でも窒化ケイ素と
ともに炭化ケイ素が最も有望な材料であると期待されて
いる。さらに、炭化ケイ素社特殊な電子材料としても重
要な役割を来している。
ネルギーおよび省資源の立場から、高温構造材料として
のセラミックスが注目されている。中でも窒化ケイ素と
ともに炭化ケイ素が最も有望な材料であると期待されて
いる。さらに、炭化ケイ素社特殊な電子材料としても重
要な役割を来している。
従来、炭化ケイ素は主として次の三つの方法で製造され
てきた。
てきた。
（リ 炭素によゐシリカの還元炭化反応θ１０． ＋
３０ごμ庶！Ｆ３１０ ＋ ２００（２） ハロゲン化
珪素と炭化水素との気相反応（５） 有機珪素化合物の
熱分解反応 ８１（ＯＨｍ）４−≧ユ）旦ダ！ｌ；Ｂｔａ ＋３０Ｈ
。
３０ごμ庶！Ｆ３１０ ＋ ２００（２） ハロゲン化
珪素と炭化水素との気相反応（５） 有機珪素化合物の
熱分解反応 ８１（ＯＨｍ）４−≧ユ）旦ダ！ｌ；Ｂｔａ ＋３０Ｈ
。
このうち方法（りはα型炭化ケイ素を製造する目的の方
法として古くから知られている製法であるが、エネルギ
ー原単位が高い欠点があル、また、高純度の微粒を得る
のは困難であるため、エンジニアリングセラミックス、
エレクトロセラミックス用原料粉末としては、長時間の
粉砕、精製が必要であシ、最終的には弗常に高価な製品
とならざるを得ない。方法（２）および（刃では粒径が
サブミクロン以下の微粒を得ることが可能であるが原料
の価格が高く、収率も低く安価な経済的プロセスとけ−
ｅｂ離い。これに対しくりの反応を２０００℃以下の低
温で行にわせβ型炭化ケイ素を得る方法があるが、この
反応は固相反応であシしかもよシ低い温度で反応を行な
わせるため反応速度が遅く、均一に反応させることが困
難であった。本反応式は、 Ｓｉ０．４４０？β−８１０−１−２００■で表わされ
るが、発生するＣＯを除去すれば反応が促進されること
は反応式よシ明らかであシ、不活性ガスを流してＯＯを
除去する方法が既に採用されているが現実には大量の不
活性ガスが必要となり、経済性に問題が生じ、しかも不
活性ガスを流しても均一に反応させることは困難であっ
た。
法として古くから知られている製法であるが、エネルギ
ー原単位が高い欠点があル、また、高純度の微粒を得る
のは困難であるため、エンジニアリングセラミックス、
エレクトロセラミックス用原料粉末としては、長時間の
粉砕、精製が必要であシ、最終的には弗常に高価な製品
とならざるを得ない。方法（２）および（刃では粒径が
サブミクロン以下の微粒を得ることが可能であるが原料
の価格が高く、収率も低く安価な経済的プロセスとけ−
ｅｂ離い。これに対しくりの反応を２０００℃以下の低
温で行にわせβ型炭化ケイ素を得る方法があるが、この
反応は固相反応であシしかもよシ低い温度で反応を行な
わせるため反応速度が遅く、均一に反応させることが困
難であった。本反応式は、 Ｓｉ０．４４０？β−８１０−１−２００■で表わされ
るが、発生するＣＯを除去すれば反応が促進されること
は反応式よシ明らかであシ、不活性ガスを流してＯＯを
除去する方法が既に採用されているが現実には大量の不
活性ガスが必要となり、経済性に問題が生じ、しかも不
活性ガスを流しても均一に反応させることは困難であっ
た。
そこで、本発明者らは不活性ガスを流して反応をおこな
い、短時間で均−且つ微粒状のβ−８ｉＯを安価に得る
べく鋭意研究した結果、本発明に到達したものである。
い、短時間で均−且つ微粒状のβ−８ｉＯを安価に得る
べく鋭意研究した結果、本発明に到達したものである。
すなわち、本発明はシリカ、炭素および結合材からなる
造粒された原料を不活性ガス中にて焼成して炭化ケイ素
粉末を製造する方法において、焼成炉に供給する不活性
ガスの流れ方向を切替えることを特徴とする炭化ケイ素
粉末の製造方法である。また、かかる方法によシ排出す
るガス中の一酸化炭素を除去後再循環使用することを特
徴とする炭化ケイ素粉末の製造方法である。
造粒された原料を不活性ガス中にて焼成して炭化ケイ素
粉末を製造する方法において、焼成炉に供給する不活性
ガスの流れ方向を切替えることを特徴とする炭化ケイ素
粉末の製造方法である。また、かかる方法によシ排出す
るガス中の一酸化炭素を除去後再循環使用することを特
徴とする炭化ケイ素粉末の製造方法である。
以下本発明をさらに詳細に説明する。
本発明者らの検討によれば、Ｓ１０製造用焼成炉におい
ては、たとえ不活性ガスを流したとしても、００の濃度
分布が生じ不活性ガスの入口側および高温側では反応は
速やかに進行するが、反応ガスの出口側では未反応原料
の残留率が高くなることが確認された。
ては、たとえ不活性ガスを流したとしても、００の濃度
分布が生じ不活性ガスの入口側および高温側では反応は
速やかに進行するが、反応ガスの出口側では未反応原料
の残留率が高くなることが確認された。
本発明においては、不活性ガスの流れ方向を適当な時間
間隔（通常５〜６０分の範囲）て切シ替える亀のであシ
、かかる簡単表操作によシ短時間で均一に反応が進行す
る。
間隔（通常５〜６０分の範囲）て切シ替える亀のであシ
、かかる簡単表操作によシ短時間で均一に反応が進行す
る。
また、かかる方法においては、反応効率面では、十分な
効果が得られるもののその使用量はかなジ多量となるた
め、比較的高価である一排出する００を多量に含む不活
性ガスを廃棄することは工業的には不利であシ、本発明
においては、かかる００を多量に含む不活性ガス中のＣ
Ｏを除去後再循環使用することで、本プロセスを極めて
経済的なプロセスとなし得るものである。
効果が得られるもののその使用量はかなジ多量となるた
め、比較的高価である一排出する００を多量に含む不活
性ガスを廃棄することは工業的には不利であシ、本発明
においては、かかる００を多量に含む不活性ガス中のＣ
Ｏを除去後再循環使用することで、本プロセスを極めて
経済的なプロセスとなし得るものである。
５−
不活性ガス中のｃｏ除去の具体的手段としては、触媒層
に通じて酸化する方法、水またはアルカリ性溶液に吸収
させる方法、活性炭に吸着させる方法、あるいは第一銅
塩水溶液による吸収法などが挙げられる。
に通じて酸化する方法、水またはアルカリ性溶液に吸収
させる方法、活性炭に吸着させる方法、あるいは第一銅
塩水溶液による吸収法などが挙げられる。
また、本発明においては、シリカと炭素を結合材で造粒
成形するものであシ、ががる手段によシネ活性ガスの流
通が十分おこなわれＣＯガスの効果的な除去ができ、反
応が速かに進行するものである。また、β−８１０粉末
の生成機構は前述の０式で表わされるが、この反応は下
記の各段階の反応から成シ立っていると推察される。
成形するものであシ、ががる手段によシネ活性ガスの流
通が十分おこなわれＣＯガスの効果的な除去ができ、反
応が速かに進行するものである。また、β−８１０粉末
の生成機構は前述の０式で表わされるが、この反応は下
記の各段階の反応から成シ立っていると推察される。
ｓｉｏ、 十ａｏ −ｓｉｏ＋ｃｏ２ ■ａ 十Ｃｏｏ
、 ２００ ■ ＳｉＯ＋ ２０ ８１０ ＋Ｃｏ ■ Ｃ〜■のいずれの反応も固気反応であシ、原料のシリカ
および炭素の粒径は反応速度に大きな影響を与える。従
って、短時間で反応をおこなうためには粒径の小さい原
料を用い６− ることか好ましく、またＳ１０の生成は０式から明らか
なように炭素を核とする反応と考えられ、超微粒子状の
Ｓｉｏ粉末を製造する上では特に炭素原料は微細である
ことが必要である。かかる点からは好ｔ Ｌ、 ＜け、
各原料とも１０μ以下が好ま１．い。
、 ２００ ■ ＳｉＯ＋ ２０ ８１０ ＋Ｃｏ ■ Ｃ〜■のいずれの反応も固気反応であシ、原料のシリカ
および炭素の粒径は反応速度に大きな影響を与える。従
って、短時間で反応をおこなうためには粒径の小さい原
料を用い６− ることか好ましく、またＳ１０の生成は０式から明らか
なように炭素を核とする反応と考えられ、超微粒子状の
Ｓｉｏ粉末を製造する上では特に炭素原料は微細である
ことが必要である。かかる点からは好ｔ Ｌ、 ＜け、
各原料とも１０μ以下が好ま１．い。
シリカ原料と１−てけ、微粒子状のケイ石、ケイ砂、ホ
ワイトカーボン、ケイ酸アルカリおよびハロゲン化シラ
ン等の加水分解生成物などが利用可能である。また、炭
素原料としては、カーボンブラック、石油コークスなど
の微粒子状の非晶質炭素が好ましい。また、結合材とし
ては、石油ピッチ、ショ糖、でんぷん、ＰＶＡなどが好
ましく、反応が一部終了［７て吃生成物が粉化して不活
性ガスの流通が妨げられないよう残留強度の大きい結合
材を選択するのが好適である。
ワイトカーボン、ケイ酸アルカリおよびハロゲン化シラ
ン等の加水分解生成物などが利用可能である。また、炭
素原料としては、カーボンブラック、石油コークスなど
の微粒子状の非晶質炭素が好ましい。また、結合材とし
ては、石油ピッチ、ショ糖、でんぷん、ＰＶＡなどが好
ましく、反応が一部終了［７て吃生成物が粉化して不活
性ガスの流通が妨げられないよう残留強度の大きい結合
材を選択するのが好適である。
また、反応式■に依れば、理論モル比
（ａ／ｓｔｏ、）は５であるが通常、モル比５．２以上
の炭素過剰側で反応させる場合が多い。しかしながら、
この場合には、過剰の炭素を除去するため、脱炭操作が
必須となシ、空気中、６００〜８００℃で炭素を燃焼さ
せなければならず後処理工程が複雑にならざるを得ない
。また、脱炭時微粒の５ｔａ）’Ｊど表面酸化され易く
収率の低下を招く傾向にある。従って、微粒のｓｉａを
効率的に得るためには原料におけるａ／ｓ１ｏ、モル比
（造粒バインダーが炭化されて１．４００℃以上で炭素
として残る分を含む）は脱炭工程を省略可能な３．２未
満特に５以下が好ましい。一方０／Ｓ ｉ Ｏ，モル比
が極端に小さいとＳｉＯ，十〇 、 ＳｉＯ＋ＣＯ■ の反応によって生成したＳｉＯが飛散し、反応容器内の
各所に析出して閉塞や粒子同志の固着の原因となるので
、避ける方がよい。従って、好適なａ／ｓ ｉ Ｏ，モ
ル比は２．４〜５．２、よシ好ましくは、２．６〜３．
０の範囲である。
の炭素過剰側で反応させる場合が多い。しかしながら、
この場合には、過剰の炭素を除去するため、脱炭操作が
必須となシ、空気中、６００〜８００℃で炭素を燃焼さ
せなければならず後処理工程が複雑にならざるを得ない
。また、脱炭時微粒の５ｔａ）’Ｊど表面酸化され易く
収率の低下を招く傾向にある。従って、微粒のｓｉａを
効率的に得るためには原料におけるａ／ｓ１ｏ、モル比
（造粒バインダーが炭化されて１．４００℃以上で炭素
として残る分を含む）は脱炭工程を省略可能な３．２未
満特に５以下が好ましい。一方０／Ｓ ｉ Ｏ，モル比
が極端に小さいとＳｉＯ，十〇 、 ＳｉＯ＋ＣＯ■ の反応によって生成したＳｉＯが飛散し、反応容器内の
各所に析出して閉塞や粒子同志の固着の原因となるので
、避ける方がよい。従って、好適なａ／ｓ ｉ Ｏ，モ
ル比は２．４〜５．２、よシ好ましくは、２．６〜３．
０の範囲である。
また、造粒された原料の平均粒径は２〜２０ｍの範囲が
好適である。造粒径が２−満ではガスの通気性が不良と
なりまた。 ２０ｔｒａｎ以上では造粒粒子の内部に未
反応部分を生じ易い。
好適である。造粒径が２−満ではガスの通気性が不良と
なりまた。 ２０ｔｒａｎ以上では造粒粒子の内部に未
反応部分を生じ易い。
また、個々の造粒原料のかさ比重は０．５〜１．５の範
囲が好適である。何故ならかさ比重が０．５未満である
と造粒強度が弱く粉化を生じ易く、発生ガスの除去に不
利であ勺、収量の減少を招き反応器の容積が大となって
経済的に不利となる。一方、１．５を超えると粒子内の
通気性が低下し、反応生成ガスの除去が充分でなく反応
率の低下を招く。
囲が好適である。何故ならかさ比重が０．５未満である
と造粒強度が弱く粉化を生じ易く、発生ガスの除去に不
利であ勺、収量の減少を招き反応器の容積が大となって
経済的に不利となる。一方、１．５を超えると粒子内の
通気性が低下し、反応生成ガスの除去が充分でなく反応
率の低下を招く。
前述のように、焼成反応が進行するにつれてＣＯガスが
副生ずるが雰囲気中のａＯガスの存在は大きく反応を遅
延させるので、反応層内の００分圧をできるだけ低下さ
せるため造粒原料間の通気性を確保することが反応の促
進に必要であシ、このため、反応層における空隙率（、
＃反応層における造粒原料の占める容積／反応層全容積
）は２０〜７０Ｘの範囲にすることが好ましい。空隙率
が２０％未満だと反応層内部に未反応部分の残る場合が
あり、また、７０Ｘを超えると反応器単位容積当シの収
量の９− 低下を招き、経済的に不利である。すた、本発明におい
ては、反応温度は１５００℃〜２０００ ℃が好ましく
、高温側ではｓｉｃ結晶の粒成長が起ル易いため、粗大
粒子しか得られずまた、粒径も不揃いとなシ易い。一方
、１５００℃未満では反応速度が遅いため、効率が悪い
ものである。
副生ずるが雰囲気中のａＯガスの存在は大きく反応を遅
延させるので、反応層内の００分圧をできるだけ低下さ
せるため造粒原料間の通気性を確保することが反応の促
進に必要であシ、このため、反応層における空隙率（、
＃反応層における造粒原料の占める容積／反応層全容積
）は２０〜７０Ｘの範囲にすることが好ましい。空隙率
が２０％未満だと反応層内部に未反応部分の残る場合が
あり、また、７０Ｘを超えると反応器単位容積当シの収
量の９− 低下を招き、経済的に不利である。すた、本発明におい
ては、反応温度は１５００℃〜２０００ ℃が好ましく
、高温側ではｓｉｃ結晶の粒成長が起ル易いため、粗大
粒子しか得られずまた、粒径も不揃いとなシ易い。一方
、１５００℃未満では反応速度が遅いため、効率が悪い
ものである。
本発明においては、反応層内の００分圧を低下させる目
的で用いる不活性ガスとしてはＮ！、Ａｒなどが挙げら
れ、Ｎ２ガスは８１０に固溶する場合があるので低温に
おける反応器内の置換に用い、高温ではＡｒガスを使用
するのがよシ好適である。Ａｒガスの流量は炭化反応の
起る反応層内の造粒原料１＃に対して０．１４！ＮＴＰ
／分以上が好ましい。流量が０．１１１７分未満である
と００分圧の寄与が大きく反応速度を遅らせるので避け
る方がよい。
的で用いる不活性ガスとしてはＮ！、Ａｒなどが挙げら
れ、Ｎ２ガスは８１０に固溶する場合があるので低温に
おける反応器内の置換に用い、高温ではＡｒガスを使用
するのがよシ好適である。Ａｒガスの流量は炭化反応の
起る反応層内の造粒原料１＃に対して０．１４！ＮＴＰ
／分以上が好ましい。流量が０．１１１７分未満である
と００分圧の寄与が大きく反応速度を遅らせるので避け
る方がよい。
以下、実施例によシ本発明の詳細な説明する。
実施例１ 平均粒径２μのケイ砂と市販のカーボ１０−
ンブラック（粒子１．３０ｎ＋μ）をＣ１／Ｓｉ（原子
ｍ＝５．０となるよう混合後シミ糖をバインダーとして
、直径約１０１１０１１の大きさに造粒後Ｎ、気流中８
００℃で予備焼成を行なった。この原料を内径１１５關
の竪型タンマン炉の中心部付近に原料の層厚みが２００
ｍ＋とな為量だけ供給し２１ＮＴＰ／ｍｉ、ｎのＡｒガ
スを流しながら昇温した。１６２５℃に到達後、２０分
間隔でＡｒガスの流れ方向を上下切り換えながらこの温
度に２時間給持１〜た後、炉を冷却した。冷却後、反応
終了物を炉から取り出し粉末Ｘ１ｌｌｌｉ１回折で同定
したところ、全体に均一に反応が進行しており、未反応
のシリカは全く検出されなかった。また、電子顕微鏡観
察結果によるとほとんどが０．２〜０．４μの範囲の粒
子径から成っておシ、未反応のシリカは確認されなかっ
た。各条件および結果を第１表に示した。
ｍ＝５．０となるよう混合後シミ糖をバインダーとして
、直径約１０１１０１１の大きさに造粒後Ｎ、気流中８
００℃で予備焼成を行なった。この原料を内径１１５關
の竪型タンマン炉の中心部付近に原料の層厚みが２００
ｍ＋とな為量だけ供給し２１ＮＴＰ／ｍｉ、ｎのＡｒガ
スを流しながら昇温した。１６２５℃に到達後、２０分
間隔でＡｒガスの流れ方向を上下切り換えながらこの温
度に２時間給持１〜た後、炉を冷却した。冷却後、反応
終了物を炉から取り出し粉末Ｘ１ｌｌｌｉ１回折で同定
したところ、全体に均一に反応が進行しており、未反応
のシリカは全く検出されなかった。また、電子顕微鏡観
察結果によるとほとんどが０．２〜０．４μの範囲の粒
子径から成っておシ、未反応のシリカは確認されなかっ
た。各条件および結果を第１表に示した。
実施例２−６、比較例！、２
実施例１と同様にして第１表に示す条件にて反応をおこ
なった。この結果を第１表に示す。
なった。この結果を第１表に示す。
実施例７
液を用いて吸収除去し、分離されたＡｒガスを精製後再
使用した。この結Ｊ！！けシリカの炭化率、平均粒径と
もに実施例１と同様であった。また、Ａｒガスの使用量
は実施例ＩＫ比較して約１／ｌＯに減少した。
使用した。この結Ｊ！！けシリカの炭化率、平均粒径と
もに実施例１と同様であった。また、Ａｒガスの使用量
は実施例ＩＫ比較して約１／ｌＯに減少した。
Ｉ ５−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （リ シリカ、縦索および結合材からなる造粒された原
料を不活性ガス中にて焼成して炭化ケイ素粉末を製造す
る方法において、焼成炉に供給する不活性ガスの流れ方
向を切替える仁とを特徴とする炭化ケイ素粉末の製造方
法。 （２） シリカ、炭素および結合材からなる造粒された
原料を不活性ガス中にて焼成して炭化ケイ素粉末を製造
する方法において、焼成炉に供給する不活性ガスの方向
を切替え、排出するガス中の一酸化炭素を除去後再循環
使用することを特徴とする炭化ケイ素粉末の製造方法。 （３） シリカおよび炭素の平均粒径が１０μ以下で、
０／５ｉＯ１モル比が３．２以下でＦＬ造粒物の平均粒
径が２〜２０−かさ密度が０．５〜１．５であり、造
１− 粒物の焼成炉における空隙率が２０〜７０％であシ且つ
不活性ガスの供給量が０．１ｆｆＮＴＰ１５）、原料１
＃以上である特許請求の範囲第１項または第２項記載の
炭化ケイ素粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58162515A JPS6054910A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 炭化ケイ素粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58162515A JPS6054910A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 炭化ケイ素粉末の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6054910A true JPS6054910A (ja) | 1985-03-29 |
Family
ID=15756085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58162515A Pending JPS6054910A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 炭化ケイ素粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054910A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0247907A2 (fr) * | 1986-04-03 | 1987-12-02 | Elf Atochem S.A. | Poudres pour céramiques en carbures et nitrures métalliques par réduction carbothermique et leur procédé de fabrication |
| CN104129787A (zh) * | 2014-08-18 | 2014-11-05 | 宋克纯 | 适于尾气回收的碳化硅冶炼设备 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4866100A (ja) * | 1971-12-15 | 1973-09-11 | ||
| JPS5520213A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-13 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Vapor phase growing device |
| JPS5645899A (en) * | 1979-09-18 | 1981-04-25 | Sanyo Electric Co Ltd | Vapor phase growing method for gallium nitride |
-
1983
- 1983-09-06 JP JP58162515A patent/JPS6054910A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4866100A (ja) * | 1971-12-15 | 1973-09-11 | ||
| JPS5520213A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-13 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Vapor phase growing device |
| JPS5645899A (en) * | 1979-09-18 | 1981-04-25 | Sanyo Electric Co Ltd | Vapor phase growing method for gallium nitride |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0247907A2 (fr) * | 1986-04-03 | 1987-12-02 | Elf Atochem S.A. | Poudres pour céramiques en carbures et nitrures métalliques par réduction carbothermique et leur procédé de fabrication |
| CN104129787A (zh) * | 2014-08-18 | 2014-11-05 | 宋克纯 | 适于尾气回收的碳化硅冶炼设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63159300A (ja) | 炭化けい素ウイスカ−の製造方法 | |
| WO2011019054A1 (ja) | 炭化珪素の製造方法 | |
| US4342837A (en) | Sinterable silicon carbide powders and sintered body produced therefrom | |
| CN113880136B (zh) | 一种四氯化锆和/或四氯化硅、其制备方法及其制备装置 | |
| JP2014015339A (ja) | 炭化珪素粉末の製造方法 | |
| JPS6054910A (ja) | 炭化ケイ素粉末の製造方法 | |
| JPH0253400B2 (ja) | ||
| JPS5934643B2 (ja) | 四塩化ケイ素の製造方法 | |
| JPS6227316A (ja) | 高純度炭化珪素微粉末の製造方法 | |
| JPH0640713A (ja) | 石英粉の脱水方法 | |
| JP2019085303A (ja) | シリコンの製造方法及び製造装置 | |
| US3421851A (en) | Method of growing alpha-alumina single crystal ribbons | |
| JPH02188422A (ja) | シアン化ナトリウムの製造方法 | |
| JPH0138042B2 (ja) | ||
| JP2004216245A (ja) | 炭酸ガス吸収材及びその製造方法 | |
| JPS6362449B2 (ja) | ||
| JPH02137799A (ja) | 炭化珪素ウィスカーの製造方法 | |
| JPH0118005B2 (ja) | ||
| JP3246951B2 (ja) | 窒化珪素粉末の製造方法 | |
| JPH02180710A (ja) | 微粉状αまたはβ炭化ケイ素の製造方法 | |
| AU648108B2 (en) | A proces for the preparation of alpha-silicon nitride powder | |
| JPH0135773B2 (ja) | ||
| JPH022802B2 (ja) | ||
| JP2004217471A (ja) | 炭酸ガス吸収材料の製造方法 | |
| JP2579949B2 (ja) | 炭化ケイ素ウイスカ−の製造方法 |