JPS6054150A - イオン源 - Google Patents

イオン源

Info

Publication number
JPS6054150A
JPS6054150A JP58158951A JP15895183A JPS6054150A JP S6054150 A JPS6054150 A JP S6054150A JP 58158951 A JP58158951 A JP 58158951A JP 15895183 A JP15895183 A JP 15895183A JP S6054150 A JPS6054150 A JP S6054150A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
container
ion source
sample
heating furnace
source according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58158951A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPH0580099B2 (enrdf_load_stackoverflow
Inventor
Susumu Ozasa
小笹 進
Kuniyuki Sakumichi
訓之 作道
Hidemi Koike
英巳 小池
Takayoshi Seki
孝義 関
Toshio Suzuki
敏夫 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP58158951A priority Critical patent/JPS6054150A/ja
Publication of JPS6054150A publication Critical patent/JPS6054150A/ja
Publication of JPH0580099B2 publication Critical patent/JPH0580099B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00Ion beam tubes
    • H01J27/02Ion sources; Ion guns

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)
JP58158951A 1983-09-01 1983-09-01 イオン源 Granted JPS6054150A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58158951A JPS6054150A (ja) 1983-09-01 1983-09-01 イオン源

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58158951A JPS6054150A (ja) 1983-09-01 1983-09-01 イオン源

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6054150A true JPS6054150A (ja) 1985-03-28
JPH0580099B2 JPH0580099B2 (enrdf_load_stackoverflow) 1993-11-05

Family

ID=15682898

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58158951A Granted JPS6054150A (ja) 1983-09-01 1983-09-01 イオン源

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6054150A (enrdf_load_stackoverflow)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0221056A4 (en) * 1985-05-17 1987-09-08 Schumacher Co J C ION BEAM IMPLANTATION SYSTEM.
JPS63502384A (ja) * 1986-04-09 1988-09-08 エアー・プロダクツ・アンド・ケミカルズ・インコーポレーテッド エバポレータ
JPH03122451U (enrdf_load_stackoverflow) * 1990-03-26 1991-12-13
WO2008088971A3 (en) * 2007-01-11 2009-06-11 Varian Semiconductor Equipment Techniques for providing ion source feed materials
US20180346342A1 (en) * 2017-06-05 2018-12-06 Axcelis Technologies, Inc. Hydrogen CO-Gas When Using Aluminum Iodide as an Ion Source Material
JP2019525382A (ja) * 2016-06-21 2019-09-05 アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド アルミニウム原子イオンを生成するための固体ヨウ化アルミニウム(ali3)を用いた注入およびヨウ化アルミニウムとそれに関連付けられた副産物のインサイチュクリーニング

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2882410A (en) * 1946-06-14 1959-04-14 William M Brobeck Ion source

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2882410A (en) * 1946-06-14 1959-04-14 William M Brobeck Ion source

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0221056A4 (en) * 1985-05-17 1987-09-08 Schumacher Co J C ION BEAM IMPLANTATION SYSTEM.
JPS63502384A (ja) * 1986-04-09 1988-09-08 エアー・プロダクツ・アンド・ケミカルズ・インコーポレーテッド エバポレータ
JPH03122451U (enrdf_load_stackoverflow) * 1990-03-26 1991-12-13
WO2008088971A3 (en) * 2007-01-11 2009-06-11 Varian Semiconductor Equipment Techniques for providing ion source feed materials
US7655932B2 (en) 2007-01-11 2010-02-02 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for providing ion source feed materials
JP2010516037A (ja) * 2007-01-11 2010-05-13 ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド イオン源供給材料供給技術
US10774419B2 (en) 2016-06-21 2020-09-15 Axcelis Technologies, Inc Implantation using solid aluminum iodide (ALI3) for producing atomic aluminum ions and in situ cleaning of aluminum iodide and associated by-products
JP2019525382A (ja) * 2016-06-21 2019-09-05 アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド アルミニウム原子イオンを生成するための固体ヨウ化アルミニウム(ali3)を用いた注入およびヨウ化アルミニウムとそれに関連付けられた副産物のインサイチュクリーニング
JP2019525381A (ja) * 2016-06-21 2019-09-05 アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド アルミニウム原子イオンを生成するための固体ヨウ化アルミニウム(ali3)を用いた注入およびヨウ化アルミニウムとそれに関連付けられた副産物のインサイチュクリーニング
US20180346342A1 (en) * 2017-06-05 2018-12-06 Axcelis Technologies, Inc. Hydrogen CO-Gas When Using Aluminum Iodide as an Ion Source Material
US10676370B2 (en) * 2017-06-05 2020-06-09 Axcelis Technologies, Inc. Hydrogen co-gas when using aluminum iodide as an ion source material
JP2020522838A (ja) * 2017-06-05 2020-07-30 アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド イオン原料物質としてヨウ化アルミニウムを使用する場合の水素共ガス
CN111263971A (zh) * 2017-06-05 2020-06-09 艾克塞利斯科技公司 碘化铝用作离子源材料时的共伴氢气
TWI785057B (zh) * 2017-06-05 2022-12-01 美商艾克塞利斯科技公司 一種離子植入系統、一種用於將鋁離子植入到工件中的方法,以及一種使用產生殘餘的碘化鋁的碘化鋁源材料來清潔離子植入系統的方法
CN111263971B (zh) * 2017-06-05 2023-03-14 艾克塞利斯科技公司 碘化铝用作离子源材料时的共伴氢气

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0580099B2 (enrdf_load_stackoverflow) 1993-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6054150A (ja) イオン源
US3826634A (en) Plug sealing of hermetic enclosures
US3492969A (en) Apparatus for indiffusing impurity in semiconductor members
JPS62237650A (ja) 金属イオン発生装置
JPH065614A (ja) 熱処理装置
US3628846A (en) Method of making a vapor discharge lamp
US5981900A (en) Method of annealing silicon carbide for activation of ion-implanted dopants
US4030789A (en) Method of manufacturing an electric discharge tube
KR19990042166A (ko) 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법
US2779581A (en) Combustion analysis crucible
US10509370B1 (en) Vapor cell heating assembly
JP2774748B2 (ja) 金属製真空二重容器及びその製造方法
US1231416A (en) Manufacture of incandescent lamps.
JPH0238923Y2 (enrdf_load_stackoverflow)
US2054030A (en) Electric discharge device and method of manufacture
EP0040450A1 (en) Gettering device and picture display tube having such a gettering device
JPS6286830A (ja) 化合物半導体の熱処理用器具
US2456968A (en) Process for outgassing photocells containing antimony
JP2507375B2 (ja) 容器の加圧封入方法及びその装置
JPS58175828A (ja) 横型炉金属溶液シ−ルによるキャップレス・アニ−ル法
JPH0338736B2 (enrdf_load_stackoverflow)
JPS6331889B2 (enrdf_load_stackoverflow)
JPH08203433A (ja) ガラス破壊装置
JPS62118517A (ja) 溶融物質の蒸気噴出装置
JPH0532467B2 (enrdf_load_stackoverflow)