JPS605220B2 - パタ−ン欠陥検出方法 - Google Patents

パタ−ン欠陥検出方法

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JPS605220B2
JPS605220B2 JP6364380A JP6364380A JPS605220B2 JP S605220 B2 JPS605220 B2 JP S605220B2 JP 6364380 A JP6364380 A JP 6364380A JP 6364380 A JP6364380 A JP 6364380A JP S605220 B2 JPS605220 B2 JP S605220B2
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康 和田
憲夫 久慈
利夫 近藤
孝利 中島
常太 須藤
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体集積回路装置の製造工程において、半
導体ゥェフア上に得られる種々のパターンの欠陥を検査
する方法に関するものである。
従来のパターン欠陥検査方法の一方法として、被検査パ
ターンが欠陥を有する場合の規則性と、欠陥を有しない
場合の規則性とが異なることを利用して、被検査パター
ンの欠陥を判知する方法が提案されている。このような
、パターンの規則性を解析して欠陥を検出する方法は、
他の種々の欠陥検出法、例えば2つの被検査パターンを
比較して、欠陥を検出する方法に比べ、微少な欠陥を判
知し得るという特長がある。しかしながら、従来のこの
ような被検査パターンの規則性を解析して欠陥を判知す
る欠陥検出方法においては、欠陥の判知に多くの時間を
必要とし、又、大きな欠陥を判知するのが困難である等
の種々の欠点を有していた。本発明は、これらの欠点を
解決するために、欠陥の検出工程を単純化し、かつ、多
数の演算処理回路をマトリクス状に配列させた高速演算
処理系に適用できるようにした点に特徴がある。
以下に本発明の特徴があるパターン欠陥検出の各工程と
、それを実現するための回路構成に付き、代表的な実施
例を示して説明する。
‘1) 欠陥検出方法の具体的工程 欠陥検出のァルゴリズムを第1図のパターンを用いて説
明する。
図1において実線が被検出パターンである。これは最小
寸法がiのパターンであり、従って、D部の1×1の矩
形領域は正常パターンである。しかしながら、A部は正
常パターンから凸状に突出し、かつ、そのX方向の寸法
は1であり、Y方向の寸法が1/2の欠陥である。B部
は逆に凹部欠陥であり、X及びY方向の寸法がそれぞれ
1/2の欠陥である。又、C部は正常パターンの一辺全
域が、×方向に1/4だけ変化した大きな領域の欠陥が
ある。なお、以後に述べる本願発明の主旨から明らかに
されるが、本方法の特徴は各欠陥を×方向についての寸
法、位置的な誤差が生じているかという判知と、Y方向
についての寸法、位置的な誤差が生じているかという判
知とを独立の演算で行うものである。従って、A部欠陥
はX方向の判知では正常とし、Y方向のみ欠陥パターン
と判知するものである。同様にC部欠陥は、Y方向には
正常で×方向のみの欠陥として扱う。このような欠陥は
以下に示すアルゴリズムで検出可能である。まず、第1
図の点線で示すように、一辺が1の矩形領域からなる検
出領域を、少なくとも被検出パターンを含む領域内を走
査して、信号強度分布図を得る。
一例として、1×1の信号検出領域を1/2のピッチで
ディジタル的に移動させ、データをサンプリングする方
法の場合を説明する。(なお、走査はこのようなディジ
タルステップ方法に何ら限定されることなく、例えばア
ナログ的に走査し、所定のタイミングで信号を取り出し
たり、複数の信号検出領域を走査する等種々の変形が可
能である。)この場合、サンプリングされた被検査パタ
ーンの各部分領域から得られる信号の大きさは、その部
分領域と上記信号検出領域の重複面積に比例するものと
する。
これは、例えば被検査パターンを角形ビーム(光、荷電
ビーム等種類は問わない)で走査し、被検査パターンの
各部分領域の反射率が均一である場合には容易に実現で
きるものである。この場合の信号の大きさについて、実
例をあげて示すとト{ィ}の部分領域では1×1の1/
3、(ロ}は0、し一では】×1の1′49では1×1
の8′4的では1×1の1/8、Nでは1×1の1/4
の重複面積であるから、1×1の全領域に対応、する信
号の大きさを16とするとき、それぞれ上記部分領域は
、川2、‘。
)0、し一4、〇12、的2、日4となる。この方法に
より、第2図に示す信号強度分布図FOを得る。なお第
2図に示すように被検査パターン以外の周囲の画素値は
すべて(0)である。次に第2図をもとに、第3図乃び
第4図を得る。
これは第2図において、×方向で隣接する画素どおしの
差を計算し、その値を対応する画素位置に対応させて記
憶する。第3図は第2図において、注目した画素の右隣
りの画素値から、その注目した画素値を差し引いた値を
、その画素位置に対応させて記憶したもので、第1の×
方向画素値偏差分布図FXIと呼ぶこととする。第4図
は同様に第2図において、上隣りの画素値との差を記憶
したもので、第1のY方向画素値偏差分布図FYIと呼
ぶこととする。
なお、第3図、第4図において太い実線で示した画素領
域が第2図に示す、もとの被検査パタ−ンの信号強度分
布図の範囲であり、上記の演算によりェレメント数が第
3図で1列、第4図で1列それぞれ増加している。
次に第3図から第5図を、第4図から第6図をそれぞれ
得る。
これは次のような演算により得られる。第3図及び第4
図において、X方向の画素ファクターをiとし、Y方向
の画素ファクターをiとする。第3図において、a2,
a4,a6・・.・・.・・..・..・・a・2のよ
うに2列ごとに隣接する2画素ごとに複数の画素の粗(
E.,,,B2,.)、(E3,.,E4,.)…(E
,.,,,E,2,.)(E,,2,E2,2)、(B
3,2,E蛾)・・・(E,.,2,E,2,2)…く
EI’ll,E2,11)、くE3,11,E4,11
)‐‐‐(EI・,EI・,E12,11)を想定する
そして、例えば伯,,,,E2,〕己(0、0)、(E
3,2,E4,2戸(一8、一8)…のごとく、組を構
成する両画素値が等しい場合には、2値情報の、、0″
をそれぞれの画素に対応させ、一方「例え‘よ旧3,6
,E4,母己(一4、一8)、(E9,.,E,〇,モ
(2、4)・・・のごとく組を構成する画素値が異なる
場合は2値情報のい1″をそれぞれの画素に対応する画
素位置に記憶させることにより、第5図に示す第2の×
方向画素値偏差分布図を得る。
同様の操作を第4図に対してY方向について行い、第6
図に示すような第2のY方向画素値偏差分布図を得る。
以上の操作が終了した段階では、第5図の列数は偶数で
なければならないので、第5図は第3図に比べ、更に画
素は一列増加している。一方第6図の行数は、第4図が
偶数であるので、増加することなく第4図と同じである
。なお、第3図及び第4図において隣接する2画素の「
槌」の決め方は一通りではない。例えば、×方向の「絹
」の決め方として、先に説明したa2〜a,2の組み合
わせ方と、q〜b,の組み合わせ方の両方が可能であり
、それぞれに対して得られる第2の×方向画素値偏差分
布図は全く異なってしまう。すなわち、bの組み合わせ
の方が画素値がい1″すなわち欠陥と判知する画素数が
多くなる。従って、正規の欠陥検出(aの組み合わせ)
を行うには、2通りの組み合わせを行って、ul″を示
す全画素の総計が少ない方を採用すればよい。あるいは
又、第3図において検出パターンの輪郭を求めることが
容易であることを利用してもよい。すなわち、列の要素
の中にい0″でない画素がはじめて表われる列(第3図
太線内の最も右の列)を組み合わせの初めとすれば良い
。以上の説明は、Y方向の第4図にも列と行を置換して
説明すれば、同様の効果を奏することは言うまでもない
次に、第5図及び第6図から、欠陥を判知する工程につ
いて説明する。第7図及び第8図はそれぞれ第5図及び
第6図の”1″を示す画素を斜線をほどこして示し、こ
れに第1図に示す被検査パターンを重畳させたものであ
る。第7図より、×方向の寸法、位置誤差を含む欠陥B
及びC(第1図参照)のみが、X方向に矢印で示す範囲
:(2=4画素)の不確定さで、かつY方向には量子化
の不確定さ(1/2)のみを伴って、位置的にも判知で
きることがわかる。同様に、第8図より、Y方向の寸法
、位置誤差を含む欠陥A及びB(第1図参照)のみが、
Y方向に21の不確定さで、かつX方向には量子化の不
確定さ(1/2)のみを伴って、位置的にも判知できる
ことがわかる。なお、第8図において、画素Eii=B
3,5及びEij=E3,6の値が、欠陥を含む不確定
領域であるにもかかわらず、画素値がい0″であるのは
、欠陥Aの効果と欠陥Bの効果が重畳した結果である。
以上のアルゴリズムにより、パターンの欠陥が判知でき
ることを示した。
次に、これらを実現するための最適なハードウェア構成
を示す。
(2) 欠陥検出装置ウェア構成の一実施例第7図は、
本発明によるパターン欠陥検査方法の一例を示し、後述
するホストコンピュータ6によって制御されることによ
って、被検査パターンーを走査撮像して、被検査パター
ンアナログ画像信号SAを出力する撮像管、フオトマル
、半導体反射電子検出器、MOS半導体素子アレイ受光
装置などの、それ自体は公知の撮像手段2を有する。
また、後述するホストコンピュータ6によって制御され
ることによって、撮像手段2からの被検査パターンアナ
ログ画像信号SAを、量子化して、被検査パターンデジ
タル画像信号SDに変換する、それ自体は公知のA/D
変換手段3を有する。
さらに、A/D変換手段3からの被検査パターンデジタ
ル画像信号SDを構成している多数の画素信号、すなわ
ちmxn個(但し、m及びnはそれぞれ2以上の整数)
の画素信号Eij(1≦i≦m、1≦i≦n)に対応し
て、第8図に示すようにm×n個の演算処理回路:Mi
j(1≦i≦m、1≦j≦n)をマトリクス状に接続す
る。
このmxn個の演算処理回路群を被検査パターン解析装
置5と呼ぶことにする。なお、更に本装置には、上記被
検査パターン解析装置5を動作させ、解析結果から欠陥
を判知するための、それ自身は公知のホストコンピュー
タ6をしかして、A/D変換手段3からの被検査パター
ンデジタル画像信号SDを、ホストコンピュータ6によ
って制御された書込回路4を介して、被検査パターン解
析装置5に供給する。この場合、書込回路4‘ま、A/
D変換手段3からの被検査パターンデジタル画像信号S
Dが、並列情報である場合、それを並列のまま受ける並
列入力レジスタを有し、そして、被検査パターン解析装
置5に、被検査パターンデジタル画像信号SDを並列情
報として出力し、また、核検査パターンデジタル画像信
号SDが、直列情報である場合、それを直列に受ける直
列入力レジスタを有し、そして、被検査パターン解析装
置5に、被検査パターンデジタル画像信号SDを並列情
報として出力するそれ自体は公知の構成を有する。
一方、被検査パターン解析装置5は、ホストコンピュー
タ6によって制御される。
よって、被検査パターン解析装置5において、その演算
処理回路Mij(i=1、2・・…・・・・……m;j
=1、2……………n)に、それに対応している被検査
パターンデジタル画像信号SDを構成している画像信号
Eijの値を表わしている画素値データDijを記憶さ
せる。
ところで、演算処理回路Mijは、第9図に示すように
、レジスタ7及び8、論理演算回路9、データセレクタ
10、フリツプフロツプ11,12及び13などを用い
て次に述べる動作が得られるように構成されている。
すなわち、演算処理回路Mijに隣接している演算処理
回路M(H)j,M(i川j,Mi(j‐,)、及びM
i(i川におけるフリツプフロツプ1 1の出力を、デ
ータセレクタ10を介して、自己のフリツプフロツプ1
1に取込み、それを処理することないこ、上述した演算
処理回路Mijに隣接している演算処理回路に転送した
り、論理演算回路9を用いて論理演算を施して後、一旦
レジスタ7及び8に送出したり、または、フリツプフロ
ップ11及び13を介して上述した演算処理回路Mij
に隣接している演算処理回路に送出したりする。
この場合、どのような論理演算を行うか、どのフリツプ
フロツプまたはレジスタを用いるかなどは、フリツプフ
ロツプ12または第9図では簡単のために省略している
が、レジスタや、フリップフロップの前段に置かれてい
るセレクタ群によって制御される。なお、このような並
列演算処理回路の詳しい動作説明は、青木、中島、須藤
:偽sociative〜rayPrMessor、信
学会半トラ研資料SSD80一531980に述べてあ
る。
従って、被検パターン解析装置5に含まれる演算処理回
路群に図1に示す画素値データを記憶させ、上述のアル
ゴリズムにより隣接する演算処理回路との間で演算を行
えば、高度の並列性を活かして、多数の複雑なパターン
の検査をわずか数10ステップの並列演算により高速処
理することができる。
なお、上記文献で述べた並列演算処理回路は単一命令で
動作するアレイプロセッサであるが、図9においてAL
Uの機能を凍結(NOOPERATION;NOP)す
ることにより、特定の行や列だけに特定動作を行わせる
ことが可能であり、これは上述のアルゴリズムにおいて
、2画素ごとに「細」を作り、この「粗」の中でのみ引
き算を行って2つの画素値が等しいかの判知を行う工程
等で有効に利用できる。
以上の実施例では、正常パターンに寸法誤差や、微小な
凸凹欠陥がある場合について述べた。
更に、正常パターンの相対位置が移動したような欠陥に
対しても、本方法を適用することは可能である。パター
ンの移動については次の2種類に分けて考えることがで
きる。■ パターンが多数存在するとき、そのパターン
間の隔たりが設計値からずれている。
■ パターンが多数存在するとき、そのパターン間の隔
たりは設計値通りであるが、全体のパターンが基準点か
らずれている。
■のようにパターン間隔がずれていると、パターンを加
工する上で、問題が生じ、デバイス形成不良に陥りやす
い。
しかし、この場合は、上述の欠陥Cの検出と同様のアル
ゴリズムによって容易に検出できる。■のように全体が
移動する場合はパターンの規則性を解析する上述のアル
ゴリズムによる検出は容易ではないが、被検査パターン
解析装置に期待パターンを蓄積しておき、観測値と比較
することにより本願発明に用いたハードウェアによって
高途に検出することができる。
但し、■のような欠陥はパターンがマスク上に形成され
た場合はマスク合せ工程で補正され、ウェハに直接描画
する場合は位置補正を行いながら描画するため、重大な
問題となることは稀である。
以上、述べたように、本願発明のパターン欠陥検査方式
により、極めて短時間で多数の複雑なパターンを高速に
検査できるという大なる特徴を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は、被検査パターンの一例を示す略線図である。 A,B,Cが欠陥。第2図は、本発明の説明に供する画
素値データマップを示す図である。第3図及び第4図は
、それぞれ本発明の説明に供するX方向及びY方向の第
1の画素偏差分布図を示す図である。第5図及び第6図
は、それぞれ本発明の説明に供する×方向及びY方向の
第2の画素値偏差分布図を示す図である。第7図、第8
図は、第5図及び第6図に示す第2の画素値偏差分布図
と被検査パターンの相関を示し、欠陥を判知する方法を
説明する図である。第9図は、本発明によるパターン欠
陥検査方法を応用した装置の一例を示す系統図である。
第10図は、演算処理回路の一例を示す接続図である。
第11図は、被検査パターン解析装置の一例を示す系統
的接続図である。1・・・・・・被検パターン、2・・
・・・・撮像手段、3・・・・・・A/D変換手段、5
・・・・・・被検査パターン解析装置、6……ホストコ
ンピュータ、7,8……レジスタ、9・・・・・・1ビ
ット論理演算回路、io・・・・・・7ータセレクタ、
Mij(i=1、2……………;j=1、2・・・・・
・・・・・・・・・・)・・・・・・演算処理回路。 汁/図矛2図 才3図 次4図 汐J図 次る図 汐7図 汐乞図 オタ図 グ/o図 ゲ/′図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 最小パターン寸法が1である正常パターンの一部に
    、1以下の寸法の欠陥が重畳した被検査パターンの欠陥
    を検出する方法において、一辺が1の矩形からなる信号
    検出領域を上記被検査パターンを少なくとも含む領域に
    おいて走査せしめ、所定の位置ごとに上記被検査パター
    ンと上記信号検出領域の重複する面積に比例した大きさ
    の信号を検知し、直交2軸、例えばX軸方向にi個、Y
    軸方向にj個の画素Aが配置された信号強度分布図を得
    る工程と、上記信号強度分布図の各画素A_i_jに対
    し、X軸方向で隣接する他画素A_(_i_−_1_)
    _jとの差を演算し、演算結果を上記各画素A_i_j
    に対応する配列上の位置に記憶せしめる動作を順次繰り
    返して第1のX方向画素値偏差分布図を得るとともに、
    同じく、上記信号強度分布図の各画素A_i_jに対し
    、Y軸方向で隣接する他画素A_i_(_j_−_1_
    )との差を演算し、演算結果を上記各画素A_i_jに
    対応する配列上の位置に記憶せしめる動作を順次繰り返
    して第1のY方向画素値偏差分布図をそれぞれ得る工程
    と、上記第1のX方向画素値偏差分布図の配列要素たる
    画素B_x_i_jと、X軸方向で隣接する他画素B_
    x_(_i_+_1_)_jの2画素を単位とする組B
    _x_i_j,B_x_(_i_+_1_)_jを想定
    し、上記画素B_x_i_jの画素値と、上記画素B_
    x_(_i_+_1_)_jの画素値が等しければ2値
    情報の“0”を、等しくなければ2値情報の“1”を上
    記画素B_x_i_j及び上記画素B_x_(_i_+
    _1_)_jに対応する配列上の位置に記憶せしめる動
    作を順次繰り返して“0”と“1”の2値情報のみで構
    成される第2のX方向画素値偏差分布図を得るとともに
    、同じく上記第1のY方向画素値偏差分布図の配列要素
    たる画素B_y_i_jとY軸方向で隣接する他画素B
    _y_i_(_j_+_1_)の2画素を単位とする組
    B_y_i_j,B_y_i_(_j_+_1_)を想
    定し、上記画素B_y_i_jの画素値と上記画素B_
    y_i_(_j_+_1_)との画素値が等しければ2
    値情報の“0”を、等しくなければ2値情報の“1”を
    上記画素B_y_i_j及び上記画素B_y_i_(_
    j_+_1_)に対応する配列上の位置に記憶せしめる
    動作を順次繰り返して、“0”と“1”の2値情報のみ
    で構成される第2のY方向画素値偏差分布図を得る工程
    と、上記第2のX方向画素値偏差分布図中における“1
    ”がX方向に連続して存在する行を、少なくともX方向
    の最小寸法が1以下の欠陥に関与する行と識別し、同じ
    く上記第2のY方向画素値偏差分布図における“1”が
    Y方向に連続して存在する列を、少なくともY方向の最
    小寸法が1以下の欠陥に関与する列として識別する工程
    、とを含むことを特徴とするパターン欠陥検出方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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