JPS6051972B2 - 放電加工用電極材料の製造法 - Google Patents
放電加工用電極材料の製造法Info
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- JPS6051972B2 JPS6051972B2 JP12155778A JP12155778A JPS6051972B2 JP S6051972 B2 JPS6051972 B2 JP S6051972B2 JP 12155778 A JP12155778 A JP 12155778A JP 12155778 A JP12155778 A JP 12155778A JP S6051972 B2 JPS6051972 B2 JP S6051972B2
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- Japan
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- silver
- electrode material
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- electrode
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- Expired
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23H—WORKING OF METAL BY THE ACTION OF A HIGH CONCENTRATION OF ELECTRIC CURRENT ON A WORKPIECE USING AN ELECTRODE WHICH TAKES THE PLACE OF A TOOL; SUCH WORKING COMBINED WITH OTHER FORMS OF WORKING OF METAL
- B23H1/00—Electrical discharge machining, i.e. removing metal with a series of rapidly recurring electrical discharges between an electrode and a workpiece in the presence of a fluid dielectric
- B23H1/04—Electrodes specially adapted therefor or their manufacture
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は放電加工の電極材料の製造方法に係り、さら
に詳しくは粉末冶金法によつて焼結・溶浸して形成する
電極材料の製造方法に関する。
に詳しくは粉末冶金法によつて焼結・溶浸して形成する
電極材料の製造方法に関する。
放電加工は被加工物と加工電極とを絶縁性の加工液の
中に極めて小さいギャップで対向させ、短時間のパルス
性アーク放電を繰返すことによつて、被加工物を加工す
る方法である。非切削加工のため超硬合金、焼入鋼、ダ
イヤモンドなどの高硬度、強じん材料でも容易に加工で
きること、複雑な形状の加工が容易なこと、加工時に働
く力が小さく、熱影響が小さく、加工精度が高いこと、
自動化しやすく経済的であることなどの利点がある。一
方加工速度が遅く、電極消耗があり、被加工物と電極の
ギャップを精密に制御する必要があるなどの欠点がある
が、今日では次第に改善され広範囲に利用されている。
放電加工では１０−７〜１０−３ｓの短いアーク放電
によつて被加工物に溶融、蒸発が行われ、それにより電
極に対応した形状が形成されるが、一方電極側にもこれ
と似た現象が起り電極の消耗となる。
中に極めて小さいギャップで対向させ、短時間のパルス
性アーク放電を繰返すことによつて、被加工物を加工す
る方法である。非切削加工のため超硬合金、焼入鋼、ダ
イヤモンドなどの高硬度、強じん材料でも容易に加工で
きること、複雑な形状の加工が容易なこと、加工時に働
く力が小さく、熱影響が小さく、加工精度が高いこと、
自動化しやすく経済的であることなどの利点がある。一
方加工速度が遅く、電極消耗があり、被加工物と電極の
ギャップを精密に制御する必要があるなどの欠点がある
が、今日では次第に改善され広範囲に利用されている。
放電加工では１０−７〜１０−３ｓの短いアーク放電
によつて被加工物に溶融、蒸発が行われ、それにより電
極に対応した形状が形成されるが、一方電極側にもこれ
と似た現象が起り電極の消耗となる。
しかしその量は被加工物の場合より小さいが、それも電
極材料の材質、放電エネルギーの大小により異なる。電
極材料としては従来銅、アルミニウム、タングステン、
モリブデンなどの純金属、軟鋼、銅合金、亜鉛合金、焼
結合金、グラファイトなどが用いられているがそれぞれ
一長一短がある。たとえば銅、アルミニウムなどは導電
率が高く、電極の形状に加工しやすいが、消耗が激しく
、グラファイトも加工しやすく消耗も比較的少ないが、
じん性に欠け、欠損しやすい。一方銅−タングステン、
銀−タングステンなどの焼結合金は消耗が少ないが、導
電率が低いためアーク放電初期の喰いつき、なじみが悪
いため加工速度が遅い欠点がある。しかし金型に寸法精
度の高い深い形状を刻み込む場合には、従来は銅−タン
グステンの焼結体より所定の形状の電極に機械加工にて
仕上げ、これを放電加工機に取り付けるために被加工物
に接する面の反対面に硬鋼のシャンクを銀ろう付けして
使用していた。しカルこのようなろう材により接合され
た焼結複合体は、接合強度が必ずしも十分でなかつた。
特に接合面積の広い場合や接合部に外力が加わる場合に
はこの難点が顕著であつた。これはろう材と焼結材との
なじみが不十分で微少な空隙が残るためと考えられ、放
電加工中にこの部分で局部放電等を生じ接合部がはく離
脱落することがあつた。本発明はこれらの点にかんがみ
てなされたもので従来の銅−タングステン焼結合金のご
とき高融点金属焼結体の放電加工用電極材料としての消
耗少なく寸法精度保持のできる特性を持ち、かつ加工速
度を増大するとともに、簡単な工程によりシャンク部分
をも強固に一体化できるすぐれた電極材料の製造方法を
提供することを目的とする。
極材料の材質、放電エネルギーの大小により異なる。電
極材料としては従来銅、アルミニウム、タングステン、
モリブデンなどの純金属、軟鋼、銅合金、亜鉛合金、焼
結合金、グラファイトなどが用いられているがそれぞれ
一長一短がある。たとえば銅、アルミニウムなどは導電
率が高く、電極の形状に加工しやすいが、消耗が激しく
、グラファイトも加工しやすく消耗も比較的少ないが、
じん性に欠け、欠損しやすい。一方銅−タングステン、
銀−タングステンなどの焼結合金は消耗が少ないが、導
電率が低いためアーク放電初期の喰いつき、なじみが悪
いため加工速度が遅い欠点がある。しかし金型に寸法精
度の高い深い形状を刻み込む場合には、従来は銅−タン
グステンの焼結体より所定の形状の電極に機械加工にて
仕上げ、これを放電加工機に取り付けるために被加工物
に接する面の反対面に硬鋼のシャンクを銀ろう付けして
使用していた。しカルこのようなろう材により接合され
た焼結複合体は、接合強度が必ずしも十分でなかつた。
特に接合面積の広い場合や接合部に外力が加わる場合に
はこの難点が顕著であつた。これはろう材と焼結材との
なじみが不十分で微少な空隙が残るためと考えられ、放
電加工中にこの部分で局部放電等を生じ接合部がはく離
脱落することがあつた。本発明はこれらの点にかんがみ
てなされたもので従来の銅−タングステン焼結合金のご
とき高融点金属焼結体の放電加工用電極材料としての消
耗少なく寸法精度保持のできる特性を持ち、かつ加工速
度を増大するとともに、簡単な工程によりシャンク部分
をも強固に一体化できるすぐれた電極材料の製造方法を
提供することを目的とする。
本発明は高融点金属の焼結体に銅又は銀を溶浸させて焼
結体表面に銀層あるいは銅層を設けたのち、少なくとも
電極面を銀あるいは銅にて形成することを特徴とする。
こうして得られた電極材料は初期放電時の被加工物への
喰いこみを著しく改善する。さらに焼結体のシャンクと
の取付面（以下シャンク面という。）を同時に銀あるい
は銅で形成することもできる。シャンク面に純銅層又は
純銀層を残すのはシャンク材の一般金属体との接合性を
改良するためである。純銅層又は純銀層の存在により低
温での簡単な作業のはんだ付けが可能となる利点がある
。又必要ない場合には機械加工にて除けばよい。シャン
ク材の一般金属体としてはマネツトチヤツクが可能な鉄
系金属であることが作業が簡単でありかつ安価であるこ
とから好ましい。本発明の製造方法により放電加工の電
極材として電極面から銅層、銅−タングステン又は銅−
モリブデン、あるいは銀層、銀−タングステン又は銀−
モリブデンの２層構造複合電極材、さらには銅層、銅−
タングステン又は銅−モリブデン、銅．層、あるいは銀
層、銀−タングステン又は銀−モリブデン、銀層の３層
構造複合電極材が得られる。
結体表面に銀層あるいは銅層を設けたのち、少なくとも
電極面を銀あるいは銅にて形成することを特徴とする。
こうして得られた電極材料は初期放電時の被加工物への
喰いこみを著しく改善する。さらに焼結体のシャンクと
の取付面（以下シャンク面という。）を同時に銀あるい
は銅で形成することもできる。シャンク面に純銅層又は
純銀層を残すのはシャンク材の一般金属体との接合性を
改良するためである。純銅層又は純銀層の存在により低
温での簡単な作業のはんだ付けが可能となる利点がある
。又必要ない場合には機械加工にて除けばよい。シャン
ク材の一般金属体としてはマネツトチヤツクが可能な鉄
系金属であることが作業が簡単でありかつ安価であるこ
とから好ましい。本発明の製造方法により放電加工の電
極材として電極面から銅層、銅−タングステン又は銅−
モリブデン、あるいは銀層、銀−タングステン又は銀−
モリブデンの２層構造複合電極材、さらには銅層、銅−
タングステン又は銅−モリブデン、銅．層、あるいは銀
層、銀−タングステン又は銀−モリブデン、銀層の３層
構造複合電極材が得られる。
本発明のごとく被加工物に接する電極面に銅層又は銀層
を設けることにより放電加工の開始時に電気伝導度の高
い層にてアーク放電を行なうこ−とによりスムーズな放
電となり、被加工物を電極に対応する形状に加工し始め
、銅層又は銀層を消耗したのちは銅又は銀一タングステ
ン又はモリブデン焼結体が電極として作用するが、この
時点では焼結体の形状が被加工面の形状に適応するよう
になつており、アーク放電もスムーズに進行するととも
に電極の消耗も少なく、精密な寸法を被加工物上に形成
させることができる。又銅層又は銀層を電極材の電極面
とするシャンクー体化電極材も本発明の製造方法にて作
ることができる。
を設けることにより放電加工の開始時に電気伝導度の高
い層にてアーク放電を行なうこ−とによりスムーズな放
電となり、被加工物を電極に対応する形状に加工し始め
、銅層又は銀層を消耗したのちは銅又は銀一タングステ
ン又はモリブデン焼結体が電極として作用するが、この
時点では焼結体の形状が被加工面の形状に適応するよう
になつており、アーク放電もスムーズに進行するととも
に電極の消耗も少なく、精密な寸法を被加工物上に形成
させることができる。又銅層又は銀層を電極材の電極面
とするシャンクー体化電極材も本発明の製造方法にて作
ることができる。
前述の３層構造複合電極材の工程において、タングステ
ン又はモリブデンスケルトンを作り、グラファイト容器
中に必要な電極面の厚さ゛に相当する”架台を設け、そ
の上にスケルトンを載せ、さらにグラファイト容器とス
ケルトンとの隙間に銅粉又は銀粉あるいは銅片又は銀片
を埋め、スケルトンのシャンク面に銀とコバルト又はニ
ッケルとを６０：４０の割合で混合した混合粉を敷き、
この上にシャンク材の所定形状に加工した高融点金属た
とえば硬鋼（Ｓ４５Ｃ）を重ね合わせる。この場合粉は
細かい方が方散がよく好ましく、通常は−３００メッシ
ュ程度であり、混合粉量はＯ・１〜０・２ｙ／Ｃｌｔ程
度でよい。この混合粉はそのままでも又水、アルコール
などでペースト状としてもよく、メッシュプレートでも
よい。次いで水素雰囲気中で１３００〜１０００℃に加
熱すればタングステン又はモリブデンスケルトンに銅又
は銀が溶浸するとともに架台分に相当する厚さの電極面
の銅層又は銀層が付着するとともに、シャンク面では混
合粉が溶浸に用いた銅又は銀に溶解し強固な接合層を作
り、電極面より銅層又は銀層、銅又は銀一タングステン
又はモリブデン焼結体、接合層、シャンク材の４層構造
複合電極材が１回の溶浸工程によソー体製造できる。な
お銅−タングステン、銀−タングステン等に酸化トリウ
ムおよび又は酸化ジルコニウムを１：１鍾量％の範囲で
添加することにより、加工速度を改善することができる
が、１０％を越えるとかえつて消耗が増大する。又酸化
ジルコニウムは放射性物質でないため取扱い上有利であ
る。以下本発明の実施例を述べる。実施例１ 平均粒径３ｐのタングステン粉末に平均粒径３μの酸化
トリウム５重量％を添加して混合し、直径２０Ｔ！＄Ｌ
、高さ２−の円柱状金型に入れ成形圧４ｔ／ｄにて成形
する。
ン又はモリブデンスケルトンを作り、グラファイト容器
中に必要な電極面の厚さ゛に相当する”架台を設け、そ
の上にスケルトンを載せ、さらにグラファイト容器とス
ケルトンとの隙間に銅粉又は銀粉あるいは銅片又は銀片
を埋め、スケルトンのシャンク面に銀とコバルト又はニ
ッケルとを６０：４０の割合で混合した混合粉を敷き、
この上にシャンク材の所定形状に加工した高融点金属た
とえば硬鋼（Ｓ４５Ｃ）を重ね合わせる。この場合粉は
細かい方が方散がよく好ましく、通常は−３００メッシ
ュ程度であり、混合粉量はＯ・１〜０・２ｙ／Ｃｌｔ程
度でよい。この混合粉はそのままでも又水、アルコール
などでペースト状としてもよく、メッシュプレートでも
よい。次いで水素雰囲気中で１３００〜１０００℃に加
熱すればタングステン又はモリブデンスケルトンに銅又
は銀が溶浸するとともに架台分に相当する厚さの電極面
の銅層又は銀層が付着するとともに、シャンク面では混
合粉が溶浸に用いた銅又は銀に溶解し強固な接合層を作
り、電極面より銅層又は銀層、銅又は銀一タングステン
又はモリブデン焼結体、接合層、シャンク材の４層構造
複合電極材が１回の溶浸工程によソー体製造できる。な
お銅−タングステン、銀−タングステン等に酸化トリウ
ムおよび又は酸化ジルコニウムを１：１鍾量％の範囲で
添加することにより、加工速度を改善することができる
が、１０％を越えるとかえつて消耗が増大する。又酸化
ジルコニウムは放射性物質でないため取扱い上有利であ
る。以下本発明の実施例を述べる。実施例１ 平均粒径３ｐのタングステン粉末に平均粒径３μの酸化
トリウム５重量％を添加して混合し、直径２０Ｔ！＄Ｌ
、高さ２−の円柱状金型に入れ成形圧４ｔ／ｄにて成形
する。
成形後水素雰囲気中にて１０００℃、１時間焼結しスケ
ルトンを作る。次いで溶浸するのであるが、その方法は
電極面の片面の場合には第１図ａの断面図に示すように
、所定の断面形状をもつたグラファイト容器１３にスケ
ルトン１１を置き、純銅からなる溶浸材１２を隙間につ
める。
ルトンを作る。次いで溶浸するのであるが、その方法は
電極面の片面の場合には第１図ａの断面図に示すように
、所定の断面形状をもつたグラファイト容器１３にスケ
ルトン１１を置き、純銅からなる溶浸材１２を隙間につ
める。
この場合溶浸材はスケルトン中にしみ込ませる所要量と
純銅の積層部となつて残る量の合計量を使用する。連続
水素炉にこのグラファイト容器を装入して、溶浸条件と
して１２００℃、３吟で炉を通過させ、溶浸材をとかし
てスケルトン中に均一にしみこませると第１図ａにみら
れるような状態になる。次にこれを取り出すと上部は純
銅層の電極素材が得られる。第１図Ｂ，ｃ，ｄに示すご
とき所定の形状の電極材とするため純銅層を３蒜残し、
外周部はスケルトン寸法に機械加工する。この方法によ
り電極面１４に３Ｔｒ＄Ｌ厚の純銅層をもち連続して銅
を約３０％含有するタングステン焼結体１５よりなる２
層構造複合電極材が得られた。実施例２ 実施例１と同様な方法にてタングステンスケルトンを作
り、第２図ａの断面図、ｂの平面図に示すように、所定
の断面形状をもつたグラファイト容器２３の底部にグラ
ファイト製架台２７を置き純銅からなる溶浸材２２の一
部を載置し、この架台２７上に前記のスケルトン２１を
置き、残余の溶浸材２２を入れる。
純銅の積層部となつて残る量の合計量を使用する。連続
水素炉にこのグラファイト容器を装入して、溶浸条件と
して１２００℃、３吟で炉を通過させ、溶浸材をとかし
てスケルトン中に均一にしみこませると第１図ａにみら
れるような状態になる。次にこれを取り出すと上部は純
銅層の電極素材が得られる。第１図Ｂ，ｃ，ｄに示すご
とき所定の形状の電極材とするため純銅層を３蒜残し、
外周部はスケルトン寸法に機械加工する。この方法によ
り電極面１４に３Ｔｒ＄Ｌ厚の純銅層をもち連続して銅
を約３０％含有するタングステン焼結体１５よりなる２
層構造複合電極材が得られた。実施例２ 実施例１と同様な方法にてタングステンスケルトンを作
り、第２図ａの断面図、ｂの平面図に示すように、所定
の断面形状をもつたグラファイト容器２３の底部にグラ
ファイト製架台２７を置き純銅からなる溶浸材２２の一
部を載置し、この架台２７上に前記のスケルトン２１を
置き、残余の溶浸材２２を入れる。
溶浸材はスケルトン中にしみ込ませる所要量と純銅の積
層部となつて残る量の合計量を使用する。次いで実施例
１と同様な溶浸条件にて溶浸させれば第２図ａにみられ
るような状態になる。これを取り出すと底部と上部に純
銅層のある電極素材が得られる。第２図Ｃ，ｄ，ｅに示
すごとき所定の形状の電極材とするため電極面２４の純
銅層を３ＷＵ１Ｌ１上部のシャンク面２６の純銅層を０
．３ｗｕｎ残し、外周部はスケルトン寸法に機械加工す
る。この方法により電極面２４に３順厚の純銅層をもち
連続して銅を約３０％含有するタングステン焼結体２５
さらに連続してシャンク面２６に０．３Ｗｒｆｆｔ厚の
純銅層をもつ３層構造複合電極材が得られた。第３図に
示すように架台３４および上部覆い３５を用いる方法で
もよい。
層部となつて残る量の合計量を使用する。次いで実施例
１と同様な溶浸条件にて溶浸させれば第２図ａにみられ
るような状態になる。これを取り出すと底部と上部に純
銅層のある電極素材が得られる。第２図Ｃ，ｄ，ｅに示
すごとき所定の形状の電極材とするため電極面２４の純
銅層を３ＷＵ１Ｌ１上部のシャンク面２６の純銅層を０
．３ｗｕｎ残し、外周部はスケルトン寸法に機械加工す
る。この方法により電極面２４に３順厚の純銅層をもち
連続して銅を約３０％含有するタングステン焼結体２５
さらに連続してシャンク面２６に０．３Ｗｒｆｆｔ厚の
純銅層をもつ３層構造複合電極材が得られた。第３図に
示すように架台３４および上部覆い３５を用いる方法で
もよい。
実施例３
シャンク材との一体形成の製造方法は、実施例１と同様
な方法にてタングステンスケルトンを作り、第４図ａの
断面図、ｂの平面図に示すように、所定の断面形状をも
つたグラファイト容器４３の底部にグラファイト製架台
４７を置き純銅からなる溶浸材の一部を載置し、この架
台４７上に前記スケルトン４１を置く。
な方法にてタングステンスケルトンを作り、第４図ａの
断面図、ｂの平面図に示すように、所定の断面形状をも
つたグラファイト容器４３の底部にグラファイト製架台
４７を置き純銅からなる溶浸材の一部を載置し、この架
台４７上に前記スケルトン４１を置く。
一方シャンク材として所定形状に加工した硬Ｗ４（Ｓ４
５Ｃ）４８の電極材に接する面に接合材４６として銀と
コバルトとを６０：４０の割合で混合した混合粉を水と
アルコールにてペースト状として塗布し、スケルトン４
１に積層し残余の溶浸材４２を入れる。溶浸材はスケル
トン中にしみ込ませる所要量と純銅の電極部と接合部の
合計量を使用する。次いで実施例１，２と同様な溶浸条
件にて溶浸させれば第４図ａにみられるような状態にな
る。これを取り出すと底部に純銅層があり中間に接合層
のある電極素材が得られる。第４図Ｃ，ｄに示すごとき
所定の形状の電極材とするため電極面４４の純銅層を３
Ｔｍ１ｎ残し、外周部はスケルトン寸法に機械加工する
。この方法により電極面４４に３ＷＬ厚の純銅層をもち
連続して銅を約３０％含有するタングステン焼結体４５
、さらに連続して銀、コバルト、鉄、銅を含む強固な接
合層４９、最後に硬鋼のシャンク材よりなる４層構造複
合電極材が得られた。
５Ｃ）４８の電極材に接する面に接合材４６として銀と
コバルトとを６０：４０の割合で混合した混合粉を水と
アルコールにてペースト状として塗布し、スケルトン４
１に積層し残余の溶浸材４２を入れる。溶浸材はスケル
トン中にしみ込ませる所要量と純銅の電極部と接合部の
合計量を使用する。次いで実施例１，２と同様な溶浸条
件にて溶浸させれば第４図ａにみられるような状態にな
る。これを取り出すと底部に純銅層があり中間に接合層
のある電極素材が得られる。第４図Ｃ，ｄに示すごとき
所定の形状の電極材とするため電極面４４の純銅層を３
Ｔｍ１ｎ残し、外周部はスケルトン寸法に機械加工する
。この方法により電極面４４に３ＷＬ厚の純銅層をもち
連続して銅を約３０％含有するタングステン焼結体４５
、さらに連続して銀、コバルト、鉄、銅を含む強固な接
合層４９、最後に硬鋼のシャンク材よりなる４層構造複
合電極材が得られた。
第１図は本発明方法の２層構造複合電極材の一実施例を
示す図、第２図は本発明方法の３層構造複合電極材の一
実施例を示す図、第３図は本発明・方法の管状３層構造
複合電極材の一実施例を示す図、第４図は本発明方法の
４層構造複合電極材の一実施例を示す図である。 １１，２１，３１，４１・・・・・タングステンスケル
トン、１２，２２，３２，４２・・・・・・溶浸材（銅
）、１３，２３，３３，４３・・・・・・グラファイト
容器、１４，２４，４４！・・・・純銅層（電極面）、
１５，２５，４５・・・・・・銅約３０％含有タングス
テン焼結体、２６・・・・・純銅層（シャンク面）、２
７，３４，４７・・・・・・架台、３５・・・・・上部
覆い、４６・・ｈ・・接合材、４８・ ・・シャンク材
、４９・・・・・接合層。
示す図、第２図は本発明方法の３層構造複合電極材の一
実施例を示す図、第３図は本発明・方法の管状３層構造
複合電極材の一実施例を示す図、第４図は本発明方法の
４層構造複合電極材の一実施例を示す図である。 １１，２１，３１，４１・・・・・タングステンスケル
トン、１２，２２，３２，４２・・・・・・溶浸材（銅
）、１３，２３，３３，４３・・・・・・グラファイト
容器、１４，２４，４４！・・・・純銅層（電極面）、
１５，２５，４５・・・・・・銅約３０％含有タングス
テン焼結体、２６・・・・・純銅層（シャンク面）、２
７，３４，４７・・・・・・架台、３５・・・・・上部
覆い、４６・・ｈ・・接合材、４８・ ・・シャンク材
、４９・・・・・接合層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高融点金属タングステン又はモリブデンに銅又は銀
を溶浸してなる放電加工用電極材料の製造方法において
、溶浸時に所要量より過剰の銅又は銀をもつて溶浸を行
ない銅層又は銀層を電極材料表面に付着させ、この銅層
又は銀層にて少なくとも電極材料の電極面を形成するこ
とを特徴とする銅又は銀−タングステン又はモリブデン
層状複合放電加工用電極材料の製造方法。 ２ 電極面以外の他面にコバルトおよび又はニッケルと
銀よりなる接合材を介し一般金属体を接合する特許請求
の範囲第１項に記載の放電加工用電極材料の製造方法。 ３ 一般金属体はマグネツトチヤツクが可能な鉄系金属
である特許請求の範囲第１項および第２項記載の放電加
工用電極材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12155778A JPS6051972B2 (ja) | 1978-10-04 | 1978-10-04 | 放電加工用電極材料の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12155778A JPS6051972B2 (ja) | 1978-10-04 | 1978-10-04 | 放電加工用電極材料の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5548538A JPS5548538A (en) | 1980-04-07 |
| JPS6051972B2 true JPS6051972B2 (ja) | 1985-11-16 |
Family
ID=14814178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12155778A Expired JPS6051972B2 (ja) | 1978-10-04 | 1978-10-04 | 放電加工用電極材料の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6051972B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11240369B2 (en) | 2019-03-09 | 2022-02-01 | International Business Machines Corporation | Dedicated mobile device in support of secure optical data exchange with stand alone certificate authority |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19883017B4 (de) | 1998-11-13 | 2007-09-27 | Mitsubishi Denki K.K. | Oberflächenbehandlungsverfahren und Elektrode für ein Oberflächenbehandlungsverfahren |
| US6423922B1 (en) * | 2001-05-31 | 2002-07-23 | The Esab Group, Inc. | Process of forming an electrode |
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- 1978-10-04 JP JP12155778A patent/JPS6051972B2/ja not_active Expired
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5548538A (en) | 1980-04-07 |
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