JPS6051762B2 - 磁器誘電体 - Google Patents
磁器誘電体Info
- Publication number
- JPS6051762B2 JPS6051762B2 JP52120704A JP12070477A JPS6051762B2 JP S6051762 B2 JPS6051762 B2 JP S6051762B2 JP 52120704 A JP52120704 A JP 52120704A JP 12070477 A JP12070477 A JP 12070477A JP S6051762 B2 JPS6051762 B2 JP S6051762B2
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- JP
- Japan
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- porcelain
- dielectric
- dielectric constant
- value
- dielectric material
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- Expired
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波回路素子等に用いられる磁器誘電体
に関するものである。
に関するものである。
一般に、この種の回路素子、たとえばマイクロ波誘電体
共振器に用いられる磁器誘電体は、損失係数の逆数であ
るＱ値が高いこと、誘電率が高いこと、及び誘電率が温
度により変化しないこと、つまり共振周波数の温度係数
が小さいこと、の３つの条件を満足することが要求され
る。
共振器に用いられる磁器誘電体は、損失係数の逆数であ
るＱ値が高いこと、誘電率が高いこと、及び誘電率が温
度により変化しないこと、つまり共振周波数の温度係数
が小さいこと、の３つの条件を満足することが要求され
る。
ところで、従来の磁器誘電体としては、
ＢａＴｉＯ９、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０或いは（ＢａＳｒ）
（ＺｒＴｉ）Ｏｓの組成のものが用いられている。
（ＺｒＴｉ）Ｏｓの組成のものが用いられている。
しかしながら、ＢａＴｉＯ。及びＢａ。Ｔｉ、Ｏ。ｏは
単一相であるために、所望の共振周波数の温度係数を有
するものを得ることが難しく、一方（ＢａＳｒ）（Ｚｒ
Ｔ１）ＯｓはＱ値が低い欠点がある。このようなことか
ら、最近Ｂｒ（ＬｉｌＩ４Ｎｂ３ｌ４）Ｏｓ−ＣａＴｉ
Ｏａ系の磁器誘電体が提案されている。
単一相であるために、所望の共振周波数の温度係数を有
するものを得ることが難しく、一方（ＢａＳｒ）（Ｚｒ
Ｔ１）ＯｓはＱ値が低い欠点がある。このようなことか
ら、最近Ｂｒ（ＬｉｌＩ４Ｎｂ３ｌ４）Ｏｓ−ＣａＴｉ
Ｏａ系の磁器誘電体が提案されている。
この誘電体は高いＱ値を有し、かつ共振周波数温度係数
が低いという特性を有するが、その組成割合を変えても
誘電率は川前後で、大きな巾で任意に誘電率を変えられ
ず、用途が制限される。これに対し、本発明者は上記問
題点を解消するために鋭意研究を重ねた結果、チタン酸
マグネシウムとリチウムニオブ酸ストロンチウムとの組
成にすることにより、Ｑ値、誘電率が高く、かつ共振周
波数温度係数の低い磁器誘電体が得られ、しかも上記各
成分の配合割合を変えることによつて、誘電率を大きな
巾で任意に制御し得る磁器誘電体を見い出した。
が低いという特性を有するが、その組成割合を変えても
誘電率は川前後で、大きな巾で任意に誘電率を変えられ
ず、用途が制限される。これに対し、本発明者は上記問
題点を解消するために鋭意研究を重ねた結果、チタン酸
マグネシウムとリチウムニオブ酸ストロンチウムとの組
成にすることにより、Ｑ値、誘電率が高く、かつ共振周
波数温度係数の低い磁器誘電体が得られ、しかも上記各
成分の配合割合を変えることによつて、誘電率を大きな
巾で任意に制御し得る磁器誘電体を見い出した。
すなわち、本発明の磁器誘電体はチタン酸マグネシウム
〔ＭｇＴｉＯ３〕２０モル％以上とリチウムニオブ酸ス
トロンチウム〔Ｂｒ（Ｌ１１ｌ４Ｎｂ３ｌ４）Ｏｓ〕８
０モル％以下とからなるものである。
〔ＭｇＴｉＯ３〕２０モル％以上とリチウムニオブ酸ス
トロンチウム〔Ｂｒ（Ｌ１１ｌ４Ｎｂ３ｌ４）Ｏｓ〕８
０モル％以下とからなるものである。
本発明におけるチタン酸マグネシウムとリチウムニオブ
酸ストロンチウムとの配合割合を限定した理由は、一方
の成分であるチタン酸マグネシウムの量を２０モル％未
満にすると、Ｑ値が低くなり、優れた特性を有する磁器
誘電体が得られなくなるからである。
酸ストロンチウムとの配合割合を限定した理由は、一方
の成分であるチタン酸マグネシウムの量を２０モル％未
満にすると、Ｑ値が低くなり、優れた特性を有する磁器
誘電体が得られなくなるからである。
なお、本発明の磁器誘電体の製造方法を以下に一例を示
して説明する。
して説明する。
まず、高純度かつ微粉末状のＭｇＯ（又はＭｇＣＯ３）
、ＴｉＯ２（又はＴｉ（ＣＯ３）２）、ＳｒＯ（又はＳ
ｒＣＯ。
、ＴｉＯ２（又はＴｉ（ＣＯ３）２）、ＳｒＯ（又はＳ
ｒＣＯ。
）、Ｌ１。Ｏ（又はＬ１。ＣＯ。）、Ｎｂ。０５（又は
Ｎｂ。
Ｎｂ。
（ＣＯ３）５）を所定の混合比率を秤料して原料とし、
これを充分混合した後１０００〜１２００℃て仮焼せし
める。つづいて、仮焼粉を粉砕し、バインダーを加えて
造粒した後、成形し、酸素含有雰囲気中で１２００〜１
４００゜Ｃで焼成せしめて磁器誘電体を製造する。次に
、本発明の実施例を説明する。
これを充分混合した後１０００〜１２００℃て仮焼せし
める。つづいて、仮焼粉を粉砕し、バインダーを加えて
造粒した後、成形し、酸素含有雰囲気中で１２００〜１
４００゜Ｃで焼成せしめて磁器誘電体を製造する。次に
、本発明の実施例を説明する。
実施例１〜９及び比較例
高純度かつ微粉末状のＭｇＯ，ＴｉＯ２，ＳｒＣＯ３，
Ｌｉ２ＣＯ３，Ｎｂ２Ｏ，の各成分を夫々所定の混合比
率となるよう秤量して１喝の原料を調合した。
Ｌｉ２ＣＯ３，Ｎｂ２Ｏ，の各成分を夫々所定の混合比
率となるよう秤量して１喝の原料を調合した。
つづいて、これら原料を夫々ポットミルクで２時間湿式
混合し、乾燥した後、各混合粉を１１０（代）で２時間
仮焼した。次いで、各仮焼粉を再度ポットミルクで２峙
間湿式粉砕し、乾燥後ポリビニルアルコール溶液をバイ
ンダーとして造粉し、ひきつづきこの造粒物を１ｔ０ｎ
／Ｃｌｔの圧力下で直径１２７０Ｆ７！、長さ２０＊＊
？の円柱状に成形し、酸素雰囲気下で１３５０゜Ｃの温
度にて６時間焼成せしめて下記表に示す如きチタン酸マ
グネシウムとリチウムニオブ酸ストロンチウムとの組成
比率が異なる１喝の磁器誘電体を得た。得られた各々の
磁器誘電体を直径８瓢、厚さ２顛の円板状に加工して測
定用試料とし、これら試料をＷＲＪ−Ｗ形短絡導波管に
組み込んで反射型共振回路を構成し、各々の試料の誘電
率（ε），Ｑ値，及び共振周波数温度係数（１／ｆ−Ｄ
ｆ／ＤＴ：ｆは共振周波数、Ｔは室温から２００℃まで
の温度）を求めた。
混合し、乾燥した後、各混合粉を１１０（代）で２時間
仮焼した。次いで、各仮焼粉を再度ポットミルクで２峙
間湿式粉砕し、乾燥後ポリビニルアルコール溶液をバイ
ンダーとして造粉し、ひきつづきこの造粒物を１ｔ０ｎ
／Ｃｌｔの圧力下で直径１２７０Ｆ７！、長さ２０＊＊
？の円柱状に成形し、酸素雰囲気下で１３５０゜Ｃの温
度にて６時間焼成せしめて下記表に示す如きチタン酸マ
グネシウムとリチウムニオブ酸ストロンチウムとの組成
比率が異なる１喝の磁器誘電体を得た。得られた各々の
磁器誘電体を直径８瓢、厚さ２顛の円板状に加工して測
定用試料とし、これら試料をＷＲＪ−Ｗ形短絡導波管に
組み込んで反射型共振回路を構成し、各々の試料の誘電
率（ε），Ｑ値，及び共振周波数温度係数（１／ｆ−Ｄ
ｆ／ＤＴ：ｆは共振周波数、Ｔは室温から２００℃まで
の温度）を求めた。
その結果を、下記表に併記した。上表より明らかなよう
に、ＭｇＴｉＯ３２Ｏモル％以上とＳｒ（Ｌｌｌｌ４Ｎ
ｂ３ｌ４）０３８０モル％以下とからなる本発明の磁器
誘電体は誘電率、Ｑ値か高く、か．つ共振周波数温度係
数も低いことがわかる。
に、ＭｇＴｉＯ３２Ｏモル％以上とＳｒ（Ｌｌｌｌ４Ｎ
ｂ３ｌ４）０３８０モル％以下とからなる本発明の磁器
誘電体は誘電率、Ｑ値か高く、か．つ共振周波数温度係
数も低いことがわかる。
とくにＭｇＴｌＯ３とＳｒ（Ｌｉｌｌ４Ｎｂ３ｌ４）０
３のモル比が８：２の磁器誘電体（実施例３）はε″．
３０，Ｑ″．３５００で、ほぼ２００℃付近まで共振周
波数が全く変化がないという優れた特性を有する。また
、ＭｇＴｌＯ３とＳｒ（Ｌｉｌｌ４Ｎｂ３ｌ４）０３の
組成比率を任意に選択するだけで、誘電率がほぼ２０〜
６６の範囲で温度依存性の小さい低損失磁器誘電体が得
られることがわかる。なお、本発明は実施例に示す如く
酸素雰囲気中て焼成するという極めて簡便かつ安価な方
法により、安定した特性の磁器誘電体が得られる。以上
詳述した如く、本発明によればチタン酸マグネシウムと
リチウムニオブ酸ストロンチウムとから構成することに
よつて、Ｑ値、誘電率が高く、かつ共振周波数温度係数
か低く、しかも上記二成分の組成比率を変えることによ
つて誘電率を大きな巾て任意に制御しうる磁器誘電体を
得ることができ、もつてマイクロ波回路素子などに有効
に利用できる等顕著な効果を有する。
３のモル比が８：２の磁器誘電体（実施例３）はε″．
３０，Ｑ″．３５００で、ほぼ２００℃付近まで共振周
波数が全く変化がないという優れた特性を有する。また
、ＭｇＴｌＯ３とＳｒ（Ｌｉｌｌ４Ｎｂ３ｌ４）０３の
組成比率を任意に選択するだけで、誘電率がほぼ２０〜
６６の範囲で温度依存性の小さい低損失磁器誘電体が得
られることがわかる。なお、本発明は実施例に示す如く
酸素雰囲気中て焼成するという極めて簡便かつ安価な方
法により、安定した特性の磁器誘電体が得られる。以上
詳述した如く、本発明によればチタン酸マグネシウムと
リチウムニオブ酸ストロンチウムとから構成することに
よつて、Ｑ値、誘電率が高く、かつ共振周波数温度係数
か低く、しかも上記二成分の組成比率を変えることによ
つて誘電率を大きな巾て任意に制御しうる磁器誘電体を
得ることができ、もつてマイクロ波回路素子などに有効
に利用できる等顕著な効果を有する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ チタン酸マグネシウム〔ＭｇＴｉＯ＿３〕２０モル
％以上とリチウムニオブ酸ストロンチウム〔Ｓｒ（Ｌｉ
１／４Ｎｂ３／４）Ｏ＿３〕８０モル％以下とからなる
磁器誘電体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52120704A JPS6051762B2 (ja) | 1977-10-07 | 1977-10-07 | 磁器誘電体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52120704A JPS6051762B2 (ja) | 1977-10-07 | 1977-10-07 | 磁器誘電体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5454300A JPS5454300A (en) | 1979-04-28 |
| JPS6051762B2 true JPS6051762B2 (ja) | 1985-11-15 |
Family
ID=14792910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52120704A Expired JPS6051762B2 (ja) | 1977-10-07 | 1977-10-07 | 磁器誘電体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6051762B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960006230B1 (ko) * | 1991-08-09 | 1996-05-11 | 티디케이 가부시끼가이샤 | 고주파 유전체 재료와 공진기 및 그 제조방법 |
-
1977
- 1977-10-07 JP JP52120704A patent/JPS6051762B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5454300A (en) | 1979-04-28 |
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