JPS6050978A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6050978A
JPS6050978A JP58158403A JP15840383A JPS6050978A JP S6050978 A JPS6050978 A JP S6050978A JP 58158403 A JP58158403 A JP 58158403A JP 15840383 A JP15840383 A JP 15840383A JP S6050978 A JPS6050978 A JP S6050978A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
wiring layer
light emitting
electrode
insulating
Prior art date
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Pending
Application number
JP58158403A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshinari Kimura
木村　義成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6050978A publication Critical patent/JPS6050978A/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置とくに発光半導体素子を用いた半導
体表示装置に関するものである。
半導体表示装置はフェノール、ガラスエポキシ系の基板
に複数個の発光素子を搭載し、その表面は透明樹脂で覆
われ、その上部に反射マスク、拡散テープ等が取付けら
れた構造となっている。
この場合、樹脂及び反射マスク面での反射光のは、発光
素子の後方に戻り、絶縁基板に吸収あるいは透過し、素
子前方への放射光として寄与せず、輝度低下を招く。
本発明の目的はこのような欠点を軽減しうる半導体表示
装置を提供することである。
本発明によれば配線層の一部に設けられた金属電極部を
除く全面が反射効率の高い絶縁性物質で覆われたことを
特徴とする半導体装置が得られる。
以下本発明の一実施例を図面により詳細に説明する。
第１図は従来の基板搭載型の半導体表示装置の発光素子
部の断面図である。
絶縁基板１０表面上に配置された金属電極２に発光素子
３を接着し、その全面は透明樹脂４で包われている。大
半の光出力５は樹脂を透過して素子前方に放射されるが
、樹脂内反対で、素子後方に向う光は、基板に吸収或い
は透１ｆＦｈシ、前方への光放射量を減少させる結果と
なる。
第２図は本発明による一実施例の断面図を示し金属電極
１２以外の部分は反射物質１６例えば白色系の絶縁樹脂
などで被覆され、上面に透明樹脂１４が塗布されている
。
このように基板１１の表面に反射層を設けることにより
、発光素子１３の後方へ向う光出力１５を素子前方如戻
し、光放射量の増力口、輝度の向上が達せられる。
以上本発明は、反射効率の高い物質を絶縁基板に被覆す
ることで、基板での光吸収、光透過を皆無とし、かつ、
再反射により、光放射量を増加させ、高輝度の半導体表
示装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体表示装置の発光素子部分の断面図
で、第２図は本発明による一実施例を示断面図である。 １．１１・・・・・・絶縁基板、２．１２・・・・・・
金属電極、３．１３・・・・・・発光素子、４．１４・
・・・・・透明樹脂、５．１５・・・・・・光出力、１
６・・・・・・反射層。 代理人　弁理士　内　原　措 単　１　図 范２　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 配線層の一部に設けられた電極部を除く全面が反射効率
    の高い絶縁性物質で覆われたことを特徴とする半導体装
    置。
JP58158403A 1983-08-30 1983-08-30 半導体装置 Pending JPS6050978A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005029600A1 (ja) * 2003-09-24 2005-03-31 Rohm Co., Ltd. チップ型ｌｅｄ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005029600A1 (ja) * 2003-09-24 2005-03-31 Rohm Co., Ltd. チップ型ｌｅｄ
US7323704B2 (en) 2003-09-24 2008-01-29 Rohm Co., Ltd. Chip type led
CN100391015C (zh) * 2003-09-24 2008-05-28 罗姆股份有限公司 芯片型led
KR101202266B1 (ko) 2003-09-24 2012-11-16 로옴가부시기가이샤 칩형 ｌｅｄ

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