JPS6050978A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6050978A JPS6050978A JP58158403A JP15840383A JPS6050978A JP S6050978 A JPS6050978 A JP S6050978A JP 58158403 A JP58158403 A JP 58158403A JP 15840383 A JP15840383 A JP 15840383A JP S6050978 A JPS6050978 A JP S6050978A
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- JP
- Japan
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- light
- wiring layer
- light emitting
- electrode
- insulating
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置とくに発光半導体素子を用いた半導
体表示装置に関するものである。
体表示装置に関するものである。
半導体表示装置はフェノール、ガラスエポキシ系の基板
に複数個の発光素子を搭載し、その表面は透明樹脂で覆
われ、その上部に反射マスク、拡散テープ等が取付けら
れた構造となっている。
に複数個の発光素子を搭載し、その表面は透明樹脂で覆
われ、その上部に反射マスク、拡散テープ等が取付けら
れた構造となっている。
この場合、樹脂及び反射マスク面での反射光のは、発光
素子の後方に戻り、絶縁基板に吸収あるいは透過し、素
子前方への放射光として寄与せず、輝度低下を招く。
素子の後方に戻り、絶縁基板に吸収あるいは透過し、素
子前方への放射光として寄与せず、輝度低下を招く。
本発明の目的はこのような欠点を軽減しうる半導体表示
装置を提供することである。
装置を提供することである。
本発明によれば配線層の一部に設けられた金属電極部を
除く全面が反射効率の高い絶縁性物質で覆われたことを
特徴とする半導体装置が得られる。
除く全面が反射効率の高い絶縁性物質で覆われたことを
特徴とする半導体装置が得られる。
以下本発明の一実施例を図面により詳細に説明する。
第1図は従来の基板搭載型の半導体表示装置の発光素子
部の断面図である。
部の断面図である。
絶縁基板10表面上に配置された金属電極2に発光素子
3を接着し、その全面は透明樹脂4で包われている。大
半の光出力5は樹脂を透過して素子前方に放射されるが
、樹脂内反対で、素子後方に向う光は、基板に吸収或い
は透1fFhシ、前方への光放射量を減少させる結果と
なる。
3を接着し、その全面は透明樹脂4で包われている。大
半の光出力5は樹脂を透過して素子前方に放射されるが
、樹脂内反対で、素子後方に向う光は、基板に吸収或い
は透1fFhシ、前方への光放射量を減少させる結果と
なる。
第2図は本発明による一実施例の断面図を示し金属電極
12以外の部分は反射物質16例えば白色系の絶縁樹脂
などで被覆され、上面に透明樹脂14が塗布されている
。
12以外の部分は反射物質16例えば白色系の絶縁樹脂
などで被覆され、上面に透明樹脂14が塗布されている
。
このように基板11の表面に反射層を設けることにより
、発光素子13の後方へ向う光出力15を素子前方如戻
し、光放射量の増力口、輝度の向上が達せられる。
、発光素子13の後方へ向う光出力15を素子前方如戻
し、光放射量の増力口、輝度の向上が達せられる。
以上本発明は、反射効率の高い物質を絶縁基板に被覆す
ることで、基板での光吸収、光透過を皆無とし、かつ、
再反射により、光放射量を増加させ、高輝度の半導体表
示装置が得られる。
ることで、基板での光吸収、光透過を皆無とし、かつ、
再反射により、光放射量を増加させ、高輝度の半導体表
示装置が得られる。
第1図は従来の半導体表示装置の発光素子部分の断面図
で、第2図は本発明による一実施例を示断面図である。 1.11・・・・・・絶縁基板、2.12・・・・・・
金属電極、3.13・・・・・・発光素子、4.14・
・・・・・透明樹脂、5.15・・・・・・光出力、1
6・・・・・・反射層。 代理人 弁理士 内 原 措 単 1 図 范2 図
で、第2図は本発明による一実施例を示断面図である。 1.11・・・・・・絶縁基板、2.12・・・・・・
金属電極、3.13・・・・・・発光素子、4.14・
・・・・・透明樹脂、5.15・・・・・・光出力、1
6・・・・・・反射層。 代理人 弁理士 内 原 措 単 1 図 范2 図
Claims (1)
- 配線層の一部に設けられた電極部を除く全面が反射効率
の高い絶縁性物質で覆われたことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58158403A JPS6050978A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58158403A JPS6050978A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6050978A true JPS6050978A (ja) | 1985-03-22 |
Family
ID=15670982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58158403A Pending JPS6050978A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6050978A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005029600A1 (ja) * | 2003-09-24 | 2005-03-31 | Rohm Co., Ltd. | チップ型led |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP58158403A patent/JPS6050978A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005029600A1 (ja) * | 2003-09-24 | 2005-03-31 | Rohm Co., Ltd. | チップ型led |
US7323704B2 (en) | 2003-09-24 | 2008-01-29 | Rohm Co., Ltd. | Chip type led |
CN100391015C (zh) * | 2003-09-24 | 2008-05-28 | 罗姆股份有限公司 | 芯片型led |
KR101202266B1 (ko) | 2003-09-24 | 2012-11-16 | 로옴가부시기가이샤 | 칩형 led |
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