JPS6050776B2 - テレフタル酸の製造方法 - Google Patents
テレフタル酸の製造方法Info
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- JPS6050776B2 JPS6050776B2 JP56173581A JP17358181A JPS6050776B2 JP S6050776 B2 JPS6050776 B2 JP S6050776B2 JP 56173581 A JP56173581 A JP 56173581A JP 17358181 A JP17358181 A JP 17358181A JP S6050776 B2 JPS6050776 B2 JP S6050776B2
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- Japan
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- terephthalic acid
- acid
- amount
- solvent
- compound
- Prior art date
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- Expired
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はテレフタル酸の製造方法に関するものである
。
。
更に詳しくはパラキシレンを液相空気酸化してテレフタ
ル酸を製造するための改良法に関する。 一般にテレフ
タル酸は酢酸を溶媒とし重金属及び臭素化合物触媒の存
在下でパラキシレンを液相空気酸化して得られる。
ル酸を製造するための改良法に関する。 一般にテレフ
タル酸は酢酸を溶媒とし重金属及び臭素化合物触媒の存
在下でパラキシレンを液相空気酸化して得られる。
しかしながらこのような方法で得られるテレフタル酸中
には不純物として、酸化中間体、着色性不純物を含有し
ており、特に直接重合用テレフタル酸の品質としては、
４−カルボキシベンズアルデヒド（以下「 ４ＣＢＡ」
という）で代表される不純物含有量が３００ｐμｍ以下
のものが要求される。又、後で水添精製、酢酸洗浄等の
精製を行つて高純度テレフタル酸にする−場合でも、原
料テレフタル酸中の不純物はできる だけ少ない方が好
ましく、いずれの面でも高品質なテレフタル酸製造法が
望まれている。 本発明者等は上記実情に鑑み、高品質
テレフタル酸の得られる条件について種々検討した結果
、反応溶媒中に安息香酸をある特定範囲で添加した酢酸
−安息香酸溶媒系を用いることにより、上記実情が改善
されることを見い出し本発明に到達した。
には不純物として、酸化中間体、着色性不純物を含有し
ており、特に直接重合用テレフタル酸の品質としては、
４−カルボキシベンズアルデヒド（以下「 ４ＣＢＡ」
という）で代表される不純物含有量が３００ｐμｍ以下
のものが要求される。又、後で水添精製、酢酸洗浄等の
精製を行つて高純度テレフタル酸にする−場合でも、原
料テレフタル酸中の不純物はできる だけ少ない方が好
ましく、いずれの面でも高品質なテレフタル酸製造法が
望まれている。 本発明者等は上記実情に鑑み、高品質
テレフタル酸の得られる条件について種々検討した結果
、反応溶媒中に安息香酸をある特定範囲で添加した酢酸
−安息香酸溶媒系を用いることにより、上記実情が改善
されることを見い出し本発明に到達した。
即ち本発明の要旨はパラキシレンを重金属化合物及び臭
素化合物よりなる触媒存在下、酸素又は分子状酸素含有
ガスにより液相酸化してテレフタル酸を製造するにあた
り、反応溶媒として酢酸を用い、更に反応溶媒に対し０
．５〜印重量％の安息香酸を添加することを特徴とする
テレフタル酸の製造方法に関する。 本発明で対象とな
るテレフタル酸の製造方法としては、パラキシレンを重
金属化合物及び臭素化合物よりなる触媒存在下、液相で
分子状酸素により酸化する方法である。
素化合物よりなる触媒存在下、酸素又は分子状酸素含有
ガスにより液相酸化してテレフタル酸を製造するにあた
り、反応溶媒として酢酸を用い、更に反応溶媒に対し０
．５〜印重量％の安息香酸を添加することを特徴とする
テレフタル酸の製造方法に関する。 本発明で対象とな
るテレフタル酸の製造方法としては、パラキシレンを重
金属化合物及び臭素化合物よりなる触媒存在下、液相で
分子状酸素により酸化する方法である。
本発明に於いては溶媒として酢酸を用い、さらに安息香
酸を添加することが必要ある。又この添加量は安息香酸
が溶媒中０．５〜５０重量％の範囲であり好ましくは５
〜３０重量％の範囲である。安息香酸の使用量がこの範
囲より多過ぎても又少な過ぎても、高品質のテレフタル
酸を得ることはできない。ことに安息香酸の使用量が少
なすぎる場合はテレフタル酸中の不純物の減少が期待で
きず、又上記範囲以上多くなると、むしろ逆にテレフタ
ル酸中の不純物は増大し、色調も悪化してくる。本発明
ては触媒として重金属化合物及び臭素化合物を用いる。
酸を添加することが必要ある。又この添加量は安息香酸
が溶媒中０．５〜５０重量％の範囲であり好ましくは５
〜３０重量％の範囲である。安息香酸の使用量がこの範
囲より多過ぎても又少な過ぎても、高品質のテレフタル
酸を得ることはできない。ことに安息香酸の使用量が少
なすぎる場合はテレフタル酸中の不純物の減少が期待で
きず、又上記範囲以上多くなると、むしろ逆にテレフタ
ル酸中の不純物は増大し、色調も悪化してくる。本発明
ては触媒として重金属化合物及び臭素化合物を用いる。
重金属化合物としては原子番号２１〜８３の金属であり
、特にコバルト、マンガン化合物が好ましい。コバルト
化合物としては酢酸コバルト、ナフテン酸コバルト、臭
化コバルト等が挙げられる。またマンガン化合物として
は酢酸マンガン、ナフテン酸マンガン、臭化マンガン等
が挙げられる。その合計使用量は前記混合溶媒に対し、
金属原子として０．０１〜０．５重量％用いる。更に臭
素化合物としては、臭化水素酸、臭化コバル］・、臭化
マンガン、テトラブロモエタン、臭化ナトリウム、臭化
アンモニウム等を用いる。使用量としては前記重金属化
合物の０．５〜２＠モル用いる。又これら重金属化合物
、臭素化合物を反応系に溶解させるため少量の水を（溶
媒に対し１．０〜１０重量％）添加しても良い。本発明
での反応温度は１２０〜２５０′Ｃであり、反応圧力は
この反応温度に於いて、反応系が液相に保，持される圧
力であれば良く通常２〜５０ｋ９／ＣＩＬである。又本
発明て使用される分子状酸素としては、酸素含有量が５
〜１０喀量％の分子状酸素含有ガスであり、通常空気が
用いられる。その使用量はバラキシレン１モルに対し３
〜５０モルであり通常；は排ガス中の酸素濃度が８％以
下になるように調節する。反応の様式としてはバッチ法
、半連続法、連続法のいずれの様式でも良い。以上、述
べてきたように、本発明に於いては酸化溶媒である酢酸
中に安息香酸をある特定割合で！添加することにより不
純物の少ないテレフタル酸の製造が可能である。
、特にコバルト、マンガン化合物が好ましい。コバルト
化合物としては酢酸コバルト、ナフテン酸コバルト、臭
化コバルト等が挙げられる。またマンガン化合物として
は酢酸マンガン、ナフテン酸マンガン、臭化マンガン等
が挙げられる。その合計使用量は前記混合溶媒に対し、
金属原子として０．０１〜０．５重量％用いる。更に臭
素化合物としては、臭化水素酸、臭化コバル］・、臭化
マンガン、テトラブロモエタン、臭化ナトリウム、臭化
アンモニウム等を用いる。使用量としては前記重金属化
合物の０．５〜２＠モル用いる。又これら重金属化合物
、臭素化合物を反応系に溶解させるため少量の水を（溶
媒に対し１．０〜１０重量％）添加しても良い。本発明
での反応温度は１２０〜２５０′Ｃであり、反応圧力は
この反応温度に於いて、反応系が液相に保，持される圧
力であれば良く通常２〜５０ｋ９／ＣＩＬである。又本
発明て使用される分子状酸素としては、酸素含有量が５
〜１０喀量％の分子状酸素含有ガスであり、通常空気が
用いられる。その使用量はバラキシレン１モルに対し３
〜５０モルであり通常；は排ガス中の酸素濃度が８％以
下になるように調節する。反応の様式としてはバッチ法
、半連続法、連続法のいずれの様式でも良い。以上、述
べてきたように、本発明に於いては酸化溶媒である酢酸
中に安息香酸をある特定割合で！添加することにより不
純物の少ないテレフタル酸の製造が可能である。
。以下、具体的に実施例を挙げて説明する。
実施例１
遷流冷却装置、攪拌装置、加熱装置、原料送入３口、ガ
ス導入口および反応物排出口を有する内容積５ｅのチタ
ン製耐圧容器に酢酸 １３
５０Ｖ安息香酸 １５０９酢酸
コバルト（４水和物） １．９ｙ１酢酸マンガ
ン（４水和物） ４．０ｙ臭化水素酸（４７％
水溶液） ３．８ダ水
７５ｑを入れ、温度２１５℃、圧力２５ｋ９
／Ｃｒｌｌ攪拌回転数１２００ｒ′Ｐｍの条件でバラキ
シレンを１８０ｆ１／Ｈｒで２時間送入した。
ス導入口および反応物排出口を有する内容積５ｅのチタ
ン製耐圧容器に酢酸 １３
５０Ｖ安息香酸 １５０９酢酸
コバルト（４水和物） １．９ｙ１酢酸マンガ
ン（４水和物） ４．０ｙ臭化水素酸（４７％
水溶液） ３．８ダ水
７５ｑを入れ、温度２１５℃、圧力２５ｋ９
／Ｃｒｌｌ攪拌回転数１２００ｒ′Ｐｍの条件でバラキ
シレンを１８０ｆ１／Ｈｒで２時間送入した。
この間酸化反応器からの排ガス中に含まれる酸素濃度が
４〜６％になるように空気を送入した。バラキシレンの
送入停止後、約１紛間、空気だけの送入を行つた後、停
止した。反応スラリーを約１００℃に冷却したのち、反
応器より抜き出して、固液分離し、次いで固型物の３倍
量の熱酢酸で２度洗浄した後、水で洗浄し、乾燥した。
乾燥後のテレフタル酸について４ＣＢＡ含有量及び３４
０ｎ１μにおけるアルカリ溶液吸光度を測定した。その
結果を表−１に示す。なお、吸光度はテレフタル酸５ｙ
をへの水酸化カリウム水溶液て５０７７！ｔに溶解して
３４０ｒＴ１μにおける吸光度で測定した。実施例２〜
４、比較例１〜３ 安息香酸添加量を表−１に示すように変化させた以外は
実施例１と同じ方法で行つた。
４〜６％になるように空気を送入した。バラキシレンの
送入停止後、約１紛間、空気だけの送入を行つた後、停
止した。反応スラリーを約１００℃に冷却したのち、反
応器より抜き出して、固液分離し、次いで固型物の３倍
量の熱酢酸で２度洗浄した後、水で洗浄し、乾燥した。
乾燥後のテレフタル酸について４ＣＢＡ含有量及び３４
０ｎ１μにおけるアルカリ溶液吸光度を測定した。その
結果を表−１に示す。なお、吸光度はテレフタル酸５ｙ
をへの水酸化カリウム水溶液て５０７７！ｔに溶解して
３４０ｒＴ１μにおける吸光度で測定した。実施例２〜
４、比較例１〜３ 安息香酸添加量を表−１に示すように変化させた以外は
実施例１と同じ方法で行つた。
なお比較例１は安息香酸を添加せずに行つた例である。
実施例５遷流冷却装置、攪拌装置、加熱装置、原料送入
口、ガス送入口、及び反応生成物抜き出し口を有する内
容積５ｅのチタン製耐圧容器に下記組成の混合物を張り
込んだ。
実施例５遷流冷却装置、攪拌装置、加熱装置、原料送入
口、ガス送入口、及び反応生成物抜き出し口を有する内
容積５ｅのチタン製耐圧容器に下記組成の混合物を張り
込んだ。
酢酸 １０４０ｙ安息香酸
９４．６９酢酸コバルト（４
水和物） １．２８ｙ酢酸マンガン（４水和物）
２．２３ｇテトラブロモエタン
１．０８ｙ水 ４９．８
ｙその後、温度２１０′Ｃ１圧力２２ｋｇ／ｄ、攪拌回
転数１０００ｒｐｍで、上記組成の混合物を１０００ｑ
／Ｈｒ及びバラキシレンを３００ｇ／Ｈｒで送入し、こ
の間、酸化反応器廃ガス中に含まれる酸素濃度が３〜４
容量％となる量の空気を送入した。又、反応生成物抜き
出し口より、約１吟毎に反応器内の反応スラリー量が２
．５′の位置を保つように間けつ的に抜き出しながら６
時間反応を行つた。反応開始後５時間から６時間の間に
抜き出されたスラリーについて実施例−１と同じ処理を
行い、テレフタル酸の品質（４ＣＢＡ濃度、吸光度）を
測定した。これらの結果を表−２に示す。比較例３ 実施例５に於いて、安息香酸添加量をＯとし、同量の酢
酸を加える以外は同じ方法で行つた。
９４．６９酢酸コバルト（４
水和物） １．２８ｙ酢酸マンガン（４水和物）
２．２３ｇテトラブロモエタン
１．０８ｙ水 ４９．８
ｙその後、温度２１０′Ｃ１圧力２２ｋｇ／ｄ、攪拌回
転数１０００ｒｐｍで、上記組成の混合物を１０００ｑ
／Ｈｒ及びバラキシレンを３００ｇ／Ｈｒで送入し、こ
の間、酸化反応器廃ガス中に含まれる酸素濃度が３〜４
容量％となる量の空気を送入した。又、反応生成物抜き
出し口より、約１吟毎に反応器内の反応スラリー量が２
．５′の位置を保つように間けつ的に抜き出しながら６
時間反応を行つた。反応開始後５時間から６時間の間に
抜き出されたスラリーについて実施例−１と同じ処理を
行い、テレフタル酸の品質（４ＣＢＡ濃度、吸光度）を
測定した。これらの結果を表−２に示す。比較例３ 実施例５に於いて、安息香酸添加量をＯとし、同量の酢
酸を加える以外は同じ方法で行つた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酢酸溶媒中で重金属化合物及び臭素化合物よりなる
触媒の存在下に酸素又は分子状酸素含有ガスによりパラ
キシレンを液相酸化してテレフタル酸を製造する方法に
おいて、安息香酸を溶媒中０．５〜５０重量％添加する
ことを特徴とするテレフタル酸の製造方法。 ２ 重金属化合物がコバルト化合物およびマンガン化合
物よりなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のテレフタル酸の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56173581A JPS6050776B2 (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | テレフタル酸の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56173581A JPS6050776B2 (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | テレフタル酸の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5874637A JPS5874637A (ja) | 1983-05-06 |
| JPS6050776B2 true JPS6050776B2 (ja) | 1985-11-11 |
Family
ID=15963222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56173581A Expired JPS6050776B2 (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | テレフタル酸の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050776B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5328420B2 (ja) * | 1973-04-05 | 1978-08-15 |
-
1981
- 1981-10-28 JP JP56173581A patent/JPS6050776B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5874637A (ja) | 1983-05-06 |
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