JPS605073A - 炭化ケイ素焼結体及びその製造方法 - Google Patents
炭化ケイ素焼結体及びその製造方法Info
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- JPS605073A JPS605073A JP58113595A JP11359583A JPS605073A JP S605073 A JPS605073 A JP S605073A JP 58113595 A JP58113595 A JP 58113595A JP 11359583 A JP11359583 A JP 11359583A JP S605073 A JPS605073 A JP S605073A
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- carbide sintered
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は炭化ケイ素焼結体及びその製造方法に関する。
炭化ケイ素焼結体はその優れた耐酸化性、耐熱衝撃性、
耐食性及び高温強度の為に従来から各種耐火材、発熱体
あるいは研摩材等に広く使用されている。そしてこれら
の用途に用いる場合には焼結体に気孔が相当存在してい
てもあまり問題とされず現にその様な焼結体が使われて
いる。
耐食性及び高温強度の為に従来から各種耐火材、発熱体
あるいは研摩材等に広く使用されている。そしてこれら
の用途に用いる場合には焼結体に気孔が相当存在してい
てもあまり問題とされず現にその様な焼結体が使われて
いる。
ところが近年上述の炭化ケイ素焼結体の特長を活かし各
種構造用材料、腐食性液体用の逆止弁やシール材、高温
炉用熱交換器用材受には強度の耐摩耗用部材へその用途
が拡大されるに至り、気孔が殆んど存在せずより強度が
大なる焼結体が要望される様になった。
種構造用材料、腐食性液体用の逆止弁やシール材、高温
炉用熱交換器用材受には強度の耐摩耗用部材へその用途
が拡大されるに至り、気孔が殆んど存在せずより強度が
大なる焼結体が要望される様になった。
炭化ケイ素体の製造方法としては、（イ）気相反応法、
（ロ）反応焼結法、（ハ）熱間焼結法があるが、（イ）
の方法は均質かつ緻密な炭化ケイ素が得られるが通常薄
膜しか造り得ず実際上は各種材料のコーティング法にし
か適しておらず、（ロ）の方法は通常炭素とケイ素ある
いは二酸化ケイ素の粉末を混合し、これを焼成する方法
で形状の大なる物は得られるが緻密な物は得難く現状で
は耐火物や発熱体の製造に応用されているに過ぎない。
（ロ）反応焼結法、（ハ）熱間焼結法があるが、（イ）
の方法は均質かつ緻密な炭化ケイ素が得られるが通常薄
膜しか造り得ず実際上は各種材料のコーティング法にし
か適しておらず、（ロ）の方法は通常炭素とケイ素ある
いは二酸化ケイ素の粉末を混合し、これを焼成する方法
で形状の大なる物は得られるが緻密な物は得難く現状で
は耐火物や発熱体の製造に応用されているに過ぎない。
従って形状が大きく、かつ緻密な焼結体を得るには上記
（ハ）の方法が最適であるといえる。
（ハ）の方法が最適であるといえる。
ところが炭化ケイ素は、共有結合性の大きな化合物であ
る為に硬く、強靭でかつ高温に於いても安定した物質で
ある為にそれ単味では焼結性が著しく悪く実用に供し得
る焼結体を得ることは困難である所から、種々の焼結助
剤を混入する研究がなされている。例えばアリエグロ等
の報告（Ｒ，＾１１−１１−１ｅ ａｔ、ａｌ、 Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｍａｒｉｃａｎ Ｃｅｒａｍｉｃ
Ｓｏｃｉｅｔｇ 、１９５６年、３９巻、 ３８６〜３
８９Ｐ）や、特開昭４９−７３１１号公報、特開昭４９
−９９３０８号公報、特開昭５０−７８６０９号公報、
特開昭５１−６５１１１号公報、特開昭５２−６７１５
号公報、特開昭５３−６７７１１号公報及び特開昭５３
−８４．０１３号公報等で、ＡＬＰ Ｆｅ、Ｂ ｔ Ｂ
、Ｃ等を焼結助剤として用いれば気孔が少なく強度が大
なる焼結体が得られる旨が報告されている。
る為に硬く、強靭でかつ高温に於いても安定した物質で
ある為にそれ単味では焼結性が著しく悪く実用に供し得
る焼結体を得ることは困難である所から、種々の焼結助
剤を混入する研究がなされている。例えばアリエグロ等
の報告（Ｒ，＾１１−１１−１ｅ ａｔ、ａｌ、 Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｍａｒｉｃａｎ Ｃｅｒａｍｉｃ
Ｓｏｃｉｅｔｇ 、１９５６年、３９巻、 ３８６〜３
８９Ｐ）や、特開昭４９−７３１１号公報、特開昭４９
−９９３０８号公報、特開昭５０−７８６０９号公報、
特開昭５１−６５１１１号公報、特開昭５２−６７１５
号公報、特開昭５３−６７７１１号公報及び特開昭５３
−８４．０１３号公報等で、ＡＬＰ Ｆｅ、Ｂ ｔ Ｂ
、Ｃ等を焼結助剤として用いれば気孔が少なく強度が大
なる焼結体が得られる旨が報告されている。
ところで焼結体の強度は種々の要因で決まるが、（イ）
気孔率、（ロ）表面傷、（ハ）粒子の大きさはその強度
に及ぼす影響が大なるものである。
気孔率、（ロ）表面傷、（ハ）粒子の大きさはその強度
に及ぼす影響が大なるものである。
この中（ロ）の表面傷は加工を留意する事で回避出来、
又（イ）の気孔率に・ついては上述の如く種々の焼結助
剤を用い気孔率が非常に少ない焼結体を得る事でほぼ解
決出来る。しかるに（）１）の粒子の大きさの問題は最
も困難で焼結時に粒成長が起こり、微細粒状の焼結体が
得難くその事が強度をある限度以上にする事が出来ない
原因となっている。これらの事実についてはＢを焼結助
剤として用いた炭化ケイ素焼結体についてプロチャック
等（Ｓ、Ｐｒｏｃｈａｚｋａ ｅｔ、ａｌ、、 ａｍ、
ａｒａｍ、 Ｓａｃ、 Ｂｕｌｌ。
又（イ）の気孔率に・ついては上述の如く種々の焼結助
剤を用い気孔率が非常に少ない焼結体を得る事でほぼ解
決出来る。しかるに（）１）の粒子の大きさの問題は最
も困難で焼結時に粒成長が起こり、微細粒状の焼結体が
得難くその事が強度をある限度以上にする事が出来ない
原因となっている。これらの事実についてはＢを焼結助
剤として用いた炭化ケイ素焼結体についてプロチャック
等（Ｓ、Ｐｒｏｃｈａｚｋａ ｅｔ、ａｌ、、 ａｍ、
ａｒａｍ、 Ｓａｃ、 Ｂｕｌｌ。
５２８８５〜８９１ （１９７３））が結晶粒が成長し
、その強度があまり大とならない旨を報告している事か
らも明らかである。
、その強度があまり大とならない旨を報告している事か
らも明らかである。
本発明は上述の諸問題を解決し、高密度でかつ結晶粒が
微細な炭化ケイ素焼結体及びその製造方法を提供せんと
するものであり、その要旨は、酸化エルビウムが５〜１
５重量％、残部炭化ケイ素なる組成の炭化ケイ素焼結体
及び酸化エルビウム粉末を５〜１５重量％と、残部炭化
ケイ素粉末とを混合後成型し、次いで熱間焼結法により
焼結せしめることを特徴とする炭化ケイ素焼結体の製造
方法である。
微細な炭化ケイ素焼結体及びその製造方法を提供せんと
するものであり、その要旨は、酸化エルビウムが５〜１
５重量％、残部炭化ケイ素なる組成の炭化ケイ素焼結体
及び酸化エルビウム粉末を５〜１５重量％と、残部炭化
ケイ素粉末とを混合後成型し、次いで熱間焼結法により
焼結せしめることを特徴とする炭化ケイ素焼結体の製造
方法である。
以下本発明をなすに至った実験並びにその結果を示す。
く実験■〉
純度９８．５％、平均粒子径０．５．ｕ、ｍのＳｉＣ粉
末と純度９９．９％平均粒子径５．を箱のＥｒユ０．粉
末を第１表記載の割合で各種配合したものをボールミル
混合機により１０時時間式混合粉砕を行なった後、これ
を充分に乾燥して焼結用原料とし、５０Ｘ５０（＋＋ｍ
＋）角、高さ６０ｍｍの黒鉛型内に上記各種焼結用原料
を充填すると共に高周波コイルに挿入し、１８５０〜２
１００℃の温度範囲内で各所定温度にて２００ｋｇ ／
（−ＩＩ＋の圧力を加え６０分間保持し、次いで圧力
を抜いて放冷することにより５０Ｘ ５０Ｘ ５．５
（ｗｍ ｌの目的の焼結体を得た。各々の焼結体をダイ
ヤモンド砥石で切断後研削して各１０個の３ Ｘ ４
Ｘ３６ （ｍ）の試験片を作成し各種試験をして得られ
た測定値を同じく第１表に示す。
末と純度９９．９％平均粒子径５．を箱のＥｒユ０．粉
末を第１表記載の割合で各種配合したものをボールミル
混合機により１０時時間式混合粉砕を行なった後、これ
を充分に乾燥して焼結用原料とし、５０Ｘ５０（＋＋ｍ
＋）角、高さ６０ｍｍの黒鉛型内に上記各種焼結用原料
を充填すると共に高周波コイルに挿入し、１８５０〜２
１００℃の温度範囲内で各所定温度にて２００ｋｇ ／
（−ＩＩ＋の圧力を加え６０分間保持し、次いで圧力
を抜いて放冷することにより５０Ｘ ５０Ｘ ５．５
（ｗｍ ｌの目的の焼結体を得た。各々の焼結体をダイ
ヤモンド砥石で切断後研削して各１０個の３ Ｘ ４
Ｘ３６ （ｍ）の試験片を作成し各種試験をして得られ
た測定値を同じく第１表に示す。
第１表の１（ホットプレスｍ 度１８５０℃）第１表の
２ （ホットプレス温度１９００℃）第１表の３（ホッ
トプレスＷｉＡ 度１９５０℃）第１表６４ （ホット
プレス温度２０５０℃）第１表の５ （ホットプレス温
度２１００’ｅ ）〈実験■〉 実験工と同様に作った焼結用原料を第２表に示す様な熱
同等方圧加圧焼結（以下ＨＩＰとする）条件にて焼結さ
せ、測定した特性を第２表に示す。
２ （ホットプレス温度１９００℃）第１表の３（ホッ
トプレスＷｉＡ 度１９５０℃）第１表６４ （ホット
プレス温度２０５０℃）第１表の５ （ホットプレス温
度２１００’ｅ ）〈実験■〉 実験工と同様に作った焼結用原料を第２表に示す様な熱
同等方圧加圧焼結（以下ＨＩＰとする）条件にて焼結さ
せ、測定した特性を第２表に示す。
第２表
〈実験■〉
実験Ｉで１９５０℃の温度で焼結した試料をＩＯＸ １
０Ｘ５（＋ｍ）の板にダイヤモンド砥石で切断しＮｏ、
２００のダイヤモンド砥石で表面研削を行い１０×１
０（ＩＩＩＩＩ＋）面を内径８鵬のノズルを有するサン
ドブラスト機にて空気圧５ｋｇ／ｃｄで砥粒（メチコラ
イトＣ，Ｎｏ。
０Ｘ５（＋ｍ）の板にダイヤモンド砥石で切断しＮｏ、
２００のダイヤモンド砥石で表面研削を行い１０×１
０（ＩＩＩＩＩ＋）面を内径８鵬のノズルを有するサン
ドブラスト機にて空気圧５ｋｇ／ｃｄで砥粒（メチコラ
イトＣ，Ｎｏ。
４０）を噴射距離５０閣で噴射させ、重量減を測定した
。その結果を第３表に示す。
。その結果を第３表に示す。
第３表
〈実験■〉
実験Ｉで１９００℃の温度で焼結した試料をＩＯＸ １
０１０Ｘ５（＋）の板にダイヤモンド砥石で切断し、Ｎ
００２００のダイヤモンド砥石で全面研削を行いその供
試体を１３００℃の大気中に２０時間放置し、その時の
単位面積当りの重量増加量を測定した。その結果を第４
表に示す。
０１０Ｘ５（＋）の板にダイヤモンド砥石で切断し、Ｎ
００２００のダイヤモンド砥石で全面研削を行いその供
試体を１３００℃の大気中に２０時間放置し、その時の
単位面積当りの重量増加量を測定した。その結果を第４
表に示す。
第４表
〈実験■〉
実験Ｉで２０５０℃の温度で焼結した試料を３×４Ｘ：
１６（ｍ）にダイヤモンド砥石で切断し、Ｎｏ、 ２０
０のダイヤモンド砥石で全面研削を行い、その供試体の
大気中９５０℃でのシャルピー衝撃値を測定した。その
結果を第５表に示す。
１６（ｍ）にダイヤモンド砥石で切断し、Ｎｏ、 ２０
０のダイヤモンド砥石で全面研削を行い、その供試体の
大気中９５０℃でのシャルピー衝撃値を測定した。その
結果を第５表に示す。
第５表
〈実験■〉
実験■で１９５０℃の温度で焼結した試料を供試体とし
て高温疲労試験をおこなった。方法としては部分繰返し
、曲げ試験機を用い、大気中１０００℃の条件で、支点
間距離を２０＋ｍ＋とじ、１３２５回／分の割合で繰返
し応力を与えた。その繰返し応力の与え方は、図面に示
す様に繰返し、上限応力をσＩＩＩａｘ。
て高温疲労試験をおこなった。方法としては部分繰返し
、曲げ試験機を用い、大気中１０００℃の条件で、支点
間距離を２０＋ｍ＋とじ、１３２５回／分の割合で繰返
し応力を与えた。その繰返し応力の与え方は、図面に示
す様に繰返し、上限応力をσＩＩＩａｘ。
繰返し下限応力をσｌ’ｌｌｎ＋平均応力をσ箱、応力
振幅をσａとし、１；σａ／σｍとする時、σ＋ｎａｘ
”＝ｋｇ ／ ａｉ 、ｉ ＝ ０．７３なる条件で
行なった。その結果を第６表に示す。
振幅をσａとし、１；σａ／σｍとする時、σ＋ｎａｘ
”＝ｋｇ ／ ａｉ 、ｉ ＝ ０．７３なる条件で
行なった。その結果を第６表に示す。
第６表
エルビウムを添加する事で焼結体の密度を高め、かつ結
晶粒を微細゛となす結果高靭な焼結体を得ることが出来
るが、その機構については必ずしも正確には解明し得て
はない。がしかし概路次の如くであると考えられる、即
ち炭化ケイ素と酸化エルビウムが高温に過熱されろと、
酸化エルビウムが炭化ケイ素の結晶格子中に入り込み、
その過程で焼結が進行するがその場合に酸化エルビウム
が結晶粒成長を抑制するものと考えられるのである。
晶粒を微細゛となす結果高靭な焼結体を得ることが出来
るが、その機構については必ずしも正確には解明し得て
はない。がしかし概路次の如くであると考えられる、即
ち炭化ケイ素と酸化エルビウムが高温に過熱されろと、
酸化エルビウムが炭化ケイ素の結晶格子中に入り込み、
その過程で焼結が進行するがその場合に酸化エルビウム
が結晶粒成長を抑制するものと考えられるのである。
従って酸化エルビウムは炭化ケイ素中に均一に分散して
いる事が必要である。
いる事が必要である。
ここで上述の実験結果から熱間焼結法（ホットプレス法
及びＨＩＰ法）の焼結条件につき検討すると、緻密で強
度が大なる焼結体を得る為には温度は１９００℃以上が
必要であるが、逆にあまり高＜ ２１００℃ともなれば
粒成長が激しくなる為に十分に緻密化する以前に過度な
粒成長が生起し気孔が残存する。
及びＨＩＰ法）の焼結条件につき検討すると、緻密で強
度が大なる焼結体を得る為には温度は１９００℃以上が
必要であるが、逆にあまり高＜ ２１００℃ともなれば
粒成長が激しくなる為に十分に緻密化する以前に過度な
粒成長が生起し気孔が残存する。
又圧力については１００ｋｇ ／ ｃｄｆｆ上あれば十
分でその上限については特に限定されるものではない。
分でその上限については特に限定されるものではない。
次にホットプレス法の場合にあっては焼結雰囲気は真空
中あるいは不活性ガス中でなす事が、又ＨＩＰ法の場合
は不活性ガス中でなす事が望ましい。
中あるいは不活性ガス中でなす事が、又ＨＩＰ法の場合
は不活性ガス中でなす事が望ましい。
上述の第１表〜第６表中の焼結温度１９００〜２０５０
℃、焼結圧力１００ｋｇ ／ ｃｊ以上の場合データの
みをまとめると第７表の如くなる。
℃、焼結圧力１００ｋｇ ／ ｃｊ以上の場合データの
みをまとめると第７表の如くなる。
第７表
ラムの量は少なくとも５重量％はなければ対理論密度が
低く、かっ抗折力その他の緒特性も良くないが、１８重
量％と多量になると粒度が再び大となり、それに伴って
抗折力や衝撃値が低下しその他の特性も殆んど低下する
傾向にある為にその量は１５重重景以内とする。
低く、かっ抗折力その他の緒特性も良くないが、１８重
量％と多量になると粒度が再び大となり、それに伴って
抗折力や衝撃値が低下しその他の特性も殆んど低下する
傾向にある為にその量は１５重重景以内とする。
次に用いる炭化ケイ素粉末の一部がＢｅｔ ＢｅＯ＋
ＢｐＢ、Ｃ，ＡＩ、 ＡＩＮ、＾１２０４で置換されて
いる場合についての実験を示す。
ＢｐＢ、Ｃ，ＡＩ、 ＡＩＮ、＾１２０４で置換されて
いる場合についての実験を示す。
〈実験■〉
純度９８．５％、平均粒子径０．５μ４のＳｉＣ粉末と
純度９９．９％平均粒子径５）ｔ ｍのＥ ｒ 、０．
粉末及び第８表に記載する様な各種添加物を実験■に記
載と同様な方法にて温度１９５０℃にてホットプレス焼
結させ各種特性を調査した測定値を第８表に示す。
純度９９．９％平均粒子径５）ｔ ｍのＥ ｒ 、０．
粉末及び第８表に記載する様な各種添加物を実験■に記
載と同様な方法にて温度１９５０℃にてホットプレス焼
結させ各種特性を調査した測定値を第８表に示す。
第８表
この第８表から、炭化ケイ素の一部を上記種々の添加物
で置換した場合にあっても、酸化エルビウムを適正量添
加する事に・より、微細で微細粒状焼結体とする事が出
来る事が確認されるが、乙の場合の置換量は０．５重量
％位なければ無置換の物と比べて大差はないが、あまり
多量となり ３．０重量％にもなると抗折力や硬さの低
下が見られる為その置換量は２重量％以下好ましくは０
．５〜２重景重量する。
で置換した場合にあっても、酸化エルビウムを適正量添
加する事に・より、微細で微細粒状焼結体とする事が出
来る事が確認されるが、乙の場合の置換量は０．５重量
％位なければ無置換の物と比べて大差はないが、あまり
多量となり ３．０重量％にもなると抗折力や硬さの低
下が見られる為その置換量は２重量％以下好ましくは０
．５〜２重景重量する。
以上述べて来た如く、本発明によれば非常に緻密、かつ
結晶粒が緻密で強靭性に富む炭化ケイ素焼結体が得られ
、その焼結体は実験■〜■で示す様な実用上の緒特性に
おいても優れており、しかもホットプレス法あるいはＨ
ＩＰ法により製造するので大型の焼結体の製造が容易で
あるので、耐酸化性、耐熱衝撃性、耐食性、高温強度等
を要求される各種構造用部材や耐摩耗用部材として広範
に利用する事が出来るものである。
結晶粒が緻密で強靭性に富む炭化ケイ素焼結体が得られ
、その焼結体は実験■〜■で示す様な実用上の緒特性に
おいても優れており、しかもホットプレス法あるいはＨ
ＩＰ法により製造するので大型の焼結体の製造が容易で
あるので、耐酸化性、耐熱衝撃性、耐食性、高温強度等
を要求される各種構造用部材や耐摩耗用部材として広範
に利用する事が出来るものである。
図面は実験■の高温疲労試験の説明図。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、酸化エルビウムが５〜１５重量％、残部炭化ケイ素
なる組成の炭化ケイ素焼結体。 ２、理論密度の９５％以上の密度を有する特許請求の範
囲第１項記載の炭素ケイ素焼結体。 ３、焼結体の粒径が平均１９ｕｍ以下である特許請求の
範囲第１項記載の炭化ケイ素焼結体。 ４、酸化エルビウムが５〜１５重量％、残部がその２重
量％以下（０は含まず）をＢｅ、 ＢａＯ、Ｂ。 Ｂ、Ｃ、ＡＩ、 ＡＩＮ 、＾ｌｊＯ，，の一種以上で
置換した炭化ケイ素なる組成の炭化ケイ素焼結体。 ５、理論密度の９５％以上の密度を有する特許請求の範
囲第４項記載の炭素ケイ素焼結体。 ６、焼結体の粒径が平均１０７１１１以下である特許請
求の範囲１１４４項記載の炭化ケイ素焼結体。 ７、酸化エルビウム粉末を５〜１５重量％と、残部炭化
ケイ素粉末とを混合後成型し、次いで熱間焼結法により
焼結せしめることを特徴とする炭化ケイ素焼結体の製造
方法。 ８、熱間焼結法がホットプレス法であることを特徴とす
る特許請求の範囲第７項記載の炭化ケイ素焼結体の製造
方法。 ９、ホットプレス焼結条件を、温度１９００〜２０５０
℃、圧力１００ｋｇ ／ ｃ＋＋ｒ以上とすることを特
徴とする特許請求の範囲第８項記載の炭化ケイ素焼結体
の製造方法。 １０、熱間焼結法が熱間等方圧加圧法であることを特徴
とする特許請求の範囲第７項記載の炭化ケイ素焼結体の
製造方法。 １ｒ”、熱間等方圧加圧焼結条件を、温度１９００〜２
０５０℃、圧力１００ｋｇ ／ ｅ＋Ｊ以上とすること
を特徴とする特許請求の範囲第１０項記載の炭化ケイ素
焼結体の製造方法。 １２、酸化エルビウム粉末を５〜１５重量％と、残部が
その２重量％以下（０を含まず）をＢｅ、 Ｂｏｏ 。 Ｂ、 Ｂ、Ｃ、Ａｌ、 ＡＩＮ 、 Ａ１２匹粉末の一
種以上で置換した炭化ケイ素粉末とを混合後成型し、次
いで熱間焼結法により焼結せしめることを特徴とする炭
化ケイ素焼結体の製造方法。 １３、熱間焼結法がホットプレス法であることを特徴と
する特許請求の範囲第１２項記載の炭化ケイ素焼結体の
製造方法。 １４、ホットプレス焼結条件を、温度１９００〜２０５
０℃、圧力１００ｋｇ ／ ｃｉ以上とすることを特徴
とする特許請求の範囲第１３項記載の炭化ケイ素焼結体
の製造方法。 １５、熱間焼結法が熱同等方圧加圧法であることを特徴
とする特許請求の範囲第１２項記載の炭化ケイ素焼結体
の製造方法。 １６、熱間等方圧加圧焼結条件を、温度１９００〜２０
５０℃、圧力１００ｋｇ ／ ｃ＋＋Ｔ以上とすること
を特徴とする特許請求の範囲第１５項記載の炭化ケイ素
焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113595A JPS605073A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 炭化ケイ素焼結体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113595A JPS605073A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 炭化ケイ素焼結体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605073A true JPS605073A (ja) | 1985-01-11 |
| JPH0364469B2 JPH0364469B2 (ja) | 1991-10-07 |
Family
ID=14616187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58113595A Granted JPS605073A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 炭化ケイ素焼結体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605073A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60176943A (ja) * | 1982-06-28 | 1985-09-11 | オ−エンス−イリノイ・インコ−ポレ−テツド | 釉掛け，エナメル処理及び装飾用の無鉛及び無カドミウムのガラスフリツト組成物 |
| US4874725A (en) * | 1984-04-27 | 1989-10-17 | Nippon Tungsten Co., Ltd. | High-density sintered article of silicon carbid |
| JP2020525374A (ja) * | 2018-05-31 | 2020-08-27 | ケプコ ニュークリア フューエル カンパニー リミテッド | 耐酸化層が形成された炭化ケイ素焼結体およびその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS57160970A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-04 | Omori Mamoru | Silicon carbide sintered formed body and manufacture |
| JPS58125667A (ja) * | 1982-01-21 | 1983-07-26 | 大森 守 | 複合炭化珪素焼結成形体 |
-
1983
- 1983-06-22 JP JP58113595A patent/JPS605073A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0364469B2 (ja) | 1991-10-07 |
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