JPS60501828A - 集束したイオンビ−ムのコラム - Google Patents
集束したイオンビ−ムのコラムInfo
- Publication number
- JPS60501828A JPS60501828A JP59503256A JP50325684A JPS60501828A JP S60501828 A JPS60501828 A JP S60501828A JP 59503256 A JP59503256 A JP 59503256A JP 50325684 A JP50325684 A JP 50325684A JP S60501828 A JPS60501828 A JP S60501828A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- ion
- source
- ion beam
- column
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
集束したイオンビームのコラム
発明の背景
この発明は、レンズ1〜材料を露光して、大きなフィールドに渡って小さなスポ
ットを走査するために、特に有益な集束したイオンビームの]ラムに関づる。こ
のコラムは、1ミクロンより小さい露光像を発生することかでき、かつ、収差の
限定したスポットサイズが1000オンゲスト■−ム以下に維持されでいる限り
、ターゲットの略1簡四方のフィールドを処理することかできる。
レジスト、の露光用の従来の集束したイオンビームの]ラムにおいて、収差に関
連した偏向は、軸スポラ[・サイズの125%以上にスポットサイズを増加させ
るの−C1その走査フィールドは、とても小さい面積に制限されでいる。この限
定した走査フィール1〜は、最終のレンズに関連した短いV[動距離から生じる
。従って、小さいスポットサイズにより、大きなフィールドに渡って走査できる
集束したイオンビームの]ラムが必要である。
発明の概要
この発明の理解を容易にづ−るために、プラスイオン粒子を発生ずるイオン源と
、イオンビームを形成覆るように陽電気にヂャージされたイオン粒子を、抽出す
る抽出電極とを備え、2個のレンズにより集束したイオンビームの]ラムの概要
を以下に説明する。第1のレンズは、アナライザスリット上に、イオンビーム内
の所望のイオン核種を集束さける。ビームを縮小する第2の加速レンズは、アナ
ライザスリットから下流側に配設され、所望のイオン核種のビームをターゲット
の平面に集束させる。ディフレクタは、所望の平面のパターンにビームを偏向ざ
ゼるように、第2のレンズとターゲットの面との間の下流側に配設されている。
この発明の目的と利点とは、レジストを露光覆るどぎ、小ざい4ノイズのスポラ
1〜が大ぎな走査フィールドに渡って走査することがCぎる集束したイオンビー
ムの11ラムを提(1−gることである。
この発明の他の目的と利点とは、レンズ1〜に対1)−Cfj利イτ露光状態で
作動し、基板をきす例(Jることのないイオンと、レンズ1へへの露光のとき人
さイiT能出カを備えたイオンとを有づる集中したイオンビームのコラムを提供
η−ること−Cあ乞さらに、イオンビームのコラムにおいて、つ1−ハへの露光
を速くして、走査フィールド間の進行のロスタイムを減少刀る」;うに、人ぎ4
1走査フイールド上に小さな像を露光力ることか−Cきる。この大きな走査フィ
ールドは、余分な111度の位置合せにJ、る[コスタイムと不正確さを無くづ
−ことがCさる。
図面の簡単な説明
第1図は、この発明に従った集束したイオンし−ムの二」うl\を示じ一部を欠
切して断面した側面図、第2図は、第1図の集中したイオンビーl\の1ラムの
一部を1袖方向に(rンっ(断面し!、:lI2.大図、第3図は部材の電力供
給装置を示す集束したイオンビームの概略図である。
発明の詳細な説明
第1図は、ターゲラトチ1フンハ12に装着されたこの発明のイオンビームコラ
ム10を示しでいる。第3図は二1ラム10を概略的に図示し、イオンビーム、
16を発佳りるイオン源14を示している。加速電性18は、3つの部材からな
る第1のレンズ20の第1の部4Aをij4 rfiしている。第2の部イ第2
2と第3の部十A24とが、第1図、第2図及び第33図(こ示されている。好
ましい実施例においで第1のレンズ20は、第1図、第2図及び第3図に図示さ
れ′Cいるよう【こ非対称のレンズて−ある。非対称のレンズ20は、747
ji、iアJ−ライザスリン1へ26にイオンビーム16(!:集束させる。電
陪質吊分臼I器28は、第1図、第2図及び第3図に示されている電界プレー1
へを有づる。電界プレー1−は、図面の面(こ灼しく垂直(あ0、電界は図面に
対して傾斜しくいる。従来のように、電界プレート間の空間内には、磁界か図面
にり=j して重直に付加的に加えられている。第3図に示すJ、うに−1ラム
の軸に治って直線的に核種か発生するように、電界と限界の強さか決定されてい
る。アナライザスリン1−26の膜は軸上で、下流側に配設され、所望の核種が
このスリンhを通過1〜、不必要lI4がスリットの膜上に集められる。所望の
核種のビーl\か軸上に維持づるように、調整ブイルクタ34は、スリンl=
2 Gの下流側に配設されている。
縮小並びに加速するレンズ36は、イオンビームの軸上の下流側に配設されCい
る。マン[−1−レンズか、適宜に図示されでいる。このレンズ361.i、コ
ラムの第2のレンズであり、第1の1ノンズ部祠38と第2のレンズ部IJ 4
0とをイj?Jる。
マン[]−レンズ36の■流側には、ビームを11る装置であるティフレフタ4
2か設けられ、このアイフレフタ42は、第3図に承りターゲラ1〜44上のフ
ィールドを走査する。
−1ラム10の作動位置間の相77関係は、その厚さが5000オンゲス1−[
1−ムまてのレジ21〜層を露光号るJ−うに、所望の可能出力を得るために、
制限されている。この」、うなレンズ1へ層の厚さは、2500オンゲス[・[
1−ムの最小な形状のりイスのとき、2:1の画像比となる。このような形状の
りイスは、イオンビームのリソグラフィーにより形成することができる。イオン
源14は、液体金属のイオン源である。
液体金属のイオン源から得られるイオンの多様性は、合金、4gfに金属の共融
合金に」、り近頃増加[2ている。米国1h訂第4318029号及び第431
8030号に記載、されている液体金属のイオン源は、源14に使用覆ることが
できる。シリぞ1ンは、露光用として好ましいイAンぐある。何故ならば、シリ
」ンは二電子A・−シすることができ、レンズ1〜が露光されているとき、シロ
]ンターゲツhには、不純物か入らない。
一度ヂャージされたシリー]ンのイオンビームは、金とシリコンが80%と20
%の割合である共融合金から得ることかできる。イオンビーム16は、非対称の
レンズ20の第1部月どして作用する抽出電極18により、源から剣山される。
。
液体金属の先端てシリコ1ンイオンを翔牛させる電位の変化は、ターグツ1〜の
最小スポットサイズを決定する主な要因を表わしている。この電位変化、即ら色
の広がりは、液イホ舎、屈の先端ての大きな電位傾度から生じ、その範囲(よ6
−14ポル1〜であり、通常10ポルトである。
非対称レンズ20は、分離スリット26に液体金属源1/1の射出先を形成する
ために、使用されている。これは、抽出電圧内の変化から生じるスリッ1−26
でのビームの属性と結合しない。質量分析器に入用する前に、40キロポル1−
の加速電位を生じるように、約4の電圧比で・非対称のレンズ20が作動する。
この電位のとぎ、レンズの倍率か略1であり、略5000オングストローム以下
に限定し7だスポットサイズの収差は、分離スリット26て゛レンズ20の焦点
となるように、レンズの形状及び間隔が決定される。
電磁質量分析器28は、ビーム内の他のイオン核種から、二面チャージされたシ
リコンイオンを分離づる。このタイプの装置は、光軸の調整に対して有利であり
、かつ簡略化した構造である。−劇チャージされたシリコンの最接近したビーl
\の成分から、二面ヂャージされたシリコンを完全に分解づるように、電場及び
磁場の強度は小さくされている。質量数29.30のシリコンの同位体は、ター
ゲット1−のフオトレジス[への露光特性を使用し、及び最低M!199%のシ
リコン源にすることにより、区別される。これらの状態のとき、電場及び磁場に
より生じる色収差は、質量分離スリット26て略4QOオングストローム以下で
dうり、この収差は、非対称のレンズ20の寄与と比較し−(、無視り−ること
がてきる。
最後のビームの集束は、1〜4までの電圧比のとぎ作動し、縮小、並び(、看1
1速さけるマンローレンス36により実11される。これらの状態のとき、レン
ズの倍率は0.1617”あり、装置全体の倍率は、略0.17になるように、
レンズの間隔と形状が決定される。これにより、有限の源のサイズにJ、り生じ
るスポツトサイズの影響か最小と4〒る。ビームがターゲットへの軸上に位置し
でいるとぎ、レンズの組合わけにより、ビームスボッ1へに限定された収差の大
きさは、通常の源の作動のとき、即ち、クロマチックスプレッドが10ホル1〜
(dりるとき、約700オングストロームであり、クロマチックスプレッドかが
14ホルトCあるとき、即ち、最悪の場合のとき、収差の大きさは、略983オ
ンゲスl−D−ムである。
第1のレンズ20の倍率が略1であるとき、第2のレンズ36では、レンズによ
る縮小が必要であり、マン[]−レレンズ3の第2のレンズ部IJ 40とター
ゲットとの間には、大きな作動距離が生じCいる。さら(こ、第1のレンズから
の小さいビームの拡散α2により、レンズ間には、長い移動r[j 朗を取るこ
とがてぎる。第2のレンズからの長い作動距離により、略1ミリメートル四方ま
C・の走査範囲を1qるために、長いディールクタ424使用することかでき、
このとき、比較的小さい偏向角は、10ミリラジアン以下に維持され、・偏向さ
μる適宜な電圧は、例えば略150ポル1−である。これらの要因は、場の曲率
、非点収差、及びひずみの収差に関連した走査を縮小づる。レンズ間の加速は略
等しいので、電磁フィルタと第2のレンズとの収X−は、最小にされる。表■に
示されたll’i差は、ビーム内のり[jマチツタスブレツ1〜か14ボルトの
場合として、計算されCいる0、表■Cは、イオン源か最悪のとき、即ちクロマ
チックスプレッドが14ボルドーのとき、スポットサイズは、略1200オング
ストロームであることを示している。この割算により、最悪の状態のとき1 、
Js平ジブ5フィールドは、スポラ1−リーイスの2b%の増1j(1をもkら
寸ことを、示している。クロマチツクスゾレツ1〜が通常の10ボルトであると
き、スポラ1−リイスは、全フィールドに渡って略i oooオンゲス「川」−
ムである。
表■は、この発明の実施例の特別41例を示している。この状態では、最悪の場
合として色収差か14!1、ル1−である。ビームの直径の合計は、軸のビーム
である。レンズ]の倍率(ま、略1である。
表ル
レンズ1
球面収差の係数 Co S −993,1mm色収差の係数 (:o C=31
0.1mm物体距離 7o ’F’=−47、5mtn像距M 7i = 16
2.0mm
mm率 Ml=1.047
第1のレンズの主平面内の収差した
スポラ1〜サイス di−43/1171ングス1へ[−1−7、
きJlldi−45/′15;flンクス1−[1−ム
電し= tel揚
1 =3cm: L−−1,5cm:α= 7.5rnradレンズ2
Cis−=8658. 15tnm
α3−・1.483r丁+rad
5・i’!−0、46’。
球面収X−のスポラ+−Itイズ ds2=141オングストローム
色収差のツボ11〜号イズ dc2=637.5オンゲス1へローム
合訓
レンズ2にJ、る収差 (」2 =652.9オンゲス1−[1−ム
ターゲットから児たときのレンズ1からの収差1v12 Ml dl −731
,8
q 特表昭GO−:101828 (4)d total = 9ε32.7J
ングメ1ヘローム
表■は、所望の走査ツイール1−の例と、走査フィール[−から得られる収差と
を示している。
表■
走査ツイール1へ(Dy ) −±500ミクl二lンJ2
最後のレンズからの作動距離 −7,6cmターゲッl−(1−、)までの走査
板の人目−71crtノ
走査数の長さく1> −50cm
人口でのビームの半径(Ra >
一120ミクロン
走査フィー凡用〜の収差
軸から離れたビームのスポラ[へりイスd2spot =<982.7)2+(
337)2+ <227)2 + (619)2
dspot =1230Aングス1−ローム△d/daxis =25.2%
第3図は1表■の可変な電位を与える電力供給装置を示している。主要の大きな
電力供給装置46は、電力供給装置5)2、電力供給装置54、電力供給装置5
6、電力供給装置58、及び電力供給装置60が装着されているフローディング
フレーム47に、120KVの電位を供給(、でいる。供給される電力は、分離
したi〜ランス50を介して供給される一偏向用電力供給装置7′I8は、ビー
ムの偏向に必要な異な−)だ電圧を供給する。
電8ヨ供給芸置52.54.56.60により、分析器28のF平面、レンズ部
材22.24.38、及び非対称レンズ20の加速電極18には電位か与えられ
る。両レンズに4対1の電圧比を与えることにより、レンズ間を通過するビーム
には、一定の加速度が加えられる。電力供給装置00は、イオン源14に陰極電
L「及び熱供給用の電位を供給Jる。
表■
部材間の電位
イオン源14から抽出電極18よでの間6へ−10KV
抽出電極18から非対称レンズ20の第2部(Aまての間 5へ・/KV
第2の部材22から第3の部材24及びマンローレンズ36の第1の部’tA
38まての間39〜35KV
第1の部材38から第2の部材40及びターグツ1へ44まての間 120KV
全体のビームの電位
GOKV
第1図及び第2図は、1ラム装置の各11[(分が直線的に吏持されている物理
的な、コラムの構造を示している。、第1図に示す」、うに、イオン源14は−
1う11キX・ツブ6?に装着されている。キt・ツブの下端部は、絶Rチw
−’764及び゛絶縁チコーブ6Gか係合づるL”A状の溝を有する。、中心プ
レーi〜68は、その下端部にマン[]−レレンズGの第1のレンズ部材38を
備えたトリフトチコープ70を右Jる6、中心プレー1〜68は、レンズ部材3
8の電位に位置しCいる。″Pi量アノフイザスリ、ツ1〜26を備えた分析プ
レー1・もまた、中心プレー1へ68に@着され、かつレンズ部vJ38の電位
に位置している。
同様に、非対称レンズ20のイ;3の部材2/l及び電磁質吊分折型28は、同
じ電位になるように中心プレートに装着されている。電磁質量分析器28は、横
電界を与えるように、その電位に対して変動するフィールドプレートを有する。
絶縁器72は、非対称レンズ20の第2の部材22を備えた支持リング74を有
し、この第2の部材22は、コツプを倒立させた形状である。絶縁器76は、支
持リング74の上端に装着され、並びに、絶縁器7Gの上端に位置する加速電極
18を右する。絶縁チコーブ78及び絶縁チューブ80は、中心プレー1−〇8
とターグツ1〜チヤンバ12に装着された基盤プレート82との間に係合されて
いる。これらの構造によりイオンビームの」ラムにa3いて、物理的な直線性、
真空状態の完全性、及び人々の部材の絶縁性が維持されている。
この発明は、最良の状態とし−C記jホされ、熟練した技術内で、発明の機能を
失うことなく、多くの変形例、及び天施例が可能である。従って、この発明の範
囲は、後)本の請求の範囲で規定される。
待人BR60−501828(5)
国際調査報告
Claims (1)
- 1.所望のイオン核種を備えたプラスイオン粒子を発生させるイオン源と、 プラスイオン粒子を抽出して、イオンビームを形成する抽出電極と、 アナライザスリットを備えた質量分析器と、前記抽出電極と前記アナライザスリ ッ[・どの間に配設され、イオンビーム内の所望の核種を前記アナライザスリッ トに集束ざし並びに、略1の倍率の加速レンズとなるようにV形成された第1の レンズと、 前記アナライザスリットの下流側に配設され、ターゲットを装着ηる手段のター グツ1〜の面に、所望のイオン核種のビームを集束させ、かつ、このビームを加 速して縮小させるレンズに形成された第2のレンズと、 この第2のレンズとこのターゲットの面の間に配設され、所望の平面上の走査フ ィールド内のパターンにビームを偏向させるデフレクタと、 前記源と、前記抽出電極と、前記第1のレンズと、前記第2のレンズと、ターゲ ットを装着する手段と【こ連結され、実質的に等しい電圧比でこの第1のレンズ とこの第2のレンズとの間でビームを加速し、かつ、前記源の像を限定して、実 質的に縮小された収差が前記質量分析器に住しるように、略18宰1の第1のレ ンズによりビームを集束させ、並びに縮小させる第2のレンズに渡って、前記質 量アシライザスリッ1〜でのイオンビームより小さいように、ビームをターゲッ トの平面に集束させる電力供給手段とを右することを特徴とする集束したイオン ビームのコラム。 2、前記源は、二度チャージされたシリコンイオンの液体金属のイオン源である ことを特徴とする請求の範囲第1 r24記載の集束したイオンビームの」ラム 。 3、前記液体金属のイオン源は、所望の核種になるように、この液体金属のイオ ン源でイオン化された成分を備えた合金を右づることを特徴とする請求の範囲第 2項記載の集束したイオンビームのコラム。 4、前記第1のレンズは非対称のレンズであり、前記抽出電極は、この非対称の レンズの第1の部祠と1.て作動づることを特徴とする請求の範囲第1項記載の 集束したイオンビームのコラム。 5、前記源は、二瓜チャージされ1.Xシリ」71′)jノの液14〜金属のイ オン源であることを特徴とする請求の範囲第11ji記載の集束したイオンビー ムのコラム。 6 前記液体金属のイオン源は金とシリニ1ンとの合金含有し、所望の核種にな るように、シリコンは、この液体金属のイオン源で二度イオン化されることを特 徴とする請求の範囲第5項記載の集束したイオンビームのコラム。 7、前記電力供給装置は、前記第1のレンズが略倍率1で作動づ−るように、こ の第1のレンズを作動させることを特徴とする請求の範囲第1項記載の集束した イAンヒーL、のコラム。 8“、ビーム内のエネルギースプレッドにJ、るそれらの色収差が、偏向フィー ル1−の球面曲率によるターゲットの平面ての収差、又は電磁質量分析器により 生しる色収差より大きくなるように、第1、第2のレンズの電極及びディフレク タの夫々の物理的形状及び電位が、選択されることを特徴とする請求の範囲第1 項記載の集束したイオンビームのコラム。 9、前記源から、第1のレンズの中心、前記質量アブライザスリン1〜、及び前 記第2のレンズを通過して延ひる中心軸は、直線的であり、所望のイオン核種は 、実質的にこの軸にイζ)って進行し、他の核種又は電荷のイオンは、偏向され て前記アナライザスリットを通過しないような、電磁場の強度で前記質量分析器 か作動づることを特徴とする請求の範囲第1項記載の集束したイオンビームのコ ラム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US512879 | 1983-07-12 | ||
US06/512,879 US4556798A (en) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | Focused ion beam column |
PCT/US1984/000982 WO1985000693A1 (en) | 1983-07-12 | 1984-06-25 | Focused ion beam column |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60501828A true JPS60501828A (ja) | 1985-10-24 |
JPH0628145B2 JPH0628145B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=24040992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59503256A Expired - Lifetime JPH0628145B2 (ja) | 1983-07-12 | 1984-06-25 | 集束したイオンビ−ムのコラム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4556798A (ja) |
EP (1) | EP0155283B1 (ja) |
JP (1) | JPH0628145B2 (ja) |
CA (1) | CA1214577A (ja) |
DE (1) | DE3472331D1 (ja) |
WO (1) | WO1985000693A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR890002747B1 (ko) * | 1983-11-07 | 1989-07-26 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 이온 빔에 의한 성막방법 및 그 장치 |
JPS60243960A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Hitachi Ltd | イオンマイクロビ−ム装置 |
JPS61237421A (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH0685309B2 (ja) * | 1985-12-13 | 1994-10-26 | 株式会社日立製作所 | 液体金属イオン源 |
US5035787A (en) * | 1987-07-22 | 1991-07-30 | Microbeam, Inc. | Method for repairing semiconductor masks and reticles |
JPH071681B2 (ja) * | 1990-04-19 | 1995-01-11 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線装置 |
US5156997A (en) * | 1991-02-11 | 1992-10-20 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of making semiconductor bonding bumps using metal cluster ion deposition |
US5331172A (en) * | 1991-02-11 | 1994-07-19 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Ionized metal cluster beam systems and methods |
US5241182A (en) * | 1991-06-18 | 1993-08-31 | Fei Company | Precision electrostatic lens system and method of manufacture |
US6583426B1 (en) * | 1997-09-10 | 2003-06-24 | Hitachi, Ltd. | Projection ion beam machining apparatus |
JP5033314B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2012-09-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム加工装置及び加工方法 |
EP2027594B1 (en) * | 2005-07-08 | 2011-12-14 | NexGen Semi Holding, Inc. | Apparatus and method for controlled particle beam manufacturing of semiconductors |
WO2008140585A1 (en) | 2006-11-22 | 2008-11-20 | Nexgen Semi Holding, Inc. | Apparatus and method for conformal mask manufacturing |
JP2008166137A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Sii Nanotechnology Inc | 集束イオンビーム装置 |
US10566169B1 (en) | 2008-06-30 | 2020-02-18 | Nexgen Semi Holding, Inc. | Method and device for spatial charged particle bunching |
US10991545B2 (en) | 2008-06-30 | 2021-04-27 | Nexgen Semi Holding, Inc. | Method and device for spatial charged particle bunching |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3723733A (en) * | 1971-05-12 | 1973-03-27 | Hughes Aircraft Co | Stigmatic, crossed-field velocity filter |
US3937958A (en) * | 1975-03-31 | 1976-02-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Charged particle beam apparatus |
US4426582A (en) * | 1980-01-21 | 1984-01-17 | Oregon Graduate Center | Charged particle beam apparatus and method utilizing liquid metal field ionization source and asymmetric three element lens system |
US4318029A (en) * | 1980-05-12 | 1982-03-02 | Hughes Aircraft Company | Liquid metal ion source |
US4367429A (en) * | 1980-11-03 | 1983-01-04 | Hughes Aircraft Company | Alloys for liquid metal ion sources |
WO1982004351A1 (en) * | 1981-05-26 | 1982-12-09 | Aircraft Co Hughes | Focused ion beam microfabrication column |
-
1983
- 1983-07-12 US US06/512,879 patent/US4556798A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-06-25 EP EP84903206A patent/EP0155283B1/en not_active Expired
- 1984-06-25 WO PCT/US1984/000982 patent/WO1985000693A1/en active IP Right Grant
- 1984-06-25 JP JP59503256A patent/JPH0628145B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1984-06-25 DE DE8484903206T patent/DE3472331D1/de not_active Expired
- 1984-07-11 CA CA000458606A patent/CA1214577A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1214577A (en) | 1986-11-25 |
JPH0628145B2 (ja) | 1994-04-13 |
EP0155283B1 (en) | 1988-06-22 |
US4556798A (en) | 1985-12-03 |
DE3472331D1 (en) | 1988-07-28 |
WO1985000693A1 (en) | 1985-02-14 |
EP0155283A1 (en) | 1985-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS60501828A (ja) | 集束したイオンビ−ムのコラム | |
Slodzian et al. | Scanning secondary ion analytical microscopy with parallel detection | |
US6191423B1 (en) | Correction device for correcting the spherical aberration in particle-optical apparatus | |
TWI590286B (zh) | 用於高解析度電子束成像之裝置及方法 | |
US4649316A (en) | Ion beam species filter and blanker | |
US4912326A (en) | Direct imaging type SIMS instrument | |
US4853545A (en) | Particle beam apparatus for low-error imaging of line-shaped subjects | |
JPH044548A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
Schönhense et al. | Correction of chromatic and spherical aberration in electron microscopy utilizing the time structure of pulsed excitation sources | |
US6455848B1 (en) | Particle-optical apparatus involving detection of Auger electronics | |
JP2810797B2 (ja) | 反射電子顕微鏡 | |
CN108807118B (zh) | 一种扫描电子显微镜系统及样品探测方法 | |
TW201234401A (en) | Lithography system and method of refracting | |
JP2001185066A (ja) | 電子線装置 | |
JPH0821340B2 (ja) | ダイナミックフォーカス電子銃 | |
JPS5958749A (ja) | 複合対物および放射レンズ | |
US4479060A (en) | Apparatus for irradiation with charged particle beams | |
US5196707A (en) | Low aberration field emission electron gun | |
JPS58500826A (ja) | 集束されたイオンビ−ムを用いる精密微細加工用コラム | |
JPS60185352A (ja) | 荷電粒子光学システム | |
US7569834B1 (en) | High resolution charged particle projection lens array using magnetic elements | |
JPS5983336A (ja) | 荷電粒子線集束偏向装置 | |
JPH10506225A (ja) | 粒子ビーム色収差補正コラム | |
US20240170248A1 (en) | Particle beam system | |
Dalglish et al. | A new concept for improved ion and electron lenses—Aberration corrected systems of planar electrostatic deflection elements |