JPS6048252A - 結晶化ガラスの精密研摩方法 - Google Patents
結晶化ガラスの精密研摩方法Info
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- JPS6048252A JPS6048252A JP58155176A JP15517683A JPS6048252A JP S6048252 A JPS6048252 A JP S6048252A JP 58155176 A JP58155176 A JP 58155176A JP 15517683 A JP15517683 A JP 15517683A JP S6048252 A JPS6048252 A JP S6048252A
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- Japan
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- polishing
- crystallized glass
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- polished
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、薄膜磁気ヘッド用の結晶化ガラス基板表面
を表面粗度５０Å以下に精密研摩仕上する研摩方法に関
する。
を表面粗度５０Å以下に精密研摩仕上する研摩方法に関
する。
現在、磁気ヘッドは、オーディオ用デープレコーダー、
ビデオ用テープレコーダー、データーレコーダー、コン
ピューター用ディスク、ドラム等の磁気記録の店ぎ込み
読み取りに、広く用いられているが、さらに、磁気テー
プのメタルテープ化、蒸着テープ化、あるいは記録方式
のＰＣＭ化、コンピュータの高速化、高配録畜亀化が進
められている。
ビデオ用テープレコーダー、データーレコーダー、コン
ピューター用ディスク、ドラム等の磁気記録の店ぎ込み
読み取りに、広く用いられているが、さらに、磁気テー
プのメタルテープ化、蒸着テープ化、あるいは記録方式
のＰＣＭ化、コンピュータの高速化、高配録畜亀化が進
められている。
磁気ヘッドは、これらの高記録密１α化に対応Ｊるため
、従来の巻線法バルクヘッドから１・Ｃテクノロジーを
用いて作製され、比較的容易にマルチトラック化、狭ト
ラツク化が達成できる薄膜磁気ヘッドへど変換されつつ
ある。
、従来の巻線法バルクヘッドから１・Ｃテクノロジーを
用いて作製され、比較的容易にマルチトラック化、狭ト
ラツク化が達成できる薄膜磁気ヘッドへど変換されつつ
ある。
この薄膜磁気ヘッド用基板の１つとして、フォトエツチ
ングが容易で、熱膨張係数をｌ？ンダストやパーマロイ
等の軟磁性薄膜のぞれに容易に合致′させることができ
、組織が実質的に結晶化されいる結晶化ガラスが多用さ
れている。また、薄膜磁気ヘッド用基板はその表面に多
種の薄膜パターンを被着形成する必要から、基板表面は
できるだ（′ｊ精密平面に仕上げな【プればならない。
ングが容易で、熱膨張係数をｌ？ンダストやパーマロイ
等の軟磁性薄膜のぞれに容易に合致′させることができ
、組織が実質的に結晶化されいる結晶化ガラスが多用さ
れている。また、薄膜磁気ヘッド用基板はその表面に多
種の薄膜パターンを被着形成する必要から、基板表面は
できるだ（′ｊ精密平面に仕上げな【プればならない。
再生用に用いる磁気抵抗型Ｕ膜磁気ヘッドの場合、基板
上に形成する素子の薄膜パターン厚みは数１００人であ
り、基板仕上表面に突起、四部あるいは結晶段差、小孔
等の欠陥が点在して露出するど、磁気ヘッドパターンの
微細化やマルチトラック化に伴／ｉい、製造］丁稈ある
いは磁気ヘッド特性、１−に下記の多くの問題を生じる
ため、基板表面粗度を５０Å以下に精密１ｄｔ１摩する
必要がある。
上に形成する素子の薄膜パターン厚みは数１００人であ
り、基板仕上表面に突起、四部あるいは結晶段差、小孔
等の欠陥が点在して露出するど、磁気ヘッドパターンの
微細化やマルチトラック化に伴／ｉい、製造］丁稈ある
いは磁気ヘッド特性、１−に下記の多くの問題を生じる
ため、基板表面粗度を５０Å以下に精密１ｄｔ１摩する
必要がある。
例えば、基板表面１−の該欠陥部において、コンダクタ
−の断線の恐れがあり、磁気抵抗型の場合、素子幅が数
ρ稈１αであるので再生出力の低下を来たしたり、また
、該欠陥部近傍には残留歪が存在して不均一２．一応力
場が形成されており、この上に磁＋１薄膜を被槍号−る
ど残留歪が転写づる恐れがある等、←ト々の問題があっ
た。
−の断線の恐れがあり、磁気抵抗型の場合、素子幅が数
ρ稈１αであるので再生出力の低下を来たしたり、また
、該欠陥部近傍には残留歪が存在して不均一２．一応力
場が形成されており、この上に磁＋１薄膜を被槍号−る
ど残留歪が転写づる恐れがある等、←ト々の問題があっ
た。
この／１ＩＩＦＪ磁気ヘッドは、Ｉ−Ｃテクノ１」ジー
にＪ、り量産ｑＡ造されるため、上述した表面欠陥のあ
る４、４板を使用するど、製造歩留の低下のみならず、
磁気ヘッドとしての信頼性低下、電磁変換特性の低下を
Ｍ？来づることになり、かかる基板表面の精密研摩Ｉｊ
法が特に槍要になってくる。
にＪ、り量産ｑＡ造されるため、上述した表面欠陥のあ
る４、４板を使用するど、製造歩留の低下のみならず、
磁気ヘッドとしての信頼性低下、電磁変換特性の低下を
Ｍ？来づることになり、かかる基板表面の精密研摩Ｉｊ
法が特に槍要になってくる。
従来、結晶化ガラスの精密研摩方法として、フＡ１〜マ
スク、レンズ等に適用されていた溶融型非晶質ガラス研
１ｆ法が採用されていた。この研摩方法は、酸化セリウ
ムやベンガラを砥粒とし、レンズ等の表面を５０Å以下
の粗度に仕上げることができる。ところが、結晶化ガラ
スに適用して−８，！４質が実質的に結晶化されている
ため、研摩面に微細突起や凹部が生成し、２５０八程度
の表面粗度しか得られない問題があった。
スク、レンズ等に適用されていた溶融型非晶質ガラス研
１ｆ法が採用されていた。この研摩方法は、酸化セリウ
ムやベンガラを砥粒とし、レンズ等の表面を５０Å以下
の粗度に仕上げることができる。ところが、結晶化ガラ
スに適用して−８，！４質が実質的に結晶化されている
ため、研摩面に微細突起や凹部が生成し、２５０八程度
の表面粗度しか得られない問題があった。
この発明は、かかる現状に鑑み、従来研摩方法で生成す
る微細突起や四部を防１１．シ、５０Å以下の表面粗度
が（りられる結晶化ガラスの精密ｆｉｌｌ摩方払を目的
としている。
る微細突起や四部を防１１．シ、５０Å以下の表面粗度
が（りられる結晶化ガラスの精密ｆｉｌｌ摩方払を目的
としている。
すなわち、この発明（よ、中位体積）１１りの表面積が
１３０ｍ’１０以下で、形状が実質的に球状の粒径３２
０Å以下の無水アルミナ微粉末を純水中に懸濁させた液
を研摩液どし、該研摩液中で被ｒｔ１１摩結晶化ガラス
とラップ盤を対向さけ゛で、ラップ荷重０．１ｋｌ、Ｊ
〜５−４を加えながら相対回転させ研摩することを特徴
とする結晶化ガラスの精密ｒｔ＋＋摩ｊ）法である。
１３０ｍ’１０以下で、形状が実質的に球状の粒径３２
０Å以下の無水アルミナ微粉末を純水中に懸濁させた液
を研摩液どし、該研摩液中で被ｒｔ１１摩結晶化ガラス
とラップ盤を対向さけ゛で、ラップ荷重０．１ｋｌ、Ｊ
〜５−４を加えながら相対回転させ研摩することを特徴
とする結晶化ガラスの精密ｒｔ＋＋摩ｊ）法である。
研摩対象の結晶化ガラスは、材質が実質的に結晶化され
たガラスでいずれの成分のものでもよい３− ｈ＼、Ｌｉ２Ｏ，５ｊ０２、〜，６を主成分とするもの
が好ましい。
たガラスでいずれの成分のものでもよい３− ｈ＼、Ｌｉ２Ｏ，５ｊ０２、〜，６を主成分とするもの
が好ましい。
純水中に懸濁さける無水アルミナ微粉末は、粒径が３２
０Å以下であり、乾式製法により得られるが、ぞの単位
イホ槓当りの表面積が１３０ｍ２／（＋を越える場合、
粒形状が不規則形状となり、ラップ時に研摩面に対する
切削・引掻作用が強く、得られる表面粗度が劣化し、研
摩面に微細突起、凹部が光！１し易くイするので、単位
体積当りの表面積は１３０ｍ２／（Ｊｌｌ上下覆る。
０Å以下であり、乾式製法により得られるが、ぞの単位
イホ槓当りの表面積が１３０ｍ２／（＋を越える場合、
粒形状が不規則形状となり、ラップ時に研摩面に対する
切削・引掻作用が強く、得られる表面粗度が劣化し、研
摩面に微細突起、凹部が光！１し易くイするので、単位
体積当りの表面積は１３０ｍ２／（Ｊｌｌ上下覆る。
この発明に用いる無水アルミナ微粉末乾式製法によりＩ
９られるため、湿式製法による含水アルミノに比べ、話
ｖ１面積が１００％と大きいため、反応↑りに富み、加
工効率を向上させるケミカル効果が（！Ｉられ、また、
純度は９９．９％以−トとなり微粉末にＪ、る表面への
汚染が少なく研摩加工が安定する。
９られるため、湿式製法による含水アルミノに比べ、話
ｖ１面積が１００％と大きいため、反応↑りに富み、加
工効率を向上させるケミカル効果が（！Ｉられ、また、
純度は９９．９％以−トとなり微粉末にＪ、る表面への
汚染が少なく研摩加工が安定する。
水溶液はｐ１１４・〜５でシラノール基を呈し、ケミカ
ル効果が１１７られる。また、粉末形状が実質的に球状
であるＩこめ、（σＩｌ？表面に対する切削、引掻作用
が少なく、研摩表面品位向上に有効である。結晶４− 化ガラスの主成分であるＳｈｏ、、は角に帯電しており
、微粉末自体は正に帯電り−るため、ＳＬｎ、と７＋！
［水アルミナ粉末の懸濁液は電界効果ににす、加工作用
砥粒数が増加することになり、加二「能率の増大と共に
凝集効果により、加工単位は数１０人となり、結晶化ガ
ラス表面を５０Å以下に精密研摩覆ることができると考
えられる。
ル効果が１１７られる。また、粉末形状が実質的に球状
であるＩこめ、（σＩｌ？表面に対する切削、引掻作用
が少なく、研摩表面品位向上に有効である。結晶４− 化ガラスの主成分であるＳｈｏ、、は角に帯電しており
、微粉末自体は正に帯電り−るため、ＳＬｎ、と７＋！
［水アルミナ粉末の懸濁液は電界効果ににす、加工作用
砥粒数が増加することになり、加二「能率の増大と共に
凝集効果により、加工単位は数１０人となり、結晶化ガ
ラス表面を５０Å以下に精密研摩覆ることができると考
えられる。
また、無水アルミナ微粉末の粒径が３２０人を越えると
、被研摩表面に疵を形成し、表面粗度を劣化させるので
好ましくない。
、被研摩表面に疵を形成し、表面粗度を劣化させるので
好ましくない。
研摩条件として、ラップ荷重は、０．１ｋｇ＜７未満′
では所要の表面粗度が得られず、かつ加工能率が低く、
また、５．ＯｋｇＪを越えると加工効率の点では好まし
いが、ラップ装置の大規模化に伴なうコスト高と、研摩
精度が悪化するので好ましくない。
では所要の表面粗度が得られず、かつ加工能率が低く、
また、５．ＯｋｇＪを越えると加工効率の点では好まし
いが、ラップ装置の大規模化に伴なうコスト高と、研摩
精度が悪化するので好ましくない。
また、ラップ盤としては、Ｓｎ、Ｐｂ、はんだ合金等の
軟質金属あるいはクロス等が最適である。
軟質金属あるいはクロス等が最適である。
以下に、実施例を説明する。
被研摩結晶化ガラスには、）Ａトセラム（商品名、コー
ニング社製造）を使用し、その試ｒ１は長ｃｓ２！）ｍ
ｍ Ｘ幅２ ！ｉ ｍｍ Ｘ ＰＭみ１ｍｍ１７法で、
被研摩面粗度３００人で・あった。
ニング社製造）を使用し、その試ｒ１は長ｃｓ２！）ｍ
ｍ Ｘ幅２ ！ｉ ｍｍ Ｘ ＰＭみ１ｍｍ１７法で、
被研摩面粗度３００人で・あった。
ｉｊｌ ＩＮｔ油は、１１４位（Ａ積当り表面積 ９０
１４〜１２０１（ツ擢、粒径３００人の無水アルミナ微
粉末を、純水中に１ｗ＋％分散させたｐ１１４の懸濁液
を使用した。
１４〜１２０１（ツ擢、粒径３００人の無水アルミナ微
粉末を、純水中に１ｗ＋％分散させたｐ１１４の懸濁液
を使用した。
ボυツシ↑Ｉ−に番９Ｌ、３５０ｍｍψのＳｒｌ盤を用
い、このボリッシト一表面にフォトヒラムの被研削面を
当接ざ口、回転数６０１ｍ、ラップ荷重０．５ｋｑ−Ｊ
。
い、このボリッシト一表面にフォトヒラムの被研削面を
当接ざ口、回転数６０１ｍ、ラップ荷重０．５ｋｑ−Ｊ
。
３１ｄの荷重ｆ１荷の加工条件で、両者を相対的にＮ転
さＬ１１σｔｒｔｈ加Ｔ中、１００ｃｃ ／Ｆ（１）割
合テア１１ 原液を連続滴下しイｉがら、３０分間研摩
を実施した。
さＬ１１σｔｒｔｈ加Ｔ中、１００ｃｃ ／Ｆ（１）割
合テア１１ 原液を連続滴下しイｉがら、３０分間研摩
を実施した。
また、比較のため、６］（粒にＣｅＯ２を使用した研摩
液の場合（比較例０）、含水アルミナ微粉末を使用した
仙Ｉ？！液の場合（比較例ｒ′））及び本発明と同の無
水ノＩルミプ微粉末を使用した研摩液を用いて本発明条
イ′１外のラップ荷重の場合の各種加工茶１′１で（σ
１１ｆシた。この際の研摩条ｆｌｔｌｔＬびに被研摩材
１′＋１の表面粗度を測定し、本発明方法で得られた表
面粗ｊα測定結ψとハに、第１表に示寸。
液の場合（比較例０）、含水アルミナ微粉末を使用した
仙Ｉ？！液の場合（比較例ｒ′））及び本発明と同の無
水ノＩルミプ微粉末を使用した研摩液を用いて本発明条
イ′１外のラップ荷重の場合の各種加工茶１′１で（σ
１１ｆシた。この際の研摩条ｆｌｔｌｔＬびに被研摩材
１′＋１の表面粗度を測定し、本発明方法で得られた表
面粗ｊα測定結ψとハに、第１表に示寸。
被研摩面の表面粗度は、表面段差測定器（丁ａ１−ｙｓ
ｔｅｐ装置、スタイラス、０．５）ｔｍ、 ６１圧７ｍ
ｇ）を使用して測定し、表面部の突起及び四部状態はノ
マルスヤー微分干渉顕微鏡を使用して測定した。
ｔｅｐ装置、スタイラス、０．５）ｔｍ、 ６１圧７ｍ
ｇ）を使用して測定し、表面部の突起及び四部状態はノ
マルスヤー微分干渉顕微鏡を使用して測定した。
第１表から明らかな如く、従来のガラス研摩方法による
比較例Ｃの場合は、結晶化ガラスに対しては３（１０へ
の表面粗度しか得られず、また、含水アルミナ微粉末を
使用した場合は、粒形状が不規則で球状でなく、表面積
が大ぎく、切削や引掻き作用が大で表面粗度が劣化して
おり、さらに、本発明方法の研摩液を使用しても、ラッ
プ荷重が条件外であると、表面粗度は２（１０人しか得
られず、いずれの場合も、結晶化ガラスの精密研摩には
不適であるのに対し、本発明方法の場合は、結晶化ガラ
ス表面には突起や四部の発生がなく、２０人のすぐれた
表面粗度が１げられたことが分る。また、偏光回折結果
のパラメータΔが小ざいことからも、本発明方法による
精密研摩は加工歪が著しく小さいことが分る。
比較例Ｃの場合は、結晶化ガラスに対しては３（１０へ
の表面粗度しか得られず、また、含水アルミナ微粉末を
使用した場合は、粒形状が不規則で球状でなく、表面積
が大ぎく、切削や引掻き作用が大で表面粗度が劣化して
おり、さらに、本発明方法の研摩液を使用しても、ラッ
プ荷重が条件外であると、表面粗度は２（１０人しか得
られず、いずれの場合も、結晶化ガラスの精密研摩には
不適であるのに対し、本発明方法の場合は、結晶化ガラ
ス表面には突起や四部の発生がなく、２０人のすぐれた
表面粗度が１げられたことが分る。また、偏光回折結果
のパラメータΔが小ざいことからも、本発明方法による
精密研摩は加工歪が著しく小さいことが分る。
ちなみに、本発明Ａと比較例Ｃの各々の被０１摩面表面
相度を測定し、第１図、第２図の２種のスフ− ケールでグラフに表示する。第１図に示す本発明にｊ：
る被１Ｉｌｔ １１而は、第２図の従来方法による被研
摩面に対して若しく精密平坦面を（ｑられることが明白
（・ある。
相度を測定し、第１図、第２図の２種のスフ− ケールでグラフに表示する。第１図に示す本発明にｊ：
る被１Ｉｌｔ １１而は、第２図の従来方法による被研
摩面に対して若しく精密平坦面を（ｑられることが明白
（・ある。
すなわら、この発明による結晶化ガラスの精密研摩方法
にＪ、す、Ｍ膜磁気ヘッドの信頼性、電磁ゆ換特↑１１
及び歩留の向上に極めて有効なことが分る。
にＪ、す、Ｍ膜磁気ヘッドの信頼性、電磁ゆ換特↑１１
及び歩留の向上に極めて有効なことが分る。
以下余白
８−
第１図と第２図は、被ｒｔｌｌ摩面の表面状態を縦軸の
深さ方向、横軸の水平方向で表わしたグラフで、第１図
が本発明方法、第２図が比較例Ｃの場合である。 １１− 第１図 第２図
深さ方向、横軸の水平方向で表わしたグラフで、第１図
が本発明方法、第２図が比較例Ｃの場合である。 １１− 第１図 第２図
Claims (1)
- １ 単位体積当りの表面積が１３０ｍ’／Ｑ以下で、形
状が実質的に球状の粒径３２０Å以下の無水アルミナ微
粉末を純水中に懸濁させた液を研摩液どし、該研摩液中
で被研摩結晶化ガラスとラップ盤を対向させて、ラップ
荷ｆｆｉ ０．１ｋ１４〜５Ｍを加えながら相対回転さ
せ研摩することを特徴とする結晶化ガラスのＭ密研摩方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58155176A JPS6048252A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 結晶化ガラスの精密研摩方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58155176A JPS6048252A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 結晶化ガラスの精密研摩方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6048252A true JPS6048252A (ja) | 1985-03-15 |
| JPS6331343B2 JPS6331343B2 (ja) | 1988-06-23 |
Family
ID=15600152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58155176A Granted JPS6048252A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 結晶化ガラスの精密研摩方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6048252A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4632774A (en) * | 1983-09-14 | 1986-12-30 | The Standard Oil Company | Process for reforming alcohols |
| JPS63114866A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Hoya Corp | ガラスの加工方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57132964A (en) * | 1981-02-06 | 1982-08-17 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Precision processing method of single crystal ferrite |
-
1983
- 1983-08-24 JP JP58155176A patent/JPS6048252A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57132964A (en) * | 1981-02-06 | 1982-08-17 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Precision processing method of single crystal ferrite |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4632774A (en) * | 1983-09-14 | 1986-12-30 | The Standard Oil Company | Process for reforming alcohols |
| JPS63114866A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Hoya Corp | ガラスの加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6331343B2 (ja) | 1988-06-23 |
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