JPS6048100B2 - 樹脂封止型半導体装置のバリ取り方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置のバリ取り方法

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JPS6048100B2
JPS6048100B2 JP7704880A JP7704880A JPS6048100B2 JP S6048100 B2 JPS6048100 B2 JP S6048100B2 JP 7704880 A JP7704880 A JP 7704880A JP 7704880 A JP7704880 A JP 7704880A JP S6048100 B2 JPS6048100 B2 JP S6048100B2
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JP
Japan
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resin
sealed semiconductor
semiconductor devices
electrolytic
electrolytic solution
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浩 下田
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Mitsubishi Electric Corp
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、樹脂封止型半導体の製造方法において、モ
ールデング時フレームリード上へはみ出して形成された
通称バリと称する薄い樹脂膜を除去するための樹脂封止
型半導体装置のバリ取り方法に関するものである。
従来の樹脂封止型半導体のバリ除去は、電解液中へ浸漬
し電解を行い、フレームリード上からバリを浮カル、そ
の後、ショット材を用いてショットブラストを行うか、
または水圧式、圧力空気を吹き付けることでバリ取りを
行つているが、電解とバリ取りを別々に行うため、人手
を多く要し、また、電解は浸漬式のため1フレームずつ
治具へ引掛けなくてはならず、自動化が困難とされ、作
業性の悪い欠点があつた。
この発明は上記欠点を解消するためになされたものであ
る。
以下、この発明を図面を参照して詳細に説明する。第1
図は樹脂封止を行つたバリ取り前の半導体装置フレーム
を示す側面図で、1はフレームリード、2はモールド素
子部、3は前記フレームリード1上にはみ出したバリで
ある。第2図は従来から行つている電解バリ取り方法を
示した側断面図である。
この図で、符号1〜3は第1図と同じものであり、4は
電解液を入れる槽、5は電解液、6は電解用陽極板、7
は電解電流陰極、8は電解電流陽極である。このように
、フレームリード1上にはみ出したバリ3を電解液5へ
浸漬し、電解電流陰極7にフレームリード1を接続して
、陰極または陽極電解とすることで、フレームリード1
上へはり出したバリ3を浮かすものである。
第3図は従来から行つているショットブラストを示す図
で、第2図と同一符号は同一部分を示し、9はモールド
素子カバー、10はショットノズル、11はショット材
である。このように、電解により浮かしたバリ3をショ
ット材11で除去するものである。
この場合、前述したように連続作業ができない3こと、
電解バリ取りやショットブラストでの治具取付け等と、
人手を多く用し作業性が悪かつた。
この発明は上記の点にかんがみなされたものである。以
下、図面によりこの発明を説明する。第4図はこの発明
の一実施例を示すもので、1i2は電解液に圧力をかけ
て吹き付けるノズルで、陽極部を形成する。13は電解
液で、この電解液13に圧力をかけてショットを行うと
ともに電流が流れ電解によりバリ取りをする。
14はフレーム支えで、陰極部を形成する。
フレーム支え14にセットされたフレームリード1には
り出したバリ3をノズル12より圧力をかけ電流を流し
た電解液13を吹き付け、電解バリ取りショットを行ミ
8い、フレームリード1上にはみ出したバリ3を除去す
るものである。次の第1表に電解液の組成と電解条件の
一例を示す。
以上詳述したようにこの発明による水圧式電解バリ取り
は、電解バリ取りとショットバリ取りとを同時に行うた
め、簡単に自動化することができるので作業時間の短縮
が可能である。
また、従来電解の電流が3〜5AIdTT1の低い電流
しかできなかつたものがこの発明では10〜30Aと高
電流電解が可能となる利点を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は樹脂封止を行つたバリ取り前の半導体装置フレ
ームを示す側面図、第2図は従来の電解バリ取り方法を
示す側断面図、第3図は従来のショットブラストを示す
図、第4図はこの発明の一実施例を示す図である。 図中、1はフレームリード、2はモールド素子部、3は
バリ、12はノズル、13は電解液、14はフレーム支
えである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 樹脂封止型半導体装置の製造において、フレームリ
    ード上へはみ出した樹脂層に、電解液を圧力をかけて吹
    き付けながら電解をし、同時に前記電解液の圧力により
    前記樹脂層を除去することを特徴とする樹脂封止型半導
    体装置のバリ取り方法。
JP7704880A 1980-06-05 1980-06-05 樹脂封止型半導体装置のバリ取り方法 Expired JPS6048100B2 (ja)

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JPS572534A JPS572534A (en) 1982-01-07
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US20040194803A1 (en) * 2003-04-04 2004-10-07 Asm Technology Singapore Pte Ltd Cleaning of an electronic device

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JPS572534A (en) 1982-01-07

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