JPS6047209B2 - 基体表面のエツチング法 - Google Patents
基体表面のエツチング法Info
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- JPS6047209B2 JPS6047209B2 JP11186980A JP11186980A JPS6047209B2 JP S6047209 B2 JPS6047209 B2 JP S6047209B2 JP 11186980 A JP11186980 A JP 11186980A JP 11186980 A JP11186980 A JP 11186980A JP S6047209 B2 JPS6047209 B2 JP S6047209B2
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- etching
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- substrate surface
- etching method
- aqueous
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
- C04B41/5338—Etching
- C04B41/5353—Wet etching, e.g. with etchants dissolved in organic solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/91—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics involving the removal of part of the materials of the treated articles, e.g. etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、L1NbO3の基体の表面のエッチング法に
関する。
関する。
特に、フッ化水素酸と硫酸よりなる混合物でL1NbO
、をエッチングする方法に関する。
、をエッチングする方法に関する。
最近、ニオブ酸リチウム(L1Nlc3)は、電気装置
工業で非常な関心をもたれてきた。このLiNbOa使
用に特有な問題はこの材料のエッチングであつた。
工業で非常な関心をもたれてきた。このLiNbOa使
用に特有な問題はこの材料のエッチングであつた。
ニオブ酸リチウム(LiNb03)は、NH03及びH
Fよりなる水性混合物でエッチングできる。然し乍らそ
のエッチングは、混合物の沸点で妥当な速度でのみ行な
われる。従つておだやかな温度て妥当な速度てLlNb
O。をエッチングする腐蝕液が望まれ、そのような腐蝕
液を用いる方法が本発明の目的である。本発明は、Li
NbO。
Fよりなる水性混合物でエッチングできる。然し乍らそ
のエッチングは、混合物の沸点で妥当な速度でのみ行な
われる。従つておだやかな温度て妥当な速度てLlNb
O。をエッチングする腐蝕液が望まれ、そのような腐蝕
液を用いる方法が本発明の目的である。本発明は、Li
NbO。
の基体表面のエッチング法に関し、特にフッ化水素酸及
び硫酸よりなる混合物でLiNbO3をエッチングする
方法に関する。簡単に云えば本方法は、基体表面(ニオ
ブ酸リチウム(LiNb00)の)を、フッ化水素酸と
硫酸よりなる混合物に接せしめ、それにより、エッチン
グを生じせしめることよりなる。本発明は、添附図面及
び以下の説明によりより容易に理解される。
び硫酸よりなる混合物でLiNbO3をエッチングする
方法に関する。簡単に云えば本方法は、基体表面(ニオ
ブ酸リチウム(LiNb00)の)を、フッ化水素酸と
硫酸よりなる混合物に接せしめ、それにより、エッチン
グを生じせしめることよりなる。本発明は、添附図面及
び以下の説明によりより容易に理解される。
その図面には、ニオブ酸リチウムとタンタル酸リチウム
夫々のエッチング速度を、フッ化水素酸の容量比に対し
てプロットされている。本発明は、ニオブ酸リチウム(
LINbO3)のエッチングのための独特な化学組成物
の発見に基づくものである。
夫々のエッチング速度を、フッ化水素酸の容量比に対し
てプロットされている。本発明は、ニオブ酸リチウム(
LINbO3)のエッチングのための独特な化学組成物
の発見に基づくものである。
エッチング系は、フッ化水素HFと硫酸H2SO、(少
なくとも1つの適当な液体溶媒担体に含まれている)の
混合物よりなる。その溶媒担体は、水性或は非水性液体
のいずれかてあり得ノる。好適な担体溶媒は水てある。
夫々の成分、HFとH2SO4の用いる濃度は特定温度
て望まれるエッチング速度に依存している。
なくとも1つの適当な液体溶媒担体に含まれている)の
混合物よりなる。その溶媒担体は、水性或は非水性液体
のいずれかてあり得ノる。好適な担体溶媒は水てある。
夫々の成分、HFとH2SO4の用いる濃度は特定温度
て望まれるエッチング速度に依存している。
この点に関して、仙重量%水性HFと9踵量%水性YI
2SO。についての好適な混合物濃度は、典型的には4
踵量%水性運の約0.20〜約0.90容量比(約35
.053モル8 /1000fH20,89.045モ
ル11.S0,/1000fH20〜約47.535モ
ルHF/1000fH20,3.354モルH,SO4
/1000fH20)の範囲である。処理すべき基体L
iNbO3は、通常の方法でエッチング溶液混合物につ
けられ或はさらされ、そこでLiNbO3が腐蝕される
。
2SO。についての好適な混合物濃度は、典型的には4
踵量%水性運の約0.20〜約0.90容量比(約35
.053モル8 /1000fH20,89.045モ
ル11.S0,/1000fH20〜約47.535モ
ルHF/1000fH20,3.354モルH,SO4
/1000fH20)の範囲である。処理すべき基体L
iNbO3は、通常の方法でエッチング溶液混合物につ
けられ或はさらされ、そこでLiNbO3が腐蝕される
。
エッチング溶液の温度は、室温と用いた特定の混合物の
沸点の間の温度に保持される。この点に関して、選択し
た温度は用いたエッチング混合物及び望ましいエッチン
グ速度の如きパラメーターに依存している。基体を必要
な時間エッチング溶液につけた後に、それから取り出し
適当な溶媒、例えば水によりす1ぎ洗いをし次に乾燥す
る。LiNbO3を97重量%の水性112S04の1
00%のものにさらすと90′Cで1時間後でもそのエ
ッチングと生じない(実験誤差内で)ことに注目すべき
である。LiNbO3基体のエッチングの特定例は次の
如きである。
沸点の間の温度に保持される。この点に関して、選択し
た温度は用いたエッチング混合物及び望ましいエッチン
グ速度の如きパラメーターに依存している。基体を必要
な時間エッチング溶液につけた後に、それから取り出し
適当な溶媒、例えば水によりす1ぎ洗いをし次に乾燥す
る。LiNbO3を97重量%の水性112S04の1
00%のものにさらすと90′Cで1時間後でもそのエ
ッチングと生じない(実験誤差内で)ことに注目すべき
である。LiNbO3基体のエッチングの特定例は次の
如きである。
LiNbO3のスライス(Yカット)を複数個王水溶液
でまず洗浄し、次にエッチングにかける前に水ですjぎ
洗いした。
でまず洗浄し、次にエッチングにかける前に水ですjぎ
洗いした。
複数個の試料からの異なる試料を次に、水性の4踵量%
HFと水性97重量%H2SO,溶液の容量比を変えた
ものに、90′Cで1時間施した。
HFと水性97重量%H2SO,溶液の容量比を変えた
ものに、90′Cで1時間施した。
夫々の試料のエッチング速度を次にその重量変化と夫々
の試料の面積を標準的な技術と装置を用いて測定するこ
とにより決定した。種々の実験の速度は第1表の通りで
ある。112S0,とHFのエッチング混合物でのニオ
ブ酸リチウムの得られたエッチング速度は本質的に、同
一温度でのタンタル酸リチウムと平行している。
の試料の面積を標準的な技術と装置を用いて測定するこ
とにより決定した。種々の実験の速度は第1表の通りで
ある。112S0,とHFのエッチング混合物でのニオ
ブ酸リチウムの得られたエッチング速度は本質的に、同
一温度でのタンタル酸リチウムと平行している。
この点に関して、図面を参照しそこには夫々のエッチン
グ速度が比較のためにプロットされている。タンタル酸
リチウムのエッチング速度は昭和5師特許願第0210
6汚より得られ、参照のために記した。それは次の式に
よりy/Clt/時間に変換される。速度(y /d/
時間)=
グ速度が比較のためにプロットされている。タンタル酸
リチウムのエッチング速度は昭和5師特許願第0210
6汚より得られ、参照のために記した。それは次の式に
よりy/Clt/時間に変換される。速度(y /d/
時間)=
図は、HF容量組成比とエッチング速度の関係をニオブ
酸リチウムとタンタル酸リチウムについてプロットした
ものである。
酸リチウムとタンタル酸リチウムについてプロットした
ものである。
Claims (1)
- 1 LiNbO_3を有する基体の表面を、HF及びH
_2SO_4を有する水性エッチング溶液と接せしめる
ことにより、その表面をエッチング及び/又は研磨する
方法において、該HFは、約35.053〜47.53
5モル/1000gH_2Oの範囲の量溶液中に存在し
、該H_2SO_4は、約89.045〜3.354モ
ル/1000gH_2Oの量溶液中に存在することを特
徴とする前記方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US55040575A | 1975-02-18 | 1975-02-18 | |
US550405 | 1975-02-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5637221A JPS5637221A (en) | 1981-04-10 |
JPS6047209B2 true JPS6047209B2 (ja) | 1985-10-21 |
Family
ID=24197049
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1609076A Pending JPS51115300A (en) | 1975-02-18 | 1976-02-18 | Etching method of substrate surface |
JP11186980A Expired JPS6047209B2 (ja) | 1975-02-18 | 1980-08-15 | 基体表面のエツチング法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1609076A Pending JPS51115300A (en) | 1975-02-18 | 1976-02-18 | Etching method of substrate surface |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JPS51115300A (ja) |
CA (1) | CA1042773A (ja) |
DE (1) | DE2605582C3 (ja) |
FR (1) | FR2301352A2 (ja) |
GB (1) | GB1475279A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3833441A1 (de) * | 1988-10-01 | 1990-04-05 | Hoechst Ag | Verfahren zum metallisieren von aluminiumoxid-substraten |
-
1976
- 1976-02-10 CA CA245,349A patent/CA1042773A/en not_active Expired
- 1976-02-12 DE DE19762605582 patent/DE2605582C3/de not_active Expired
- 1976-02-17 FR FR7604306A patent/FR2301352A2/fr active Granted
- 1976-02-18 JP JP1609076A patent/JPS51115300A/ja active Pending
- 1976-02-18 GB GB630776A patent/GB1475279A/en not_active Expired
-
1980
- 1980-08-15 JP JP11186980A patent/JPS6047209B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS51115300A (en) | 1976-10-09 |
DE2605582C3 (de) | 1980-01-31 |
JPS5637221A (en) | 1981-04-10 |
FR2301352A2 (fr) | 1976-09-17 |
GB1475279A (en) | 1977-06-01 |
FR2301352B2 (ja) | 1980-06-13 |
DE2605582B2 (de) | 1979-04-19 |
DE2605582A1 (de) | 1976-08-26 |
CA1042773A (en) | 1978-11-21 |
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