JPS6046780A - 電流源装置 - Google Patents
電流源装置Info
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- JPS6046780A JPS6046780A JP59081667A JP8166784A JPS6046780A JP S6046780 A JPS6046780 A JP S6046780A JP 59081667 A JP59081667 A JP 59081667A JP 8166784 A JP8166784 A JP 8166784A JP S6046780 A JPS6046780 A JP S6046780A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/53—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of an energy-accumulating element discharged through the load by a switching device controlled by an external signal and not incorporating positive feedback
- H03K3/57—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of an energy-accumulating element discharged through the load by a switching device controlled by an external signal and not incorporating positive feedback the switching device being a semiconductor device
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
- G01R33/28—Details of apparatus provided for in groups G01R33/44 - G01R33/64
- G01R33/38—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field
- G01R33/385—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field using gradient magnetic field coils
- G01R33/3852—Gradient amplifiers; means for controlling the application of a gradient magnetic field to the sample, e.g. a gradient signal synthesizer
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
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- Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)
- Control Of Voltage And Current In General (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発す］は、誘導負荷を設けた制御さね、る′市流源Ｖ
こ関し、將に核スピンの映像化装置に適１−ろ勾配コイ
ル６で関する。
こ関し、將に核スピンの映像化装置に適１−ろ勾配コイ
ル６で関する。
核スピンの映１象化は新し℃・非破壊映像化法であり、
その最４重要な用途の１つは医学的診断法で（ ある。核ス゛ピン吠像化技術の基碌については、例えば
１’！ｅｖ、 Ｓｃｉ、 Ｉ＋ｂｓｔｒａｍ、 ５３
（９） １９８２年９月号のＰ、 Ａ、 Ｂｏｔｔｏｍ
ｌｅｙ ノ”ｉｉｉ文ｉｊａ；ｉ戊さ＋している。
その最４重要な用途の１つは医学的診断法で（ ある。核ス゛ピン吠像化技術の基碌については、例えば
１’！ｅｖ、 Ｓｃｉ、 Ｉ＋ｂｓｔｒａｍ、 ５３
（９） １９８２年９月号のＰ、 Ａ、 Ｂｏｔｔｏｍ
ｌｅｙ ノ”ｉｉｉ文ｉｊａ；ｉ戊さ＋している。
核ス（ぜン映Ｂ化法は、最初原子核を高周波のｆ戯気パ
ルスを用いて励起した後の外部の直昇における原子核の
歳差運動に基づくものである５こσ）ような歳差運動は
、イ戚界σ）Ｉｉｌｉさの勾配により映踪化ターゲット
の位置の関数として制イａｌｌすることかできろ。この
ような磁気勾配は、一般に個数か３個で相１ｉて直角位
置に配置される勾配コイルに電流を供給することにより
生成される。実際の映曽化の場合には、非常に厳格な四
件である充分に調時された電流パルスが勾配コイルに対
して供給されろ。
ルスを用いて励起した後の外部の直昇における原子核の
歳差運動に基づくものである５こσ）ような歳差運動は
、イ戚界σ）Ｉｉｌｉさの勾配により映踪化ターゲット
の位置の関数として制イａｌｌすることかできろ。この
ような磁気勾配は、一般に個数か３個で相１ｉて直角位
置に配置される勾配コイルに電流を供給することにより
生成される。実際の映曽化の場合には、非常に厳格な四
件である充分に調時された電流パルスが勾配コイルに対
して供給されろ。
電流が充分に安定した値に達するまでは映像化されるべ
きターゲットから得られる信号の収集が特段の製餡を必
安どすることなく開始できないため、電流パルスの形成
時間は短くなければならない。
きターゲットから得られる信号の収集が特段の製餡を必
安どすることなく開始できないため、電流パルスの形成
時間は短くなければならない。
信号は励起後急速に減衰し、このため、形成時間を短縮
−４−ることによって収集されるべき信号の信号対ノイ
ズ比率を改善することかり能である。映像化ターゲット
の異なる場所から得られろ信号がさもなげＪ］ば相互に
充分な精度を以て識別さね、得すその結果得られろ映像
が歪めらｆ−ろため、信号の収集の間、磁気勾配はてき
ろ限り慎東に一定の状態に維持されなければならない。
−４−ることによって収集されるべき信号の信号対ノイ
ズ比率を改善することかり能である。映像化ターゲット
の異なる場所から得られろ信号がさもなげＪ］ば相互に
充分な精度を以て識別さね、得すその結果得られろ映像
が歪めらｆ−ろため、信号の収集の間、磁気勾配はてき
ろ限り慎東に一定の状態に維持されなければならない。
もし時間間隔力（制御から僅かでも変動するならけ、映
ｆ象は史に歪みを生じろ。加えて、電流・パルスにおし
・て生じろ擾乱は信号コイルと直接に接続されろ。イＬ
写の収集の間においては〜収集すべき信号が弱いため、
僅かな結合時の擾乱でも望ましくない。核スピンの映像
におし・では、このような擾乱が助長されろ映像として
視認でき、これは実際において医学的診断時のこのよう
な吠１遼の使用を台無しにする。
ｆ象は史に歪みを生じろ。加えて、電流・パルスにおし
・て生じろ擾乱は信号コイルと直接に接続されろ。イＬ
写の収集の間においては〜収集すべき信号が弱いため、
僅かな結合時の擾乱でも望ましくない。核スピンの映像
におし・では、このような擾乱が助長されろ映像として
視認でき、これは実際において医学的診断時のこのよう
な吠１遼の使用を台無しにする。
このような電流源を実施するための従来技術の１つの解
決法においては、電流パルスがサイリスクによって充電
さ」１．たコンデンサに負荷を結合することにより生成
される（ Ｊ、 Ｐｈｙｓ、 Ｅ、 ； Ｅ３ｃｉ■＋
ｂｓｔｒｕ、ｍ、の１９７８年版第１１巻、Ｊ、 Ｍ、
Ｓ。
決法においては、電流パルスがサイリスクによって充電
さ」１．たコンデンサに負荷を結合することにより生成
される（ Ｊ、 Ｐｈｙｓ、 Ｅ、 ； Ｅ３ｃｉ■＋
ｂｓｔｒｕ、ｍ、の１９７８年版第１１巻、Ｊ、 Ｍ、
Ｓ。
Ｈｕ、ｔｃｈ乙ｎ５Ｏｎ等）。電流パルスの形状は、回
路と接続さｉシる構成素子に基づいて決定される。この
角了決法における欠点は、所要の形状を得るためパＪｔ
ｚ スヲアナログ的に開側１することがてキス、パルス
の４■Ｊ整形のため回路の（１４成素子を変更しなげれ
ばならないことである。
路と接続さｉシる構成素子に基づいて決定される。この
角了決法における欠点は、所要の形状を得るためパＪｔ
ｚ スヲアナログ的に開側１することがてキス、パルス
の４■Ｊ整形のため回路の（１４成素子を変更しなげれ
ばならないことである。
更に、従来技術によねは、線形的に（身能才る％刃型半
導体によりｆｌｉ ６ｆｔ、パルスを形成１−ることは
周知である（例えは、ＣｒＡ、ｅｍ、、 Ｂｔｏｍｅｄ
、、 、 ＥｒＬｖｉｏｔＬ。
導体によりｆｌｉ ６ｆｔ、パルスを形成１−ることは
周知である（例えは、ＣｒＡ、ｅｍ、、 Ｂｔｏｍｅｄ
、、 、 ＥｒＬｖｉｏｔＬ。
’１．ｒｖｓｔｒａｍｅｒＬｔａｉｏｒＬ（７） １９
’ ７９年版９（１）、■−２７、Ｃ−ＭＬａｉ等）。
’ ７９年版９（１）、■−２７、Ｃ−ＭＬａｉ等）。
このような半導体は、供給重圧と接地レベル間の電流経
路における負荷と直列に接続される。バイポーラ型の電
流源においては、対応１−ろ電流制御用半導体が正と負
の両方の供給型土と接続さＪ′１ている。こσ）ような
半導体の制御は、しばしば電流のソイ−１ごバンクを用
いて行なわ」１１、負荷の電流は例えば分路抵抗により
′６＋１１定されろ。電流フィードバックによる制御回
路は、分路抵抗の電圧ができるだけ電流源の外部制御用
、と対応１−るように機能する。このＪ：うな従来０）
直列型σ扁１．“ｄ整電源における欠点は、誘導負荷を
用いる時電力１．・パルスの形成時間を充分ＶＣ知くす
ることか電力′（（でル）４）ことである。電流パルス
の短い形成時間は、電流の反転のため負荷に対して大き
な電圧の供給を必甥とする。これば、回路において用い
らｈ−ろ供給型１ｆ、′ｂ′−均一な電流を１其給する
際負荷グ）電圧１キトよりも実質的に大きくなげり、は
ならなし・ためでにンて）。このように、電流パルスの
ｌ！；Ｉ；ｑカ・つ緩やかブ、Ｃ変化部分においては、
電圧および重力降下の大半が電流側１１ｍ１用半導体（
でおいて生じろ。従って、？’ｔＶ流源の効率は低く、
電力供給のための素子の結合は非常に重負荷となるよう
な容重でなげればならない。更に、素子制御用半導体は
、非常に大きな電力オｄよび電圧容量のものであること
が要求さね、ろ。高い供給電圧を用℃・る時、素子制御
用半導体を制御する回路もまた広い′電圧範囲内で機能
しなければならず、このため充分に正確な制御は困難と
なる。これは、構造が複雑でありかつ特殊な（苛成素子
を設けた制御回路を使用することをしはしば必決とする
ためである。
路における負荷と直列に接続される。バイポーラ型の電
流源においては、対応１−ろ電流制御用半導体が正と負
の両方の供給型土と接続さＪ′１ている。こσ）ような
半導体の制御は、しばしば電流のソイ−１ごバンクを用
いて行なわ」１１、負荷の電流は例えば分路抵抗により
′６＋１１定されろ。電流フィードバックによる制御回
路は、分路抵抗の電圧ができるだけ電流源の外部制御用
、と対応１−るように機能する。このＪ：うな従来０）
直列型σ扁１．“ｄ整電源における欠点は、誘導負荷を
用いる時電力１．・パルスの形成時間を充分ＶＣ知くす
ることか電力′（（でル）４）ことである。電流パルス
の短い形成時間は、電流の反転のため負荷に対して大き
な電圧の供給を必甥とする。これば、回路において用い
らｈ−ろ供給型１ｆ、′ｂ′−均一な電流を１其給する
際負荷グ）電圧１キトよりも実質的に大きくなげり、は
ならなし・ためでにンて）。このように、電流パルスの
ｌ！；Ｉ；ｑカ・つ緩やかブ、Ｃ変化部分においては、
電圧および重力降下の大半が電流側１１ｍ１用半導体（
でおいて生じろ。従って、？’ｔＶ流源の効率は低く、
電力供給のための素子の結合は非常に重負荷となるよう
な容重でなげればならない。更に、素子制御用半導体は
、非常に大きな電力オｄよび電圧容量のものであること
が要求さね、ろ。高い供給電圧を用℃・る時、素子制御
用半導体を制御する回路もまた広い′電圧範囲内で機能
しなければならず、このため充分に正確な制御は困難と
なる。これは、構造が複雑でありかつ特殊な（苛成素子
を設けた制御回路を使用することをしはしば必決とする
ためである。
更に、当技術においては、電流源の実施に関わろドイツ
１国特許公開明細書第３，１ ］、 ２，２８ ｏ＠に
記載された解決法が公知である。この解決法は、その一
方が電圧において実質的に高い２つの正の接地レベルと
接続された供給■、圧を使用する。これらの供給電圧は
、あるし・ばまた半導体スイッチによりある負荷のり一
ミナルの一方と接続することもできる。負荷の他方のタ
ーミナルＣては、これを介して′電流が接地レベルにな
る電流制御用半導体が設けられろ。バイポーラ型動作の
場合には、対応するソリッド・ステート・スイッチおよ
び電流制御用半導体が負荷の両ターミナルに対して接続
さ」１．なければならない。このような解決法において
は、電流の反転のため負荷ｌＪ″−比較的高い供給電圧
と接続さＡ１．ろように電流パルスの短い形成時間が得
らり、Ｚ＞。電、流ノξルスの均等ブｊ一部においては
、効率の損失を低減１−ろため比較的低い供給電圧が用
いられろ。電流制御用半導体は外部の電流の制御を整合
するように負荷を調整１−るべく作用（−１このような
半導体の制御は軍１流のフイードバツクを１１４１．・
ろことにより達成されろθ）である。
１国特許公開明細書第３，１ ］、 ２，２８ ｏ＠に
記載された解決法が公知である。この解決法は、その一
方が電圧において実質的に高い２つの正の接地レベルと
接続された供給■、圧を使用する。これらの供給電圧は
、あるし・ばまた半導体スイッチによりある負荷のり一
ミナルの一方と接続することもできる。負荷の他方のタ
ーミナルＣては、これを介して′電流が接地レベルにな
る電流制御用半導体が設けられろ。バイポーラ型動作の
場合には、対応するソリッド・ステート・スイッチおよ
び電流制御用半導体が負荷の両ターミナルに対して接続
さ」１．なければならない。このような解決法において
は、電流の反転のため負荷ｌＪ″−比較的高い供給電圧
と接続さＡ１．ろように電流パルスの短い形成時間が得
らり、Ｚ＞。電、流ノξルスの均等ブｊ一部においては
、効率の損失を低減１−ろため比較的低い供給電圧が用
いられろ。電流制御用半導体は外部の電流の制御を整合
するように負荷を調整１−るべく作用（−１このような
半導体の制御は軍１流のフイードバツクを１１４１．・
ろことにより達成されろθ）である。
一方、この従来技術の）竹状法は下記の欠点を含んでい
ろ。工′ｊ荷の一方のターミナルがソリッド゛・ステー
ト・コネクタにより比較的高い供給′亀Ｌ」−に対して
Ｊ〆続さ、ｌＩる時、この電圧もまた負荷の同じターミ
ナルに：ｔ６けろ電流制イ１１４１ｉ用半導体と接たＭ
Ｊ４−ろ。
ろ。工′ｊ荷の一方のターミナルがソリッド゛・ステー
ト・コネクタにより比較的高い供給′亀Ｌ」−に対して
Ｊ〆続さ、ｌＩる時、この電圧もまた負荷の同じターミ
ナルに：ｔ６けろ電流制イ１１４１ｉ用半導体と接たＭ
Ｊ４−ろ。
このようｗ、この半導体は電圧安定性即ち１１Ｉ１１久
度か大きいことを要求される。高電圧の仕様をイ１する
１１）１廁１１用半導体は通常電圧の１１゛口］久度に
劣り、このため多数の半導体を分路することが８決とな
る。
度か大きいことを要求される。高電圧の仕様をイ１する
１１）１廁１１用半導体は通常電圧の１１゛口］久度に
劣り、このため多数の半導体を分路することが８決とな
る。
また問題は、これらの電流制御用半導体を制御する回路
を高電圧から隔離することである。℃・くつかの用途に
おいて、制御回路は光学的な絶縁装置により外部制御信
号から遮断される。また電流フィー１〜゛バツクの測定
用回路は負荷から絶縁されたけねば／Ｃらない。このよ
うな絶縁の故に、電流パルスに対１−る充分な精度を達
成することは非常に難しく、複雑な制御回路が必要とな
る。バイ；＋” −ラ型電流源の場合には、反対の電流
をＡ整する電流制御用半導体が負荷の異なるターミナル
と接続され、従ってその制御は２つの個々の制御回路を
用いて行なわなければならない。これらの制御回路の提
供は、電流を反転させる際圧ソリッド゛・ステート・コ
ネクタおよび電流制御用半導体の双方によりＦＩＬ流経
路の反転を行なう必要があるという事実によって更に複
雑化する。電流パルスを充分に正確にするためには、ソ
リッド・ステート・コネクタの状態の変化および電流制
御用半導体の調整が充分に迅速π行なわれなければなら
ない。しかし、各回路は、瞬間的てさえ負荷の同じター
ミナルと接続されたソリッドゝ・ステー１・・コネクタ
および′電流制御用半導体を電流が流れるよう冗機能し
なければならない。このような電流は半導体πおいて大
きな電力損失を生じることてなり、更に市原のフィー■
・９バツクによって拡大さハろ。このＪ：うに、大容彊
の電力１制久度を有する電カッ１す半導体でさえ破壊す
るおそれがある。このため、その解決法として、制御回
路が特に厳しい歌作の対象とされろ。史に別の問題は、
ソリッドゝ・ステート・コネクタσ）状態の変動から生
じる切換え動作の擾乱ｆより惹起される。電流の反転の
際、′Ｉ４ｉ：流が電流１ｔｉｌｌ債団ｌ半導体に流れ
なけハ、ばならないが、これは月荷とアース電位間のイ
ンピーダンスが一時的に高くなるためである。このよう
に、供給車ＥＫス・１″・（イ）工〕荷σ）結合が負イ
ｊ４ｉにおし）−ろ擾乱電７ノ１しを牛しるが、この電
流は負荷とその周１ｔ＋」条件とσ）間の漂遊結合ｖｃ
、ｔ：つて決定さ１％ろ。例えは、核ス（イイ映暉化装
置の勾配コイルにおいては、こσ）ような擾乱がたまた
ま電流パルスの時間的間隔を変化させてそのため映像化
過程の混乱を招く。
を高電圧から隔離することである。℃・くつかの用途に
おいて、制御回路は光学的な絶縁装置により外部制御信
号から遮断される。また電流フィー１〜゛バツクの測定
用回路は負荷から絶縁されたけねば／Ｃらない。このよ
うな絶縁の故に、電流パルスに対１−る充分な精度を達
成することは非常に難しく、複雑な制御回路が必要とな
る。バイ；＋” −ラ型電流源の場合には、反対の電流
をＡ整する電流制御用半導体が負荷の異なるターミナル
と接続され、従ってその制御は２つの個々の制御回路を
用いて行なわなければならない。これらの制御回路の提
供は、電流を反転させる際圧ソリッド゛・ステート・コ
ネクタおよび電流制御用半導体の双方によりＦＩＬ流経
路の反転を行なう必要があるという事実によって更に複
雑化する。電流パルスを充分に正確にするためには、ソ
リッド・ステート・コネクタの状態の変化および電流制
御用半導体の調整が充分に迅速π行なわれなければなら
ない。しかし、各回路は、瞬間的てさえ負荷の同じター
ミナルと接続されたソリッドゝ・ステー１・・コネクタ
および′電流制御用半導体を電流が流れるよう冗機能し
なければならない。このような電流は半導体πおいて大
きな電力損失を生じることてなり、更に市原のフィー■
・９バツクによって拡大さハろ。このＪ：うに、大容彊
の電力１制久度を有する電カッ１す半導体でさえ破壊す
るおそれがある。このため、その解決法として、制御回
路が特に厳しい歌作の対象とされろ。史に別の問題は、
ソリッドゝ・ステート・コネクタσ）状態の変動から生
じる切換え動作の擾乱ｆより惹起される。電流の反転の
際、′Ｉ４ｉ：流が電流１ｔｉｌｌ債団ｌ半導体に流れ
なけハ、ばならないが、これは月荷とアース電位間のイ
ンピーダンスが一時的に高くなるためである。このよう
に、供給車ＥＫス・１″・（イ）工〕荷σ）結合が負イ
ｊ４ｉにおし）−ろ擾乱電７ノ１しを牛しるが、この電
流は負荷とその周１ｔ＋」条件とσ）間の漂遊結合ｖｃ
、ｔ：つて決定さ１％ろ。例えは、核ス（イイ映暉化装
置の勾配コイルにおいては、こσ）ような擾乱がたまた
ま電流パルスの時間的間隔を変化させてそのため映像化
過程の混乱を招く。
本発明の目的は、従来技術の解決法において見出された
欠点が排除された新しい簡単な構造の制御される電流源
の提供にある。その特性については、本装置次は核スピ
ン映像化装置の勾醍電流源としての（史用に特に＋１（
するものであり、対応する従来技術の解決法よりも実質
的に経済的である。
欠点が排除された新しい簡単な構造の制御される電流源
の提供にある。その特性については、本装置次は核スピ
ン映像化装置の勾醍電流源としての（史用に特に＋１（
するものであり、対応する従来技術の解決法よりも実質
的に経済的である。
本発明による制御さＡｔた電流源は、電流源と誘導負荷
に分路結合さり、た回路が、前記誘導負荷において蓄積
さ、ｈたエネルギの変換速度を増加させろ制御さ」ｔた
エイ・ルギ蓄積装置が設けらハ、ろことを！ｌ′ｆ徴と
１−ろ。この装置は、前記誘導負荷に流れる電流がその
絶対値を急速に増加する時短い電圧パルスを前記誘導負
荷に供給１−るためのコンテ５ンザ装置とスイッチ装置
が設けらハフろこと、また電流か一定の状態を糺持しあ
るいは徐々にイタ性を反転ずろ時、前記スイッチ装置翁
は１）１１記コン７゛ンサ装置を通る電流経路を指向１
″ろようになっていることが望ましい。
に分路結合さり、た回路が、前記誘導負荷において蓄積
さ、ｈたエネルギの変換速度を増加させろ制御さ」ｔた
エイ・ルギ蓄積装置が設けらハ、ろことを！ｌ′ｆ徴と
１−ろ。この装置は、前記誘導負荷に流れる電流がその
絶対値を急速に増加する時短い電圧パルスを前記誘導負
荷に供給１−るためのコンテ５ンザ装置とスイッチ装置
が設けらハフろこと、また電流か一定の状態を糺持しあ
るいは徐々にイタ性を反転ずろ時、前記スイッチ装置翁
は１）１１記コン７゛ンサ装置を通る電流経路を指向１
″ろようになっていることが望ましい。
負荷に対して送られるべき別の電Ｅパルスてより、電流
の反転のためｊＡイＪの電極間電圧を置くすることがで
きる。高い電圧のため、誘導エネルギが負荷に対して急
速に移動して、電流パルスに対する非常に短い形成時間
を達成する。別の電圧パルスを１１］いて急速な電流形
成期間に必要な高い電圧を生じろため、線形′電流制御
回路の作動電圧は負荷の抵抗電圧幅に基づいてのみ測定
才ろことができろ。このように、線形電流制御回路にお
いては、低い人力電力を与えろことができ、電流制用１
用半へ１７体の電圧および電力低下は非常に／ｊ・さく
なる。また、エネルギ保持製置市において生じろ電力低
下は小さいが、これはその導通状態におけるインピーダ
ンスか小さいノリノド゛・ステー１・・コネクタにより
別のト（主用・ミ゛ルスが回路に接続さハろためて、（
〕）ろ１．す！に、？ｂ、流が急速に史に低い絶対値に
なる時、エネルギはエネルギ蓄びＩ装置のコンデンサへ
戻すことかでき、電力／１￥１昔が史に減少−Ａ−ろ。
の反転のためｊＡイＪの電極間電圧を置くすることがで
きる。高い電圧のため、誘導エネルギが負荷に対して急
速に移動して、電流パルスに対する非常に短い形成時間
を達成する。別の電圧パルスを１１］いて急速な電流形
成期間に必要な高い電圧を生じろため、線形′電流制御
回路の作動電圧は負荷の抵抗電圧幅に基づいてのみ測定
才ろことができろ。このように、線形電流制御回路にお
いては、低い人力電力を与えろことができ、電流制用１
用半へ１７体の電圧および電力低下は非常に／ｊ・さく
なる。また、エネルギ保持製置市において生じろ電力低
下は小さいが、これはその導通状態におけるインピーダ
ンスか小さいノリノド゛・ステー１・・コネクタにより
別のト（主用・ミ゛ルスが回路に接続さハろためて、（
〕）ろ１．す！に、？ｂ、流が急速に史に低い絶対値に
なる時、エネルギはエネルギ蓄びＩ装置のコンデンサへ
戻すことかでき、電力／１￥１昔が史に減少−Ａ−ろ。
線形電流制御回路および前記エネルギ蓄積装置において
４１しろ重力損失が小さけれはいくつかの利点がイ：４
らＡしろ。即ち、装置σ）′、Ｌ力入力回路の；ｂ、力
を小さく設、−１ｌ−１−ろことかでき、装置６の′重
力消費か小さくなり、′１１：ｌ、流制御用中流制御大
きな′屯力耐久度を持つ必゛沙がな（、作動状態の構成
素子の光分な冷却が容易に得られるのである・ エネルギ蓄積装置は誘導負荷と分路接続されてオ６つ、
そのため別の電圧パルスの高゛電圧が線形動作１−る電
流制御相半６体またはその制御回路に対して接続するこ
とがない。従って、使用される電流’ｉｉ制御用半に・
１体はその電流１ｉｉｉ久度が一般に劣る高電圧用とし
て設計された半導体である必要はない。
４１しろ重力損失が小さけれはいくつかの利点がイ：４
らＡしろ。即ち、装置σ）′、Ｌ力入力回路の；ｂ、力
を小さく設、−１ｌ−１−ろことかでき、装置６の′重
力消費か小さくなり、′１１：ｌ、流制御用中流制御大
きな′屯力耐久度を持つ必゛沙がな（、作動状態の構成
素子の光分な冷却が容易に得られるのである・ エネルギ蓄積装置は誘導負荷と分路接続されてオ６つ、
そのため別の電圧パルスの高゛電圧が線形動作１−る電
流制御相半６体またはその制御回路に対して接続するこ
とがない。従って、使用される電流’ｉｉ制御用半に・
１体はその電流１ｉｉｉ久度が一般に劣る高電圧用とし
て設計された半導体である必要はない。
従って、少数の作動要素により充分な電流値て達しイ：
′ｆる、負荷に対して口（給されるべき高電圧は電Ｕ；
１〕〈−１・ゝバックσ）電流Ｃ則定回路に対しても接
続しないため、線形電流側（１１が全く低電圧で絶縁を
施すことなく行なうことができろ。この制菌で、電流源
は非常て簡単な制御回路な用いる場合でさえ制御性の高
い電流パルスを得ろよう役立つ。また、フリツトゞ・ス
テートユコイ・フタの状態の変化が？Ｕ流パルスσ）一
定部分および緩やかな反転↑１１Ｓ分において生じない
ため、装置の擾乱レベルを低くすることかできろ。電流
が急速に反転する時は、別の電圧パルスの結合は負荷と
アース・レーくル間のインピーダンスが連続的に小さく
なるように行なわれろ。これは、負荷における前記コネ
クタまたけスイッチの状態の変動により生じろ偶発的な
擾乱電流がその時全く小さなためである。
′ｆる、負荷に対して口（給されるべき高電圧は電Ｕ；
１〕〈−１・ゝバックσ）電流Ｃ則定回路に対しても接
続しないため、線形電流側（１１が全く低電圧で絶縁を
施すことなく行なうことができろ。この制菌で、電流源
は非常て簡単な制御回路な用いる場合でさえ制御性の高
い電流パルスを得ろよう役立つ。また、フリツトゞ・ス
テートユコイ・フタの状態の変化が？Ｕ流パルスσ）一
定部分および緩やかな反転↑１１Ｓ分において生じない
ため、装置の擾乱レベルを低くすることかできろ。電流
が急速に反転する時は、別の電圧パルスの結合は負荷と
アース・レーくル間のインピーダンスが連続的に小さく
なるように行なわれろ。これは、負荷における前記コネ
クタまたけスイッチの状態の変動により生じろ偶発的な
擾乱電流がその時全く小さなためである。
エネルギ蓄積装置の一部であるスイッチは、誘導負荷て
流れる電流を検出する装置を使用１−ろことにより制御
される。このような装置即ち機器は、回路とｊχ続され
た分路抵抗または前記の誘導負荷によりｔｊえらねる磁
界の検出のためのセンサを含むことができる。このよう
な解決法により、負イＷ丁に流れイ）電流の設定時間は
最適状態にり１ノ縮することができ、また電流の時間積
分は急速な電流の反転においても正確となる。電流の設
定時間および電流Ｇ・！ｔＭ１゛ｊｌ 、積分の精度は
、核スピン映像化装置の勾配コイル６ておいてｑ！ｆに
重要である。
流れる電流を検出する装置を使用１−ろことにより制御
される。このような装置即ち機器は、回路とｊχ続され
た分路抵抗または前記の誘導負荷によりｔｊえらねる磁
界の検出のためのセンサを含むことができる。このよう
な解決法により、負イＷ丁に流れイ）電流の設定時間は
最適状態にり１ノ縮することができ、また電流の時間積
分は急速な電流の反転においても正確となる。電流の設
定時間および電流Ｇ・！ｔＭ１゛ｊｌ 、積分の精度は
、核スピン映像化装置の勾配コイル６ておいてｑ！ｆに
重要である。
本発明θ）’１ｔ１３；蒲、源により得ら１］、る別の
利点は、エネルギ蓄積装置が従来の電流源と接続さハ、
ろべき別θ）アクセサリを含み得ろことである。
利点は、エネルギ蓄積装置が従来の電流源と接続さハ、
ろべき別θ）アクセサリを含み得ろことである。
次に、本冗明ｒついて史に詳細に図面（Ｃ関して記述才
ろことにする。
ろことにする。
図面において、装置は低′電圧の′電源１ならびに誘導
負荷；３、例えば核スピン映像化装置の勾配コ・１ルが
設けられている。これらと直列（Ｃ接続さＪｌているの
はエネルギ蓄積装置２である。本実施例においては、低
電圧の電源には供給電圧ＶＤＣと接続された電流制御用
半導体８が設けられている。
負荷；３、例えば核スピン映像化装置の勾配コ・１ルが
設けられている。これらと直列（Ｃ接続さＪｌているの
はエネルギ蓄積装置２である。本実施例においては、低
電圧の電源には供給電圧ＶＤＣと接続された電流制御用
半導体８が設けられている。
電流制御＋１１半導体８し１、外部の制御電圧５に加え
て、電流フィードバックを提供する分路抵抗６と接続さ
れた差動増巾器４によって制御されろ。エネルギ蓄積装
置６２ば、図面に示される実施例にオ・５いては、高′
眠圧に充電可能なコンデンサＣ１・Ｃ３、ノエらびにソ
リッド９・ステート・スイッチＦ１・Ｆｌ。
て、電流フィードバックを提供する分路抵抗６と接続さ
れた差動増巾器４によって制御されろ。エネルギ蓄積装
置６２ば、図面に示される実施例にオ・５いては、高′
眠圧に充電可能なコンデンサＣ１・Ｃ３、ノエらびにソ
リッド９・ステート・スイッチＦ１・Ｆｌ。
からなっている。ソリッド・スヅーート・スイッチは、
２状態コンパレ一タ回路７および９ＶＣより制御される
。この制御は誘導負荷３に（Ｑｉする電流を検出する装
置を使用することｆより得られろか、本実施例における
前記装置は分路抵抗６からなる。
２状態コンパレ一タ回路７および９ＶＣより制御される
。この制御は誘導負荷３に（Ｑｉする電流を検出する装
置を使用することｆより得られろか、本実施例における
前記装置は分路抵抗６からなる。
本発明の装置の一部としての低電圧の電流源の目的は、
電流が急速に反転１−ろ必要のない時常て誘導負荷ＶＣ
７Ｊ して′電流を供給′１−ろこ乙である・このよう
に、前記の低電圧の゛電源はいくつかの方法で実施する
ことかできろ。図面に示される実施例は、作動電圧が低
（・従来の′電流でフィート９バツクさ、１１ろ直列の
調整用電源を使用する。以下のｔ己述は、エネルギ蓄積
装置なしに誘導員（Ｗｒど接続される如きｎ列の調整用
電源の作用について述べろ。
電流が急速に反転１−ろ必要のない時常て誘導負荷ＶＣ
７Ｊ して′電流を供給′１−ろこ乙である・このよう
に、前記の低電圧の゛電源はいくつかの方法で実施する
ことかできろ。図面に示される実施例は、作動電圧が低
（・従来の′電流でフィート９バツクさ、１１ろ直列の
調整用電源を使用する。以下のｔ己述は、エネルギ蓄積
装置なしに誘導員（Ｗｒど接続される如きｎ列の調整用
電源の作用について述べろ。
前述の如く、こσ）ことは従来技術において公知であイ
）。その後に、このような低電圧の電源が設げら、＋す
る時本発明の装置の作用についての６市ホが続く。
）。その後に、このような低電圧の電源が設げら、＋す
る時本発明の装置の作用についての６市ホが続く。
第１図σ）低′１は圧の′屯ｒｐ、１においては、前記
の電流制御用半導体８が電、刃型のＭＯＳＦＥＴ ＋・
ランジスタてよ）ろ。バイポーラ型機能の場合には、回
路には正と負の両供給電圧ＶＤＣと接続さ第１た関連機
能するトランジスタ８か設けら］１ている。これら供給
電圧は、負荷３に対して供給さＪするべき電１旧の大き
さに対する限度を設定才ろ。またこれに基づいて決定さ
れるのは負荷３に送られるべき電流の最大値であるが、
これは負荷に流れる電流が負１１１丁の抵抗電圧降下に
正比例するためてあろう負荷３のインピーダンスは、負
荷に流れる′電流の反転速度を制限するための更に別の
誘導型素子を有する。この反転速度δｉ （ｔ）／ ａ
ｔは、負荷のインダクタンスＬおよび誘導電圧ｕ、（
ｔ）に基づいて下記の如く決定されろ、１即ち、 θパ＋ｌ）／ ａｔ、 ＝ ｕ、（ｔ）このように、供
給ｇＩｆＶＤｃはまた負荷３に流れろ電流の反転速度に
対−４−る制限をも設定１−る。
の電流制御用半導体８が電、刃型のＭＯＳＦＥＴ ＋・
ランジスタてよ）ろ。バイポーラ型機能の場合には、回
路には正と負の両供給電圧ＶＤＣと接続さ第１た関連機
能するトランジスタ８か設けら］１ている。これら供給
電圧は、負荷３に対して供給さＪするべき電１旧の大き
さに対する限度を設定才ろ。またこれに基づいて決定さ
れるのは負荷３に送られるべき電流の最大値であるが、
これは負荷に流れる電流が負１１１丁の抵抗電圧降下に
正比例するためてあろう負荷３のインピーダンスは、負
荷に流れる′電流の反転速度を制限するための更に別の
誘導型素子を有する。この反転速度δｉ （ｔ）／ ａ
ｔは、負荷のインダクタンスＬおよび誘導電圧ｕ、（
ｔ）に基づいて下記の如く決定されろ、１即ち、 θパ＋ｌ）／ ａｔ、 ＝ ｕ、（ｔ）このように、供
給ｇＩｆＶＤｃはまた負荷３に流れろ電流の反転速度に
対−４−る制限をも設定１−る。
負荷３に流れる電流が急速に反転才ろ必安がない時、前
記差動増１４〕器４は、分路抵抗６の電圧が外部の制御
型Ｅ５と略々等しくなるように電流制御用半導体８を制
御する。誘導負荷３に流れる電流が分路抵抗６の電圧ど
正比例１−ろため、前記電流は１１１１記の最大電流ま
で直線的＆Ｕ外部の制＜、＋１・ｂ５圧５により制御す
ることができる。しかし、もし外部の制御型）」二５が
急速に変化するならば、誘導負荷３ｖｃ対−４−る制御
状態整合電流は負荷に対−４−る高電圧の供給を必安ど
することになる。もし低電１■のＭ ’ＯＮの出力電圧
がこのため充分でなげれば、この′電圧は制御整合電流
に達するまでその最大値に設定１−ろ。もし外部の′ｌ
ｔｉ制御覗圧５のこのような急速な変化が減衰１−る絶
対値に接近するならば、誘導り荷しコおいて変化するエ
ネルギの一部は供給電圧ＶＤＧ Ｋ移動することになる
。この移動は、低電圧の′ｉｌｊ、源１あ出力電圧がそ
のＪ獲犬値にある時電力型１．？ｌ０ＳＬｉ’ＥＴトラ
ンジスタ８の内部構造における反転並列型ダイオードを
経由して生じろ。
記差動増１４〕器４は、分路抵抗６の電圧が外部の制御
型Ｅ５と略々等しくなるように電流制御用半導体８を制
御する。誘導負荷３に流れる電流が分路抵抗６の電圧ど
正比例１−ろため、前記電流は１１１１記の最大電流ま
で直線的＆Ｕ外部の制＜、＋１・ｂ５圧５により制御す
ることができる。しかし、もし外部の制御型）」二５が
急速に変化するならば、誘導負荷３ｖｃ対−４−る制御
状態整合電流は負荷に対−４−る高電圧の供給を必安ど
することになる。もし低電１■のＭ ’ＯＮの出力電圧
がこのため充分でなげれば、この′電圧は制御整合電流
に達するまでその最大値に設定１−ろ。もし外部の′ｌ
ｔｉ制御覗圧５のこのような急速な変化が減衰１−る絶
対値に接近するならば、誘導り荷しコおいて変化するエ
ネルギの一部は供給電圧ＶＤＧ Ｋ移動することになる
。この移動は、低電圧の′ｉｌｊ、源１あ出力電圧がそ
のＪ獲犬値にある時電力型１．？ｌ０ＳＬｉ’ＥＴトラ
ンジスタ８の内部構造における反転並列型ダイオードを
経由して生じろ。
本発明の装置は、第Ｊ図σ）実施例においては、ンリノ
１−゛・ステート・スインｆＦ１・・ｐ”４、および高
′１１ΣＩＪに充電才ろことができろコンデンサＣ１お
よびＣ２を便ＩＩ’４することにより構成されるエネル
ギ蓄積装置ｉ’、ｆ２を含む。しかし、ソリッド・ステ
ー１・・スイッチもまた２状態コンパレ一タ回路７によ
り制御さ」１ろ′屯刃型ＭＯ８ＦＥＴ トランジスタで
ある、このように、順方向の電流の場合は、ソリッド・
ステート・スイッチレま制御可能フェスイッチと１〜で
作１［Ｊ ｌ、、逆方向の電流の場合は、電圧が［Ｊ１
１記スイッチの内部構造の一部であるダイオードの障壁
電圧を越える時常にこれらスイッチは常に導通状、態と
なる。コンパレータ回路７は低電圧の′電源１の出力電
圧からその制御を受取る。外部の制御、’ｌｌ亀圧５の
変動が小さい時、低電圧の電源Ｊの出力′屯圧はコノ・
ぐレータ回路７ｈ′−その状態を反転する基準（１℃厘
には達しない。コンパレータ回路７の状態はこの時、誘
導負荷３を流／＋１．ろ電流がコンデンサＣＩ＋Ｃ２を
）ζイ・ξストろ如きものて；ｉｉ）ろ。このよ５［、
スイッチＦ２およびＦ４は導通状態とブ３ｃす、スイッ
チＦ１およびＦ３は非導通状態となる。このように、’
；Ｆｉ、 １）ｉｉ） ハルスの一定の部分および除々
に変化−４−ろ部分においては、前記エネルギ蓄積装置
２は電流粁路における低いインピーダンスと対応して、
本装置は単に低電圧の電源と同じ、ように作用才ろ。
１−゛・ステート・スインｆＦ１・・ｐ”４、および高
′１１ΣＩＪに充電才ろことができろコンデンサＣ１お
よびＣ２を便ＩＩ’４することにより構成されるエネル
ギ蓄積装置ｉ’、ｆ２を含む。しかし、ソリッド・ステ
ー１・・スイッチもまた２状態コンパレ一タ回路７によ
り制御さ」１ろ′屯刃型ＭＯ８ＦＥＴ トランジスタで
ある、このように、順方向の電流の場合は、ソリッド・
ステート・スイッチレま制御可能フェスイッチと１〜で
作１［Ｊ ｌ、、逆方向の電流の場合は、電圧が［Ｊ１
１記スイッチの内部構造の一部であるダイオードの障壁
電圧を越える時常にこれらスイッチは常に導通状、態と
なる。コンパレータ回路７は低電圧の′電源１の出力電
圧からその制御を受取る。外部の制御、’ｌｌ亀圧５の
変動が小さい時、低電圧の電源Ｊの出力′屯圧はコノ・
ぐレータ回路７ｈ′−その状態を反転する基準（１℃厘
には達しない。コンパレータ回路７の状態はこの時、誘
導負荷３を流／＋１．ろ電流がコンデンサＣＩ＋Ｃ２を
）ζイ・ξストろ如きものて；ｉｉ）ろ。このよ５［、
スイッチＦ２およびＦ４は導通状態とブ３ｃす、スイッ
チＦ１およびＦ３は非導通状態となる。このように、’
；Ｆｉ、 １）ｉｉ） ハルスの一定の部分および除々
に変化−４−ろ部分においては、前記エネルギ蓄積装置
２は電流粁路における低いインピーダンスと対応して、
本装置は単に低電圧の電源と同じ、ように作用才ろ。
夕１部の制御１ ”：Ｊｉｉ Ｉ’ＪＥが正σ）方向に
急速に増加する時、低′屯王の電源の出力電圧はその最
大価に達″１−ろ。
急速に増加する時、低′屯王の電源の出力電圧はその最
大価に達″１−ろ。
ソリッド・ステート・スイッチＦ１およびＦ２を制御す
るコンパレータ回路の基準印、上ｕ４− ｙはこの最大
値よりも（ｒｌｉかに低く、そのためスイッチＦ１ お
よびＦ２はその状態を反転させろ。このように、負荷３
０電流はコンデンサＣ１を通り、コンデンサＣＩの７Ｅ
圧は低電圧電源１の出力電圧に加算さＪする。
るコンパレータ回路の基準印、上ｕ４− ｙはこの最大
値よりも（ｒｌｉかに低く、そのためスイッチＦ１ お
よびＦ２はその状態を反転させろ。このように、負荷３
０電流はコンデンサＣ１を通り、コンデンサＣＩの７Ｅ
圧は低電圧電源１の出力電圧に加算さＪする。
負荷の電極間の高電圧の故に、負荷電流は外部の制御１
直と対応する値まで急速に増加する。この電流値に達し
た後、低電圧の電源］の出力電圧は電流フィードバック
の結果基亭市圧ＩＬＨ−Ｖより低くなる。従って、スイ
ッチＦ１およびＦ２はその状態を反転さ・ゼ、電流は円
びコンデンサをバイパスし７始める。位働の制１１１１
１ ｔｉｆｆ、 ＥＥ ５が負の方向に急速に増加する
時、低電圧電ａ、１の出力電圧はコンパレータ回路７の
基準電圧がスインｆＦ、およびＰ“２を制御才イ）と同
じ、ように超過する。このため、スイッチＦ′−！Ｊｏ
よびＦ４はその状態を反転し、外部制御１ｔＦｆ：。
直と対応する値まで急速に増加する。この電流値に達し
た後、低電圧の電源］の出力電圧は電流フィードバック
の結果基亭市圧ＩＬＨ−Ｖより低くなる。従って、スイ
ッチＦ１およびＦ２はその状態を反転さ・ゼ、電流は円
びコンデンサをバイパスし７始める。位働の制１１１１
１ ｔｉｆｆ、 ＥＥ ５が負の方向に急速に増加する
時、低電圧電ａ、１の出力電圧はコンパレータ回路７の
基準電圧がスインｆＦ、およびＰ“２を制御才イ）と同
じ、ように超過する。このため、スイッチＦ′−！Ｊｏ
よびＦ４はその状態を反転し、外部制御１ｔＦｆ：。
５とズ・Ｉ応−４ろ電流の値に達するまで、負荷電流は
コンテンツ−Ｃ２を通過才ろことになる。
コンテンツ−Ｃ２を通過才ろことになる。
外部制御印電圧が減衰１−る絶対値に向けて急速に変化
する時、前記スイッチ制仰用コンパレータ回路７【、Ｙ
、制御重圧が史に高し・絶対値に向けて急速に変化−Ｊ
−ろ時のように作用する。しかし、丁１荷に流ｊ’Ｌ
７） ′１’ｌｉ’、流の減衰する絶対値により、エネ
ルギσ）？ｌＷＢ カ前記麹、イ：４ｉのインダクタン
スからコンパレーターにズ１して転送されろため、コン
デンサＣ１およびＣ２、ならびにソリッド・ステー１・
・スイッチＦ１および［４に流れる電流は反転されろ。
する時、前記スイッチ制仰用コンパレータ回路７【、Ｙ
、制御重圧が史に高し・絶対値に向けて急速に変化−Ｊ
−ろ時のように作用する。しかし、丁１荷に流ｊ’Ｌ
７） ′１’ｌｉ’、流の減衰する絶対値により、エネ
ルギσ）？ｌＷＢ カ前記麹、イ：４ｉのインダクタン
スからコンパレーターにズ１して転送されろため、コン
デンサＣ１およびＣ２、ならびにソリッド・ステー１・
・スイッチＦ１および［４に流れる電流は反転されろ。
ソリッド゛・ステー１・・スイッチＦ１およびＦ４にお
いては、電流はこの時その内部構造により提供さハ、る
０Ｌ列のダイオードを流れることになる。
いては、電流はこの時その内部構造により提供さハ、る
０Ｌ列のダイオードを流れることになる。
もしユニポーラ型′亀流源が低電圧の′電流源として１
１］いられるならば、負荷を流れろ電流は負の方１ｉｉ
ｌ ｊでは急速に増加する心安はない。このように、エ
ネルギ蓄積装置に用いられるコンデンサの一方はエネル
ギを負荷に供給１−る必要はない。従って、この場合、
これはツェナー・グイオート゛て置換才ろことができ、
このダイオ−１−゛は電流が急速に減少する時、誘導負
荷に蓄積されたエネルギの一部を熱に変換する。ツェナ
ー電圧を高くなるように選択才ろと、電流の減衰時間を
り、θくすることができる。
１］いられるならば、負荷を流れろ電流は負の方１ｉｉ
ｌ ｊでは急速に増加する心安はない。このように、エ
ネルギ蓄積装置に用いられるコンデンサの一方はエネル
ギを負荷に供給１−る必要はない。従って、この場合、
これはツェナー・グイオート゛て置換才ろことができ、
このダイオ−１−゛は電流が急速に減少する時、誘導負
荷に蓄積されたエネルギの一部を熱に変換する。ツェナ
ー電圧を高くなるように選択才ろと、電流の減衰時間を
り、θくすることができる。
第２図はエネルギ蓄積装置２の別の実施態様を示し、そ
の作用は第１図に示された実施例のそれとアナログ的に
対応する。唯一の相違は、この場合には１個のコンテ；
ンザＣ３シか使用されず、このコンデンサは電流の反転
方向に従って反転可能に電流経路に接続さねろ点である
。
の作用は第１図に示された実施例のそれとアナログ的に
対応する。唯一の相違は、この場合には１個のコンテ；
ンザＣ３シか使用されず、このコンデンサは電流の反転
方向に従って反転可能に電流経路に接続さねろ点である
。
本発明は決して上記の実施態様に限定されるものではな
く、頭書の特許請求の範囲内で複薮の変更例が滝想ｉｊ
Ｊ罷である。
く、頭書の特許請求の範囲内で複薮の変更例が滝想ｉｊ
Ｊ罷である。
第１図は本発明の電姫源の一実施例を示す回路図、およ
び第２図はエネルギ蓄積装置の別の実施例を示す接続図
である。 １ 低電ｊ七の電源、２・エネルギ蓄積装置、３・誘導
Ｊｉｒイ：：工、４ 差動増［１〕器、５ 外部θ）制
御１？既圧、ｆｉ・・分路抵抗、７ ・２状態コχパレ
一タ回路。 ８・電流１１】ｌ印１ｊ用半導体、９ ・２状態コンパ
Ｉ／−タ回路、。 一！１肺′］’ ！−１１１ｉ１’１人 インストルメ
ンタリウム・オザヶイーティエー代」１１１人 弁理士
湯 浅 恭 三 ［（外５名） しく面の浄ＩＪ’ （内容に変更なし）Ｆｉｇ ／ Ｆｉｇ２ 手続補正書（方式） 昭オロに７年 ８月２日 ’ｌ”Ｉｆ；’“″′１″′“志 賀 学３ ）色１１
ワ１ヂＩの表示 昭Ａ１」３ゴ年 Ｊｌ”；′ｆ願第 ２１に６フ 号ソ
：［； 流二／’ａ”ｌ□／１１ ５子＋Ｉｉ １ｆＥをする者 ａｊＳ、ｆ’ｌとの関係 出 願 人 住所 ｊ’ｙ ｇ：Ｉ−イン７１−Ｊシｌンクソク４ −ｑ′
＋）ｌｙグイ−ティニー代理 人 ５、１＋ｌｉ、ｄ：、命令の日イ・ｊ 昭和Ｓげ年 ７
月３ｔ 日（発送日）ＡＡ（１
び第２図はエネルギ蓄積装置の別の実施例を示す接続図
である。 １ 低電ｊ七の電源、２・エネルギ蓄積装置、３・誘導
Ｊｉｒイ：：工、４ 差動増［１〕器、５ 外部θ）制
御１？既圧、ｆｉ・・分路抵抗、７ ・２状態コχパレ
一タ回路。 ８・電流１１】ｌ印１ｊ用半導体、９ ・２状態コンパ
Ｉ／−タ回路、。 一！１肺′］’ ！−１１１ｉ１’１人 インストルメ
ンタリウム・オザヶイーティエー代」１１１人 弁理士
湯 浅 恭 三 ［（外５名） しく面の浄ＩＪ’ （内容に変更なし）Ｆｉｇ ／ Ｆｉｇ２ 手続補正書（方式） 昭オロに７年 ８月２日 ’ｌ”Ｉｆ；’“″′１″′“志 賀 学３ ）色１１
ワ１ヂＩの表示 昭Ａ１」３ゴ年 Ｊｌ”；′ｆ願第 ２１に６フ 号ソ
：［； 流二／’ａ”ｌ□／１１ ５子＋Ｉｉ １ｆＥをする者 ａｊＳ、ｆ’ｌとの関係 出 願 人 住所 ｊ’ｙ ｇ：Ｉ−イン７１−Ｊシｌンクソク４ −ｑ′
＋）ｌｙグイ−ティニー代理 人 ５、１＋ｌｉ、ｄ：、命令の日イ・ｊ 昭和Ｓげ年 ７
月３ｔ 日（発送日）ＡＡ（１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 誘導負荷を有ずろ制御された電流源、特に原子核の
スピンの映像化装置に適用可能な勾配コイルＶＣオいて
、誘導負荷て蓄積されたエネルギの変換速度を増加させ
るため電流源と誘導負荷に対して制御可能に直列に接続
されたエネルギ蓄積装置が回路に設けられ、前記エネル
ギ蓄積装置の制ｍ１ｊは誘導負荷冗おいて流れる電流を
検出する計器により行なわれることを特徴とする電σｉ
ｆ）源。 ２ 前記エネルギ蓄積装置δは、電γ）１しが比較的大
きな絶″ＴＪ呟に向けて急速に変化する時、スイッチ装
置Ｎがコンデンサ装置ｆにお（・て充電さり、たエネル
ギの一部を１ｉｉｌ記誘導負（ｉ’！Ｊ Ｋ移転し、か
つ前記亀０１シが一定の状態を維持するかあるいは徐々
に変化する時、スイッチ装置αか電流経路を前記コンデ
ンサ装置を辿るよう指向さぜろよう′に、制御卸される
コンデンサ装置ならびにスイッチ族１へかもなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電流源。 ３、前記コンデンサ装置が、前記コンデンサ装置が正の
方向に急速に大きくなる電流に対１−る第１のコンデン
サと、負の方向に急速に大きくなる電流に対する第２の
コンデンサとからなることを特徴とする１１．′Ｉ許請
求の範囲第２項記載の電流源。 ４ 自’ｌ［ｉＥ己コンデンザ装置か、電流の急速な反
転が要求さね、ろ時常に、電流が正または負のどちらの
方向に大きくなるかに従って反転ｒ＝Ｊ能なように電流
経路に接ｆｔ１ｅさＪするためのコンデンサを含むこと
を４．１４徴とする特許請求の範囲第２項記載の１月、
流（１！：ｊ。 ５、ｒｉｉｌ記＝ｌノデンザ装置およびスイッチ装置は
、電ｂ１しが比較的低い絶対値に向けて急速に変化１−
４）時、前記スイッチ装置が前記コンデンサ装置に刈し
てＡ％導負イ：・□■において変化するエネルギの一部
を転送するよう制御されろようになっていることを特徴
とする特許請求の範囲前記２乃至４項のいずれかに記載
の電流源。 ６ 前記エネルギ蓄積装置か、前記電流源の出力ｉ（：
ｊｌ：またはこれに比例１−る他の電圧に基づいて制御
されろことを特徴とする特許請求の範囲前記合方Ａのい
ずＪしかに記＋ｔｔ’ｌの電θ１赦原。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI831389 | 1983-04-22 | ||
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