JPS6045239A - 微細パタ−ンの製造法 - Google Patents
微細パタ−ンの製造法Info
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- JPS6045239A JPS6045239A JP58152959A JP15295983A JPS6045239A JP S6045239 A JPS6045239 A JP S6045239A JP 58152959 A JP58152959 A JP 58152959A JP 15295983 A JP15295983 A JP 15295983A JP S6045239 A JPS6045239 A JP S6045239A
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- azidobenzal
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- fine pattern
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- aqueous solution
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アルカリ性水溶液に対する現像性に優れ、陽
画を形成する感光性組成物を用いた微細パターンの製造
法に関し、さらに詳しくは紫外線に対する感度が高く、
高解像度で、かつ、各種ドライエツチングに対する耐性
が大きい、感光性組成物を用いた微細パターンの製造法
に関する。
画を形成する感光性組成物を用いた微細パターンの製造
法に関し、さらに詳しくは紫外線に対する感度が高く、
高解像度で、かつ、各種ドライエツチングに対する耐性
が大きい、感光性組成物を用いた微細パターンの製造法
に関する。
近年の半導体工業の急速な進歩に伴い、半導体素子のパ
ターン形成に際して用いられるレジスト材料に於いても
広範な機能及び特性向上がめられている。これらの要請
にこたえて９種々のタイプの感光性組成物が実用に供せ
られており、それらはそれぞれに特徴を有しているもの
の欠点も多い。
ターン形成に際して用いられるレジスト材料に於いても
広範な機能及び特性向上がめられている。これらの要請
にこたえて９種々のタイプの感光性組成物が実用に供せ
られており、それらはそれぞれに特徴を有しているもの
の欠点も多い。
従来から、半導体集積回路の技術分野において使用され
ている微細加工技術は、フォトレジストを用いた紫外線
リングラフィである。紫外線リングラフィは、半導体集
積回路を短時間に大量生産できるという点においては非
常に有効な手段である。
ている微細加工技術は、フォトレジストを用いた紫外線
リングラフィである。紫外線リングラフィは、半導体集
積回路を短時間に大量生産できるという点においては非
常に有効な手段である。
ところで、紫外線リソグラフィに用いられるレジ２ト材
料について見てみると、ネガ型フォトレジストの代表的
なものとしては、環化ゴムと芳香族アジド化合物との組
合せた組成物がある。環化ゴムはポリブタジェンやポリ
イソプレンを主体に分子量９分散度等を調整して用いら
れている。また、芳香族アジド化合物には、スロービス
（４′−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノ
ンヤ、 ２．６−ヒス（４′−アジドベンザル）シクロ
ヘキサノン等のアジドベンザルケトンなどが用いられて
きた。
料について見てみると、ネガ型フォトレジストの代表的
なものとしては、環化ゴムと芳香族アジド化合物との組
合せた組成物がある。環化ゴムはポリブタジェンやポリ
イソプレンを主体に分子量９分散度等を調整して用いら
れている。また、芳香族アジド化合物には、スロービス
（４′−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノ
ンヤ、 ２．６−ヒス（４′−アジドベンザル）シクロ
ヘキサノン等のアジドベンザルケトンなどが用いられて
きた。
これらの環化ゴムと芳香族アジド化合物との組合せたネ
ガ型フォトレジストは、紫外線硬化後の現像の際に、未
硬化部分を溶かす現［敷液が硬化したし）ストを膨殖さ
せるため、レジストのふくれやだ行の原因となったりす
る。このようなレジスト自身の現像液に対する膨潤性が
解像度を低下させる大きな要因と考えられている。そこ
で環化ゴムと芳香族アジド化合物を組合せた組成物にお
いては０．５μｍから０．２μｍ幅の微細なパターンを
高い精度で形成し得なくなってきているのが現状である
。
ガ型フォトレジストは、紫外線硬化後の現像の際に、未
硬化部分を溶かす現［敷液が硬化したし）ストを膨殖さ
せるため、レジストのふくれやだ行の原因となったりす
る。このようなレジスト自身の現像液に対する膨潤性が
解像度を低下させる大きな要因と考えられている。そこ
で環化ゴムと芳香族アジド化合物を組合せた組成物にお
いては０．５μｍから０．２μｍ幅の微細なパターンを
高い精度で形成し得なくなってきているのが現状である
。
一方、ポジ型フォトレジストについて見ると。
その代表的なものとしては、ノボノック樹脂とキノンジ
アジド系化合物とを組合せたフォトレジストがある。ノ
ボラック樹脂としてはフェノールノボラック樹脂及びク
レゾールノボラック樹脂が用いられている。
アジド系化合物とを組合せたフォトレジストがある。ノ
ボラック樹脂としてはフェノールノボラック樹脂及びク
レゾールノボラック樹脂が用いられている。
また、感光剤には０−ナフ）吉ノンジアジドをベースに
いくつか変性されたものが用いられている。
いくつか変性されたものが用いられている。
ポジ型フォトレジストは一般にｗｌ像度が良好であるが
、これは用いているベースレジンがノボラック樹脂の如
き有機物であるのに対し、現像液はアルカリ性水溶液で
あるため樹脂部は現像の際に膨潤せず紫外線照射部分の
みが溶解するためといわれている。
、これは用いているベースレジンがノボラック樹脂の如
き有機物であるのに対し、現像液はアルカリ性水溶液で
あるため樹脂部は現像の際に膨潤せず紫外線照射部分の
みが溶解するためといわれている。
さてレジスｌｆマスクとした基材のエツチングには、湿
式エツチング（ウェットエツチング）と乾式エツチング
（ドライエツチング）とが条る。
式エツチング（ウェットエツチング）と乾式エツチング
（ドライエツチング）とが条る。
これまでは、ウェットエツチングを用いているが。
サイドエツチングあるいはウェットエツチングの際にレ
ジストのはくりが発生し易いこと、さらには微細パター
ンの精度などを考慮すると、ウェットエツチングには、
限界があることがわかってきた。
ジストのはくりが発生し易いこと、さらには微細パター
ンの精度などを考慮すると、ウェットエツチングには、
限界があることがわかってきた。
これらの点を材料にあてはめてみると、環化ゴム系ネガ
型フォトレジストは、ドライエツチングに対する耐性は
良好であるが、前述のように解像度が低いために、微細
パターンの形成に使用することは困難である。
型フォトレジストは、ドライエツチングに対する耐性は
良好であるが、前述のように解像度が低いために、微細
パターンの形成に使用することは困難である。
また、フェノール樹脂系ポジ型フォトレジストは解像度
及びドライエツチングに対する耐性は良好であり、ポジ
型であることが特徴である。
及びドライエツチングに対する耐性は良好であり、ポジ
型であることが特徴である。
ところで、遠紫外線を使用し′た例が、すでに特開昭５
６−１６２７４４号に示されているが、これは。
６−１６２７４４号に示されているが、これは。
遠紫外線を用いるために、光源、使用露光機等において
、汎用性が小さいという欠点があり、またｆａ）ならび
にｌｂｌの混合はすでに特公昭４５−２２０８２号及び
特公昭５３−３４９０２号に見られ、（ａ）ならびに（
ｂｌの混合が感光性樹脂組成物として有用であることは
世に知られている。しかしながら、これらの特許は感光
性組成物のドライエツチング耐性の事実については見い
出されていなかった。
、汎用性が小さいという欠点があり、またｆａ）ならび
にｌｂｌの混合はすでに特公昭４５−２２０８２号及び
特公昭５３−３４９０２号に見られ、（ａ）ならびに（
ｂｌの混合が感光性樹脂組成物として有用であることは
世に知られている。しかしながら、これらの特許は感光
性組成物のドライエツチング耐性の事実については見い
出されていなかった。
本発明の目的とするところは、前記した従来のフォトレ
ジストの欠点を克服し、しかも、微細加工性に優れ、ネ
ガ型のレジストとして使用でき。
ジストの欠点を克服し、しかも、微細加工性に優れ、ネ
ガ型のレジストとして使用でき。
しかもドライエツチング耐性が良好な感光性組成物を角
いたパターンの製造法を提供するにある。
いたパターンの製造法を提供するにある。
本発明者らは。
Ｔａ） ホモ縮合ノボラック樹脂、共縮合ノボラック樹
脂、ポリヒドロキシスチレンホモ重合体及びポリヒドロ
キシスチレン共重合体のうちから選ばれる少なくとも−
の化合物 ｔｂ） 一般式［１）で表わされる化合物（但し、Ｒは
−ＣＨｓ、 −０ＣＨａ、０１−Ｉ、 −ＣＨ２ＣＨ３
゜−ＯＣＨ＊ＣＨｓ 、低級ヒドロキシアルキル、アミ
ノアを含有する感光性組成物が、感度、解像度、ドライ
エツチング耐性が良好なパターンの製造を可能にするこ
とを見い出した。
脂、ポリヒドロキシスチレンホモ重合体及びポリヒドロ
キシスチレン共重合体のうちから選ばれる少なくとも−
の化合物 ｔｂ） 一般式［１）で表わされる化合物（但し、Ｒは
−ＣＨｓ、 −０ＣＨａ、０１−Ｉ、 −ＣＨ２ＣＨ３
゜−ＯＣＨ＊ＣＨｓ 、低級ヒドロキシアルキル、アミ
ノアを含有する感光性組成物が、感度、解像度、ドライ
エツチング耐性が良好なパターンの製造を可能にするこ
とを見い出した。
本発明は、この感光性組成物を用い。
（１）微細パターンを製造すべき物質上に、上記感光性
組成物を塗布する工程。
組成物を塗布する工程。
（２）上記感光性組成物の所望部に紫外線を照射して、
被照射部分のアルカリ性水溶液に対する溶解度を低下さ
せる工程 、 ＋＋。
被照射部分のアルカリ性水溶液に対する溶解度を低下さ
せる工程 、 ＋＋。
）゛
（３）上記感光性組成物、を、アルカリ性水溶液で現像
して非照射部分を除去してレジストパターンをツ嬰造す
る］１程。
して非照射部分を除去してレジストパターンをツ嬰造す
る］１程。
及び
（４） 上記レジストパターンをマスクにしてドライエ
ツチングを行ない、上記物質に微細パターンを製造する
工程 を行なう微細パターンの製造法に関する。
ツチングを行ない、上記物質に微細パターンを製造する
工程 を行なう微細パターンの製造法に関する。
以下２本発明の微細パターンの製造法に用いる感光性組
成物について更に詳細に説明する。
成物について更に詳細に説明する。
本発明において用いるベースレジンは、アルカリ性水溶
液で現像が可能なノボラック樹脂（ここでは、ホルムア
ルデヒドと石炭酸、クレゾール。
液で現像が可能なノボラック樹脂（ここでは、ホルムア
ルデヒドと石炭酸、クレゾール。
その他のアルキルフェノールとの縮合物などを意味する
）またはポリヒドロキシスチレン樹脂などがあげられる
。ノボラック樹脂においてはホモ縮合体もしくは共縮合
体の形で用いることが可能でアヤ、ポリヒドロキシスチ
レン１″Ｊ１脂においてもホモ重合体もしくは共重合体
の形で用いることが可能である（以下、ノボラック樹脂
、ポリヒドロキシスチレン樹脂で包括する）。これらは
単独で用いることの他に両者の混合物の形で用いてもさ
しつかえない。
）またはポリヒドロキシスチレン樹脂などがあげられる
。ノボラック樹脂においてはホモ縮合体もしくは共縮合
体の形で用いることが可能でアヤ、ポリヒドロキシスチ
レン１″Ｊ１脂においてもホモ重合体もしくは共重合体
の形で用いることが可能である（以下、ノボラック樹脂
、ポリヒドロキシスチレン樹脂で包括する）。これらは
単独で用いることの他に両者の混合物の形で用いてもさ
しつかえない。
ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン樹脂は市販品
としてめることができる。だとえはノボラック樹脂とし
ては石炭酸ノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂
１石炭酸・クレゾールノボラック樹脂等があり、ポリヒ
ドロキシスチレン樹脂としてはポリ（パラビニルフェノ
ール）等があげられる。これらのベースレジンは目的に
応じて分子量、共縮合組成比、共重合組成比を任意に変
えることも可能である。
としてめることができる。だとえはノボラック樹脂とし
ては石炭酸ノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂
１石炭酸・クレゾールノボラック樹脂等があり、ポリヒ
ドロキシスチレン樹脂としてはポリ（パラビニルフェノ
ール）等があげられる。これらのベースレジンは目的に
応じて分子量、共縮合組成比、共重合組成比を任意に変
えることも可能である。
用いるベースレジンとしては、フォトレジストとして使
用する温度、たとえば１０〜１００℃において成膜して
いることが必要であり、そのために数平均分子量は５０
０以上が好ましく、さらにフォトレジストとしての耐熱
性を考慮すると数平均分子量は１０００以上が望ましい
。
用する温度、たとえば１０〜１００℃において成膜して
いることが必要であり、そのために数平均分子量は５０
０以上が好ましく、さらにフォトレジストとしての耐熱
性を考慮すると数平均分子量は１０００以上が望ましい
。
本発明のパターン製造法において用いる感光性組成物の
芳香族アジド化合物は、上記の一般弐ｍで表わされる。
芳香族アジド化合物は、上記の一般弐ｍで表わされる。
これら感光剤の一例としては、４′−アジドベンザル−
４−メヂルアセトフエノン、３′−アジドベンザル−４
−ヒドロキシアセトフェノン、４′−アジドベンザル−
３−エトキシアセトフェノン、４′−アジドベンザル−
４−エチロールアセトフェノン、３′−アジドベンザル
−４−（Ｎ、 Ｎ−ジメチルアミノ）エチルアセトフェ
ノンなどがあげられる。
４−メヂルアセトフエノン、３′−アジドベンザル−４
−ヒドロキシアセトフェノン、４′−アジドベンザル−
３−エトキシアセトフェノン、４′−アジドベンザル−
４−エチロールアセトフェノン、３′−アジドベンザル
−４−（Ｎ、 Ｎ−ジメチルアミノ）エチルアセトフェ
ノンなどがあげられる。
感光剤の合成は、たとえばアジドベンズアルデヒドとア
セトフェノン化合物のアルカリ縮合反応により容易に得
ることができる。
セトフェノン化合物のアルカリ縮合反応により容易に得
ることができる。
本発明になる感光性組成物は、その構成要素から必然的
に、紫外線領域に反応するように樹脂が設計されている
。即ち、一般式（１）で表わされる化合物は、ベンゼン
環と〜ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ−が共鳴する構造となっているた
め、一般式ＣＩ〕の化合物は。
に、紫外線領域に反応するように樹脂が設計されている
。即ち、一般式（１）で表わされる化合物は、ベンゼン
環と〜ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ−が共鳴する構造となっているた
め、一般式ＣＩ〕の化合物は。
λｍ、ａｘ （最大吸収波長）が３ Ｑ Ｑ ｎｍがら
５ＱＱｎｍ付近に存在する。たとえば４′−アジドベン
ザル−４−メチルアセトフェノン（λｍａｘ＝３３０
ｎｍ ） ＋３′−アジドベンザル−４−ヒドロキシア
セトフェノン（λｍａｘ＝３３ Ｏｎ”） ＋ ４’−
アジドベンザル−３−エトキシアセトフェノン（λｍａ
ｘ ＝３４ Ｏｎ’ｎ ）＋３′−アジドベンザル−４
−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）エチルアセトフェノン（
λｍａｘ＝３９９ ｎ＋ｎ ）のどときである。
５ＱＱｎｍ付近に存在する。たとえば４′−アジドベン
ザル−４−メチルアセトフェノン（λｍａｘ＝３３０
ｎｍ ） ＋３′−アジドベンザル−４−ヒドロキシア
セトフェノン（λｍａｘ＝３３ Ｏｎ”） ＋ ４’−
アジドベンザル−３−エトキシアセトフェノン（λｍａ
ｘ ＝３４ Ｏｎ’ｎ ）＋３′−アジドベンザル−４
−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）エチルアセトフェノン（
λｍａｘ＝３９９ ｎ＋ｎ ）のどときである。
また、ドライエツチング耐性は、ベースレジンによって
向上させた。即ち、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシス
チレン樹脂の如き、芳香族を有するベースレジンはドラ
イエツチング耐性が良好である。
向上させた。即ち、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシス
チレン樹脂の如き、芳香族を有するベースレジンはドラ
イエツチング耐性が良好である。
本発明のパターン製造に用いる感光性組成物は適当な有
機溶剤に溶かした溶液状態で適当な基板表面に塗布され
る。従って、用いる溶剤としては感光性組成物成分のい
ずれをも溶解する必要があり。
機溶剤に溶かした溶液状態で適当な基板表面に塗布され
る。従って、用いる溶剤としては感光性組成物成分のい
ずれをも溶解する必要があり。
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等ノ
ケトン系、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブアセテート等の七ロソルブ系、酢酸エチル
、酢酸ブチル等のエステル系などの溶剤をこれらの目的
として用いることかできる。これらは各成分を単独で用
いても良いし、 ・：′、２種以上の混合系で用いても
さしつかえない。溶剤の配合割合は、樹脂成分と一般式
Ｃ１）で表わされる化合物よりなる組成物１００重量部
に対して１００〜１ｏｏｏｏ重景部加えるのが望ましい
。
ケトン系、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブアセテート等の七ロソルブ系、酢酸エチル
、酢酸ブチル等のエステル系などの溶剤をこれらの目的
として用いることかできる。これらは各成分を単独で用
いても良いし、 ・：′、２種以上の混合系で用いても
さしつかえない。溶剤の配合割合は、樹脂成分と一般式
Ｃ１）で表わされる化合物よりなる組成物１００重量部
に対して１００〜１ｏｏｏｏ重景部加えるのが望ましい
。
本発明における感光性組成物の上記（ａｌと（ｂ）は。
その混合割合が重量比で（ａ）対（ｂ）が０．０５対１
〜１対１の範囲が好ましく、１対０．０５〜１対（）、
５の範囲がさらに好ましい。
〜１対１の範囲が好ましく、１対０．０５〜１対（）、
５の範囲がさらに好ましい。
本発明の感光性組成物には、ベースレジンと一般式（１
）で表わされる芳香族アジド、目的に応じて更に副次的
な成分を含有せしめてもさしつかえない。それらの例と
しては貯蔵安定性をはかるための熱重合防止剤、基板か
らの・・レーションを防止するハレーション防止剤、基
板との密着性を向上させるための密着性向上剤、染料、
顔料、充填剤、難燃剤、増感剤などがあげられる。
）で表わされる芳香族アジド、目的に応じて更に副次的
な成分を含有せしめてもさしつかえない。それらの例と
しては貯蔵安定性をはかるための熱重合防止剤、基板か
らの・・レーションを防止するハレーション防止剤、基
板との密着性を向上させるための密着性向上剤、染料、
顔料、充填剤、難燃剤、増感剤などがあげられる。
次にパターン形成の工程について個々に説明する。
感光性組成物を支持基板へ塗布する方法としてはスピン
ナを用いた回転塗布、浸漬、噴霧、印刷などの手段が可
能であ少目的に応じて適宜選定することかできる。これ
らは次に適当な温度（１２０℃以下、好ましくは７０〜
１００℃がよい）で乾燥し膜とする。塗布膜厚は塗布手
段、溶液の固形分濃度、粘度によって調節が可能である
。
ナを用いた回転塗布、浸漬、噴霧、印刷などの手段が可
能であ少目的に応じて適宜選定することかできる。これ
らは次に適当な温度（１２０℃以下、好ましくは７０〜
１００℃がよい）で乾燥し膜とする。塗布膜厚は塗布手
段、溶液の固形分濃度、粘度によって調節が可能である
。
支持基板上で塗膜となった感光性組成物に場所的に紫外
線を照射し９次いで未露光部分を現像液で溶解除去する
ことによりレリーフ・パターンを得ることができる。感
応させるのに要する最適照射線量は組成によっても異な
るが、紫外線の場合０．５〜５０００ ｍＪ／ｃｍ２の
範囲から目的に応じて適宜選択して照射するのが望まし
い。
線を照射し９次いで未露光部分を現像液で溶解除去する
ことによりレリーフ・パターンを得ることができる。感
応させるのに要する最適照射線量は組成によっても異な
るが、紫外線の場合０．５〜５０００ ｍＪ／ｃｍ２の
範囲から目的に応じて適宜選択して照射するのが望まし
い。
また、紫外線照射においては、密着、投影のいずれの露
光方式によってもパターン形成は可能である。
光方式によってもパターン形成は可能である。
本発明で用いる感光性組成物は前記したようにアルカリ
性溶液によって現像することができる。
性溶液によって現像することができる。
これらの例として社テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シドによって代表されるテトラアルキルアンモニウムヒ
ドロキシドの水溶液、水酸化カリウム、第３燐酸ナトリ
ウム、水酸化ナトリウムに代表される無機アルカリ水溶
液などがあげられる。
シドによって代表されるテトラアルキルアンモニウムヒ
ドロキシドの水溶液、水酸化カリウム、第３燐酸ナトリ
ウム、水酸化ナトリウムに代表される無機アルカリ水溶
液などがあげられる。
現像は浸漬法、スプレー現像法などによって行なう事が
できる。現像に望ましい温度範囲は５〜６０℃であるが
、現像速度は温度条件に依存するので目的に応じて選択
することが望ましい。
できる。現像に望ましい温度範囲は５〜６０℃であるが
、現像速度は温度条件に依存するので目的に応じて選択
することが望ましい。
現像後基板から現像液を洗浄除去し基板表面を清浄にす
るためリンス処理を行なうが、このためのリンス液とし
ては水が好ましい。
るためリンス処理を行なうが、このためのリンス液とし
ては水が好ましい。
基板のドライエツチングには、エツチング用ガスとして
、ＣＦ４、ＣＣ；ｌ４．ＢＣｌ３、Ｃｌ２、ＨＣｌ、Ｃ
４Ｆ８などを使用する。これらは基板の種類によって、
一種類あるいは二種類以上を組み合わせて使用する。ガ
スの圧力、エツチング温度、エツチング時間は、基板の
加工の程度に応じて使い分けることが可能である。
、ＣＦ４、ＣＣ；ｌ４．ＢＣｌ３、Ｃｌ２、ＨＣｌ、Ｃ
４Ｆ８などを使用する。これらは基板の種類によって、
一種類あるいは二種類以上を組み合わせて使用する。ガ
スの圧力、エツチング温度、エツチング時間は、基板の
加工の程度に応じて使い分けることが可能である。
以下に本発明を実施例によって説明する。尚。
実施例中の部は重量部を示す。
実施例１
石炭酸ノボラック樹脂１０部をシクロヘキサノン９０部
に溶かし、次に４′−アジドベンザル−３−エトキシア
セトフェノン１．５部を溶解して感光樹脂組成物の溶液
を調製した。次いで、この溶液を１μｍ孔のフィルタを
用いて加圧ろ過した。
に溶かし、次に４′−アジドベンザル−３−エトキシア
セトフェノン１．５部を溶解して感光樹脂組成物の溶液
を調製した。次いで、この溶液を１μｍ孔のフィルタを
用いて加圧ろ過した。
得られた溶液をスピンナでシリコンウェハ上に回転塗布
し、次いで９０℃、２０分間乾燥して０．８μｍ厚の塗
膜を得た。この塗膜を縞模様の石英製フォトマスクで密
着被覆し、２５０ＷのＨｇ灯を用いて距離３０ｃｍの所
から５秒間紫外線照射した。０．１５規定の水酸化カリ
ウム水溶液を用いてスプレー現像し、次いで水で洗浄し
てシャープな端面のレリーフ・パターンを得た。本実施
例では最小１μｍ幅のラインアンドスペースのくり返し
パターンを転写することができた。
し、次いで９０℃、２０分間乾燥して０．８μｍ厚の塗
膜を得た。この塗膜を縞模様の石英製フォトマスクで密
着被覆し、２５０ＷのＨｇ灯を用いて距離３０ｃｍの所
から５秒間紫外線照射した。０．１５規定の水酸化カリ
ウム水溶液を用いてスプレー現像し、次いで水で洗浄し
てシャープな端面のレリーフ・パターンを得た。本実施
例では最小１μｍ幅のラインアンドスペースのくり返し
パターンを転写することができた。
次にＣ４Ｆ８対Ｈｅ＝１対１（体積比）のガスを使用し
て反応性スパッタエッチ（２，３Ａ、２０Ｐａ）を２０
分行なったところ、レジストの重量減少率は３０％であ
った。
て反応性スパッタエッチ（２，３Ａ、２０Ｐａ）を２０
分行なったところ、レジストの重量減少率は３０％であ
った。
この値は、従来のフォトレジストの中で、ドライエッチ
ング耐性が最も大きいとされるシプレー社製（商品名Ａ
Ｚ−１３５０Ｊ）の同一条件における重量減少率３５％
よりもすぐれている。従ってドライエツチングのプロセ
スに適用が可能である。
ング耐性が最も大きいとされるシプレー社製（商品名Ａ
Ｚ−１３５０Ｊ）の同一条件における重量減少率３５％
よりもすぐれている。従ってドライエツチングのプロセ
スに適用が可能である。
実施例２
クレゾールノボラック樹脂１０部をエチルセロソルブア
セテート１２０部に溶解し１次に４′−アジドペンデル
−２−エトキシアセトフェノン２部を溶解して感光性樹
脂組成物の溶液を調製した。
セテート１２０部に溶解し１次に４′−アジドペンデル
−２−エトキシアセトフェノン２部を溶解して感光性樹
脂組成物の溶液を調製した。
次いで、この溶液を１７４ｍ孔のフィルタを用いて加圧
ろ過した。
ろ過した。
得られた液をスピンナでセラミック基板上に回転塗布し
、次いで８０℃、２０分間乾燥して０．８μｍ厚の塗膜
を得た。この塗膜を縞模様の石英製フォトマスクで密着
被覆し、実施例１と同一の水銀灯を用いて５秒間紫外線
照射した。０．２規定の水酸化ナトリウム水溶液を用い
てスプレー現像し。
、次いで８０℃、２０分間乾燥して０．８μｍ厚の塗膜
を得た。この塗膜を縞模様の石英製フォトマスクで密着
被覆し、実施例１と同一の水銀灯を用いて５秒間紫外線
照射した。０．２規定の水酸化ナトリウム水溶液を用い
てスプレー現像し。
次いで水で洗浄して端面のシャープなレリーフ・パター
ンを得た。本実施例では最小１μｍ幅の微細くり返しパ
ターンを形成することができた。
ンを得た。本実施例では最小１μｍ幅の微細くり返しパ
ターンを形成することができた。
ドライエツチング耐性の測定は、実施例１と同一条件で
行なった所、重量減少率は、２８％であつた。
行なった所、重量減少率は、２８％であつた。
実施例３
ポリ（ハラビニルフェノール）１０部，４−アジドベン
ザル−４′−ヒドロキシアセトフェノン３部をエチルセ
ロソルブアセテート１２０部に溶解して感光性樹脂組成
物の溶液を調製し、更にこの溶液を０．２μｍ孔のフィ
ルタを用いて加圧ろ過した。
ザル−４′−ヒドロキシアセトフェノン３部をエチルセ
ロソルブアセテート１２０部に溶解して感光性樹脂組成
物の溶液を調製し、更にこの溶液を０．２μｍ孔のフィ
ルタを用いて加圧ろ過した。
得られた溶液を表面を平坦にけん摩したセラミック基板
上にスピンナで回転塗布し、次いで７０℃で２０分間乾
燥して１０μｍ厚の塗膜を得た。
上にスピンナで回転塗布し、次いで７０℃で２０分間乾
燥して１０μｍ厚の塗膜を得た。
この塗膜を実施例１と同一の条件下で５秒間紫外線照射
し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの０．１規
定水溶液を用いて現像し、次いで水で洗浄して端面のシ
ャープなレリーフ・パターンを得た。本実施例では最小
１５μｍ幅の微細くり返しパターンを形成することがで
き、ドライエツチング耐性は実施例１と同一であった。
し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの０．１規
定水溶液を用いて現像し、次いで水で洗浄して端面のシ
ャープなレリーフ・パターンを得た。本実施例では最小
１５μｍ幅の微細くり返しパターンを形成することがで
き、ドライエツチング耐性は実施例１と同一であった。
実施例４
石炭酸ノボラック樹脂１０部、３−アジドペンザルー４
’−エトキシアセトフェノン３部をシクロヘキサノン９
０部に溶解して感光性樹脂組成物の溶液を調製し、更に
この溶液を、０，２μｍｎ孔のフィルタを用いて加圧ｆ
過した。
’−エトキシアセトフェノン３部をシクロヘキサノン９
０部に溶解して感光性樹脂組成物の溶液を調製し、更に
この溶液を、０，２μｍｎ孔のフィルタを用いて加圧ｆ
過した。
得られた溶液をシリコンウニ・・上にスピンナを用いて
回転塗布して０．８μｍ厚の塗膜を得た。この塗膜を実
施例１と同一の条件下で５秒間紫外線照射し、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシドの０．０９規定水溶液を
用いて現ｍ ｌ−、次いで水で洗浄して端面のシャープ
なし１ルーフ・パターンを得た。本実施例では最小１．
Ｑ ７４１１１幅の微細くり返しパターンを形成する
ことができ、ドライエツチング耐性は良好であった。
回転塗布して０．８μｍ厚の塗膜を得た。この塗膜を実
施例１と同一の条件下で５秒間紫外線照射し、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシドの０．０９規定水溶液を
用いて現ｍ ｌ−、次いで水で洗浄して端面のシャープ
なし１ルーフ・パターンを得た。本実施例では最小１．
Ｑ ７４１１１幅の微細くり返しパターンを形成する
ことができ、ドライエツチング耐性は良好であった。
以上、詳述したように本発明の微細パターン製造法によ
り、紫外線を用いたネガ型の材料を使用することによシ
、解像度及びドライエツチング耐性が良好となり、微細
パターンに４％めて高い精度で形成することが可能とな
った。
り、紫外線を用いたネガ型の材料を使用することによシ
、解像度及びドライエツチング耐性が良好となり、微細
パターンに４％めて高い精度で形成することが可能とな
った。
手続補正書（自発）
昭Ｉ１１５１ ＩＩ’ ４ １１２’７ Ｉ＋特許庁長
官殿 夛１ １ｉ１９件の表示 昭和５８年特許願第１５２９５９号 ２、発明の名称 微細パターンの製造法 ３補正をする者 １【イ１との関侍 持Ｂ１ 出願人 名 称 （４４５１Ｂ 、＋ン、化成工業株式′Ｊｙ：
↑１４、代 狸 人 １）本願明細書第１３頁第６行に［１対０．０５ 、
’Ｊ〜１対０．５ＪとあるのをＩ−０，０５対１〜０．
５ ”対１」と訂正します。
官殿 夛１ １ｉ１９件の表示 昭和５８年特許願第１５２９５９号 ２、発明の名称 微細パターンの製造法 ３補正をする者 １【イ１との関侍 持Ｂ１ 出願人 名 称 （４４５１Ｂ 、＋ン、化成工業株式′Ｊｙ：
↑１４、代 狸 人 １）本願明細書第１３頁第６行に［１対０．０５ 、
’Ｊ〜１対０．５ＪとあるのをＩ−０，０５対１〜０．
５ ”対１」と訂正します。
以」ニ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＩＪａｌ ホモ縮合ノボラック樹脂、共縮合ノボラック
樹脂、ポリヒドロキシスチレンホモ重合体及びポリヒド
ロキシスチレン共重合体のうちから選ばれる少なくとも
−の化合物 及び （ｂ） 一般式〔Ｉ〕で表わされる化合物（但し、Ｒは
−ＣＨ５、０ＣＨｓ 、ＯＨ、−ＣＨｚＣＨｓ 。 −０ＣＨｚＣ［（ｓ、低級ヒドロキシアルキル、アミノ
アルキル又は−ＧＨｚＣＨ＊ＯＨを含む低級アルキルを
表わし、Ｒの炭素数は１０以下である） を含有する感光性組成物を用い。 （１）微細パターンを製造すべき物質上に。 上記感光性組成物を塗布する工程。 （２）上記感光性組成物の所望部に紫外線を照射して被
照射部分のアルカリ性水溶液に対する溶解度を低下させ
る工程。 （３）上記感光性組成物をアルカリ性水溶液で現像して
、非照射部分を除去してレジストパターンを製造する工
程 及び （４）上記レジストパターンをマスクにしてドライエツ
チングを行ない、上記物質に微細パターンを製造する工
程 を行なうことを特徴とする微細パターンの製造法。 ２一般式（１）で表わされる化合物が、４′−アジドベ
ンザル−４−メチルアセトフェノン、３′−アジドベン
ザル−４−ヒドロキシアセトフェノン。 ４′−アジドベンザル−３−エトキシアセトフェノン、
４′−アジドベンザル−４−エチロールアセトフエノン
、３′−アジドベンザル−４−（Ｎ、 Ｎ−ジメチルア
ミノ）エチルアセトフェノンである特許請求の範囲第１
項記載の微細パターンの製造法。 ３、 アルカリ性水溶液が、無機アルカリ水溶液又はテ
トラアルキルアンモニウムハイドロオキザイドの水溶液
である特許請求の範囲第１項又は第２項記載の微細パタ
ーンの製造法。 ４、（ａｌとｆｂｌよりなる感光性組成物が、その混合
割合が重量比テ（ａ）対（ｂ）が１対０，０５から１対
０．５である特許請求の範囲第１項、第２項又は第３項
記載の微細パターンの製造法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152959A JPS6045239A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 微細パタ−ンの製造法 |
| DE19843417607 DE3417607A1 (de) | 1983-05-12 | 1984-05-11 | Verfahren zur herstellung feiner muster |
| US06/894,122 US4722883A (en) | 1983-05-12 | 1986-08-07 | Process for producing fine patterns |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152959A JPS6045239A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 微細パタ−ンの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045239A true JPS6045239A (ja) | 1985-03-11 |
Family
ID=15551897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58152959A Pending JPS6045239A (ja) | 1983-05-12 | 1983-08-22 | 微細パタ−ンの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045239A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06258823A (ja) * | 1993-03-05 | 1994-09-16 | Sanyo Chem Ind Ltd | 感光性樹脂 |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP58152959A patent/JPS6045239A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06258823A (ja) * | 1993-03-05 | 1994-09-16 | Sanyo Chem Ind Ltd | 感光性樹脂 |
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