JPS6043877A - 反射光型光結合半導体装置 - Google Patents
反射光型光結合半導体装置Info
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- JPS6043877A JPS6043877A JP58152643A JP15264383A JPS6043877A JP S6043877 A JPS6043877 A JP S6043877A JP 58152643 A JP58152643 A JP 58152643A JP 15264383 A JP15264383 A JP 15264383A JP S6043877 A JPS6043877 A JP S6043877A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は反射光型光結合半導体装置の改良に関する。
［発明の技術的背景］
反射光型光結合半導体装置はセンサーとしての機能を有
し、光電スイッチ、論理回路結合、位置検出、タイミン
グ検出等の多様な用途に用いられている。
し、光電スイッチ、論理回路結合、位置検出、タイミン
グ検出等の多様な用途に用いられている。
第１図（Ａ＞は従来の反射光型光結合半導体装置を示す
平面図であり、第１図（Ｂ）は同図（Ａ）のＢ−Ｂ線に
沿う断面図である。これらの図において、上はセラミッ
ク製のステムである。ステム１の頂面には発光素子用の
凹部２と、受光素子用の凹部３とが設けられ、両凹部２
，３は仕切り壁４で隔てられている。凹部２の底面に設
【プられたマウント部５上には発光素子ペレット６が、
また凹部３の底面に設られたマウント部７上には受光素
子ペレット８がマウントされている。マウン１へされた
両ペレット６．８は夫々ボンディングワイヤ９を介して
リード１ｏ、 ｉｉの端部に接続されている。また、前
記マウント部５，７には夫々リード１２．１３が接続さ
れており、該リード１１．１２はセラミック製ステム上
から外方に延出されている。そして、前記凹部２，３の
内部には、発光素子部および受光素子部を封止するため
にエポキシ樹脂による樹脂封止層１４．１５が形成され
ている。なお、ボンディングワイヤ９を介して夫々ペレ
ット６゜８に接続された前記リード１０．１１も、リー
ド１２゜１３と同じ方向に延出されている。
平面図であり、第１図（Ｂ）は同図（Ａ）のＢ−Ｂ線に
沿う断面図である。これらの図において、上はセラミッ
ク製のステムである。ステム１の頂面には発光素子用の
凹部２と、受光素子用の凹部３とが設けられ、両凹部２
，３は仕切り壁４で隔てられている。凹部２の底面に設
【プられたマウント部５上には発光素子ペレット６が、
また凹部３の底面に設られたマウント部７上には受光素
子ペレット８がマウントされている。マウン１へされた
両ペレット６．８は夫々ボンディングワイヤ９を介して
リード１ｏ、 ｉｉの端部に接続されている。また、前
記マウント部５，７には夫々リード１２．１３が接続さ
れており、該リード１１．１２はセラミック製ステム上
から外方に延出されている。そして、前記凹部２，３の
内部には、発光素子部および受光素子部を封止するため
にエポキシ樹脂による樹脂封止層１４．１５が形成され
ている。なお、ボンディングワイヤ９を介して夫々ペレ
ット６゜８に接続された前記リード１０．１１も、リー
ド１２゜１３と同じ方向に延出されている。
上記の光結合半導体装置では、発光素子ペレット６から
発射された光が物体に反射され、この反射光を受光素子
ペレット８が検出することにより、センサーとして掠能
するものである。
発射された光が物体に反射され、この反射光を受光素子
ペレット８が検出することにより、センサーとして掠能
するものである。
［背景技術の問題点］
上述のように、従来の反ｑ」元型光結合半導体装置は、
発光素子ペレット６と受光素子ペレッ１へ８とを同一の
セラミック製ステム１０にマウントする構成になってい
たため、次のような問題があった。
発光素子ペレット６と受光素子ペレッ１へ８とを同一の
セラミック製ステム１０にマウントする構成になってい
たため、次のような問題があった。
第一の問題は、形状の異なる発光素子ペレット６と受光
素子ペレット８とを同時期にマウントして製造するため
、取扱いが困難で作業性が悪く、製造時におけるマウン
ト作業の自動化が出来ないことである。
素子ペレット８とを同時期にマウントして製造するため
、取扱いが困難で作業性が悪く、製造時におけるマウン
ト作業の自動化が出来ないことである。
第二の問題は、その製造に際して素子構造の異なる発光
素子部および受光素子部のワイヤボンディングを同時期
に行なうことになり、極めて精密なボンディング作業が
要求されるため、ボンディング装置の精度条件等をより
厳しくしなりればならないことである。さもなければ、
画素子部毎に別々にボンディングを行なわなければなら
ず、そのふんだけ行程が増えることになってしまう。
素子部および受光素子部のワイヤボンディングを同時期
に行なうことになり、極めて精密なボンディング作業が
要求されるため、ボンディング装置の精度条件等をより
厳しくしなりればならないことである。さもなければ、
画素子部毎に別々にボンディングを行なわなければなら
ず、そのふんだけ行程が増えることになってしまう。
第三の問題は、発光素子部から受光素子部へ光が直接到
達することによる誤動作を防止するために仕切り壁４を
高くしであるから、ボンディングの作業性が悪く、ボン
ディング行程を自動化できないことである。
達することによる誤動作を防止するために仕切り壁４を
高くしであるから、ボンディングの作業性が悪く、ボン
ディング行程を自動化できないことである。
第四の問題は、発光素子部と受光素子部の両者に対して
同時に樹脂封止を行なうこととなるため、画素子部にお
ける樹脂量にバラツキを生じ、製品特性が低下すること
である。即ち、樹脂量が多過ぎると、仕切り壁４が樹脂
封止層１４．１５で覆われてしまい、誤動作を生じる原
因となる。逆に樹脂量が少な過ぎると、樹脂封止層１４
．１５の頂面が凹状になってしまい、センサー素子とし
ての指向性が低下してしまう。 ′ ［発明の目的］ 本発明は上記事情に檻みてなされたもので、製造行程の
自動化が可能でかつ製品特性の低下を防止して品質の安
定化を図ることが出来る反射光型光結合半導体装置を提
供するものである。
同時に樹脂封止を行なうこととなるため、画素子部にお
ける樹脂量にバラツキを生じ、製品特性が低下すること
である。即ち、樹脂量が多過ぎると、仕切り壁４が樹脂
封止層１４．１５で覆われてしまい、誤動作を生じる原
因となる。逆に樹脂量が少な過ぎると、樹脂封止層１４
．１５の頂面が凹状になってしまい、センサー素子とし
ての指向性が低下してしまう。 ′ ［発明の目的］ 本発明は上記事情に檻みてなされたもので、製造行程の
自動化が可能でかつ製品特性の低下を防止して品質の安
定化を図ることが出来る反射光型光結合半導体装置を提
供するものである。
［発明の概要コ
本発明による反射光型光結合半導体装置は、別個のステ
ム上に組立てられて樹脂封止された夫々独立の半導体発
光素子および半導体受光素子と、該半導体受光素子用の
凹部および半導体受光素子用の凹部が仕切り壁で隔てら
れて同一の方向に設けられた黒色のホルダーとからなり
、前記半導体発光素子および半導体受光素子を前記黒色
ホルダーの夫々の凹部内に、画素子が前記仕切り壁で完
全に隔離さ゛れるように固定したことを特徴とするもの
である。
ム上に組立てられて樹脂封止された夫々独立の半導体発
光素子および半導体受光素子と、該半導体受光素子用の
凹部および半導体受光素子用の凹部が仕切り壁で隔てら
れて同一の方向に設けられた黒色のホルダーとからなり
、前記半導体発光素子および半導体受光素子を前記黒色
ホルダーの夫々の凹部内に、画素子が前記仕切り壁で完
全に隔離さ゛れるように固定したことを特徴とするもの
である。
上記本発明の反射光型光結合半導体装置では、既に自動
化ラインでの実績を有する単品の発光素子および受光素
子を用い゛、この両者をカップリングした構造であるた
め、マウント工程、ボンディング工程、および樹脂封止
の工程は単品製造の場合と同様の自動化工程を採用して
製造することができる。しかも、樹脂封止工程が発光素
子と受光素子とで夫々独立に行われているから、従来の
光結合半導体装置における第４の問題、即ち封止樹脂量
の過多／過少による品質低下といった問題も回避できる
。
化ラインでの実績を有する単品の発光素子および受光素
子を用い゛、この両者をカップリングした構造であるた
め、マウント工程、ボンディング工程、および樹脂封止
の工程は単品製造の場合と同様の自動化工程を採用して
製造することができる。しかも、樹脂封止工程が発光素
子と受光素子とで夫々独立に行われているから、従来の
光結合半導体装置における第４の問題、即ち封止樹脂量
の過多／過少による品質低下といった問題も回避できる
。
［発明の実施例］
以下、第２図（Ａ）〜（Ｃ）を参照して本発明の詳細な
説明する。
説明する。
第２図（Ａ）は、この実施例に用いる半導体受光素子胆
および半導体受光素子部を示している。
および半導体受光素子部を示している。
図示のように、発光素子部および受光素子部は、夫々リ
ード２１または３１を具備した別個のステム２２または
３２を用いて製造された単品の素子である。
ード２１または３１を具備した別個のステム２２または
３２を用いて製造された単品の素子である。
即ち、発光素子部は、発光素子ベレン！−２３をステム
２２上にマウントし、ワイヤボンディングを施した後、
樹脂封止層２４を形成した構造を有している。
２２上にマウントし、ワイヤボンディングを施した後、
樹脂封止層２４を形成した構造を有している。
受光素子部も同様であり、３３は受光素子ベレッ１−１
３４は樹脂封止層を夫々表わしている。これらの単品素
子虱、並は従来雑品の製造方法として蓄積されてきた自
動化工程により製造されたもので、ベレン１〜２３．３
３のマウント及びワイヤボンディングは何の障害もなく
自動的に行われてたものである。
３４は樹脂封止層を夫々表わしている。これらの単品素
子虱、並は従来雑品の製造方法として蓄積されてきた自
動化工程により製造されたもので、ベレン１〜２３．３
３のマウント及びワイヤボンディングは何の障害もなく
自動的に行われてたものである。
第２図（Ｂ）は、この実施例に用いるホルダー級を一部
断面で示す斜視図である。該ホルダー組は黒色のセラミ
ックで出来ている。その頂部には、発光素子用の凹部４
１と受光素子用の凹部４２が設けられており、両凹部４
１．４２は仕切り壁４３で隔てられている。また、前記
二つの凹部４１．４２の底には、ホルダー坦を貫通する
リード孔４４．４５が設けられている。第２図（Ｃ）は
、前記発光素子２０、受光素子３０および黒色ホルダー
組を組立てて得られた、本発明の一実施例になる反射光
型光結合半導体装置を示す断面図である。この実施例の
光結合半導体装置において、発光素子並はリード２１を
黒色ホルダー蚊のリード孔４４に貫挿した状態で、ガラ
スエポキシ系接着剤により凹部４１内にセット固定され
ている。同様に受光素子用についても、ガラスエポキシ
系接着剤を用いてボルダ−組の凹部４２内にセット固定
されている。
断面で示す斜視図である。該ホルダー組は黒色のセラミ
ックで出来ている。その頂部には、発光素子用の凹部４
１と受光素子用の凹部４２が設けられており、両凹部４
１．４２は仕切り壁４３で隔てられている。また、前記
二つの凹部４１．４２の底には、ホルダー坦を貫通する
リード孔４４．４５が設けられている。第２図（Ｃ）は
、前記発光素子２０、受光素子３０および黒色ホルダー
組を組立てて得られた、本発明の一実施例になる反射光
型光結合半導体装置を示す断面図である。この実施例の
光結合半導体装置において、発光素子並はリード２１を
黒色ホルダー蚊のリード孔４４に貫挿した状態で、ガラ
スエポキシ系接着剤により凹部４１内にセット固定され
ている。同様に受光素子用についても、ガラスエポキシ
系接着剤を用いてボルダ−組の凹部４２内にセット固定
されている。
上記実施例の光結合型半導体装置にあっては、その製造
に際して前記単品の発光素子および受光素子箆、 ３０
を夫々の単品の自動化工程により並行して製造した後、
これれらをセラミック製の黒色ホルダー組を用いてカッ
プリングさせる。この結果、従来の光結合型半導体装置
において問題になっていたマウント工程、ワイヤボンデ
ィング工程は、自動化工程により何等障害なく良好な作
業性で行なうことができる。また、従来のように（ｊ脂
封止層を形成するためのボッティングｍの多少により、
誤動作や指向性低下といった特性上の問題を生じること
もない。この結果、コストの低減を図れるとともに、常
に安定した品質を（ｑることができる。
に際して前記単品の発光素子および受光素子箆、 ３０
を夫々の単品の自動化工程により並行して製造した後、
これれらをセラミック製の黒色ホルダー組を用いてカッ
プリングさせる。この結果、従来の光結合型半導体装置
において問題になっていたマウント工程、ワイヤボンデ
ィング工程は、自動化工程により何等障害なく良好な作
業性で行なうことができる。また、従来のように（ｊ脂
封止層を形成するためのボッティングｍの多少により、
誤動作や指向性低下といった特性上の問題を生じること
もない。この結果、コストの低減を図れるとともに、常
に安定した品質を（ｑることができる。
なお、第３図、第４図は上記実施例の変形例を示してお
り、図示のようにレンズ５１あるいはプリズム５２を発
光素子および受光素子の上部に設けて機能の強化を図る
ことも可能である。
り、図示のようにレンズ５１あるいはプリズム５２を発
光素子および受光素子の上部に設けて機能の強化を図る
ことも可能である。
また、ホルダー川として黒色合成樹脂製のものを用いて
もよい。
もよい。
［発明の効果］
以上詳述したように、本発明によれば製造行程の自動化
が可能でかつ製品特性の低下を防止して品質の安定化を
図ることが出来る反射光型光結合半導体装置を提供でき
るものである。
が可能でかつ製品特性の低下を防止して品質の安定化を
図ることが出来る反射光型光結合半導体装置を提供でき
るものである。
第１図（Ａ）は従来の反射光型光結合半導体装置を示す
平面図であり、第１図（Ｂ）は同図（Ａ）のＢ−Ｂ線に
沿う断面図、第２図（Ａ）は、本発明に用いられる単品
の半導体受光素子技および半導体受光素子並を示す図、
第２図（Ｂ）は本発明に用いられるホルダーを一部断面
で示す斜視図、第２図（Ｃ）は本発明の一実施例になる
反射光型光結合半導体装置を示す断面図、第３図および
第４図は夫々本発明の変形例を示す断面図である。 ２０ ・＝半導体発光素子、３０ ・・・半導体受光素
子、２１゜３１、・・・リード、２２．３２・・・ステ
ム、２３．３３・・・ペレット、２４．３４・・・樹脂
封止層、４０−、・ボルダ−１４１，４２・・・凹部、
４３・・・仕切り壁、４４．４５・・・貫通孔、５１・
・・レンズ、５２・・・プリズム。 −〇 の 。
平面図であり、第１図（Ｂ）は同図（Ａ）のＢ−Ｂ線に
沿う断面図、第２図（Ａ）は、本発明に用いられる単品
の半導体受光素子技および半導体受光素子並を示す図、
第２図（Ｂ）は本発明に用いられるホルダーを一部断面
で示す斜視図、第２図（Ｃ）は本発明の一実施例になる
反射光型光結合半導体装置を示す断面図、第３図および
第４図は夫々本発明の変形例を示す断面図である。 ２０ ・＝半導体発光素子、３０ ・・・半導体受光素
子、２１゜３１、・・・リード、２２．３２・・・ステ
ム、２３．３３・・・ペレット、２４．３４・・・樹脂
封止層、４０−、・ボルダ−１４１，４２・・・凹部、
４３・・・仕切り壁、４４．４５・・・貫通孔、５１・
・・レンズ、５２・・・プリズム。 −〇 の 。
Claims (1)
- 別個のステム上に組立てられて樹脂封止された夫々独立
の半導体発光素子および半導体受光素子と、該半導体発
光素子用の凹部および半導体受光素子用の四部が仕切り
璧で隔てられて同一の方向に設けられた黒色のホルダー
とからなり、前記半導体発光素子および半導体受光素子
を前記黒色ボルダ−の夫々の凹部内に、画素子が前記仕
切り壁で完全に隔離されるように固定したことを特徴と
する反射光型光結合半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152643A JPS6043877A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 反射光型光結合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152643A JPS6043877A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 反射光型光結合半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043877A true JPS6043877A (ja) | 1985-03-08 |
Family
ID=15544887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58152643A Pending JPS6043877A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 反射光型光結合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043877A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1079443A1 (en) * | 1998-05-20 | 2001-02-28 | Rohm Co., Ltd. | Reflective sensor |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP58152643A patent/JPS6043877A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1079443A1 (en) * | 1998-05-20 | 2001-02-28 | Rohm Co., Ltd. | Reflective sensor |
| EP1079443A4 (en) * | 1998-05-20 | 2002-04-17 | Rohm Co Ltd | REFLECTION SENSOR |
| US6596986B1 (en) | 1998-05-20 | 2003-07-22 | Rohm Co., Ltd. | Reflective sensor |
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