JPS6043833A - 表面汚染防止法並にその装置 - Google Patents
表面汚染防止法並にその装置Info
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- JPS6043833A JPS6043833A JP15095383A JP15095383A JPS6043833A JP S6043833 A JPS6043833 A JP S6043833A JP 15095383 A JP15095383 A JP 15095383A JP 15095383 A JP15095383 A JP 15095383A JP S6043833 A JPS6043833 A JP S6043833A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、被処理部材の表面汚染防止法に関する。
従来、例えば、超ＬＳＩ。ＬＳＩ などの半導体の製造
において１例えば、半導体基板の光面に多数の処理工程
を経て製造する場合、その基板を成る工程から次の工程
に移行せしめる場合、その移行中の環境が大気中である
場合は勿論のこと、その処理工程が真空排気によって浄
化さ扛る瞥での真空処理室内、或は清浄空気の循環供給
によシ浄化さｎるまでのクリーンルーム或はクリーンブ
ース内である場合も、予め浄化処理した基板のその清浄
な表面は、その間に汚染さｎて品質の劣化した製品を生
じ、或は製造ロスを生ずるおそｎがある。
において１例えば、半導体基板の光面に多数の処理工程
を経て製造する場合、その基板を成る工程から次の工程
に移行せしめる場合、その移行中の環境が大気中である
場合は勿論のこと、その処理工程が真空排気によって浄
化さ扛る瞥での真空処理室内、或は清浄空気の循環供給
によシ浄化さｎるまでのクリーンルーム或はクリーンブ
ース内である場合も、予め浄化処理した基板のその清浄
な表面は、その間に汚染さｎて品質の劣化した製品を生
じ、或は製造ロスを生ずるおそｎがある。
本発明は、かかる移行中の部材の光面を汚染を防止する
方法を提供したもので、部材を所定の場所へ移行せしめ
るに当シ、予めその清浄な表面に、清浄な環境下で、被
覆層を形成することを％徴とする。
方法を提供したもので、部材を所定の場所へ移行せしめ
るに当シ、予めその清浄な表面に、清浄な環境下で、被
覆層を形成することを％徴とする。
更に本発明は上記の方法を実施するための表面汚染防止
装置を提供するもので、部材を”収容する空間内を清浄
な環境にするための真空特性又は清浄空気発生装置から
成る清浄環境生成装置と５部材の清浄な光面に被覆層を
形成するだめの被層層形成装置とから成る。
装置を提供するもので、部材を”収容する空間内を清浄
な環境にするための真空特性又は清浄空気発生装置から
成る清浄環境生成装置と５部材の清浄な光面に被覆層を
形成するだめの被層層形成装置とから成る。
次に、本発明の実施例を、ＮチャネルＭ （Ｉ Ｓプロ
セス等の半導体製造工程において１例えば表面を浄化し
た基板を次のフォトレジスト塗布工程に移す場合を側と
して説明する。
セス等の半導体製造工程において１例えば表面を浄化し
た基板を次のフォトレジスト塗布工程に移す場合を側と
して説明する。
第１図で、（１）は表面に５ｔｏｚ層を有するシリコン
基板を示し、該基板（１）は、真空容器内やり１７−ン
室、或はクリーンブース々どの空間内に保たｔて居シ、
真空排気や清浄空気発生装置によシ生成の清浄突気流内
的清浄な環境下にある。こｎを次のフォトレジスト被膜
形成工程に移行せしめるのであるが、その前に、該基板
（１）の清浄な光面（ｌａ）に例えば次のように被覆層
を形成する。即ち、清浄液体窒素ヂンペ（図示しない）
よシの導出管（２）の先伶のノズル（３）を該空間内に
設け、該ノズル（３）より気化した低温のＮ２ガスを該
基板（１）に吹き付けて基材（１）の温度を一８０℃以
下に冷却する。仄でこの冷却さ扛た基板（１）の清浄な
底面（１ａ）に００２ガスづＳンペ（図示しない）から
の清浄なＯＯ２ガスを００２噴出ノズル（４）よシ全面
に均一に吹き付けｎば、００２ガスは凝結し、（ム２緬
な００２粒子としてその表面に雪状の００２粒子から成
る被’ｅｌ Ｎ （５）が形成さｎる。その厚さは通常
０．１μｍ以上とする。予想さｎる汚染の大きさにより
その厚さを設定することは云うまでもない。このように
冷却用Ｎ２ガスノズルと００２ガスノズルから成る被頓
層形成装置によシ基材（１）に被い層（５）を形成後、
次の前記の所要の真空窓或は清浄なりリーン室等内にあ
るフォトレジスト植形成工程にうりす。然るときは基板
（１）が。
基板を示し、該基板（１）は、真空容器内やり１７−ン
室、或はクリーンブース々どの空間内に保たｔて居シ、
真空排気や清浄空気発生装置によシ生成の清浄突気流内
的清浄な環境下にある。こｎを次のフォトレジスト被膜
形成工程に移行せしめるのであるが、その前に、該基板
（１）の清浄な光面（ｌａ）に例えば次のように被覆層
を形成する。即ち、清浄液体窒素ヂンペ（図示しない）
よシの導出管（２）の先伶のノズル（３）を該空間内に
設け、該ノズル（３）より気化した低温のＮ２ガスを該
基板（１）に吹き付けて基材（１）の温度を一８０℃以
下に冷却する。仄でこの冷却さ扛た基板（１）の清浄な
底面（１ａ）に００２ガスづＳンペ（図示しない）から
の清浄なＯＯ２ガスを００２噴出ノズル（４）よシ全面
に均一に吹き付けｎば、００２ガスは凝結し、（ム２緬
な００２粒子としてその表面に雪状の００２粒子から成
る被’ｅｌ Ｎ （５）が形成さｎる。その厚さは通常
０．１μｍ以上とする。予想さｎる汚染の大きさにより
その厚さを設定することは云うまでもない。このように
冷却用Ｎ２ガスノズルと００２ガスノズルから成る被頓
層形成装置によシ基材（１）に被い層（５）を形成後、
次の前記の所要の真空窓或は清浄なりリーン室等内にあ
るフォトレジスト植形成工程にうりす。然るときは基板
（１）が。
大気中や、清浄環境が不充分な雰囲気中を移行しても、
基板（１）は該被ｅ層（５）でジわｎでいるため、微細
な塵埃等の異物は該被Ｖ！層（５）表面に何分するだけ
で、該被覆層（５）により基板（１）の清浄な表面（ｌ
ａ）は、汚染から陽陪さｎ汚染さ扛ることがない。移行
後、の清浄な環境下にｆ′■かｎた基板（］）は、その
フォトレジスト被膜形成を行なう前に、第２図示の如く
、その場に設備した被覆層除去装置、例えば温風ガス噴
出用ノズル（６）よ）温風をその００２粒子被覆層（５
）に吹き付けしば直ちに昇華し消失しその清浄な表面（
ｌａ）が現わしる。温風に代シ、副射加熱等の適当な加
熱手段でもよい。又このフォトレジスト被膜形成を所要
の真空度の清浄な容器内で行なうときは、その真空ポン
プは被覆層除去装置として作用し、容器内を真空排気と
共にそのＯＯｘｔｉ’２子被農層（５）を吸引昇華排気
せしめるととができる。
基板（１）は該被ｅ層（５）でジわｎでいるため、微細
な塵埃等の異物は該被Ｖ！層（５）表面に何分するだけ
で、該被覆層（５）により基板（１）の清浄な表面（ｌ
ａ）は、汚染から陽陪さｎ汚染さ扛ることがない。移行
後、の清浄な環境下にｆ′■かｎた基板（］）は、その
フォトレジスト被膜形成を行なう前に、第２図示の如く
、その場に設備した被覆層除去装置、例えば温風ガス噴
出用ノズル（６）よ）温風をその００２粒子被覆層（５
）に吹き付けしば直ちに昇華し消失しその清浄な表面（
ｌａ）が現わしる。温風に代シ、副射加熱等の適当な加
熱手段でもよい。又このフォトレジスト被膜形成を所要
の真空度の清浄な容器内で行なうときは、その真空ポン
プは被覆層除去装置として作用し、容器内を真空排気と
共にそのＯＯｘｔｉ’２子被農層（５）を吸引昇華排気
せしめるととができる。
而して、この温風や真空排気によシ％ 該００２粒子被
Ｗｉ Ｎ （５）の除去と共に、該被覆層（５）に付着
していた異物もその温風によシ除去さ：ｒｔ、或は真空
吸引除去さ扛て、基板（１）の表面（ｌａ）に残存する
ことなく、清浄な表面（１ａ）と（７て保た扛るので、
とｎにフォトレジスト被膜を形成し全く汚物を含まない
表面処理ができることとなる。
Ｗｉ Ｎ （５）の除去と共に、該被覆層（５）に付着
していた異物もその温風によシ除去さ：ｒｔ、或は真空
吸引除去さ扛て、基板（１）の表面（ｌａ）に残存する
ことなく、清浄な表面（１ａ）と（７て保た扛るので、
とｎにフォトレジスト被膜を形成し全く汚物を含まない
表面処理ができることとなる。
尚、温風ノズル（６）は図示のように基板（１）の表面
に沿い横設し側方からその噴気流をその表面に沿い流す
ようにすｎば、異物の除去が良好に行なわｎる。
に沿い横設し側方からその噴気流をその表面に沿い流す
ようにすｎば、異物の除去が良好に行なわｎる。
その噴気の流速は適当に設定さｎる。
尚、００２粒子の被σ層（５）の形成方法としては、第
３図示のように、よシｆ＋’ｉ１単に行なうととができ
る。即ち、上記のように基板をＮ２ガスで予冷すること
なく、高圧の液化炭ｒλゼンベ（７）を用意し、と扛か
ら導出する導出管（８）の先端のノズル（９）よシ液化
炭酸を噴出させその断熱膨張によ９００２粒子を生成せ
しめてとｎを基板（１）の清浄な表面（ｌａ）に付着せ
しめ所要の厚さの００２粒子被妊層（５）を形成するよ
うにした。この方法であると、簡単に比較的大面積の基
材面にその被桓層（５）の形成ができる。
３図示のように、よシｆ＋’ｉ１単に行なうととができ
る。即ち、上記のように基板をＮ２ガスで予冷すること
なく、高圧の液化炭ｒλゼンベ（７）を用意し、と扛か
ら導出する導出管（８）の先端のノズル（９）よシ液化
炭酸を噴出させその断熱膨張によ９００２粒子を生成せ
しめてとｎを基板（１）の清浄な表面（ｌａ）に付着せ
しめ所要の厚さの００２粒子被妊層（５）を形成するよ
うにした。この方法であると、簡単に比較的大面積の基
材面にその被桓層（５）の形成ができる。
被覆層（５）の形成には上記のように基材（１）に対し
不活性で而も容易に昇華する。ｏ２等の昇華性物質が被
膜形成性物質が代聚的に好ましいが、場合によっては、
容易に凍結し且つ容易に気化し基材を汚染しない水等の
液体であってもよい。
不活性で而も容易に昇華する。ｏ２等の昇華性物質が被
膜形成性物質が代聚的に好ましいが、場合によっては、
容易に凍結し且つ容易に気化し基材を汚染しない水等の
液体であってもよい。
その実路の１例を第４図に示す。例えば、第１図の装置
と同様に、Ｎ２ガス等の０℃以下の低温ガスの噴出用ノ
ズルＱＯから低温ガスを噴出させ基板（１）に吹き付け
て０℃以下とした後と２１にスプレー装置（ロ）よシ純
水を基板（１）の清浄な表面（ｌａ）に均一に噴霧して
所望の厚さの水の凝結した氷膜被顧層（５）を形成する
。この氷膜被り層（６）を形成した場合は、そのフォト
レジスト工程等における除去は、融解気化させることな
く。
と同様に、Ｎ２ガス等の０℃以下の低温ガスの噴出用ノ
ズルＱＯから低温ガスを噴出させ基板（１）に吹き付け
て０℃以下とした後と２１にスプレー装置（ロ）よシ純
水を基板（１）の清浄な表面（ｌａ）に均一に噴霧して
所望の厚さの水の凝結した氷膜被顧層（５）を形成する
。この氷膜被り層（６）を形成した場合は、そのフォト
レジスト工程等における除去は、融解気化させることな
く。
０℃以下の温度の低温の真空乾燥容器又は室内に基板（
１）を導入し真空吸引によりその氷膜を昇華吸引除去す
ることが好ましい。こ牡によシ被例層に付着していた異
物は基材面に残存することがない。
１）を導入し真空吸引によりその氷膜を昇華吸引除去す
ることが好ましい。こ牡によシ被例層に付着していた異
物は基材面に残存することがない。
尚、 ＣＯ□粒子被覆層や氷膜被葆層のいづれであって
も、必要に応じ、基板（１）の移送中、 Ｃｏ、が昇華
し或は氷が融解することのないように５例えば成る工程
と次の工程を結ぶチャンネル状やパイプ状等の通路を設
け、このコンベヤー通路内をＣＯ２粒子の揚台ｆ′ｉ、
昇華しなμよう約−７０℃以下に、水の氷膜の場合はｓ
（Ｊ’Ｃ以下に冷却した雰囲気に保ち、移送中とｎらの
凍結被ひ層（５）が欠けて、汚染さｔ′Ｌないように防
止することができ、又、容器で搬送する場合は、アイス
ヂツクスや周囲を液体窒素などで冷却しブＣ冷温容器と
する。
も、必要に応じ、基板（１）の移送中、 Ｃｏ、が昇華
し或は氷が融解することのないように５例えば成る工程
と次の工程を結ぶチャンネル状やパイプ状等の通路を設
け、このコンベヤー通路内をＣＯ２粒子の揚台ｆ′ｉ、
昇華しなμよう約−７０℃以下に、水の氷膜の場合はｓ
（Ｊ’Ｃ以下に冷却した雰囲気に保ち、移送中とｎらの
凍結被ひ層（５）が欠けて、汚染さｔ′Ｌないように防
止することができ、又、容器で搬送する場合は、アイス
ヂツクスや周囲を液体窒素などで冷却しブＣ冷温容器と
する。
尚、基材の被覆処理は１度に棲θ個に行なってもよいこ
とは云うまでもない。
とは云うまでもない。
このように本発明によるときは、清浄な収面をもつ部材
を挽送するに癌ハ清浄な環境下で、その嚢面に被農屑を
形成した後搬送するようにしだので、その移行中に清浄
な表面が汚染さｎることなく次の処理工程に移すことが
でき、品質のよい表面処理物を得ることができ、被晋層
が、特に固形炭酸から成るときはその被覆の除去が極め
て簡単に行なわｎ有利である等の効果を有する。
を挽送するに癌ハ清浄な環境下で、その嚢面に被農屑を
形成した後搬送するようにしだので、その移行中に清浄
な表面が汚染さｎることなく次の処理工程に移すことが
でき、品質のよい表面処理物を得ることができ、被晋層
が、特に固形炭酸から成るときはその被覆の除去が極め
て簡単に行なわｎ有利である等の効果を有する。
第１図は本発明実施の１例の側面図、第２図は被覆層除
去時の１例の側面図、第３図は他側の側面図、第４図は
更に他側の側面図を示す。 （１）・・・基板 （Ｉ Ｒ）・・・清浄な表面（３）
Ｑ（）・・・冷却用ノズル（４） （９）（ロ）・・
・被膜形成性物質噴出用ノズル 特許出願人 日本真空技術株式会社 外２名
去時の１例の側面図、第３図は他側の側面図、第４図は
更に他側の側面図を示す。 （１）・・・基板 （Ｉ Ｒ）・・・清浄な表面（３）
Ｑ（）・・・冷却用ノズル（４） （９）（ロ）・・
・被膜形成性物質噴出用ノズル 特許出願人 日本真空技術株式会社 外２名
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 部材を所定の楊所へ移行せしめるに当ｐ１予めその
清浄な表面に、清浄な環境下で、被覆層を形成すること
を特徴とする異面汚染防止法。 ２ 該被覆層は、固形炭酸等の昇華性被り層から成る特
許請求の範囲（１）項記載の表面汚染防止法。 ３ 該被覆層は、水等の液体の氷膜から成る特許請求の
範囲（１）項に記載の表面防止法。 ４ 部材を収容する空間内を清浄な環境にするための真
空装置又は清浄空気発生装置から成る清浄環境生成装置
と、部材の清浄な表面に被４υ層を形成するための被覆
層形成装置とから成る表面汚染防止装量。 ５ 被覆層形成’ＪＡＭは、部材を冷却するための冷却
装賃と、冷却さｎた部材に被膜形成性物質を吹き付ける
吹付は装置から成る特許請求の範囲（４）項に記載の装
置。 ６ 被覆層除去装置は、基材に固形粒子を吹付ける吹付
は装置から成る特許請求の範囲（４）項に記載の装置。 ７ ｓ材の清浄な表面に、清浄な環境下で、被覆層を形
成した後、こ扛を次の清浄な環境下の底面処理工程に移
行せしめ、真空排気又は温風等から成る被覆層除去装置
によシ、被覆層を溶解することなく除去し、被覆層に移
行中付着した汚染物質を部材の清浄な表面に残存せしめ
ることなく除去するととを特徴とする表面汚染防止法。 ８ 該被覆層は、固形炭酸等の昇華性被覆層から成る特
許請求の範囲（７）項に記載の防止法。 ９ 該被覆層は、氷膜から成シ真空吸引除去する特許請
求の範囲（７）項に記載の防止法。 ｌＯ凍結被覆層を備えた部材を移行する間その凍結被覆
層−の昇華又は融解を防止する冷却ａ路又は冷却容器を
設け、移行中の凍結被枡層の欠損による移行中の基材の
汚染を防止することを％ ６５とする汚染防止法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15095383A JPS6043833A (ja) | 1983-08-20 | 1983-08-20 | 表面汚染防止法並にその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15095383A JPS6043833A (ja) | 1983-08-20 | 1983-08-20 | 表面汚染防止法並にその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043833A true JPS6043833A (ja) | 1985-03-08 |
| JPH0324768B2 JPH0324768B2 (ja) | 1991-04-04 |
Family
ID=15508032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15095383A Granted JPS6043833A (ja) | 1983-08-20 | 1983-08-20 | 表面汚染防止法並にその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043833A (ja) |
-
1983
- 1983-08-20 JP JP15095383A patent/JPS6043833A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0324768B2 (ja) | 1991-04-04 |
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