JPS6042905A - 周波数制御可能なｌｃ発振器 - Google Patents

周波数制御可能なｌｃ発振器

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JPS6042905A
JPS6042905A JP59138082A JP13808284A JPS6042905A JP S6042905 A JPS6042905 A JP S6042905A JP 59138082 A JP59138082 A JP 59138082A JP 13808284 A JP13808284 A JP 13808284A JP S6042905 A JPS6042905 A JP S6042905A
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resistor
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collector
oscillator
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エアハルト・タンホイザー
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Siemens AG
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Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の関連する技術分野 本発明は、電圧制御されろリアクタンスとエミッタ結合
された差動増幅器とを備えブこ周波数制御可能なＬＣ発
振器に関する。
従来技術 振動回１洛容量が少なくとも部分的にグイオー発明が解
決しようとする問題点 一連の用途において、例えば上記の形式の発振器を信号
処理する位十目制御ループに用いる」Ｊ、）合、対称か
つ方形の出力電圧を発生することと、発振器の周波数制
御％性つ壕つ発振器周波数変化の制御電圧の変化に対す
る依存特性か皓託に直線的であることが必要となる。ａ
（百キロヘルツから数メガヘルツの周波帯域において用
いろ場合、所謂超階段ＰＮ接合を有するバラクタダイオ
ードを用いても十分直線的な周波数制御特性が発振器に
とって得られないという問題が生じろ。
従って本発明の目的は冒頭に述べ１こ形式の発振器を、
当該周波帯域において対称かつ方形の出力′１］（圧を
発生する際に、極めて直線的周波数制御特性が得られる
ように改善することにある。
問題点を解決するための手段 本発明に、Ｊ：肚ばこの目的は次のようにして達成され
る、即ち第１のトランジスタを設け、該第１のトランジ
スタのベースを基準電位に接続し、エミッタを第２のト
ランジスタのエミッタに接続し且つ第１の抵抗を介して
負の動作電圧源圧接続し、第１のトランジスタのコレク
タをｌＪ〜１のコンデンサとインダクタンスとから構成
さ２ｚた並列振動回路を介して正の動作電圧源に（ど続
し、第１トランジスタのコレクタを直接第６のトランジ
スタのコレクタに接続し且つ第２のコンデンサを介して
第４のトランジスタのコレクタおよびベースに接続しさ
らに第６のコンデンサを介して第２のトランジスタのベ
ースに接続し、該第２のトランジスタのベースを扉、２
の抵抗を介して基準電位に接続し、第６および第４のト
ランジスタのエミッタを基準電位に接続し、第４のトラ
ンジスタのコレクタを第６の抵抗を介して正の動作電圧
源に接続し且つ第４の抵抗を介して第６のトランジスタ
のベースに接続し、該第６のトランジスタのベースを第
５の抵抗を介して制御電圧源と接続し、第２の１゛ラン
ジスタのコレクタを出力端子に接続しさらに第６の抵抗
を介して正の動作電圧源に接続１−る。
さらに本発明によオｔば、第１の出力端子にｌＩ４４の
コンデンサを介して第５のトランジスタのヘ−スを接続
し、該第５のトランジスタのベースを第７の抵抗を介し
て基準電位に接続し且つ第８の抵抗を介して第５のトラ
ンジスタのコレクタに接続し、このコレクタを第２の出
力端子と接続し且つさらに第９の抵抗を介して止の動作
電圧源と接続し、第５のトランジスタのエミッタを基準
電位に接続する。
実施例 次に本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明′１″ろ
。
第１図の発振器は、範１および第２のトランジスタＴＩ
、Ｔ２を備えた共通エミッタ差動増幅器を含んでおり、
こｎらトランジスタのエミッタは互いに接続され、第１
の抵抗Ｒ１を介Ｕて負の動作電圧源−ＵＢに接続さｎて
いる。第１のトランジスタＴ１のベースは基準電位に接
続されており、コレクタは、インダクタンスＬと第１の
コンデンサＣ１とから成る並列振動回路を介して正の動
作１ｙ圧源十ＵＢと接続さねている他、第６のトランジ
スタＴ３のコレクタに接続さＪ’しており、べらに第ろ
のコンデンサＣろを介して第２のトランジスタＴ２のベ
ースに接続されている。第２の１−ランジスタテ２σ〕
ベースは、その他第２の抵抗Ｒ２を介し７て基準電位に
接続さオｔている。第５および第４のトランジスタＴろ
、Ｔ４のエミッタは基準電位（Ｃ接続さｎ”′Ｃおり、
第４のトランジスタＴ４のコレクタは第６の抵抗Ｒ６を
介して正の動作市川源−１−Ｕ　ＢＫ接続されている。
さらに、第４のトランジスタのコレクタは第４の抵抗Ｒ
４を介して４Ａ乙の１−ランジスタＴ６のベースに接続
さオｔ１そこから第５の抵抗Ｒ５を介して制御電圧源Ｕ
Ｓｔ　Ｋｋ続されている。第２のトランジスタＴ２のコ
レクタは第１の出力端子Ａ１に接続され、１だ第６の抵
抗Ｒ６を介して正の動作電圧源十ＵＢに扱・続さオｔ、
且つ第４のコンデンサＣ４を介して第５のトランジスタ
Ｔ５のベースに接続されている。第５のトランジスタの
エミッタはＸ　”ＪＬ　’Ｔｌｆ、　位に接続さ扛てお
り、ベースも第７の抵抗Ｒ７を介して基準電位に接続さ
オｔている。第５のトランジスタのベースはさらに第８
の抵抗Ｒ８ｆＸ：介して同１−ランジスタのコレクタに
接続さ２ｔておつ、このコレクタは第２の出力端子Ａ２
に接ｆＷＷさ、ｉｔ且つ第９の抵抗Ｒ９を介して正の動
作”＋ｊ（圧源十ＵＢに接続さ扛ている。正の動作電圧
源へのリード線は第５のコンデンサＣ５を介して交流電
圧的に接地されている。
２つのトランジスタＴ１およびＴ２を有する帰還接続さ
れ１こ差動増幅器に加えて第１図の発振器は、トランジ
スタＴ６およびＴ４を有する制御可能なりアクタンスと
トランジスタＴ５を有′ｆろ緩衝増幅器とを含んでいろ
。抵抗Ｒ１を介して負の動作電圧源から第１および第２
のトランジスタのエミッタに流れる電流”Ｏハ、第６の
コンデンサＣうを介して第２のトランジスタのベースに
加わる、振動回路の正弦波電圧によって両トランジスタ
間で対称な方形な電流に切換えら訛る。その際この方形
電流の基本波成分は振動回路に正弦波状振Ｔ＃ｌ電圧を
発生させる。
この切換過程は、トランジスタＴ１およびＴ２のオフセ
ット電圧ならびに第２のトランジスタのベースＩＬｆ、
流による第２の抵抗Ｒ２における電圧降下が振動回路電
圧のピーク値に比べて十分に小さげれば対称である。集
積回路技術で構成するか寸たは少な（とも１つのモノリ
シックトランジスタアレーを用いる場合、この小さなオ
フセット電圧への要求は容易に満たせろ。その際、振動
回路を減皺する第２の抵抗Ｒ２の大きさは、振動回路で
の振動振幅のピーク・ピーク値がトランジスタの熱起電
力の１０〜１６倍になるように、即ち０．２５〜０．７
５　Ｖの間になるように選ばれろ。この範囲において最
適な、飽和のないスイッチング動作が行なえろ。発振器
への外部負荷の影Ｗ−ｆなわち反作用は、トランジスタ
Ｔ５で構成されている緩衝段により大幅に低減さ２する
。これは負帰還抵抗Ｒ８により緩衝段の入力インピーダ
ンスが極めて低くされているため〆達成され、これｖｃ
、にりむしろ牛実上この緩衝段に１つの仮想零点が生じ
る。こＪ’Ｌにより第２のトランジスタＴ２のコレクタ
交ｍ　’Ｎ￥。
圧が極めて小さくなるので、このトランジスタＴ２のコ
レクタ・ベース間容量を介して作用する電圧は発生ｊる
振動の周波数に大して影暑・を与えない。第２のトラン
ジスタＴ２のコレクタ抵抗Ｒ６と第５のトランジスタテ
５０ベース抵抗Ｒ７とはトランジスタＴ５のベースのグ
イナミツクな入力インピーダンスに比べて比較的大きく
選ばれているので、出力側Ａ２に発生する方形電圧は抵
抗Ｒ８を流オｔろ電流■。の電圧降下にほぼ相当する。
このようにして緩衝段はＴＬＬコンパチブル出力電圧を
発生することができろ。
トランジスタＴ６およびＴ４を有する制御可能なりアク
タンス回路を説明するために第２図を示す。この回路に
おいてＲ１１はトランジスタＴ４を介してのバルク抵抗
を表しており、他方抵抗Ｒ１２はトランジスタＴ６の相
互コンダクタンスの逆数を表わしている。抵抗Ｒ１１が
コンデンサＣ２の容量リアクタンスに比べて極めて小さ
いというｍｉ■提のもとで、近似的に抵抗Ｒ１１におけ
る電圧は端子Ａおよび８間の端子電圧より９０°位木目
が進んでおり、ひいてはトランジスタＴ３のコレクタ電
流よりも９０°位相が進んでいる。このときこの装置の
失踪の無効電流はコンデンサ０２夕流ねる電流の数倍に
なり、この関係は抵抗Ｒ１１とＲ１２との比に相互に依
存する。両抵抗のうちの一方、例えば抵抗Ｒ１２’ｒ可
変抵抗にすると、装置の無効電流が変化するので、容量
制御可能に変化することができる。
制御可能な容量の変化特性な保持する１こめに、抵抗Ｒ
３を介してダイオードとして’ｆｆ２　ｄ６Ｑさｇたト
ランジスタＴ４に供給される直流電流カ常に、コンデン
サＣ２を介して供給さオ’する電流の交流電流振幅より
も大きくなるようにしなければなラナい。コンデンサＣ
２の容量リアクタンスはその他トランジスタＴ４のコレ
クタ・エミッタ間の微分抵抗よりも明らかに大きくなけ
れはプ工らず、−この微分抵抗は、このトランジスタＴ
４の熱起電力（例えば２６　ｍＶ　）とエミツク′市流
との商として生じる。従って、トランジスタＴ４のコレ
クタ・エミッタ電圧は、コンデンサＣ２を流肚る無効電
流の対数に比例する父疏市、圧′成分’ａ：　含す。ト
ランジスタＴ６のエミッタ・ベース間はカレントミラー
回路の形式で制用１される。発生するコレクタ電流はト
ランジスタＴ６の指数関数状の制御特性曲線により、コ
ンデンサＣ２を流わる１に流を歪なく再現している。分
圧器Ｒ５，Ｒ４を介して制御電圧°が供給され、この電
圧は可変オフセット電圧として作用し、カレントミラー
回路の反射係数ひいては作用容１１（により設定するこ
とができる。その際抵抗Ｒ４はトランジスタＴ６の入力
インピーダンスよりも小さく、抵抗Ｒ５の値は、この抵
抗が減結合抵抗として作用することにより、抵抗Ｒ４の
イ１αより約１０口倍大きい。その場合必要な制御′「
Ｅ圧ＵＳｔはＴＴＬ回路にとって通常の範囲内になる。
発明の効果 本発明の装置は、制御電圧に依存する発振周波数の変化
特性曲線の直線性の良好な発振器をモノリティッシュ技
術〜で製造することができる。
またこの発振器を位相制針ループに用いろ場合旨い対称
性の方形の出力′藏圧発生ができる。
きらに本発明によれ妊：、反作用のない出力結合が行え
、つ寸つは外部負荷抵抗の変動が発振器安定性に影ＹＰ
を及ぼきなくなる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の発振器の回］烙図、第２図は第１図の
回路に対するリアクタンス回路の説明に供する図である
。 Ａ１・・第１の出力端子、Ａ２・第２の出力端子、Ｕ　
・・制御′ｉｆ１電圧、−ＵＢ、＋ＵＢ・・動作′ｔ（
℃圧ｔ 源

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １′１Ｆ圧制（財）されろリアクタンスとエミッタ共通
    差動増幅器とを備えた周波数制御可能なＬＣ発振器にお
    いて、第１のトランジスタ（Ｔ１）を設け、該第１のト
    ランジスタのベースを基準電位に接続し、エミッタを第
    ２のトランジスタ（Ｔ２）のエミッタに接続し且つ第１
    の抵抗（Ｒ１）ｋ介して負の動作電圧源（−ＵＢ）に接
    続し、第１のトランジスタ（ＴＩ）のコレクタを、第１
    のコンデンサ（Ｃ１）とインダクタンス（Ｌ）とから構
    成さ７’した並列振動回路を介して正の動作電圧源（＋
    ＵＢ）に接続し、第１のトランジスタ（ＴＩ　）のコレ
    クタを直接第６のトランジスタ（Ｔろ）のコレクタに接
    続し且つ第２のコンデンサ（Ｃ２）’ｒ介して第４　ｉ
    〕）ランジスタ（Ｔ４）のコレクタおよびベースに接続
    しさらに第６のコンデンサ（Ｃ６）を介して第２のトラ
    ンジスタ（Ｔ２　）のベースに４琴続し、該第２のトラ
    ンジスタのベースを第２の抵′Ｊｊ″Ｌ（Ｒ２）を介し
    て基準電位に接続し、第６および第４のトランジスタ（
    Ｔ３．Ｔ４）のエミッタを基準電位に接続し、第４のト
    ランジスタのコレクタを第６の抵抗（Ｒ６）を介して正
    の動作電圧源（十ＵＢ）に接続し旧つ第４の抵抗（Ｒ４
    ）を介して第５のトランジスタ（Ｔ６）のベースに接続
    し、該第６の１−ランジスタのベースを第５の抵抗（Ｒ
    ５）を介して制御電圧源（Ｕ８ｔ）と接続し、第２０）
    トランジスタ（Ｔ２）のコレクタを舘１の出力端子（Ａ
    １）に接続しざらに第６の抵抗（Ｒ６）を介して正の動
    作電圧源（十ＵＢ）に接続したことを特徴とする、周波
    数開側１可能なＬＣ発振器。 ２、振動回路の振動振幅のピーク・ピークイｌぽか熱起
    電力の１０〜１６倍になるよう第２の抵抗（Ｒ２）の値
    を選んだ特許請求の範囲第１項記載の周波数制御可能な
    ＬＣ発振器。 ３．　第４の抵抗（Ｒ４）の抵抗値を第６のトランジス
    タ（Ｔろ）の入力インピーダンスに比べて小さくした″
    特許請求の範囲第１項記載の周波数制御可能なＬＣ発振
    器。 ４　第５の抵抗（Ｒ５）の抵抗値を第４の抵抗（Ｒ４）
    の抵抗値の約１００倍とした特許請求の範囲第１項記載
    の周波数制御可能なＬＣ発振器。 ５、糖６の抵抗（Ｒ６）の抵抗値を、この抵抗を流お２
    る直流電流が第２のコンデンサ（Ｃ２）を流れる電流の
    最大値よりも大きいように選定した特許請求の範囲第１
    項記載の周波数制御可能なＬＣ発振器。 ６　電圧制御されるリアクタンスとエミッタ結合され１
    こ左ηす）増幅器とを備えた周波数制御可０旨なＬＣ発
    振器において、第１のトランジスタ（Ｔ１）を設け、該
    第１のトランジスタのベースな基準電位に接続し、エミ
    ッタを第２のトランジスタ（Ｔ　２　、）のエミッタに
    接続し且つ第１の抵抗（Ｒ１）を介して負のＨｉＩＩ作
    ｆ［圧源（−ＵＢ）に接続し、第１のトランジスタ（Ｔ
    Ｉ）のコレクタを第１のコンデンサ（Ｃ１）とインダク
    タンス（Ｌ）とから１１４成された並列振動回路を介し
    て正の動作ｉｔ電圧源十ＵＢ）に接続し、第１トランジ
    スタ（Ｔ１）のコレクタを直接第６のトランジスタ（Ｔ
    ろ）のコレクタに接続し且つ第２のコンデンサ　。 （Ｃ２）を介して第４の１−ランジスク（Ｔ４）のコレ
    クタおよびベースに接続しさらに第６のコンデンサ（Ｃ
    ３）を介して第２の１゛ランジスタ（Ｔ２）のベースに
    接続し、該第２のトランジスタのベースを第２の抵抗（
    Ｒ２）を介して基準電位に接続し、第６おまひ卯４のト
    ランジスタ（Ｔろ、Ｔ４）のエミッタを基準電位に接続
    し、第４のトランジスタのコレクタを第６の抵抗（Ｒ６
    ）を介して１１ｒの前作電圧源（十ＵＢ）に接続し且つ
    第４の抵抗（Ｒ４）を介して第６のトランジスタ（Ｔ３
    ）のベースに接続し、該第６のトランジスタのベースを
    第５の抵抗（Ｒ５）を介して制御電圧源（Ｕｓｔ）と接
    続し、第２の１−ランジスタ（Ｔ２）のコレクタを第１
    の出力端子（Ａｌ　）に接続しさらに第６の抵抗（Ｒ６
    ）を介して正の動作電圧源（十ＵＢ）に接続し、さらに
    第１の出力端子（Ａ１）に第４のコンデンサ（Ｃ４）を
    介して第５のトランジスタ（Ｔ５）のベースを接続し、
    該第５のトランジスタのベースを第７の抵抗（Ｒ７）を
    介して基準電位に接続し且つ第８の抵抗（Ｒ８）を介し
    て第５のトランジスタ（Ｔ５）のコレクタに接続し、こ
    のコレクタを第２の出力端子（Ａ２）と接続しさらに第
    ９の抵抗（Ｒ９）を介して正の動作電圧α（十ＵＢ）と
    接続し、第５のトランジスタ（Ｔ５）のエミッタをｘ　
    ７１　ｉｔ　ａに接続したことを特徴とする周波数制御
    可能なＬＣ発、振器。 Ｚ　第６および第７の抵抗（Ｒ６，Ｒ７）の抵抗で的を
    、第５のトランジスタ（Ｔ５）のベースσ〕ダイーノー
    ミッタな入力インピーダンスに比べて比較的大きくした
    特許請求の範囲第６３貞記載の周波数制御可能なＬＣ発
    振器。
JP59138082A 1983-07-22 1984-07-05 周波数制御可能なｌｃ発振器 Pending JPS6042905A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19833326382 DE3326382A1 (de) 1983-07-22 1983-07-22 Nachstimmbarer lc-oszillator mit spannungsgesteuerter reaktanz
DE3326382.5 1983-07-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6042905A true JPS6042905A (ja) 1985-03-07

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ID=6204596

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59138082A Pending JPS6042905A (ja) 1983-07-22 1984-07-05 周波数制御可能なｌｃ発振器

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Country Link
EP (1) EP0132749A3 (ja)
JP (1) JPS6042905A (ja)
DE (1) DE3326382A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS615604A (ja) * 1984-06-20 1986-01-11 Toshiba Corp 電圧制御型発振回路

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4633195A (en) * 1985-11-21 1986-12-30 Motorola, Inc. Balanced oscillator with constant emitter voltage level
EP0230876B1 (de) * 1986-01-09 1991-01-02 Siemens Aktiengesellschaft Frequenzsteuerbarer Quarzoszillator
AT391965B (de) * 1988-12-19 1990-12-27 Philips Nv Oszillator zur anspeisung einer mischstufe in einem tuner
GB2290916A (en) * 1994-06-24 1996-01-10 Plessey Semiconductors Ltd Tunable oscillator arrangement

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS516444A (ja) * 1974-07-04 1976-01-20 Sony Corp

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL236310A (ja) * 1958-02-19
DE2038435C3 (de) * 1970-08-01 1978-12-07 Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart Oszillator
JPS5599805A (en) * 1979-01-24 1980-07-30 Toshiba Corp Voltage control type oscillation circuit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS516444A (ja) * 1974-07-04 1976-01-20 Sony Corp

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS615604A (ja) * 1984-06-20 1986-01-11 Toshiba Corp 電圧制御型発振回路
JPH0329322B2 (ja) * 1984-06-20 1991-04-23 Tokyo Shibaura Electric Co

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Publication number Publication date
EP0132749A3 (de) 1986-10-22
EP0132749A2 (de) 1985-02-13
DE3326382A1 (de) 1985-01-31

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