JPS604258A - 半導体装置の構造 - Google Patents
半導体装置の構造Info
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- JPS604258A JPS604258A JP11313783A JP11313783A JPS604258A JP S604258 A JPS604258 A JP S604258A JP 11313783 A JP11313783 A JP 11313783A JP 11313783 A JP11313783 A JP 11313783A JP S604258 A JPS604258 A JP S604258A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の構造にＩｌｄ シ、特に半導体装
置の高信頼度を供与する４１，１造に関する。
置の高信頼度を供与する４１，１造に関する。
半導体装置は一般にシリコンやゲルマニウムのような中
心体材料の本体からなり、この本体表面は通常酸化物絶
縁層を具なえている。この酸化物絶縁層としては通常シ
リコン酸化物が使われている。しかしシリコン酸化膜は
シリコンウェハーを酸化雰囲気中で加熱すれば容易に形
成でき、又。
心体材料の本体からなり、この本体表面は通常酸化物絶
縁層を具なえている。この酸化物絶縁層としては通常シ
リコン酸化物が使われている。しかしシリコン酸化膜は
シリコンウェハーを酸化雰囲気中で加熱すれば容易に形
成でき、又。
成る種の不純物に対し有効な拡散マスクとして使えるこ
と等多くの特長を具なえているが、アルカリ金属、水蒸
気等の不純物に汚染されやすく、岐化物の絶縁性が低下
したり、シリコン基板表面に反転層が形成されるなど半
導体装置が不安定になりやすいため、鴻常酸化物層の少
なくとも選択された部分に窒化シリコン層を形成し、酸
化物の不純物による汚染を防いでいるのが通例である。
と等多くの特長を具なえているが、アルカリ金属、水蒸
気等の不純物に汚染されやすく、岐化物の絶縁性が低下
したり、シリコン基板表面に反転層が形成されるなど半
導体装置が不安定になりやすいため、鴻常酸化物層の少
なくとも選択された部分に窒化シリコン層を形成し、酸
化物の不純物による汚染を防いでいるのが通例である。
また、シリコン基板と導通をとるため通常電極としてア
ルミニウムケ用いるが、半導体装置に外部からサージ・
電圧が加わることによりアルミニウムが溶融し半導体装
置の破壊を引き超こしたり。
ルミニウムケ用いるが、半導体装置に外部からサージ・
電圧が加わることによりアルミニウムが溶融し半導体装
置の破壊を引き超こしたり。
アルミニウムをシリコンに合金させ／）際、たとえば高
周波用トランジスタのようにエミッターベース間のＰＮ
接合が浅いような半導体装置ではＰ Ｎ接合にアルミニ
ウムのスパイクが発生して、所望の特性が得られないな
どの問題があった。このため、成る棟の半導体装置にお
いては、シリコン基板とアルミニウムとの間にポリシリ
コン層をはさむことにより前記問題点の解決を企ってい
る。
周波用トランジスタのようにエミッターベース間のＰＮ
接合が浅いような半導体装置ではＰ Ｎ接合にアルミニ
ウムのスパイクが発生して、所望の特性が得られないな
どの問題があった。このため、成る棟の半導体装置にお
いては、シリコン基板とアルミニウムとの間にポリシリ
コン層をはさむことにより前記問題点の解決を企ってい
る。
すなわち、従来の半導体装置では第１図に示すように、
半導体基板１上の絶縁膜は、電極取出し部でのみ酸化ケ
イ素腺２−窒化ケイ素膜３−ポリシリコン膜４のサンド
イッチ４ｔ！を造になっており。
半導体基板１上の絶縁膜は、電極取出し部でのみ酸化ケ
イ素腺２−窒化ケイ素膜３−ポリシリコン膜４のサンド
イッチ４ｔ！を造になっており。
ポリシリコン膜４上にアルミニウムの配線５がなされい
た。
た。
しかし、このような４（り造を有する半導体装置にも若
干の問題かめって、信頼ｊ皮の向上に限界があり、使用
に当たり多大の注意を必要としている。
干の問題かめって、信頼ｊ皮の向上に限界があり、使用
に当たり多大の注意を必要としている。
す１：ｌイつち、多結晶シリコンと窒化シリコンとは機
絨的密着が弱いことが知られており、第１図に示したよ
うな従来構造の場合、窒化シリコン膜３とポリシリコン
膜４との界面の機械的な密着強度が弱いことからこの界
面よりアルカリ金属や水蒸気等の不純物がシリコン基板
中に侵入しやすく、半導体装置の不安定を引き起こす一
因とならでいた。
絨的密着が弱いことが知られており、第１図に示したよ
うな従来構造の場合、窒化シリコン膜３とポリシリコン
膜４との界面の機械的な密着強度が弱いことからこの界
面よりアルカリ金属や水蒸気等の不純物がシリコン基板
中に侵入しやすく、半導体装置の不安定を引き起こす一
因とならでいた。
本発明は、前記理由による不安定性を解消し、信頼性向
上をもたらす半導体装置の構造を提供するものである。
上をもたらす半導体装置の構造を提供するものである。
本発明によれば、半導体基板上にポリシリコン層−酸化
物絶縁層−窒化シリコン膜の構造をもつ絶縁物層を４１
する半導体装置を僧ゐ。
物絶縁層−窒化シリコン膜の構造をもつ絶縁物層を４１
する半導体装置を僧ゐ。
以下本発明について図面を用いてより詳細に説明する。
第２図は本発明の一実施例による半導体装置の構造断面
図である。本構造の特徴は第１図に示した従来構造が窒
化シリコン膜３上にポリシリコン膜４を形成したものに
なっているのに対し、ポリシリコン膜４上に酸化シリコ
ン族６を形成し、その上に窒化シリコン膜３を形成して
いることにある。窒化シリコン膜とｒ！り化シリコン膜
は一般的に機械的密着強１更が優れていることが知られ
ており、又熱的にも安定である。さらにε１ル１図に示
した従来構造の場合では、ポリシリコン膜４の端部は露
出することになるが、第２図に示した構造の場合はポリ
シリコン膜４の露出部は全くなくなる。
図である。本構造の特徴は第１図に示した従来構造が窒
化シリコン膜３上にポリシリコン膜４を形成したものに
なっているのに対し、ポリシリコン膜４上に酸化シリコ
ン族６を形成し、その上に窒化シリコン膜３を形成して
いることにある。窒化シリコン膜とｒ！り化シリコン膜
は一般的に機械的密着強１更が優れていることが知られ
ており、又熱的にも安定である。さらにε１ル１図に示
した従来構造の場合では、ポリシリコン膜４の端部は露
出することになるが、第２図に示した構造の場合はポリ
シリコン膜４の露出部は全くなくなる。
このため、アルカリ金属や水蒸気等の不純物がシリコン
基板中に侵入することを充分防止でき半導体装置の不安
定性が解消され、信頼性の向上が期待できる。
基板中に侵入することを充分防止でき半導体装置の不安
定性が解消され、信頼性の向上が期待できる。
なお本発明は半導体材料としてシリコンを用いた例を取
り上げ説明したが、他の半導体材料を用いた半導体装置
についても適用可能である。
り上げ説明したが、他の半導体材料を用いた半導体装置
についても適用可能である。
第１図は従来の半導体装置のコンタクト部の断面４Ｊ造
図である。、第２図は本発明の一実施例による半導体装
間のコンタクト部の１新面伯造図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・重化シリ
コン族。 ３・・・・・・窒化ケイ素膜、４・・・・・・ポリシリ
コンＩＮ、５・・・・・・アルミニウム、６・・・・・
・酸化ケイ素膜。 賽 １ 剖 察 ２ 図
図である。、第２図は本発明の一実施例による半導体装
間のコンタクト部の１新面伯造図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・重化シリ
コン族。 ３・・・・・・窒化ケイ素膜、４・・・・・・ポリシリ
コンＩＮ、５・・・・・・アルミニウム、６・・・・・
・酸化ケイ素膜。 賽 １ 剖 察 ２ 図
Claims (1)
- 絶縁被膜としてＩｆ化物絶縁層を半導体基板上に具なえ
た半導体装置において、少なくとも選択的に形成された
ポリシリコン膜上に酸化物絶縁層を形成し、さらに窒化
シリコン膜を形成したことを特徴とする半導体装置の構
造、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11313783A JPS604258A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 半導体装置の構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11313783A JPS604258A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 半導体装置の構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604258A true JPS604258A (ja) | 1985-01-10 |
Family
ID=14604491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11313783A Pending JPS604258A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 半導体装置の構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604258A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02278769A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1983
- 1983-06-23 JP JP11313783A patent/JPS604258A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02278769A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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