JPS6041866B2 - Manufacturing method for airtight terminals - Google Patents

Manufacturing method for airtight terminals

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JPS6041866B2
JPS6041866B2 JP9912380A JP9912380A JPS6041866B2 JP S6041866 B2 JPS6041866 B2 JP S6041866B2 JP 9912380 A JP9912380 A JP 9912380A JP 9912380 A JP9912380 A JP 9912380A JP S6041866 B2 JPS6041866 B2 JP S6041866B2
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JP
Japan
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nickel plating
heat sink
glass
copper
flange
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JPS5724550A (en
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孝一 薦田
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NEC Home Electronics Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6041866B2 publication Critical patent/JPS6041866B2/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4871Bases, plates or heatsinks

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は気密端子の製造方法に関し、特にキヤン封
止型の半導体装置用ステムの製造方法の改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for manufacturing a hermetic terminal, and more particularly to an improvement in a method for manufacturing a stem for a can-sealed semiconductor device.

パワートランジスタ等のキヤン封止型半導体装置のス
テムとして、比較的小電力用のものはステム基板全体が
鉄で形成されているが、中電力以上用のものは鉄製のフ
ランジに銅製ヒートシンクが固着一体化された構造を有
する。第1図はそのようなシステムの一例の平面図を示
し、第2図は第1図の■−■線に沿う断面図を示す。図
において、1は鉄製のフランジで、略菱形状を呈しその
中央部にヒートシンク嵌合孔2を有し、中央部近傍に2
個のリード線封着孔3、3を有し、さらに長手方向の両
端にシャーシ等への取付孔4、4を有する。5は前記ヒ
ートシンク嵌合孔2に嵌合しロウ付けされた銅製のヒー
トシンク、6、6は前記リード線封着孔3、3にガラス
7、 7を介して封着された鉄・ニッケル合金製のリー
ド線である。
As stems for can-sealed semiconductor devices such as power transistors, those for relatively low power use have the entire stem board made of iron, but for those for medium or higher power use, a copper heat sink is integrally fixed to a steel flange. It has a structured structure. FIG. 1 shows a plan view of an example of such a system, and FIG. 2 shows a cross-sectional view taken along line 1--2 in FIG. In the figure, reference numeral 1 denotes an iron flange, which is approximately diamond-shaped and has a heat sink fitting hole 2 in its center, and 2 near the center.
It has lead wire sealing holes 3, 3, and further has mounting holes 4, 4 at both ends in the longitudinal direction for attaching to a chassis or the like. 5 is a copper heat sink that is fitted into the heat sink fitting hole 2 and brazed; 6 is an iron-nickel alloy that is sealed to the lead wire sealing holes 3 through glass 7; This is the lead wire.

上記の構成ステムは、例えば次のようにして製造され
ている。
The above-mentioned stem is manufactured, for example, as follows.

まず、銅メッキまたはニッケルメッキを施したフランジ
1のヒートシンク嵌合孔2にヒートシンク5を嵌合し、
カルめ加工によつてフランジ1と仮固定したのち、リー
ド線封着孔3、3に円筒状のガラスタブレットを嵌合し
、このガラスタブレットの中心孔にリード線6、6を挿
通した状態で約1000℃に加熱し、ガラスタブレット
を溶融させてリード線6、6をガラス封着する。次に、
ヒートシンク5の周面に沿つて銀ロウを配置し、約85
0℃に加熱して銀ロウを溶融し、ヒートシンク5をフラ
ンジ1に気密にロウ付けする。最後に、全面を活性化し
たのち電気ニッケルメッキ等の仕上げメッキを施す。
しかるに、上記の方法では、リード線6、6のガラス封
着と、ヒートシンク5の銀ロウ付けの2回の加熱工程を
必要とするため、煩雑であり原価高騰の一因となつてい
る。
First, the heat sink 5 is fitted into the heat sink fitting hole 2 of the flange 1 which is plated with copper or nickel,
After temporarily fixing it to the flange 1 by carving, a cylindrical glass tablet is fitted into the lead wire sealing holes 3, 3, and the lead wires 6, 6 are inserted into the center hole of this glass tablet. The glass tablet is heated to about 1000° C. to melt it, and the lead wires 6, 6 are sealed with glass. next,
Silver solder is placed along the circumferential surface of the heat sink 5, and approximately 85
The heat sink 5 is hermetically soldered to the flange 1 by heating to 0° C. to melt the silver solder. Finally, after activating the entire surface, finish plating such as electrolytic nickel plating is applied.
However, the above method requires two heating steps: glass sealing of the lead wires 6, 6 and silver brazing of the heat sink 5, which is complicated and causes a rise in cost.

そこで、ヒートシンク5の側面部にあらかじめ化学ニ
ッケルメッキを形成しておいて、このヒートシンク5を
フランジ1のヒートシンク嵌合孔2に嵌合しかしめて仮
固定するとともに、リード線封着孔3,3にガラスタブ
レットを嵌入し、ガラスタブレットにリード線6,6を
挿通せしめて全体を約10000Cに加熱し、ガラスタ
ブレットを溶融してリード線6,6をガラス封着すると
同時に、ガラス封着温度でヒートシンク5の側面の化学
ニッケルメッキを溶融してヒートシンク5をフランジ1
にロウ付けし、最後に電気ニッケルメッキ等の仕上げを
施す方法が提案された。
Therefore, chemical nickel plating is formed on the side surface of the heat sink 5 in advance, and the heat sink 5 is temporarily fixed by fitting into the heat sink fitting hole 2 of the flange 1, and the lead wire sealing holes 3, 3 are temporarily fixed. Insert the glass tablet into the glass tablet, insert the lead wires 6, 6 into the glass tablet, heat the whole to about 10,000C, melt the glass tablet and seal the lead wires 6, 6 to the glass, and at the same time, heat the glass tablet at the glass sealing temperature. Heat sink 5 is attached to flange 1 by melting the chemical nickel plating on the side of heat sink 5.
A method was proposed in which the material was brazed and then finished with electrolytic nickel plating.

上記の方法によれば、リード線6,6のガラス封着温度
で同時にヒートシンク5のロウ付けが行なえるので、工
数低減による原価低減が可能になる。
According to the above method, since the heat sink 5 can be brazed at the same time at the glass sealing temperature of the lead wires 6, 6, the cost can be reduced by reducing the number of man-hours.

しかしながら、フランジ1にあらかじめ銅メッキまたは
ニッケルメッキを施しておいて、ガラス封着およびロウ
付け後仕上げメッキを施すので、2回のメッキ工程が必
要であり、まだ煩雑であり、原紙低減にも限度があつた
。そこで、次のようなこの発明の背景となる製造方法が
提案された。
However, since the flange 1 is pre-plated with copper or nickel, and the final plating is applied after glass sealing and brazing, two plating processes are required, which is still complicated and limits the amount of base paper used. It was hot. Therefore, the following manufacturing method, which is the background of this invention, was proposed.

以下、その製法を第3図および第4図により説明する。
まず、第3図に示すように、鉄製のフランジ1の全面に
電気ニッケルメッキ8を施し、一方銅製のヒートシンク
5の全面に電気ニッケルメッキ9を施したのち、その側
面にのみ化学ニッケルメッキ10を施し、このヒートシ
ンク5をフランジ1のヒートシンク嵌合孔2に嵌合し、
かしめ加工によつて仮固定しておく。またフランジ1の
リード線封着孔3,3に円筒状のガラスタブレット7a
,7aを嵌濃し、このガラスタブレット7a,7aに電
気ニッケルメッキを施したリード線6,6を挿通する。
そして全体を約1000℃に加熱してガラスタブレット
7a,7aを溶融してリード線6,6をガラス7,7で
封着するとともに、化学ニッケルメッキ10を溶融して
ヒートシンク5をフランジ1にロウ付けすると、第4図
に示すようなステムが得られる。上記の製造によれば、
リード線6,6のガラス封着とヒートシンク5のロウ付
けとが同時に行なえるのみならず、フランジ1、ヒート
シンク5およびリード線6,6の露出部分がすべて電気
ニッケルメッキで被覆されているので仕上げメッキが不
要になり、さらに工数を低減でき原価低減を図れる利点
がある。しかしながら、ヒートシンク5の全面に電気ニ
ッケルメッキ9を施したのち、その側面にのみ化学ニッ
ケルメッキ10を施すと、ガラスタブレット7aの軟化
点よりも化学ニッケルメッキ10の融点が低いので、ガ
ラスタブレット7aが軟化溶融する前に化学ニッケルメ
ッキ10が溶融し、しかも溶融した化学ニッケルメッキ
がフランジ1やヒートシンク5の電気ニッケルメッキ8
,9上を流れやすいので、第4図に示すように、フラン
ジ1とガラス7の防止界面に流れて気密性を劣化さ゛せ
たり、ヒートシンク5上に流れて半導体素子の固着性を
劣化させたり、さらにはキャップ溶接個所に流れてキャ
ップの溶接時に湯玉が発生して半導体素子に付着して特
性を劣化させる原因となる。
The manufacturing method will be explained below with reference to FIGS. 3 and 4.
First, as shown in FIG. 3, electrolytic nickel plating 8 is applied to the entire surface of the iron flange 1, electrolytic nickel plating 9 is applied to the entire surface of the copper heat sink 5, and then chemical nickel plating 10 is applied only to the side surfaces. the heat sink 5 is fitted into the heat sink fitting hole 2 of the flange 1,
Temporarily fix it by caulking. In addition, a cylindrical glass tablet 7a is inserted into the lead wire sealing holes 3, 3 of the flange 1.
, 7a, and electrically nickel-plated lead wires 6, 6 are inserted through the glass tablets 7a, 7a.
Then, the whole is heated to about 1000°C to melt the glass tablets 7a, 7a, and seal the lead wires 6, 6 with the glasses 7, 7, and at the same time, melt the chemical nickel plating 10 and braze the heat sink 5 to the flange 1. When attached, a stem as shown in FIG. 4 is obtained. According to the above manufacturing,
Not only can the glass sealing of the lead wires 6, 6 and the brazing of the heat sink 5 be performed at the same time, but the exposed parts of the flange 1, heat sink 5, and lead wires 6, 6 are all coated with electrolytic nickel plating, making it easy to finish. This has the advantage of eliminating the need for plating, further reducing the number of man-hours and reducing costs. However, if the electrolytic nickel plating 9 is applied to the entire surface of the heat sink 5 and then the chemical nickel plating 10 is applied only to the side surfaces, the melting point of the chemical nickel plating 10 is lower than the softening point of the glass tablet 7a, so the glass tablet 7a The chemical nickel plating 10 melts before softening and melting, and the molten chemical nickel plating is used as the electrolytic nickel plating 8 of the flange 1 and heat sink 5.
. Furthermore, the hot water flows to the cap welding area, and when the cap is welded, hot water beads are generated and adhere to the semiconductor elements, causing deterioration of their characteristics.

それゆえ、この発明の主たる目的は、上述の製法の利点
は生かしつつ、前述の問題点を解決し得るステムの製造
方法を提供することである。
Therefore, the main object of the present invention is to provide a method for manufacturing a stem that can solve the above-mentioned problems while taking advantage of the advantages of the above-mentioned manufacturing method.

この発明は要約すると、フランジ等の鉄系部品とヒート
シンク等の銅系部品との少なくとも一方のロウ付け予定
部分に化学ニッケルメッキを施したのち、これら鉄系部
品と銅系部品とを所定の関係位置にかしめて仮固定し、
この仮固定体の全面に電気ニッケルメッキを施し、この
仮固定体をリード線およびガラスタブレットとともに所
定の関係位置に組み立て、全体を加熱することによつて
前記ガラスタブレットを溶融してリード線をガラス封着
すると同時に、前記化学ニッケルメッキを溶融して鉄系
部品と銅系部品とをロウ付け一体とすることを特徴とす
るものである。この発明の上述の目的およびその他の目
的と特徴は、図面を参照して行なう発明の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
To summarize, this invention applies chemical nickel plating to the brazing portion of at least one of iron-based parts such as flanges and copper-based parts such as heat sinks, and then connects these iron-based parts and copper-based parts in a predetermined relationship. Caulk it into position and temporarily fix it.
Electrolytic nickel plating is applied to the entire surface of this temporary fixing body, this temporary fixing body is assembled together with the lead wire and the glass tablet in a predetermined relationship position, and the whole is heated to melt the glass tablet and the lead wire is made of glass. At the same time as the sealing, the chemical nickel plating is melted and the iron-based parts and the copper-based parts are brazed together. The above-mentioned objects and other objects and features of the present invention will become more apparent from the detailed description of the invention given with reference to the drawings.

まず、この発明を第1図および第2図に示す構成のステ
ムの製造に実施する場合を、第5図ないし第8図により
説明する。
First, a case in which the present invention is implemented for manufacturing a stem having the structure shown in FIGS. 1 and 2 will be explained with reference to FIGS. 5 to 8.

最初、第5図に示すように、鉄製のフランジ1と銅製の
ヒートシンク5を製作しておき、その少なくとも一方の
ロウ付け予定部分、例えばヒートシンク5の側面のみに
厚さ5〜15μ程度の化学ニッケルメッキ10を施す。
このとき、例えば所定厚さの銅板の上下面にメッキレジ
スト層を形成しておいて、この銅板を円形に打ち抜いて
、上下面がメッキレジスト層で被覆され側面のみが露出
したヒートシンク5を製作し、バレルメツキ等で露出し
た側面のみに化学ニッケルメッキ10を施し、上下面の
メッキレジスト層を除去する方法を採用してもよい。次
に、第6図に示すように、フランジ1のヒートシンク嵌
合孔2に前記ヒートシンク5を嵌合し、機械的にかしめ
て仮固定体11を製作し、この仮固定体11を活性化処
理したのち、全面に厚さ2〜8μ程度の電気ニッケルメ
ッキ112を施す。続いて、第7図に示すように、仮固
定体11におけるフランジ1のリード線封着孔3,3に
円筒状のガラスタブレット7a,7aを嵌入し、このガ
ラスタブレット7a,7aの中心孔に、全面に厚さ2〜
8μ程度の電気ニッケルメッキを施したリード線6,6
を挿入して所定の関係位置に組み立てる。最後に、全体
を中性もしくは弱還性雰囲気中で約1000℃に加熱す
ると、前記ガラスタブレット7a,7aが溶融して、第
8図に示すように、リード線6,6がガラス7,7によ
つて気密に封着されると同時に、前記ヒートシンク5の
側面の化学ニッケルメッキ10が溶融して、フランジ1
とヒートシンク5とがロウ付け一体化される。上記の製
造方法によれば、ヒートシンク5の側面に化学ニッケル
メッキ10を施し、このヒートシンク5をフランジ1に
かしめて仮固定して仮固定体11を製作し、この仮固定
体11の全面に電気ニッケルメッキ12を施すので、フ
ランジ1およびヒートシンク5に別々に電気ニッケルメ
ッキ8,9を施す場合に比較して一回のメッキ処理でよ
く簡単である。のみならず、ガラス封着時の加熱温度で
化学ニッケルメッキ10が溶融した際、その全面が化学
ニッケルメッキ10よりも高融点.の電気ニッケルメッ
キ12で覆われているため、従来のように溶融した化学
ニッケルメッキ10がフランジ1やヒートシンク5の上
面を流れ広がるといつたことはなくなり、ガラス封止界
面に流れ込んで気密劣化を生じたり、ヒートシンク5の
半、導体素子の固着予定部分に流れて半導体素子の固着
性が劣化したり、あるいはフランジ1のキャップ溶接予
定部分に流れてキャップの溶接時に湯玉による半導体素
子の特性劣化といつた諸問題が皆無になる。なお、前記
実施例は、フランジ1にヒートシンク嵌合孔2を穿設し
、ヒートシンク5の側面のみに化学ニッケルメッキ10
を施す場合について説明したが、フランジにヒートシン
ク嵌合用の凹部を穿設し、一方ヒートシンクの側面およ
び下面に化学ニッケルメッキを施して前記凹部に嵌合し
かしめるようにしてもよい。第9図ないし第12図はこ
の発明を他の構成のステムの製造に実施する場合の各工
程の断面図を示す。
First, as shown in FIG. 5, an iron flange 1 and a copper heat sink 5 are manufactured, and at least one of them is coated with chemical nickel with a thickness of about 5 to 15 μm on the part to be brazed, for example, only on the side surface of the heat sink 5. Apply plating 10.
At this time, for example, a plating resist layer is formed on the top and bottom surfaces of a copper plate of a predetermined thickness, and this copper plate is punched out in a circular shape to produce the heat sink 5 whose top and bottom surfaces are covered with the plating resist layer and only the side surfaces are exposed. Alternatively, a method may be adopted in which chemical nickel plating 10 is applied only to the side surfaces exposed by barrel plating or the like, and the plating resist layers on the upper and lower surfaces are removed. Next, as shown in FIG. 6, the heat sink 5 is fitted into the heat sink fitting hole 2 of the flange 1, mechanically caulked to produce a temporary fixed body 11, and this temporary fixed body 11 is activated. After that, electrolytic nickel plating 112 with a thickness of about 2 to 8 μm is applied to the entire surface. Subsequently, as shown in FIG. 7, cylindrical glass tablets 7a, 7a are inserted into the lead wire sealing holes 3, 3 of the flange 1 of the temporary fixing body 11, and the center holes of the glass tablets 7a, 7a are inserted. , thickness 2~ on the entire surface
Lead wires 6, 6 with electrolytic nickel plating of about 8μ
Insert and assemble into position. Finally, when the whole is heated to about 1000° C. in a neutral or weakly reducing atmosphere, the glass tablets 7a, 7a are melted and the lead wires 6, 6 are connected to the glasses 7, 7 as shown in FIG. At the same time, the chemical nickel plating 10 on the side surface of the heat sink 5 is melted and the flange 1 is hermetically sealed.
and the heat sink 5 are integrated by brazing. According to the above manufacturing method, chemical nickel plating 10 is applied to the side surface of the heat sink 5, the heat sink 5 is caulked and temporarily fixed to the flange 1 to produce the temporary fixed body 11, and the entire surface of the temporary fixed body 11 is electrically Since the nickel plating 12 is applied, the plating process is simple and requires only one plating process, compared to the case where the flange 1 and the heat sink 5 are electrolytically nickel plated 8 and 9 separately. Not only that, when the chemical nickel plating 10 melts at the heating temperature during glass sealing, the entire surface has a higher melting point than the chemical nickel plating 10. Because it is covered with electrolytic nickel plating 12, the molten chemical nickel plating 10 does not flow and spread over the top surface of the flange 1 and heat sink 5 as in the past, but instead flows into the glass sealing interface and deteriorates the airtightness. It may flow to the half of the heat sink 5, the part where the conductive element is to be fixed, and deteriorate the adhesion of the semiconductor element, or it may flow to the part of the flange 1, where the cap is to be welded, and the characteristics of the semiconductor element may be deteriorated by hot water droplets during welding of the cap. All the problems you have had will disappear. In the above embodiment, the heat sink fitting hole 2 is formed in the flange 1, and the chemical nickel plating 10 is applied only to the side surface of the heat sink 5.
Although a case has been described in which a recess for fitting the heat sink is formed in the flange, chemical nickel plating may be applied to the side and lower surfaces of the heat sink so that the heat sink is fitted into the recess. FIGS. 9 to 12 show cross-sectional views of each process in the case where the present invention is applied to the manufacture of stems of other configurations.

この実施例は、第9図に示すようにフランジ13の中央
部に大径のヒートシンク嵌合孔14を形成し、このヒー
トシンク嵌合孔14◆こ嵌合される大径のヒートシンク
15にアイレツト17,17の嵌合孔16,16を穿設
し、その側面およびアイレツト嵌合孔16,16の内面
に化学ニッケルメッキ10を施す。次に、第10図に示
すように、フランジ13のヒートシンク嵌合孔14にヒ
ートシンク15を嵌合するとともに、ヒートシンク15
のアイレツト嵌合孔16,16に鉄製のアイレツト17
,17を嵌合し、かしめて三者を仮固定した仮固定体1
8を製作し、全面に電気ニッケルメッキ12を施す。さ
らに、第11図に示すように、仮固定体18のアイレツ
ト17,17にガラスタブレット7a,7aを嵌入し、
ガラスタブレット7a,7aにリード線6,6を挿通し
て所定の関係位置に組み立てる。最後に全体を加熱する
ことによつて、前記ガラスタブレット7a,7aを溶融
させて、第12図に示すように、リード線6,6をガラ
ス封着すると同時に、ヒートシンク15の側面およびア
イレツト嵌合孔16,16の内面の化学ニッケルメッキ
10を溶融させて、フランジ13、ヒートシンク15お
よびアイレツト17,17をロウ付けする。なお、上記
各実施例は、いずれも鉄製フランジと銅製ヒートシンク
をロウ付けしたステムについて説明したが、この発明は
銅製フランジのアイレツト嵌合孔に鉄製のアイレツトを
嵌合してロウ付けするとともに、アイレツト内にリード
線をガラス封着し、かつフランジの上面にキャップ溶接
用の溶接リングをロウ付けする構成のステムを製造する
場合にも適用てきる。
In this embodiment, as shown in FIG. 9, a large-diameter heat sink fitting hole 14 is formed in the center of the flange 13, and an eyelet 17 is formed in the large-diameter heat sink 15 that is fitted into the heat sink fitting hole 14◆. , 17 are bored, and chemical nickel plating 10 is applied to the side surfaces thereof and the inner surfaces of the eyelet fitting holes 16, 16. Next, as shown in FIG. 10, the heat sink 15 is fitted into the heat sink fitting hole 14 of the flange 13.
Iron eyelets 17 are installed in the eyelet fitting holes 16, 16.
, 17 are fitted and caulked to temporarily fix the three parts 1
8 is manufactured and electrolytic nickel plating 12 is applied to the entire surface. Furthermore, as shown in FIG. 11, the glass tablets 7a, 7a are fitted into the eyelets 17, 17 of the temporary fixing body 18,
Lead wires 6, 6 are inserted into the glass tablets 7a, 7a and assembled at predetermined relative positions. Finally, by heating the whole, the glass tablets 7a, 7a are melted, and the lead wires 6, 6 are sealed with glass, as shown in FIG. The chemical nickel plating 10 on the inner surfaces of the holes 16, 16 is melted and the flange 13, heat sink 15 and eyelets 17, 17 are brazed. In each of the above embodiments, a stem in which an iron flange and a copper heat sink are brazed together has been described. However, in this invention, an iron eyelet is fitted into an eyelet fitting hole of a copper flange and brazed, and the eyelet is It can also be applied to the manufacture of a stem in which a lead wire is sealed in glass and a welding ring for cap welding is brazed to the upper surface of the flange.

また、この発明は半導体装置用ステム以外の気密端子の
製造にも適用できる。
Further, the present invention can be applied to the manufacture of airtight terminals other than stems for semiconductor devices.

さらに、この発明は鉄製部品と銅製部品とをロウ付けす
るものだけてはなく、鉄を主成分とする鉄合金などの鉄
系部品や銅を主成分とする銅合金などの銅系部品をロウ
付けするものにも適用できる。
Furthermore, this invention is applicable not only to brazing iron parts and copper parts, but also to brazing iron parts such as iron alloys whose main component is iron or copper parts such as copper alloys whose main component is copper. It can also be applied to things that are attached.

この発明は以上のように、鉄系部品と銅系部品の少なく
とも一方のロウ付け予定部分に化学ニッケルメッキを施
す工程と、これら鉄系部品と銅系部品とを所定の関係位
置にかしめて仮固定する工程と、この仮固定体の全面に
電気ニッケルメッキを施す工程と、前記仮固定体をリー
ド線およびガラスタブレットとともに所定の関係位置に
組み立てる工程と、全体を加熱することにより前記ガラ
スタブレットを溶融してリード線をガラス封着すると同
時に、前記化学ニッケルメッキを溶融して鉄系部品と銅
系部品とをロウ付け一体とする工程とを含むから、リー
ド線のガラス封着と、鉄系部品および銅系部品のロウ付
けとが同時に行なえ、しかも仕上げメッキが不要になり
、製造容易で原価低減が図れる。
As described above, the present invention includes a process of applying chemical nickel plating to a portion of at least one of an iron-based part and a copper-based part to be brazed, and a process of caulking these iron-based parts and copper-based parts into predetermined positions. A step of fixing, a step of applying electro-nickel plating to the entire surface of this temporary fixing body, a step of assembling the temporary fixing body together with the lead wire and the glass tablet in a predetermined position, and heating the whole to fix the glass tablet. This process includes melting and sealing the lead wires with glass, and simultaneously melting the chemical nickel plating and brazing the iron-based parts and copper-based parts together. Brazing parts and copper-based parts can be performed simultaneously, and finishing plating is not required, making manufacturing easier and reducing costs.

さらに、化学ニッケルメッキの上に化学ニッケルメッキ
よりも高融点の電気ニッケルメッキを施すので、ガラス
封着時に溶融した化学ニッケルメッキが金属部品上を流
れ広がることがなくなり、気密不良や外観不良を一掃で
きる。特に半導体装置用ステムにおいては、半導体素子
の固着性が劣化したり、キャップ溶接時に溶融金属の湯
玉によつて半導体素子の特性が劣化することをなくすこ
とができるという効果を奏する。
Furthermore, since electrolytic nickel plating is applied on top of chemical nickel plating, which has a higher melting point than chemical nickel plating, molten chemical nickel plating does not flow and spread over metal parts during glass sealing, eliminating airtightness and appearance defects. can. Particularly in a stem for a semiconductor device, it is possible to prevent the adhesion of the semiconductor element from deteriorating or the characteristics of the semiconductor element from deteriorating due to molten metal beads during cap welding.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図および第2図は半導体装置用ステムの一例で、第
1図はその平面図、第2図は第1図の■一■線に沿う断
面図である。 第3図および第4図はこの発明の背景となるステムの製
造方法を説明するためのものて、第3図はガラス封着前
の分解断面図、第4図はガラス封着後の断面図である。
第5図ないし第8図はこの発明を第1図および第2図に
示すステムに実施する場合について説明するための各工
程の断面図てある。第9図ないし第12図はこの発明を
他の構成のステムに実施する場合について説明するため
の各工程の断面図である。1,13・・・・・・鉄系部
品(フランジ)、5,15・・・・銅系部品(ヒートシ
ンク)、6・・・・・・リード線、7・・・・・・ガラ
ス、7a・・・・・・ガラスタブレット、10・・・・
・・化学ニッケルメッキ、11,18・・・・・・仮固
定体、12・・・・・・電気ニッケルメッキ、17・・
鉄系部品(アイレツト)。
1 and 2 show an example of a stem for a semiconductor device, with FIG. 1 being a plan view thereof, and FIG. 2 being a sectional view taken along line 1-1 in FIG. Figures 3 and 4 are for explaining the manufacturing method of the stem, which is the background of this invention. Figure 3 is an exploded sectional view before glass sealing, and Figure 4 is a sectional view after glass sealing. It is.
FIGS. 5 to 8 are cross-sectional views of each process for explaining the case where the present invention is applied to the stem shown in FIGS. 1 and 2. FIG. FIGS. 9 to 12 are cross-sectional views of each process for explaining the case where the present invention is applied to a stem having another configuration. 1, 13... Iron parts (flange), 5, 15... Copper parts (heat sink), 6... Lead wire, 7... Glass, 7a ...Glass tablet, 10...
...Chemical nickel plating, 11,18...Temporary fixed body, 12...Electro nickel plating, 17...
Iron parts (eyelets).

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 鉄系部品にガラスを介してリード線を封着するとと
もに鉄系部品と銅系部品とをロウ付けする気密端子の製
造方法において、前記鉄系部品と銅系部品の少なくとも
一方のロウ付け予定部品に化学ニッケルメッキを施す工
程と、これら鉄系部品と銅系部品とを所定の関係位置に
かしめて仮固定する工程と、この仮固定体の全面に電気
ニッケルメッキを施す工程と、前記仮固定体をリード線
およびガラスタブレットとともに所定の関係位置に組み
立てる工程と、全体を加熱することにより前記ガラスタ
ブレットを溶融してリード線をガラス封着すると同時に
、前記化学ニッケルメッキを溶融して鉄系部品と銅系部
品とをロウ付け一体とする工程とを含むことを特徴とす
る気密端子の製造方法。
1. In a method for manufacturing an airtight terminal in which a lead wire is sealed to a ferrous component through glass and the ferrous component and the copper component are brazed together, brazing of at least one of the ferrous component and the copper component is planned. A process of applying chemical nickel plating to the parts, a process of caulking and temporarily fixing these iron parts and copper parts in predetermined relationship positions, a process of applying electrolytic nickel plating to the entire surface of this temporary fixing body, and a process of applying electrolytic nickel plating to the entire surface of this temporary fixing body, A step of assembling the fixed body together with the lead wire and the glass tablet in a predetermined relationship position, heating the whole to melt the glass tablet and sealing the lead wire to the glass, and at the same time melting the chemical nickel plating to form an iron-based A method for manufacturing an airtight terminal, comprising the step of integrally brazing a component and a copper component.
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